【1N746A - 1N759A系列分立功率&信号技术1N746A - 1N759A系列半瓦齐】,IC型号1N753A,1N753A PDF资料,1N753A经销商,ic,电子元器件-51电子网

1N746A - 1N759A系列

分立功率&信号

技术

1N746A - 1N759A系列半瓦齐纳二极管

绝对最大额定值*

参数

存储温度范围

最高结工作温度

焊接温度（ 1/16“从案例10秒）

器件总功耗

减免上述25℃

TA = 25° C除非另有说明

公差： A = 5 ％

价值

-65到+200

+ 175

+ 230

500

3.33

单位

°C

毫瓦/°C的

这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。

DO-35

注意事项：

这些评级是基于200度C的最高结温

这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询

或低工作周期操作。

电气特性

设备

1N746A

1N747A

1N748A

1N749A

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

TA = 25° C除非另有说明

(V)

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

()

7.0

5.0

6.0

8.0

（MA ）

(A)

2.0

1.0

0.1

(V)

1.0

=150°C

(A)

(V)

1.0

(%/°C)

- 0.070

- 0.065

- 0.060

+/- 0.055

+/- 0.030

+ 0.038

+ 0.045

+ 0.050

+ 0.058

+ 0.062

+ 0.068

+ 0.075

+ 0.077

（MA ）

110

100

如图IZM （最大齐纳额定电流）值是基于对400毫瓦的JEDEC评级。在实际的齐纳电压（ VZ ）被称为

在工作点时，最大齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。

1997仙童半导体公司

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

CoolFET

CROSSVOLT

CMOS

FACT

FACT静音系列

快

FASTr

GTO

HiSeC

放弃

等平面

MICROWIRE

POP

的PowerTrench

静音系列

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

TinyLogic

飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT

注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD

不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的

或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利

权利，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或

2.关键部件是在生命的任何组件

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

日前，Vishay

1N746A到1N759A

威世半导体

齐纳二极管

特点

硅平面功率齐纳二极管。

标准齐纳电压容限是"A" ± 5 ％

后缀。

94 9367

机械数据

案例：

DO- 35玻璃柜

重量：

约。 130毫克

包装代码/选项：

每13 "卷轴TR / 10K ， 30K /箱

每弹药带（52毫米磁带）， 30K /盒TAP / 10K

绝对最大额定值

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

齐纳电流（见表"Characteristics" ）

功耗

测试条件

AMB

= 75 °C

符号

合计

价值

500

单位

被测量，导致在3/8 "从壳体的距离被保持在环境温度下

最大热阻

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

热阻结到

环境空气

最高结温

存储温度范围

测试条件

符号

θJA

价值

300

单位

° C / W

°C

175

- 65 + 175

有效的提供，导致在3/8 "从壳体的距离被保持在环境温度下

文档编号85756

第2版， 04 -APR- 03

www.vishay.com

1N746A到1N759A

威世半导体

电气特性

1N746A到1N759A

部分号码

额定齐纳

电压

@ I

ZT 3 ）

1N746A

1N747A

1N748A

1N749A

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

日前，Vishay

测试电流

最大

动态

阻抗

@ I

ZT 1 ）

最大

调节器

当前

ZM2)

110

100

最大反向漏电流

@ V

= 1V)

