1N6626 1N6631直通
无空隙，密闭
超快速恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
五百九十分之一万九千五百，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的2.0 4.0安培额定整流器的工作
从200至1000伏的峰值反向电压被气密密封voidless-
使用内部的“ I类”的冶金结合的玻璃建筑。这些设备
也是表面贴装MELF封装配置添加一个“美”
后缀（见通1N6631US单独的数据表1N6626US ） 。 Microsemi的还
提供了许多其他整流器产品，以满足更高和更低的电流额定值
与各种恢复时间速度的要求，包括标准，快速和超快
在这两个通孔和表面的设备类型贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“E”套餐
特点
热门JEDEC注册1N6626 1N6631到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ，并JANTXV可以按MIL - PRF-
19500/590
按照MIL-筛选更多选项
PRF- 19500的JANS用“ MSP ”前缀，如
MSP6626 ， MSP6629 ，等等。
表面贴装当量也可在一个方形最终
盖MELF配置与“美”的后缀（参见单独的
数据表1N6626US直通1N6631US ）
应用/优势
超快恢复整流器系列200 1000 V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
需要极快的开关&低正向
损失
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
峰值正向浪涌电流@ 25
o
C： 75A （除
1N6631是60A ）
注：测试脉冲= 8.3ms的半正弦波。
正向平均整流电流（I
O
）在T
L
= +75
o
C
（L = 0.375英寸从主体） ：
1N6626 1N6628直通
4.0A
1N6629 1N6630直通
3.0A
1N6631
2.5A
o
（线性降容1.0 ％/℃对于T
L
> +75
o
C)
正向平均整流电流（I
O
）在T
A
=25
o
C:
1N6626 1N6628直通
2.0A
1N6629 1N6631直通
1.4A
o
（线性降容在0.67 ％/℃对于T
A
>+25
o
C.这是我
O
等级
是典型的印刷电路板从其中热阻
安装点到环境的充分控制的地方
T
J（下最大）
不超标。 ）
热电阻L = 0.375英寸（R
θ
JL
): 22
o
C / W
电容V
R
= 10 V ： 40 pF的
焊锡温度： 260
o
下10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
终端负载：轴向引线的锡/铅
（锡/铅）铜缆除了JANS固体
银（Ag）和没有终点
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 750毫克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N6626 1N6631直通
6626直通1N6631
版权
2004
2004年11月1日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N6626 1N6631直通
无空隙，密闭
超快速恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
电气特性@ 25
o
C
TYPE
数
最低
突破性
下
电压
V
R
I
R
= 50
A
最大
前锋
电压
V
F
@ I
F
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
最大
反向
电流I
R
@
V
RWM
T
A
=25
o
C
T
A
=150
o
C
最大
反向
恢复
TIME （ LOW
电流）
t
rr
注1
最大
反向
恢复
TIME （高
电流）
t
rr
注2
PEAK
恢复
当前
I
RM
（ REC ）
I
F
= 2 A,
100 A / μs的
注2
前锋
恢复
电压
V
FRM
最大
I
F
= 0.5 A
t
r
= 12 ns的
V
V @阿
V @阿
V
ns
ns
A
A
1N6626
220
1.35V 1.2A @ 1.50V @ 4.0A
200
2.0
500
30
45
1N6627
440
1.35V 1.2A @ 1.50V @ 4.0A
400
2.0
500
30
45
1N6628
660
1.35V 1.2A @ 1.50V @ 4.0A
600
2.0
500
30
45
1N6629
880
1.40V @ 1.0A 1.70V @ 3.0A
800
2.0
500
50
60
1N6630
990
1.40V @ 1.0A 1.70V @ 3.0A
900
2.0
500
50
60
1N6631
1100
1.60V @ 1.0A 1.95V @ 2.0A
1000
4.0
600
60
80
注1 ：低电流反向恢复时间测试条件：我
F
= 0.5A ，我
RM
= 1.0A ，我
R（ REC ）
=每MIL -STD- 750 0.25A ，
方法4031 ，条件B.
注2 ：高电流反向恢复时间测试条件：我
F
= 2 A， 100 A / μs的MIL- STD- 750，方法4031 ，
条件D.
