【 1N6638US ， 1N6642US ， 1N6643US AVAILABLE INJAN ，】,IC型号1N6643US,1N6643US PDF资料,1N6643US经销商,ic,电子元器件-51电子网

1N6638US ， 1N6642US ， 1N6643US AVAILABLE IN

JAN ， JANTX ， JANTXV

和

JANS

每MIL -PRF-五百七十八分之一万九千五百

1N6638U ， 1N6642U ， 1N6643U AVAILABLE IN

JAN ， JANTX ， JANTXV

和

JANS

每MIL -PRF-五百七十八分之一万九千五百

开关二极管

非空心玻璃封装

冶金结合

1N6638U &美国

1N6642U &美国

1N6643U &美国

最大额定值

工作温度： -65 ° C到+ 175℃

存储温度： -65 °C至+ 175℃

工作电流： 300毫安

降额4.6毫安/ ° C以上TEC = + 110℃

浪涌电流：I

FSM

= 2.5A ，半正弦波， PW = 8.3ms的

电气特性

@ 25 ° C，除非另有规定ED 。

V BR

类型

IR @

=100 A

V RWM

V F1

IFM

= 10毫安

（脉冲的）

V（ PK）

1N6638U &美国

1N6642U &美国

1N6643U &美国

150

100

V（ PK）

125

V DC

0.8

1.0

V DC

1.1

1.2

（脉冲的）

200

100

V F2

@我F2

TFR

-50毫安

TRR

IR = 10毫安

IF = 10毫安

IREC = 1毫安

4.5

5.0

6.0

暗淡

MILLIMETERS

民

最大

1.78

2.16

0.48

0.71

4.19

4.95

0.08MIN.

英寸

最小最大

0.070 0.085

0.019 0.028

0.165 0.195

0.003MIN.

图1

设计数据

案例：

D- 5D所示，气密密封的玻璃

情况下，每MIL - PRF-五百七十八分之一万九千五

铅表面处理：

锡/铅

我R1

类型

= 20 V

nA的DC

我R2

= V RWM

μA DC

我R3

V R = 20 V

TA = 150℃

μA DC

我R4

V R = V RWM

TA = 150℃

μA DC

VR-

1.5V

热阻（R

OJEC ）：

50 C / W最高为L = 0

热阻抗：（Z

OJX ）： 25

C / W最高

极性：

阴极到底是带状。

1N6638U &美国

1N6642U &美国

1N6643U &美国

0.5

100

160

2.5

5.0

2.0

2.8

安装面选择：

扩展的轴向系数

（ COE ）这个装置大约是

+ 4PPM / ℃。在安装的COE

地面系统应选择

提供一个合适的符合这种

装置。

COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176

电话：（781 ） 665-1071

传真：（781 ） 665-7379

网站： http://www.cdi-diodes.com

电子信箱： mail@cdi-diodes.com

IN6638U&US ， IN6642U&US

1000

和

IN6643U&US

100

IF - 正向电流 - （ mA）的

100

0.1

VF - 正向电压（ V）

图2

典型正向电流

VS正向电压

1.0

1.1

1.2

1000

100

150C

IR - 反向电流 - （ μA ）

100

0.1

25C

.01

-65C

注意：

上图显示的所有温度

结温

.001

20 40 60 80 100 120 140

反向工作电压的百分比（％）

科幻gure 3

典型的反向电流

VS反向电压

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最大额定值

工作温度： -65 ° C到+ 175℃

存储温度： -65 °C至+ 175℃

工作电流： 300毫安

降额4.6毫安/ ° C以上TEC = + 110℃

浪涌电流：I

FSM

= 2.5A ，半正弦波， PW = 8.3ms的

电气特性

@ 25 ° C，除非另有规定ED 。

V BR

类型

IR @

=100 A

V RWM

V F1

IFM

= 10毫安

（脉冲的）

V（ PK）

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150

100

V（ PK）

125

V DC

0.8

1.0

V DC

1.1

1.2

（脉冲的）

200

100

V F2

@我F2

TFR

-50毫安

TRR

IR = 10毫安

IF = 10毫安

IREC = 1毫安

4.5

5.0

6.0

暗淡

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民

最大

1.78

2.16

0.48

0.71

4.19

4.95

0.08MIN.

英寸

最小最大

0.070 0.085

0.019 0.028

0.165 0.195

0.003MIN.

图1

设计数据

案例：

D- 5D所示，气密密封的玻璃

情况下，每MIL - PRF-五百七十八分之一万九千五

铅表面处理：

锡/铅

我R1

类型

= 20 V

nA的DC

我R2

= V RWM

μA DC

我R3

V R = 20 V

TA = 150℃

μA DC

我R4

V R = V RWM

TA = 150℃

μA DC

VR-

1.5V

热阻（R

OJEC ）：

50 C / W最高为L = 0

热阻抗：（Z

OJX ）： 25

C / W最高

极性：

阴极到底是带状。

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0.5

100

160

2.5

5.0

2.0

2.8

安装面选择：

扩展的轴向系数

（ COE ）这个装置大约是

+ 4PPM / ℃。在安装的COE

地面系统应选择

提供一个合适的符合这种

装置。

6湖街，劳伦斯，马萨诸塞州01841

电话（ 978 ） 620-2600

传真：（781 ） 689-0803

网址： http://www.microsemi.com

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100

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图2

典型正向电流

VS正向电压

1.0

1.1

1.2

1000

100

150C

IR - 反向电流 - （ μA ）

100

0.1

25C

.01

-65C

注意：

上图显示的所有温度

结温

.001

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原厂封装

原装现货可含税

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███原装现货正品

深圳市芯泽盛世科技有限公司

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Microchip Technology

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D-5B

全新原装现货，原厂代理。

深圳市芯福林电子科技有限公司

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原装正品欢迎询价

深圳市川蓝电子科技有限公司

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联系人：彭小姐

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