AMB

= 25 °C

0.1

AMB

= 150 °C

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

齐纳阻抗是从1千赫兹的交流电压具有的RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自

齐纳电流（I

）被叠加在我

.Zener阻抗的测量是在两个点，以确保锋利膝盖击穿曲线上

和消除不稳定的单元。

有效的提供，导致在从情况下的距离的3/8 "被保持在环境温度。

在热平衡器件结。

测

包装尺寸（mm）

阴极鉴定

技术图纸

根据DIN

特定网络阳离子

94 9366

0.55

马克斯。

1.7

马克斯。

标准玻璃柜

54 A 2 DIN 41880

JEDEC DO 35

重最大。 0.3克

26分钟。

3.9最大。

26分钟。

www.vishay.com

文档编号85756

第2版， 04 -APR- 03

日前，Vishay

消耗臭氧层物质的政策声明

它的策略

威世半导体有限公司

1N746A到1N759A

威世半导体

1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。

2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和

operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如

以及它们对环境的影响。

这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息

被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质）。

蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质

并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为

对这些物质的早期禁令。

威世半导体有限公司

已经能够利用不断改进的政策，以消除

使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。

1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表

分别

2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质

保护局（EPA）在美国

3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质）。

威世半导体有限公司

可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造

物质和不含有这种物质。

我们保留作出修改，以改善技术设计的权利

并且可以这样做，恕不另行通知。

参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证

客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何

意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有

索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔

损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。

日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn

电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423

文档编号85756

第2版， 04 -APR- 03

www.vishay.com

1N746A - 1N759A系列

分立功率&信号

技术

1N746A - 1N759A系列半瓦齐纳二极管

绝对最大额定值*

参数

存储温度范围

最高结工作温度

焊接温度（ 1/16“从案例10秒）

器件总功耗

减免上述25℃

TA = 25° C除非另有说明

公差： A = 5 ％

价值

-65到+200

+ 175

+ 230

500

3.33

单位

°C

毫瓦/°C的

这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。

DO-35

注意事项：

这些评级是基于200度C的最高结温

这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询

或低工作周期操作。

电气特性

设备

1N746A

1N747A

1N748A

1N749A

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

TA = 25° C除非另有说明

(V)

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

()

7.0

5.0

6.0

8.0

（MA ）

( A)

2.0

1.0

0.1

(V)

1.0

=150° C

( A)

(V)

1.0

(%/° C)

- 0.070

- 0.065

- 0.060

+/- 0.055

+/- 0.030

+ 0.038

+ 0.045

+ 0.050

+ 0.058

+ 0.062

+ 0.068

+ 0.075

+ 0.077

（MA ）

110

100

如图IZM （最大齐纳额定电流）值是基于对400毫瓦的JEDEC评级。在实际的齐纳电压（ VZ ）被称为

在工作点时，最大齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。

该数据表已经从下载：

www.datasheetcatalog.com

数据表的电子元件。

LEADED （ THRU - HOLE ）

齐纳二极管

400mW的玻璃体稳压二极管

工作温度： -65℃ 150℃

交

公称

TEST

最大齐纳最大反向漏最大DC

最大

包

概要

型号Refernce

齐纳

阻抗

=1V

齐纳温

（最大值为英寸）

电压@IZT

= 25 ° （C T）

= 150 ℃，电流系数

(V)

（MA ）

(W)

（MA ）

)

散装/卷

1N746A

1N5226B

3.3

10.0

110

-0.07

1000/10000

1N747A

1N5227B

3.6

10.0

100

-0.065

1000/10000

1N748A

1N5228B

3.9

10.0

-0.06

1000/10000

1N749A

1N5229B

4.3

2.0

-0.055

1000/10000

1N750A

1N5230B

4.7

2.0

-0.03

1000/10000

1N751A

1N5231B

5.1

1.0

0.03

1000/10000

1N752A

1N5232B

5.6

1.0

0.038

1000/10000

1N753A

1N5234B

6.2

0.1

0.045

1000/10000

1N754A

1N5235B

6.8

0.1

0.05

1000/10000

1N755A

1N5236B

7.5

0.1

0.058

1000/10000

1N756A

1N5237B

8.2

0.1

0.062

1000/10000

1N757A

1N5239B

9.1

0.1

0.068

1000/10000

1N758A

1N5240B

10.0

0.1

0.075

1000/10000

1N759A

1N5242B

12.0

0.1

0.077

1000/10000

400mW的玻璃体稳压二极管

交

公称

TEST

最大齐纳稳压最大测试

最大

最大反向测试最大齐纳

型号Refernce

齐纳

阻抗阻抗电流温度LKG电流电压电流

电压@IZT

系数

@ V

位于C

(V)