A
3.5
3.5
3.5
4.2
4.2
5.0
V
8
8
8
12
12
20
符号
V
BR
V
RWM
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围。
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。
最大反向电流：最大反向（漏）电流将流在指定的电压和
温度。
电容：在1 MHz和规定电压的频率以pF的电容。
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
峰值后，从向前方向转换到相反的方向，并在指定的恢复衰退点
反向电流为止。
图表和图形
1N6626 1N6631直通
图1
典型正向电流
vs
正向电压
版权
2004
2004年11月1日REV A
图2
典型正向电流
vs
正向电压
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N6626 1N6631直通
无空隙，密闭
超快速恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
科幻gure 3
典型的反向电流 -
外加反向电压
图4
典型的反向电流 -
外加反向电压
10ms
1N6626 1N6631直通
6626直通1N6631
图5
正向脉冲电流与
脉冲持续时间
图6
反向脉冲功率与
脉冲持续时间
版权
2004
2004年11月1日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
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第3页
1N6626 1N6631直通
无空隙，密闭
超快速恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
包装尺寸
WWW .
Microsemi的
.C
OM
注：铅公差+ 0.002 / -0.003英寸
1N6626 1N6631直通
版权
2004
2004年11月1日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
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第4页
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5078 ， REV 。一
超快恢复整流器
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
o
o
工作和存储温度： -65℃至+175
MAX 。额定值/电气特性
等级
工作峰值反向电压
1N6626 ， U，美国
1N6627 ， U，美国
1N6628 ， U，美国
1N6629 ， U，美国
1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
平均正向电流整流
1N6626 1N6628直通
1N6629 1N6631直通
平均正向电流整流
1N6626U ，美通1N6628U ，美国
1N6629U ，美通1N6631U ，美国
峰值正向浪涌电流
1N6626 ， U，美通1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
最大反向电流
1N6626 ， U，美通1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
最大反向电流
1N6626 ， U，美通1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
MAX 。峰值正向电压（脉冲）
1N6626 ， U，美通1N6629 ， U，美国
1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
峰值恢复电流
1N6626 ， U，美通1N6629 ， U，美国
1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
最大反向恢复时间
1N6626 ， U，美通1N6629 ， U，美国
1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
正向恢复电压
1N6626 ， U，美通1N6629 ， U，美国
1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
热阻（轴向）
1N6626 1N6631直通
热阻（ MELF ）
1N6626U ，美通1N6631U ，美国
SS6626 ， U，美通SS6631 ， U，美国
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有
指定的。
符号
条件
最大
200
400
600
800
900
1000
T
L
= 75
o
C
2.3
1.8
4.0
2.8
75
60
2.0
4.0
500
600
1.50
1.70
1.95
3.5
4.2
5.0
30
50
60
8
12
20
22
o
单位
V
RWM
伏
I
o
安培
I
o
T
EC
= 110
o
C
安培
I
FSM
T
p
=8.3ms
A（ PK）
I
R
@ V
RWM
T
j
= 25
o
C
μAMPS
I
R
@ V
RWM
T
j
= 150
o
C
μAMPS
V
FM
I
F
=4A
I
F
=3A
I
F
=2A
I
F
=2A,
100A/μ
伏
I
RM
A（ PK）
T
rr
I
F
=0.5A
I
RM
=1.0A
ns
V
FRM
I
F
=1A
t
r
=12ns
L=.375
L=0
伏
Rθ
JL
Rθ
JC
o
C / W
C / W
6.5
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
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电子邮件Addre1N - sales@sensitron.com
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5078 ， REV 。一
SS6626 /美通SS6631 /美
外形尺寸（英寸） / （毫米）
轴向
MELF
MELF
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半导体
技术参数
数据表5078 ， REV 。一
SS6626 /美通SS6631 /美
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知
提高产品的性能。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售
部门数据表（S ）的最新版本。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通用
设备，医疗设备和安全设备），安全性应该通过使用半导体装置来确保
功能保证安全，或借助于用户的“故障 - 安全注意事项或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因的责任
