1N746...1N759
硅平面齐纳二极管
标准的齐纳电压容差为± 10 ％ 。添加后缀
"A"为± 5 ％的容差。其他公差，非
标准和更高的齐纳电压要求。
最大。 0.5
分钟。 27.5
马克斯。 1.9
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
"ST"品牌
XXX
ST
马克斯。 3.9
分钟。 27.5
玻璃外壳DO- 35
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
500
1)
单位
mW
O
175
- 65 + 175
C
C
O
在从情况下的距离为8毫米的有效条件是引线保持在环境温度
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 200毫安
1)
符号
R
THA
V
F
马克斯。
0.3
1)
1.2
单位
K /毫瓦
V
有效的条件是引线保持在环境温度在8毫米的情况下的距离。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 13/06/2007
1N746...1N759
齐纳电压范围
TYPE
V
ZNOM
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
l
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
1)
最大齐纳
阻抗
Z
ZT
（ Ω ）在我
ZT
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
最大反向漏电流
I
R
在V
R
= 1 V
T
a
= 25
O
C
I
R
(A)
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
T
a
= 150
O
C
I
R
(A)
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
2)
最大
调节器
当前
I
ZM
（MA ）
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
1N746
1N747
1N748
1N749
1N750
1N751
1N752
1N753
1N754
1N755
1N756
1N757
1N758
1N759
1)
2)
测试了脉冲TP = 20毫秒
有效的条件是引线保持在环境温度在8毫米的情况下的距离。
500
功耗： P合计（MW ）
400
300
200
100
0
0
25
100
150
环境温度： TA（ C）
O
200
功率降额曲线
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 13/06/2007
R
性S E M I C 0 N D ü （C T）
0.5W硅平面齐纳二极管
DO-35
特点
硅平面功率齐纳二极管
标准齐纳电压容差为±10％ 。新增的后缀"A"为+ 5 ％
宽容，其它公差可根据要求提供
0.079(2.0)
最大
迪亚
1.083(27.5)
民
0.150(3.8)
最大
机械数据
例
:
DO- 35玻璃柜
极性：
颜色频带端为负极
重量
:
约。 0.13克
0.020(0.52)
最大
迪亚
1.083(27.5)
民
尺寸以英寸（毫米）
绝对最大额定值（极限值）
(T
A
=25 C)
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
A
=50 C
结温
存储温度范围
P
合计
T
J
T
英镑
500
1)
175
-65到+ 175
mW
C
C
1）有效的规定，从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
电气特性
(T
A
=25 C)
热阻结到环境空气
在我正向电压
F
=200mA
R
JA
300
1)
1.5
C / W
V
F
1）有效的规定，从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
13-2
齐纳电压范围1 ）
V
Z
V
1N746
1N747
1N748
1N749
1N750
1N751
1N752
1N753
1N754
1N755
1N756
1N757
1N758
1N759
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
20
I
ZT
mA
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
%/ C
-0.062
-0.055
-0.049
-0.036
-0.018
-0.008
+0.006
+0.022
+0.035
+0.045
+0.052
+0.056
+0.060
+0.060
2
1
10
T
A
=25 C
A
2)
T
A
=150 C
A
mA
110
100
30
95
85
75
70
65
60
20
55
50
45
40
35
30
0.1
1 ）测试与脉冲TP = 20ms的
2）有效的规定，引线被保持在环境温度下，在从壳体的距离为8mm 。
13-3
TRANSYS
电子
L I M I T E
硅稳压二极管
1N746为1N759
DO- 35 400毫瓦
密封的玻璃封装稳压二极管
绝对最大额定值
描述
符号
价值
单位
ZV
3.3 12
V
齐纳电压
PD
400
mW
D C功率耗散
3.2
毫瓦/摄氏度
降额超过50摄氏度
TJ ， TSTG
-65到+175
摄氏度
操作&存储结
温度范围
电气特性（Ta = 25℃ ，除非另有规定， VF <1.5V @ 200毫安
设备标称*
齐纳
最大
最大
@
VR最大
典型值
TYPE ＃
齐纳
TEST
齐纳
反向电流
齐纳
温度
(1)
电压
阻抗
@ 25℃
@ 150摄氏度
当前
齐纳二极管的COEFF
VZ @ IZT
IZT
ZZT @ IZT
最大
最大
IZM
电压* VZ
(V)
（MA ）
（欧姆）
（ UA）
（ UA）
(V)
（MA ）
（ ％ ℃）
1N746
3.3
20
28
10
30
1.0
110
-0.066
1N747
3.6
20
24
10
30
1.0
100
-0.058
1N748
3.9
20
23
10
30
1.0
95
-0.046
1N749
4.3
20
22
2.0
30
1.0
85
-0.033
1N750
4.7
20
19
2.0
30
1.0
75
-0.015
1N751
5.1
20
17
1.0
20
1.0
70
+-0.010
1N752
5.6
20
11
1.0
20
1.0
65
+0.030
1N753
6.2
20
7
0.1
20
1.0
60
+0.049
1N754
6.8
20
5
0.1
20
1.0
55
+0.053
1N755
7.5
20
6
0.1
20
1.0
50
+0.057
1N756
8.2
20
8
0.1
20
1.0
45
+0.060
1N757
9.1
20
10
0.1