（MA ）

(W)

（MA ）

)

（MA ）

(V)

1N964B

1N5243B

9.5

700

0.25

0.079

9.9

1N965B

1N5245B

8.5

700

0.25

0.082

11.4

1N966B

1N5246B

7.8

700

0.25

0.083

12.2

1N967B

1N5248B

750

0.25

0.085

13.7

1N968B

1N5250B

6.2

750

0.25

0.086

15.2

1N969B

1N5251B

5.6

750

0.25

0.087

16.7

1N970B

1N5252B

5.2

750

0.25

0.088

18.2

1N971B

1N5254B

4.6

750

0.25

0.09

20.6

1N972B

1N5256B

4.2

1000

0.25

0.091

22.8

1N973B

1N5257B

3.8

1000

0.25

0.092

25.1

1N974B

1N5258B

3.4

1000

0.25

0.093

27.4

1N975B

1N5259B

3.2

1000

0.25

0.094

29.7

1N976B

1N5260B

1500

0.25

0.095

32.7

1N977B

1N5261B

2.7

105

1500

0.25

0.095

35.8

1N978B

1N5262B

2.5

125

1500

0.25

0.096

38.8

包

工作温度： -65℃ 150℃

概要

（最大值为英寸）

散装/卷

1000/10000

500mW的玻璃体稳压二极管

交

公称

TEST

最大齐纳稳压最大

最大齐纳

最大反向测试最大齐纳

型号Refernce

齐纳

阻抗阻抗电压温度。 LKG电流电压电流

电压@IZT

系数

@ V

位于C

(V)

（MA ）

(W)

(%°C)

（MA ）

(V)