该用户的单元操作过程中，根据所述数据表（多个） 。 Sensitron半导体公司不承担任何责任
任何知识产权索赔或任何其他问题可能导致的信息，产品或电路的应用程序
在数据表中所述。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或任何二次伤害承担责任
从使用而造成的价值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经书面表达
Sensitron半导体公司的许可。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在其
应用程序会妨碍维护国际和平与安全也不是由他们直接应用于该用途
购买者或任何第三方。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取的
根据有关法律法规。
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半导体
技术参数
数据表5077 ， REV 。 B
超快恢复整流器
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
o
o
工作和存储温度： -65℃至+175
MAX 。额定值/电气特性
等级
工作峰值反向电压
1N6626 ， U，美国
1N6627 ， U，美国
1N6628 ， U，美国
1N6629 ， U，美国
1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
平均正向电流整流
1N6626 1N6628直通
1N6629 1N6631直通
平均正向电流整流
1N6626U ，美通1N6628U ，美国
1N6629U ，美通1N6631U ，美国
峰值正向浪涌电流
1N6626 ， U，美通1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
最大反向电流
1N6626 ， U，美通1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
最大反向电流
1N6626 ， U，美通1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
MAX 。峰值正向电压（脉冲）
1N6626 ， U，美通1N6628 ， U，美国
1N6629 ， U，美国1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
峰值恢复电流
1N6626 ， U，美通1N6628 ， U，美国
1N6629 ， U，美国1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
最大反向恢复时间
1N6626 ， U，美通1N6628 ， U，美国
1N6629 ， U，美国1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
正向恢复电压
1N6626 ， U，美通1N6628 ， U，美国
1N6629 ， U，美国1N6630 ， U，美国
1N6631 ， U，美国
热阻（轴向）
1N6626 1N6631直通
热阻（ MELF ）
1N6626U ，美通1N6631U ，美国
1N6626 ， U，美通1N6631 ， U，美国
SJ
SX
SV
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有
指定的。
符号
条件
最大
200
400
600
800
900
1000
T
L
= 75
o
C
2.3
1.8
4.0
2.8
75
60
2.0
4.0
500
600
1.50
1.70
1.95
3.5
4.2
5.0
30
50
60
8
12
20
22
o
单位
V
RWM
伏
I
o
安培
I
o
T
EC
= 110
o
C
安培
I
FSM
T
p
=8.3ms
A（ PK）
I
R
@ V
RWM
T
j
= 25
o
C
μAMPS
I
R
@ V
RWM
T
j
= 150
o
C
μAMPS
V
FM
I
F
=4A
I
F
=3A
I
F
=2A
I
F
=2A,
100A/μ
伏
I
RM
A（ PK）
T
rr
I
F
=0.5A
I
RM
=1.0A
ns
V
FRM
I
F
=1A
t
r
=12ns
L=.375
L=0
伏
Rθ
JL
Rθ
JC
o
C / W
C / W
6.5
221西工业苑
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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5077 ， REV 。 B
1N6626 /美通1N6631 / US
外形尺寸（英寸） / （毫米）
轴向
MELF
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数据表5077 ， REV 。 B
1N6626 /美通1N6631 / US
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1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知
提高产品的性能。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售
部门数据表（S ）的最新版本。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通用
设备，医疗设备和安全设备），安全性应该通过使用半导体装置来确保
功能保证安全，或借助于用户的“故障 - 安全注意事项或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因的责任
该用户的单元操作过程中，根据所述数据表（多个） 。 Sensitron半导体公司不承担任何责任
任何知识产权索赔或任何其他问题可能导致的信息，产品或电路的应用程序
在数据表中所述。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或任何二次伤害承担责任
从使用而造成的价值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经书面表达
Sensitron半导体公司的许可。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在其
应用程序会妨碍维护国际和平与安全也不是由他们直接应用于该用途
购买者或任何第三方。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取的
根据有关法律法规。
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1N6626 1N6631直通
无空隙，密闭
超快速恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
五百九十分之一万九千五百，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的2.0 4.0安培额定整流器的工作
从200至1000伏的峰值反向电压被气密密封voidless-