20
1.0
40
+0.061
1N758
10
20
17
0.1
20
1.0
35
+0.062
1N759
12
20
30
0.1
20
1.0
30
+0.062
注（ 1 ） ： - 无后缀+ -10 ％
后缀A + - 5 ％
*脉冲条件： 20ms的<tp 50毫秒，占空比Cycle<2 ％
DO- 35轴向玻璃封装
A
B
A
暗淡
A
C
B
D
笔记
1.阴极的特点是频带。
2.所有尺寸以毫米为单位。
C
D
民
25.40
3.03
0.46
1.52
最大
—
4.44
0.56
2.29
DO- 35 ， 52毫米编带标准
1.05最大。
1.5 R M AX 。
5.50
4.50
52毫米编带标准
1中。T & A表示轴向带&上午谟包装（ 52毫米
带间距） 。
2. 300米米（米）上的每个线轴的引带。
3号EM PTY地方允许编0.25 ％（重量） ithout
连续EM PTY地方。
4.两端引线应最好不要伸出
录音带。
5. COM ponents应带足够举办或
磁带，使他们不能COM è自由在规范人
处理。
利达
中线
± 1.05
54.00
50.00
6.0
5.0
52.0
11 IO DES
48.0
所有的暗淡ensions在M M 。
胶带
FE ê
D
6 . 0 ± 1 .0
52 ± 2
. 0 .0
6.0 ± 1.
0
85.0 mm
LABEL
.
255
73 .
5m
0m
m
m
DO -35 ： - 5000个/业余M O对包
DIO DE AM M O对PACK
上也提供26毫米磁带和弹药包的请求
包装细节
包
DO- 35 T&A
标准包装
详细
净重量/数量
5K /弹药箱
0.88公斤/ 5K个
内箱箱
SIZE
数量
10" X 3.5" X 3.5"
5.0K
SIZE
外箱BOX
数量
克重量
125.0K
25公斤
12.7" X 12.7" X 20"
1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
流行1N746通1N759A和1N4370直通1N4372A系列0.5
瓦齐纳稳压器提供了从2.4到12伏特的选择
标准的5 ％或10％的公差，以及确定了更严格的公差
不同的后缀字母上的零件号。这些玻璃轴向引线DO -35
齐纳二极管也可提供由内部冶金，债券期权
添加一个“-1”的后缀。这些也可以一月， JANTX ，并JANTXV
军事资格。
Microsemi的还提供了许多其他稳压
产品，满足更高和更低的功率应用。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-35
(DO-204AH)
特点
JEDEC注册的直通1N759A和1N4370 1N746
直通1N4372A系列
可通过增加内部的冶金结合选项
一个“-1”的后缀
一月， JANTX ，并JANTXV也可
每MIL -PRF- 127分之19500资格加入的
JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀部件号
筛选所需的水平，以及-1“后缀; （例如
JANTX1N751A -1， JANTXV1N758C -1等）的
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA通过除加入UR- 1的后缀
JAN ， JANTX ，并JANTXV前缀;例如
JANTX1N962BUR - 1 （参见单独的数据表）
商用表面贴装当量可作为
MLL746到MLL759A和MLL4370到MLL4372A
包括“ -1 ”后缀中的DO- 213AA MELF风格
包（咨询工厂等）
DO- 7的玻璃体轴向引线齐纳同等学力
也可用
应用/优势
调节电压在很宽的工作
电流和温度范围
选择从2.4至12 V
标准电压容差的正/负5 ％
带有后缀的身份证明和10 ％ ，无后缀
可在正负2 ％的容差
或1％的分别是C或D后缀
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
最小电容（参见图3）
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
操作和储存温度： -65
C至+175
C
热电阻： 250
C / W交界处领导在3/8
（10毫米）的车身引线长度，或310
C / W结到
周围安装在FR4印刷电路板时（ 1盎司铜）
为4 mm
2
铜焊盘和轨道宽度为1毫米，长
25 mm
稳定状态功率： 0.5瓦特在T
L
＆ LT ; 50
o
3/8英寸
从主体（10毫米）或在T 0.48 W
A
＆ LT ; 25
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
上方阻力（参见图1 ）
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封轴向引线玻璃
DO- 35 （DO- 204AH ）包
终端：信息，锡铅镀焊每
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管
可与带状端与正操作
相对于相对的端部为齐纳调节
标记：部件号
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量： 0.2克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
电气特性* @ 25
o
C
JEDEC
型号
(NOTE1)
1N4370
1N4371
1N4372
1N746
1N747
1N748
1N749
1N750
1N751
1N752
1N753
1N754
1N755
1N756
1N757
1N758
1N759
公称
齐纳
电压
V
Z
@
I
ZT
（注2 ）
伏
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
齐纳
TEST
当前
最大
齐纳
阻抗
Z
ZT
@
I
ZT
（注3）
欧
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
最大反向
电流I
R
@ V
R
= 1 VOLT
@25C
A
100
75
50
10
10
10
2
2
1
1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
@+150C
A
200
150
100
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
最大
齐纳
当前
（注4 ）
mA
150
135
120
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
典型
TEMP COEFF 。
齐纳二极管
电压
α
VZ
o
%/ C
-.085
-.080
-.075
-.066
-.058
-.046
-.033
-.015
+/-.010
+.030
+.049
+.053
+.057
+.060
+.061
+.062
+.062
WWW .
