1N6461US THRU 1N6468US
QPL 500瓦表面贴装TVS
功率分立器件
描述
该1N64xx系列瞬态电压抑制器是
旨在保护军用和商用电子
设备的过电压造成的雷击，防静电，
EFT ，感性负载切换和EMP 。这些设备
用pn结的TVS二极管在一个被构造
气密密封，无空隙的玻璃封装。该
密封包装物提供高可靠性
恶劣的环境条件。 TVS二极管进一步
特点是其高浪涌能力，低运行
和钳位电压，和一个理论上的瞬时
响应时间。这使得它们非常适合用作电路板
对于敏感的半导体元件级的保护。
这些器件DESC QPL符合MIL -S - 19500 /
551.
特点
500瓦峰值脉冲功率（ TP = 10 / 1000μs ）
无空隙密封的玻璃封装
冶金结合
高浪涌能力
单向
每间可用在JTX ，并JTXV版本
MIL-S-19500/551
应用
航空航天和工业电子
局级保护
机载系统
舰载系统
地面系统
机械特性
气密密封的玻璃封装
绝对最大额定值
等级
峰值脉冲功率（ TP = 10× 1000μs ）
存储温度范围
稳态功耗@ TL = 75 ° C（ 8"分之3 ）
符号
P PK
T
英镑
PD
价值
500
-65到+175
3
单位
瓦
°C
瓦
修订： 2007年8月8日
1
www.semtech.com
1N6461US THRU 1N6468US
功率分立器件
订购信息
产品型号
1N6461US,
1N6462US,
1N6463US,
1N6464US,
1N6465US,
1N6466US,
1N6467US,
1N6468US
描述
表面贴装（美国）
(1)
注意：
（ 1 ）可在托盘和磁带和卷轴包装。请
咨询工厂的数量。
外形绘图
B
D
C
A
D
尺寸
1N 6461U的S - 1N 6468U S
英寸
民
A
B
C
D
0.200
0.019
0.003
0.137
最大
0.225
0.028
-
0.148
MILLIMETERS
民
5.08
0.48
0.08
3.48
最大
5.72
0.71
-
3.76
注意事项：
（ 1 ）尺寸为英寸。
（ 2 ）公制等值给出的只是一般信息。
联系信息
升特公司
功率分立产品部
200弗林路，卡马里奥，CA 93012
电话： (805)498-2111 FAX (805)498-3804
2007 Semtech公司公司
4
www.semtech.com
1N6461US THRU 1N6468US
无空隙，密封的表面
摩单向瞬态
斯科茨代尔区划
描述
这表面贴装系列行业公认的无空隙，密封的
单向瞬态电压抑制器（ TVS ）设计是军事资格MIL-
PRF - 551分之19500 ，非常适合高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。他们提供了一个工作峰值“对峙”电压选择，从5.0到51.6
伏特， 500瓦的收视率。它们是在硬玻璃上的结构非常坚固，还可以使用
内部的冶金结合确定为I类，高可靠性的。
500 W系列是军用符合MIL -PRF-五百五十一分之一万九千五百。这些装置也
中删去了“美”为后缀的通孔安装轴向引线封装
（见直通1N6468单独的数据表为1N6461 ） 。 Microsemi的还提供了众多的
其他电视产品，以满足更高和更低的峰值脉冲功率和额定电压的
两个通孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
包“ E”
（或“D -5B ” ）
WWW .
Microsemi的
.C
OM
特点
高浪涌电流和峰值脉冲功率为
对敏感电路的瞬态电压保护
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
无空隙密封的玻璃封装
JAN / TX /热力膨胀阀的军事资历可每MIL-
PRF - 551分之19500加入JAN ， JANTX ，或JANTXV
PREFIX
按照MIL-筛选更多选项
PRF- 19500的JANS用“ MSP ”前缀，如
MSP6462 ， MSP6468 ，等等。
轴向引线当量也处于可用
方端帽MELF配置（请参阅单独的
数据表1N6461 1N6168直通）
应用/优势
军事和其它高可靠性瞬态保护
极其坚固的结构
工作繁忙“对峙”电压（V
WM
）从5.0到
51.6 V
作为500瓦峰值脉冲功率（P
PP
)
每IEC61000-4-2 ESD和EFT保护
分别IEC61000-4-4
每选择水平二次防雷
IEC61000-4-5
轻松放置方形端盖终端
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
工作&储存温度： -55
o
C至+175
o
C
o
钨蛞蝓
在25℃峰值脉冲功率： 500瓦@ 10/1000微秒
端子的：端盖固与银
（也可参见图1,2和4）
锡/铅（Sn / Pb）的光洁度
脉冲重复率（占空因数） ：0.01％
标记：无
正向浪涌电流： 80安培@ 8.33毫秒一半
极性：负极频带
正弦波
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
正向电压： 1.5 V @ 1安培直流和4.8 V ，100
电流（脉冲）
重量： 539毫克
稳定状态功率： 2.5瓦@ T
A
= 25
o
C（见
请参阅最后一页的封装尺寸
下面的注释和图4）
热阻结到端盖： 20
o
C / W
焊接温度： 260
o
下10秒（最大）
注意：
稳态额定功率，参照环境对于PC板从那里热阻
安装点到环境的充分控制，其中T
J（下最大）
不超标。
1N6461 – 1N6468
1N6469 – 1N6476
版权
2004
2004年11月1日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N6461US THRU 1N6468US
无空隙，密封的表面
摩单向瞬态
斯科茨代尔区划
电气特性
休息
下
电压
V（ BR ）
分钟。
伏
5.6
6.5
13.6
16.4
27.0
33.0
43.7
54.0
击穿
当前
I
（ BR ）
MADC
25
20
5
5
2
1
1
1
工作
PEAK
电压
V
WM
VDC
5
6
12
15
24
30.5
40.3
51.6
最大
泄漏
当前
I
D
μAdc
3000
2500
500
500
50
3
2
2
最大
夹紧
电压
V
C
最大
峰值脉冲
当前
I
PP
@8/20 s
A（ PK）
315
258
125
107
69
63
45
35
@10/1000 s
A（ PK）
56
46
22
19
12
11
8
6
最大
温度。
COEF 。作者
V
（ BR ）
%/ C
-.03, +0.04
0.06
0.085
0.085
.096
.098
.101
.103
o
WWW .