1N5221B

2.4

1200

-0.085

100.0

1.0

191

1N5222B

2.5

1250

-0.085

100.0

1.0

182

1N5223B

2.7

1300

-0.080

75.0

1.0

168

1N5224B

2.8

1400

-0.080

75.0

1.0

162

1N5225B

3.0

1600

-0.075

50.0

1.0

151

1N5226B

3.3

1600

-0.070

25.0

1.0

138

1N5227B

3.6

1700

-0.065

15.0

1.0

126

1N5228B

3.9

1900

-0.060

10.0

1.0

115

1N5229B

4.3

2000

-0.055

5.0

1.0

106

1N5230B

4.7

1900

-0.030

5.0

2.0

1N5231B

5.1

1600

+0.030

5.0

2.0

1N5232B

5.6

1600

+0.038

5.0

3.0

1N5233B

6.0

1600

+0.038

5.0

3.5

1N5234B

6.2

1000

+0.045

5.0

4.0

1N5235B

6.8

750

+0.050

3.0

5.0

1N5236B

7.5

500

+0.058

3.0

6.0

1N5237B

8.2

500

+0.062

3.0

6.5

1N5238B

8.7

600

+0.065

3.0

6.5

1N5239B

9.1

600

+0.068

3.0

7.0

1N5240B

10.0

600

+0.075

3.0

8.0

1N5241B

11.0

600

+0.076

3.0

8.4

1N5242B

600

+0.077

1.0

9.1

1N5243B

9.5

600

+0.079

0.5

9.9

1N5244B

600

+0.082

0.1

1N5245B

8.5

600

+0.082

0.1

1N5246B

7.8

600

+0.083

0.1

1N5247B

7.4

600

+0.084

0.1

1N5248B

600

+0.085

0.1

1N5249B

6.6

600

+0.085

0.1

1N5250B

6.2

600

+0.086

0.1

1N5251B

5.6

600

+0.087

0.1

21.2

1N5252B

5.2

600

+0.088

0.1

19.1

1N5253B

600

+0.089

0.1

18.2

1N5254B

4.6

600

+0.090

0.1

16.8

1N5255B

4.5

600

+0.091

0.1

16.2

1N5256B

4.2

600

+0.091

0.1

15.1

1N5257B

3.8

700

+0.092

0.1

13.8

1N5258B

3.4

700

+0.093

0.1

12.6

1N5259B

3.2

800

+0.094

0.1

11.5

1N5260B

900

+0.095

0.1

10.6

1N5261B

2.7

150

1000

+0.095

0.1

9.7

1N5262B

2.5

125

1100

+0.096

0.1

8.9

1N5263B

2.2

150

1300

+0.096

0.1

8.1

包

工作温度： -65℃ 150℃

概要

（最大值为英寸）

散装/卷

1000/10000

RFE国际

电话：（ 949 ） 833-1988 传真：（ 949 ） 833-1788 电子邮件Sales@rfeinc.com

C3CC01

REV 2001年

德昌

李焚香B Y形

关于矽次uctor

一个tradem方舟华氏度

矽次uctor

COM ponents我ndustri ES， LLC的

齐纳Tec的hnolo GY

和

临管

500毫瓦的DO -35气密

密封的玻璃齐纳电压

稳压器

轴向引线

DO35

最大额定值

（注1 ）

等级

最大稳态功耗

@TL≤75℃,

引线长度= 3/8 “

减免上述75 ℃

工作和存储

温度范围

, T

英镑

4.0

-65到+200

毫瓦/ °

°C

43xxA

=标志

= 1N43xxA器件代码

符号

价值

500

单位

注1 ：某些零件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。

规格特点：

齐纳电压范围2.4V = 12V至

ESD等级3级（ >6 KV ）每人体模型

DO- 35封装（ DO- 204AH ）

双弹头式建筑

冶金结合建设

符合RoHS

焊接热浸锡（Sn ），铅完成

7xxA

=标志

= 1N7xxA器件代码

规格特点：

例

完

双塞型，密闭玻璃

所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊

阴极

阳极

极性：

阴极指示的极性带

安装：

任何

编号： DB- 071

2010年4月/ D

第1页

1N750A通过1N759A系列

德昌

电气特性

(

= 25 ° C除非另有说明）

齐纳电压

（注3 ）

设备

（注2 ）

设备

记号

民

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

4.47

4.85

5.32

5.89

6.46

7.13

7.79

8.65

9.50

11.4

（伏）

喃

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

最大

4.94

5.36

5.88

6.51

7.14

7.88

8.61

9.56

10.5

12.6

（MA ）

李焚香B Y形

关于矽次uctor

一个tradem方舟华氏度

矽次uctor

COM ponents我ndustri ES， LLC的

齐纳Tec的hnolo GY

和

临管

齐纳阻抗

（注4 ）

(Ω)

IR @VR = 1V

AMB

25℃

（ UA）

0.1

AMB

125℃

（ UA）

（注5 ）

（MA ）

VF正向电压= 1.5V最大@ I

= 200毫安所有类型

2.公差和电压DESIGNATION

列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差

±5%.

3.齐纳电压（V

）测量

齐纳电压（V

）是脉冲条件下进行测试。测得的

被保证是在规定范围内用设备

结在热平衡。

4.齐纳阻抗（Z

）推导

是通过将所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我

Z（ AC）

0.1 I

Z（ DC ）

交流频率= 60Hz的。

5.最大齐纳电流额定值（我

)