Microsemi的
.C
OM
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
ZM
* JEDEC注册资料
注1 ：
上显示JEDEC类型的标准公差为+/- 10 ％ 。后缀字母A表示±5 ％的容差;后缀
字母C表示+/- 2 ％ ;而后缀字母D表示+/- 1 ％的容差。
注2 ：
电压测量应用的直流测试电流后进行20秒。
注3 ：
通过叠加上衍生齐纳阻抗
I
ZT
， 60厘泊，有效值交流电流等于10 ％
I
ZT
（ 2毫安AC） 。见MicroNote 202
典型的齐纳二极管的阻抗变化与不同的工作电流。
注4 ：
津贴已取得的增加
V
Z
由于到Z
Z
并且对于增加结温为单位接近
以400mW的功率耗散的热平衡。
图的
额定功耗 - 毫瓦
温度系数毫伏/ C
温度系数％ / C
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
o
T
L
- 引线温度（ C） 3/8“从主体或
T
A
在FR4 PC板
o
额定齐纳电压（伏）
图1
功率降额曲线
图2
齐纳电压温度
系数与齐纳电压
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
包装尺寸
WWW .
Microsemi的
.C
OM
INCH ：在所有尺寸
mm
科幻gure 3
电容与齐纳电压
（典型值）
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
流行1N746通1N759A和1N4370直通1N4372A系列0.5
瓦齐纳稳压器提供了从2.4到12伏特的选择
标准的5 ％或10％的公差，以及确定了更严格的公差
不同的后缀字母上的零件号。这些玻璃轴向引线DO -35
齐纳二极管也可提供由内部冶金，债券期权
添加一个“-1”的后缀。这些也可以一月， JANTX ，并JANTXV
军事资格。
Microsemi的还提供了许多其他稳压
产品，满足更高和更低的功率应用。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-35
(DO-204AH)
特点
JEDEC注册的直通1N759A和1N4370 1N746
直通1N4372A系列
可通过增加内部的冶金结合选项
一个“-1”的后缀
一月， JANTX ，并JANTXV也可
每MIL -PRF- 127分之19500资格加入的
JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀部件号
筛选所需的水平，以及-1“后缀; （例如
JANTX1N751A -1， JANTXV1N758C -1等）的
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA通过除加入UR- 1的后缀
JAN ， JANTX ，并JANTXV前缀;例如
JANTX1N962BUR - 1 （参见单独的数据表）
商用表面贴装当量可作为
MLL746到MLL759A和MLL4370到MLL4372A
包括“ -1 ”后缀中的DO- 213AA MELF风格
包（咨询工厂等）
DO- 7的玻璃体轴向引线齐纳同等学力
也可用
应用/优势
调节电压在很宽的工作
电流和温度范围
选择从2.4至12 V
标准电压容差的正/负5 ％
带有后缀的身份证明和10 ％ ，无后缀
可在正负2 ％的容差
或1％的分别是C或D后缀
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
最小电容（参见图3）
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
操作和储存温度： -65
C至+175
C
热电阻： 250
C / W交界处领导在3/8
（10毫米）的车身引线长度，或310
C / W结到
周围安装在FR4印刷电路板时（ 1盎司铜）
为4 mm
2
铜焊盘和轨道宽度为1毫米，长
25 mm
稳定状态功率： 0.5瓦特在T
L
＆ LT ; 50
o
3/8英寸
从主体（10毫米）或在T 0.48 W
A
＆ LT ; 25
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
上方阻力（参见图1 ）
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封轴向引线玻璃
DO- 35 （DO- 204AH ）包
终端：信息，锡铅镀焊每
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管
可与带状端与正操作
相对于相对的端部为齐纳调节
标记：部件号
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量： 0.2克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
电气特性* @ 25
o
C
JEDEC
型号
(NOTE1)
1N4370
1N4371
1N4372
1N746
1N747
1N748
1N749
1N750
1N751
1N752
1N753
1N754
1N755
1N756
1N757
1N758
1N759
公称
齐纳
电压
V
Z
@
I
ZT
（注2 ）
伏
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
齐纳
TEST
当前
最大
齐纳
阻抗
Z
ZT
@
I
ZT
（注3）
欧
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