Microsemi的
.C
OM
TYPE
@ 10/1000 s
V（ PK）
9.0
11.0
22.6
26.5
41.4
47.5
63.5
78.5
1N6461US
1N6462US
1N6463US
1N6464US
1N6465US
1N6466US
1N6467US
1N6468US
符号
V
BR
V
WM
I
D
V
C
P
PP
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值电压：可应用在工作温度范围内的最大峰值电压。
这也被称为断态电压。
最大断态电流：将流动在指定的电压和温度下的最大电流。
最大钳位电压在指定的I
PP
（峰值脉冲电流）在指定的脉冲条件。
峰值脉冲功率：从峰值脉冲电流I产生的峰值功率耗散
PP
.
图的
1N6461 – 1N6468
1N6469 – 1N6476
图1
峰值脉冲功率与脉冲时间
版权
2004
2004年11月1日REV A
图2
10/1000微秒脉冲电流波形
第2页
Microsemi的
斯科茨代尔区划
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1N6461US THRU 1N6468US
无空隙，密封的表面
摩单向瞬态
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
峰值脉冲功率（PPP） ，电流（ IPP） ，
在25百分比和直流电源
o
评级
科幻gure 3
8/20 μs的脉冲电流波形
（符合MIL -PRF-五百五十一分之一万九千五百
牛逼 - 温度 -
o
C
图4
降额曲线
包装尺寸英寸[毫米]
1N6461 – 1N6468
1N6469 – 1N6476
E- MELF - PKG （ D- 5B ）
注意：
如果安装需要从焊料附着分开，
一个额外的0.080英寸直径的接触可以被放置在
在焊盘之间中心作为水泥作为任意点
在焊盘布局所示。
版权
2004
2004年11月1日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
1N6461US - 1N6468US
无空隙密封式单向
瞬态电压抑制器
每个合格的MIL -PRF-五百五十一分之一万九千五百
资质等级：
JAN ， JANTX ，并
JANTXV
可在
广告
版本
描述
这表面贴装系列500瓦特无空隙的密封单向瞬态
电压抑制器（ TVS ）是军事符合MIL -PRF-五百五十一分之一万九千五百，是理想的
高可靠性应用中的故障是不能容许的。工作繁忙“对峙”
的电压可以从5.0至51.6伏。
他们是非常强大的，采用硬质玻璃外壳
和内部1类冶金结合。
这些器件还轴向引线可用
包通孔安装。
重要提示：
有关最新信息，请访问我们的网站：
http://www.microsemi.com 。
“B” SQ- MELF
包
特点
表面贴装JEDEC相当于注册直通1N6468系列1N6461 。
可用500瓦峰值脉冲功率（P
PP
).
工作繁忙“对峙”电压（V
WM
）从5.0到51.6伏。
高浪涌电流和峰值脉冲功率为敏感电路的瞬态电压保护。
三层钝化。
内部的“类别
1”
冶金结合。
无空隙的密封的玻璃封装。
JAN ， JANTX ，并JANTXV资格提供符合MIL -PRF-五百五十一分之一万九千五百。其他筛查
参照MIL -PRF- 19500也可以。
（见
PART NOMENCLATURE
所有可用的选项。 ）
提供符合RoHS标准的版本（仅适用于商用级） 。
也可用于：
“B”套餐
（轴向-leaded ）
1N6461 - 1N6468
应用/优势
军事和其它高可靠性应用。
极其坚固的结构。
分别为每IEC61000-4-2和IEC61000-4-4 ESD和EFT保护。
保护每选择水平IEC61000-4-5雷电辅助疗效。
方端帽端子，便于放置。
不敏感每MIL -STD- 750方法1020的ESD 。
天生辐射硬如Microsemi的描述“ MicroNote
050”.