示值是基于400毫瓦的JEDEC等级在实际的齐纳电压（V

）是已知的，在该操作点，所述

齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。

编号： DB- 071

2010年4月/ D

第2页

德昌

包装外形

案例外形

李焚香B Y形

关于矽次uctor

一个tradem方舟华氏度

矽次uctor

COM ponents我ndustri ES， LLC的

齐纳Tec的hnolo GY

和

临管

DO-35

暗淡

民

MILLIMETERS

最大

民

英寸

最大

0.46

0.56

0.018

0.022

3.05

5.08

0.120

0.200

25.40

38.10

1.000

1.500

1.52

2.29

0.060

0.090

注意：

所有尺寸JEDEC标准之内。

编号： DB- 071

2010年4月/ D

第3页

德昌

DISC LA MER我ê诺蒂奇

通告

本文档中提供的信息仅供参考。德昌保留做出正确的

更改，恕不另行通知此处显示的产品规格。

这里所列出的产品被设计成与普通的电子设备或装置，并且不使用

设计成与设备或需要高度可靠的设备和与故障用

将直接危及人的生命（如医疗器械，交通运输设备，航空航天

机械，核反应控制器，燃料控制器等安全装置），德昌半导体

有限责任公司，或任何代表其承担此类产生的任何damagers不承担任何责任

使用不当销售。

本出版物取代&替换reviously提供的所有信息。有关更多信息，请访问：

我们的网站

http://www.takcheong.com ，

或咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。

编号： DB- 100

2008年4月14日/ A

日前，Vishay

1N746A到1N759A

威世半导体

齐纳二极管

特点

硅平面功率齐纳二极管。

标准齐纳电压容限是"A" ± 5 ％

后缀。

94 9367

机械数据

案例：

DO- 35玻璃柜

重量：

约。 130毫克

包装代码/选项：

每13 "卷轴TR / 10K ， 30K /箱

每弹药带（52毫米磁带）， 30K /盒TAP / 10K

绝对最大额定值

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

齐纳电流（见表"Characteristics" ）

功耗

测试条件

AMB

= 75 °C

符号

合计

价值

500

单位

被测量，导致在3/8 "从壳体的距离被保持在环境温度下

最大热阻

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

热阻结到

环境空气

最高结温

存储温度范围

测试条件

符号

θJA

价值

300

单位

° C / W

°C

175

- 65 + 175

有效的提供，导致在3/8 "从壳体的距离被保持在环境温度下

文档编号85756

第2版， 04 -APR- 03

www.vishay.com

1N746A到1N759A

威世半导体

电气特性

1N746A到1N759A

部分号码

额定齐纳

电压

@ I

ZT 3 ）

1N746A

1N747A

1N748A

1N749A

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

日前，Vishay

测试电流

最大

动态

阻抗

@ I

ZT 1 ）

最大

调节器

当前

ZM2)

110

100

最大反向漏电流

@ V

= 1V)