最大反向
电流I
R
@ V
R
= 1 VOLT
@25C
A
100
75
50
10
10
10
2
2
1
1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
@+150C
A
200
150
100
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
最大
齐纳
当前
（注4 ）
mA
150
135
120
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
典型
TEMP COEFF 。
齐纳二极管
电压
α
VZ
o
%/ C
-.085
-.080
-.075
-.066
-.058
-.046
-.033
-.015
+/-.010
+.030
+.049
+.053
+.057
+.060
+.061
+.062
+.062
WWW .
Microsemi的
.C
OM
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
ZM
* JEDEC注册资料
注1 ：
上显示JEDEC类型的标准公差为+/- 10 ％ 。后缀字母A表示±5 ％的容差;后缀
字母C表示+/- 2 ％ ;而后缀字母D表示+/- 1 ％的容差。
注2 ：
电压测量应用的直流测试电流后进行20秒。
注3 ：
通过叠加上衍生齐纳阻抗
I
ZT
， 60厘泊，有效值交流电流等于10 ％
I
ZT
（ 2毫安AC） 。见MicroNote 202
典型的齐纳二极管的阻抗变化与不同的工作电流。
注4 ：
津贴已取得的增加
V
Z
由于到Z
Z
并且对于增加结温为单位接近
以400mW的功率耗散的热平衡。
图的
额定功耗 - 毫瓦
温度系数毫伏/ C
温度系数％ / C
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
o
T
L
- 引线温度（ C） 3/8“从主体或
T
A
在FR4 PC板
o
额定齐纳电压（伏）
图1
功率降额曲线
图2
齐纳电压温度
系数与齐纳电压
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
包装尺寸
WWW .
Microsemi的
.C
OM
INCH ：在所有尺寸
mm
科幻gure 3
电容与齐纳电压
（典型值）
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
版权
2003
2003年10月31日REV B
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8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
CE
陈毅电子
特点
。硅平面功率齐纳二极管
。标准齐纳电压容差为10 ％ 。新增的后缀"A" 5 ％
宽容，宽容等可根据要求提供
1N746 THRU 1N759
0.5W硅平面齐纳二极管
机械数据
.
案例：
DO- 35玻璃柜
.
极性：
颜色频带端为负极
.
重量：
约。 0.13克
绝对最大额定值（极限值） （T
A
=25
)
符号
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
A
=50
结温
存储温度范围
P
合计
T
J
T
英镑
价值
单位
500
1)
175
-65到+ 175
mW
1）有效的规定，在从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
电气特性（ TA = 25
)
符号
热阻结到环境
正向电压
在我
F
=200mA
R
JA
分钟。
典型值。
马克斯。
300
1)
1.5
单位
/W
V
F
1）有效的规定，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
第1页2
CE
陈毅电子
1N746 THRU 1N759
0.5W硅平面齐纳二极管
1N746 ... 1N759硅平面齐纳二极管
最大
齐纳电压范围
1)
TYPE
V
Z
V
1N746
1N747
1N748
1N749
1N750
1N751
1N752
1N753
1N754
1N755
1N756
1N757
1N758
1N759
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
20
I
ZT
mA
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
齐纳
阻抗
Z
ZR
在我
ZR
典型
最大反向
最大
调节器
当前
Tempetature漏电流I
R 2)
在V
R
=1V
系数
T
A
=25
%/
-0.062
-0.055
-0.049
-0.036
-0.018
-0.008
+0.006
+0.022
+0.035
+0.045
+0.052
+0.056
+0.060
+0.060
0.1
20
1
2
10
30
A
T
A
=150
A
I
ZM
mA
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
1 ）测试与脉冲吨
p
=20ms
2）有效的规定，是在环境温度保持在从壳体的距离为8mm 。
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第2页2
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