最大额定值@ 25 C
参数/测试条件
结温和存储温度
热阻，结到封端
正向浪涌电流@ 8.3 ms半正弦波
正向电压@ 1安培
峰值脉冲功率10/1000 @
s
(1)
反向功率耗散
焊锡温度@ 10秒
注意事项：
1.减额在50毫瓦/
o
C（见
科幻gure 4 ） 。
符号
T
J
和T
英镑
R
JEC
I
FSM
V
F
P
PP
P
R
价值
-55到+175
20
80
1.5
500
2.5
260
单位
o
C
摄氏度/ W
A
V
W
o
MSC - 劳伦斯
6湖街，
劳伦斯， MA 01841
电话： 1-800-446-1158或
(978) 620-2600
传真： （ 978 ） 689-0803
MSC - 爱尔兰
戈特路商业园，
恩尼斯有限公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044
传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
网址：
www.Microsemi.com
W
C
T4 - LDS- 0286-1 ，第1版（ 13年4月22日）
2013 Microsemi的公司
第1页6
1N6461US - 1N6468US
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃钨蛞蝓。
终端：轴向引线的锡/铅铜线。符合RoHS标准雾锡仅适用于商用级。
标志：车身油漆和零件号。
极性：负极带。
TAPE & REEL选项：按照EIA -296标准。联系工厂的数量。
重量：约750毫克。
SEE
包装尺寸
在最后一页。
PART NOMENCLATURE
JAN
可靠性水平
JAN = JAN水平
JANTX = JANTX级别
JANTXV = JANTXV水平
CDS （参考JANS ）
空白=商业
JEDEC型号
SEE
电气特性
表
1N6461
US
e3
符合RoHS标准
E3 =符合RoHS标准（可
商业级只）
空白=不符合RoHS标准
MELF封装
符号
α
V（ BR ）
V
（ BR ）
V
WM
I
D
I
PP
V
C
P
PP
符号定义&
德网络nition
击穿电压的温度系数：在击穿电压的变化通过改变分
在％/℃或mV / ° C的温度表现。
击穿电压：在指定的电流I加在器件上的电压
（ BR ）
在击穿区。
额定工作隔绝电压：直流或重复峰值正阴极与阳极电压的最大额定值
可被连续地施加在标准的工作温度。
待机电流：电流通过该装置，在额定对峙电压。
峰值脉冲电流：最大额定随机重复的峰值脉冲电流或不重复峰值脉冲
电流可被施加到设备。随机重复的或不重复瞬态电流通常是由于一个
外部原因，并假定下一瞬时到达之前其效果会完全消失。
的一个应用程序中的低差分电阻的区域加在器件上的电压：钳位电压
脉冲电流（I
PP
）为指定的波形。
峰值脉冲功率。额定随机重复的峰值脉冲功率或额定非重复性峰值脉冲功率。该
脉冲功率是I的产物的最大额定值
PP
和V
C
.
T4 - LDS- 0286-1 ，第1版（ 13年4月22日）
2013 Microsemi的公司
第2 6
1N6461US - 1N6468US
电气特性
最低
休息
下
电压
击穿
当前
评级
工作
STANDOFF
电压
最大
待机
当前
最大
夹紧
电压
最大
峰值脉冲
当前
I
PP
@ 8/20
s
A（ PK）
315
258
125
107
69
63
45
35
@ 10/1000
s
A（ PK）
56
46
22
19
12
11
8
6
最大
温度。 COEF 。
OF
α
V（ BR ）
I
（ BR ）
TYPE
V
（ BR ）
@
I
（ BR ）
伏
mA
25
20
5
5
2
1
1
1
V
WM
V（ PK）
5
6
12
15
24
30.5
40.3
51.6
I
D
@
V
RWM
A
3000
2500
500
500
50
3
2
2
V
C
@ 10/1000 s
V（ PK）
9.0
11.0
22.6
26.5
41.4
47.5
63.5
78.5
%/
o
C
-0.03, +0.045
+0.060
+0.085
+0.085
+0.096
+0.098
+0.101
+0.103
1N6461US
1N6462US
1N6463US
1N6464US
1N6465US
1N6466US
1N6467US
1N6468US
5.6
6.5
13.6
16.4
27.0
33.0
43.7
54.0
T4 - LDS- 0286-1 ，第1版（ 13年4月22日）
2013 Microsemi的公司
第3页6
1N6461US - 1N6468US
图的
反向峰值脉冲功率（P
PP
）在千瓦
脉冲时间（ TP）的
图1
峰值脉冲功率与脉冲时间
I
PP
- 峰值脉冲电流 - ％I
PP
时间（T ），以毫秒为单位
图2
10/1000微秒脉冲电流波形
T4 - LDS- 0286-1 ，第1版（ 13年4月22日）
2013 Microsemi的公司
第4 6
1N6461US - 1N6468US
图的
I
PP
- 峰值脉冲电流 - ％I
PP
时间（T ），以毫秒为单位
科幻gure 3
8/20 μs的脉冲电流波形
峰值脉冲功率（
P
PP
） ，电流（I
PP
),
和直流电源在25 ℃的评级百分比
牛逼 - 温度 - °C
图4
降额曲线
T4 - LDS- 0286-1 ，第1版（ 13年4月22日）
2013 Microsemi的公司
分页： 5 6
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