AMB

= 25 °C

0.1

AMB

= 150 °C

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

齐纳阻抗是从1千赫兹的交流电压具有的RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自

齐纳电流（I

）被叠加在我

.Zener阻抗的测量是在两个点，以确保锋利膝盖击穿曲线上

和消除不稳定的单元。

有效的提供，导致在从情况下的距离的3/8 "被保持在环境温度。

在热平衡器件结。

测

包装尺寸（mm）

阴极鉴定

技术图纸

根据DIN

特定网络阳离子

94 9366

0.55

马克斯。

1.7

马克斯。

标准玻璃柜

54 A 2 DIN 41880

JEDEC DO 35

重最大。 0.3克

26分钟。

3.9最大。

26分钟。

www.vishay.com

文档编号85756

第2版， 04 -APR- 03

日前，Vishay

消耗臭氧层物质的政策声明

它的策略

威世半导体有限公司

1N746A到1N759A

威世半导体

1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。

2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和

operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如

以及它们对环境的影响。

这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息

被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质）。

蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质

并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为

对这些物质的早期禁令。

威世半导体有限公司

已经能够利用不断改进的政策，以消除

使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。

1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表

分别

2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质

保护局（EPA）在美国

3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质）。

威世半导体有限公司

可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造

物质和不含有这种物质。

我们保留作出修改，以改善技术设计的权利

并且可以这样做，恕不另行通知。

参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证

客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何

意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有

索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔

损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。

日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn

电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423

文档编号85756

第2版， 04 -APR- 03

www.vishay.com

1N746A - 1 THRU 1N759-1 AVAILABLE IN

JAN ， JANTX

和

JANTXV

每MIL -PRF- 127分之19500

1N4370A - 1 THRU 1N4372A - 1适用车型

JAN ， JANTX

和

JANTXV

每MIL -PRF- 127分之19500

双封堵施工

冶金结合

1N746

THRU

1N759A

和

1N746A-1

THRU

1N759A-1

和

1N4370

THRU

1N4372A

和

1N4370A-1

THRU

1N4372A-1

最大额定值

工作温度： -65 ° C到+ 175℃

存储温度： -65 °C至+ 175℃

DC功耗： 500毫瓦@ + 50°C

功率降额： 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C

正向电压@ 200毫安： 1.1伏特最大

电气特性@ 25°C

JEDEC

TYPE

数

（注1 ）

公称

齐纳

电压

VZ @ 1ZT

（注2 ）

伏

1N4370A

1N4371A

1N4372A

1N746A

1N747A

1N748A

1N749A

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10.0

12.0

齐纳

TEST

当前

1ZT

最大

齐纳

阻抗

（注3）

ZZT @ 1ZT

欧

最大

反向电流

IR @ VR

最大

齐纳

当前

伏

1.0

1.5

2.0

2.5

3.5

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

155

140

125

120

110

100

图1

设计数据

案例：

密封的玻璃

情况。 DO - 35的轮廓。

导线材料：

铜包钢。

铅表面处理：

锡/铅

热阻（R

OJEC ）：

250

C / W最高为L = .375英寸

热阻抗：（Z

OJX ）： 35

C / W最高

注1

注2

注3

在"A"后缀齐纳电压容差为±5％。无后缀表示+ 10 ％容差，

"C"后缀表示+ 2 ％ tollerance和"D"后缀表示+ 1 ％的容差。

齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结

温度为25℃ + 3 ℃。

齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于

到1ZT 10％

极性：

二极管与操作

带状（阴极）端阳性。

安装位置：

任。

6湖街，劳伦斯，马萨诸塞州01841

电话（ 978 ） 620-2600

传真（ 978 ） 689-0803

网址： http://www.microsemi.com

1N746

1N4370

钯，额定功率

耗散（ mW）的

500

400

300

200

100

THRU

和

THRU

包括-1 VERSIONS

1N759A

1N4372A

100

125

150

175

TL ，铅温度（ C° ） 3/8“从身体

功率降额曲线

齐纳阻抗Z

（欧姆）

100

科幻gure 3

工作电流（mA ）

齐纳阻抗VS.工作电流

德昌

行货

安森美半导体

的商标。

半导体

元件工业， LLC的

齐纳科技

和

制品

500毫瓦的DO -35气密

密封的玻璃齐纳电压

稳压器

轴向引线

DO35

最大额定值

（注1 ）

等级

最大稳态功耗

@TL≤75℃,

引线长度= 3/8 “

减免上述75 ℃

工作和存储

温度范围

, T

英镑

4.0

-65到+200

毫瓦/ °

°C

43xxA

=标志

= 1N43xxA器件代码

符号

价值

500

单位

注1 ：某些零件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。

规格特点：

齐纳电压范围2.4V = 12V至

ESD等级3级（ >6 KV ）每人体模型

DO- 35封装（ DO- 204AH ）

双弹头式建筑

冶金结合建设

符合RoHS

焊接热浸锡（Sn ），铅完成

7xxA

=标志

= 1N7xxA器件代码

规格特点：

例

完

双塞型，密闭玻璃

所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊

阴极

阳极

极性：

阴极指示的极性带

安装：

任何

2006年11月/ C

第1页

1N4370A通过1N759A系列

德昌

电气特性

(

= 25 ° C除非另有说明）

齐纳电压

（注3 ）

设备

（注2 ）

设备

记号

民

1N4370A

1N4371A

1N4372A

1N746A

1N747A

1N748A

1N749A

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

1N4370A

1N4371A

1N4372A

1N746A

1N747A

1N748A

1N749A

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

2.28

2.57

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

4.85

5.32

5.89

6.46

7.13

7.79

8.65

9.50

11.4

（伏）

喃

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

最大

2.52

2.84

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.51

7.14

7.88

8.61

9.56

10.5

12.6

（MA ）

行货

安森美半导体

的商标。

半导体

元件工业， LLC的

齐纳科技

和

制品

齐纳阻抗

（注4 ）

()