使用内部的“ I类”的冶金结合的玻璃建筑。这些设备
也是表面贴装MELF封装配置添加一个“美”
后缀（见通1N6631US单独的数据表1N6626US ） 。 Microsemi的还
提供了许多其他整流器产品，以满足更高和更低的电流额定值
与各种恢复时间速度的要求，包括标准，快速和超快
在这两个通孔和表面的设备类型贴装封装。
重要提示：
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.C
OM
“E”套餐
特点
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无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ，并JANTXV可以按MIL - PRF-
19500/590
按照MIL-筛选更多选项
PRF- 19500为JANS用的“SP ”前缀，例如SP6626 ，
SP6629等。
表面贴装当量也可在一个方形最终
盖MELF配置与“美”的后缀（参见单独的
数据表1N6626US直通1N6631US ）
应用/优势
超快恢复整流器系列200 1000 V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
需要极快的开关&低正向
损失
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+150
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
峰值正向浪涌电流@ 25
o
C： 75A （除
1N6631是60A ）
注：测试脉冲= 8.3ms的半正弦波。
o
正向平均整流电流（I
O
）在T
L
= +75 C
（L = 0.375英寸从主体） ：
1N6626 1N6628直通
2.3 A
1N6629 1N6631直通
1.8 A
o
（减额我
O
线性为1.0 ％/℃对于T
L
> +75
o
C)
正向平均整流电流（I
O
）在T
A
=25
o
C:
1N6626 1N6628直通
1.75 A
1N6629 1N6631直通
1.40 A
o
（减额我
O
线性地在0.80 ％/℃对于T
A
>+25
o
C.这是我
O
评级是典型的PC板，其中热阻
从安装点到环境的充分控制
其中T
J（下最大）
不超标。见MIL -PRF-五百九十〇分之一万九千五）
热电阻L = 0.375英寸（R
θ
JL
): 22
o
C / W
电容V
R
= 10 V ： 40 pF的
o
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
终端负载：轴向引线的锡/铅
（锡/铅）铜缆。
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 750毫克
请参阅最后一页的封装尺寸
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8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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无空隙，密闭
超快速恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
电气特性@ 25
o
C
TYPE
数
最低
突破性
下
电压
V
R
I
R
= 50
μA
最大
前锋
电压
V
F
@ I
F
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
最大
反向
电流I
R
@
V
RWM
T
A
=25
o
C
T
A
=150
o
C
最大
反向
恢复
TIME （ LOW
电流）
t
rr
注1
最大
反向
恢复
TIME （高
电流）
t
rr
注2
PEAK
恢复
当前
I
RM
（ REC ）
I
F
= 2 A,
100 A / μs的
注2
前锋
恢复
电压
V
FRM
最大
I
F
= 0.5 A
t
r
= 12 ns的
WWW .
Microsemi的
.C
OM
V
V @阿
V @阿
V
ns
ns
μA
μA
1N6626
220
1.35V @ 2.0 A 1.50V @ 4.0A
200
2.0
500
30
45
1N6627
440
1.35V @ 2.0 A 1.50V @ 4.0A
400
2.0
500
30
45
1N6628
660
1.35V @ 2.0 A 1.50V @ 4.0A
600
2.0
500
30
45
1N6629
880
1.40V @ 1.4 A 1.70V @ 3.0A
800
2.0
500
50
60
1N6630
990
1.40V @ 1.4 A 1.70V @ 3.0A
900
2.0
500
50
60
1N6631
1100
1.60V @ 1.4 A 1.95V @ 2.0A
1000
4.0
600
60
80
注1 ：低电流反向恢复时间测试条件：我
F
= 0.5A ，我
RM
= 1.0A ，我
R（ REC ）
=每MIL -STD- 750 0.25A ，
方法4031 ，条件B.
注2 ：高电流反向恢复时间测试条件：我
F
= 2 A， 100 A / μs的MIL- STD- 750，方法4031 ，
条件D.
A
3.5
3.5
3.5
4.2
4.2
5.0
V
8
8
8
12
12
20
符号
V
BR
V
RWM
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围。
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。
最大反向电流：最大反向（漏）电流将流在指定的电压和
温度。
电容：在1 MHz和规定电压的频率以pF的电容。
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
峰值后，从向前方向转换到相反的方向，并在指定的恢复衰退点
反向电流为止。
图表和图形
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图1
典型正向电流
vs
正向电压
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图2
典型正向电流
vs
正向电压
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WWW .
Microsemi的
.C
OM
科幻gure 3
典型的反向电流 -
外加反向电压
图4
典型的反向电流 -
外加反向电压
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10ms
图5
正向脉冲电流与
脉冲持续时间
图6
反向脉冲功率与
脉冲持续时间
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包装尺寸
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.C
OM
铅公差= + 0.002 -.003在
*包括的引线或圆角过该导线的直径是不可控部分。
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