IR @VR = 1V

AMB

25℃

（ UA）

100

0.1

AMB

125℃

（ UA）

200

150

100

（注5 ）

（MA ）

150

135

120

110

100

VF正向电压= 1.5V最大@ I

= 200毫安所有类型

2.公差和电压DESIGNATION

列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差

±5%.

3.齐纳电压（V

）测量

齐纳电压（V

）是脉冲条件下进行测试。测得的

被保证是在规定范围内用设备

结在热平衡。

4.齐纳阻抗（Z

）推导

是通过将所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我

Z（ AC）

0.1 I

Z（ DC ）

交流频率= 60Hz的。

5.最大齐纳电流额定值（我

)

示值是基于400毫瓦的JEDEC等级在实际的齐纳电压（V

）是已知的，在该操作点，所述

齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。

2006年11月/ C

第2页

德昌

包装外形

案例外形

行货

安森美半导体

的商标。

半导体

元件工业， LLC的

齐纳科技

和

制品

DO-35

暗淡

民

MILLIMETERS

最大

民

英寸

最大

0.46

3.05

25.40

1.52

0.56

5.08

38.10

2.29

0.018

0.120

1.000

0.060

0.022

0.200

1.500

0.090

注意：

所有尺寸JEDEC标准之内。

该数据表呈现德昌的齐纳二极管的技术数据。规格齐全，适合各个设备

在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务

所需的特定的应用程序组件。有关更多信息，请访问我们的网站

http://www.takcheong.com 。

虽然此数据表中的信息已经过仔细核对，对错误的责任可以承担德

畅。详情请咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。

德昌保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，进一步提高可靠性的权利，

功能和设计方面，成本和生产率。

德昌

和

注册德昌电子（集团）有限公司的商标。

2006年11月/ C

第3页

1N746通1N759A ， -1，

1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35

硅500 mW的稳压二极管

斯科茨代尔区划

描述

流行1N746通1N759A和1N4370直通1N4372A系列0.5

瓦齐纳稳压器提供了从2.4到12伏特的选择

标准的5 ％或10％的公差，以及确定了更严格的公差

不同的后缀字母上的零件号。这些玻璃轴向引线DO -35

齐纳二极管也可提供由内部冶金，债券期权

添加一个“-1”的后缀。这些也可以一月， JANTX ，并JANTXV

军事资格。

Microsemi的还提供了许多其他稳压

产品，满足更高和更低的功率应用。

重要提示：

有关最新资料，请咨询

Microsemi的

网址：

http://www.microsemi.com

外形

WWW .

Microsemi的

DO-35

(DO-204AH)

特点

JEDEC注册的直通1N759A和1N4370 1N746

直通1N4372A系列

可通过增加内部的冶金结合选项

一个“-1”的后缀

一月， JANTX ，并JANTXV也可

每MIL -PRF- 127分之19500资格加入的

JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀部件号

筛选所需的水平，以及-1“后缀; （例如

JANTX1N751A -1， JANTXV1N758C -1等）的

也可在军事表面贴装当量

DO- 213AA通过除加入UR- 1的后缀

JAN ， JANTX ，并JANTXV前缀;例如

JANTX1N962BUR - 1 （参见单独的数据表）

商用表面贴装当量可作为

MLL746到MLL759A和MLL4370到MLL4372A

包括“ -1 ”后缀中的DO- 213AA MELF风格

包（咨询工厂等）

DO- 7的玻璃体轴向引线齐纳同等学力

也可用

应用/优势

调节电压在很宽的工作

电流和温度范围

选择从2.4至12 V

标准电压容差的正/负5 ％

带有后缀的身份证明和10 ％，无后缀

可在正负2 ％的容差

或1％的分别是C或D后缀

灵活的轴向引线安装端子

不敏感每MIL -STD -750方法ESD

1020

最小电容（参见图3）

硬如Microsemi的描述本质辐射

MicroNote 050

最大额定值

操作和储存温度： -65

C至+175

热电阻： 250

C / W交界处领导在3/8

（10毫米）的车身引线长度，或310

C / W结到

周围安装在FR4印刷电路板时（ 1盎司铜）

为4 mm

铜焊盘和轨道宽度为1毫米，长

25 mm

稳定状态功率： 0.5瓦特在T

＆ LT ; 50

3/8英寸

从主体（10毫米）或在T 0.48 W

＆ LT ; 25

C下

安装在FR4印刷电路板所描述的热

上方阻力（参见图1 ）

正向电压@ 200毫安： 1.1伏特

焊接温度： 260

下进行10秒（最大）

机械及包装

案例：全密封轴向引线玻璃

DO- 35 （DO- 204AH ）包

终端：信息，锡铅镀焊每

MIL- STD- 750 ，方法2026

极性：负极由乐队表示。二极管

可与带状端与正操作

相对于相对的端部为齐纳调节

标记：部件号

TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加

“ TR ”后缀的部件号）

重量： 0.2克

请参阅最后一页的封装尺寸

1N746 -759A

1N4370 - 4372A （DO- 35）的

版权

2003

2003年10月31日REV B

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第1页

1N746通1N759A ， -1，

1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35

硅500 mW的稳压二极管

斯科茨代尔区划

电气特性* @ 25

JEDEC

型号

(NOTE1)

1N4370

1N4371

1N4372

1N746

1N747

1N748

1N749

1N750

1N751

1N752

1N753

1N754

1N755

1N756

1N757

1N758

1N759

公称

齐纳

电压

（注2 ）

伏

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10.0

12.0

齐纳

TEST

当前

最大

齐纳

阻抗

（注3）

欧

最大反向

电流I

@ V

= 1 VOLT

@25C

100

@+150C

200

150

100

最大

齐纳

当前

（注4 ）

150

135

120

110

100

典型

TEMP COEFF 。

齐纳二极管

电压

%/ C

-.085

-.080

-.075

-.066

-.058

-.046

-.033

-.015

+/-.010

+.030

+.049

+.053

+.057

+.060

+.061

+.062

WWW .

Microsemi的

* JEDEC注册资料

注1 ：

上显示JEDEC类型的标准公差为+/- 10 ％。后缀字母A表示±5 ％的容差;后缀

字母C表示+/- 2 ％ ;而后缀字母D表示+/- 1 ％的容差。

注2 ：

电压测量应用的直流测试电流后进行20秒。

注3 ：

通过叠加上衍生齐纳阻抗

， 60厘泊，有效值交流电流等于10 ％

（ 2毫安AC）。见MicroNote 202

典型的齐纳二极管的阻抗变化与不同的工作电流。

注4 ：

津贴已取得的增加

由于到Z

并且对于增加结温为单位接近

以400mW的功率耗散的热平衡。

图的

额定功耗 - 毫瓦

温度系数毫伏/ C

温度系数％ / C

1N746 -759A

1N4370 - 4372A （DO- 35）的

- 引线温度（ C） 3/8“从主体或

在FR4 PC板

额定齐纳电压（伏）

图1

功率降额曲线

图2

齐纳电压温度

系数与齐纳电压

版权

2003

2003年10月31日REV B

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第2页

1N746通1N759A ， -1，

1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35

硅500 mW的稳压二极管

斯科茨代尔区划

包装尺寸

WWW .

Microsemi的

INCH ：在所有尺寸

科幻gure 3

电容与齐纳电压

（典型值）

1N746 -759A

1N4370 - 4372A （DO- 35）的

版权

2003

2003年10月31日REV B

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第3页

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数据表的电子元件。