1N6309US通1N6355US
无空隙，密闭
表面贴装500 mW的玻璃齐纳二极管
斯科茨代尔区划
描述
T
他的齐纳稳压器系列产品是军用符合MIL - PRF-
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
五百三十三分之一万九千五百，是理想的高可靠性应用中的故障
不能被容忍的。这些行业公认的0.5瓦齐纳电压
稳压器是密封与无空隙的玻璃建筑用
内部的冶金结合。它包括齐纳的选择，从2.4到200
伏在确定了标准的5 ％的容差以及更严格的公差
不同的后缀字母上的零件号。它们也可用于轴向 - 可用
引线封装（参见单独的数据表1N6309 1N6355直通） 。
Microsemi的还提供了许多其他稳压产品，以满足更高
较低的额定功率在两个通孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
“B”套餐
（或“D -5D ” ）
特点
热门JEDEC注册的系列
无空隙密封的玻璃封装
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券1N6320
直通1N6355和“分类
III”
对于直通1N6309
1N6319
JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-
PRF - 533分之19500的1N6309US到1N6336US
JANS类型提供符合MIL -S -五百三十三分之一万九千五的
1N6320US到1N6336US 。
轴向引线当量也可（参见单独的
数据表1N6309 1N6355直通）
应用/优势
调节电压在很宽的工作电流
和温度范围
丰富的选择，从2.4到200 V
标准电压容差的正/负5 ％以
没有SUF科幻X
在加或减2％或1％的可用的紧密度容限
分别用C或D后缀
极其坚固的结构
不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
工作温度： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
功耗： 0.5瓦@ T
EC
= 150
o
C
热电阻： 50
o
C / W结到端盖
热阻抗： 15
o
在10毫秒的C / W
正向电压： 1.4 V时1.0
机械及包装
案例：全密封无空隙硬玻璃
钨蛞蝓
端子的：端盖锡/铅（Sn / Pb计）
OVER银
标记：无
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
重量： 84毫克
1N6309 1N6355直通
版权
2005
2005年2月2日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N6309US通1N6355US
无空隙，密闭
表面贴装500 mW的玻璃齐纳二极管
斯科茨代尔区划
电气特性
V
Z2
喃。
+/-5%
@ I
Z2
伏
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
V
Z
1
分钟。
@ I
Z
1
250微安
伏
1.1
1.2
1.3
1.5
1.8
2.0
2.4
2.8
3.3
4.3
5.2
6.0
6.6
7.5
8.4
9.1
10
11
11.9
13.8
14.7
16.6
18.5
20.4
22.3
25.2
28
30.9
33.7
36.6
40.4
44.2
48
52.7
58.4
64.1
70.8
77.4
86
94.5
104
113
122
141
151
170
189
电压
动态
动态
马克斯。
马克斯。
TEST
注册。
阻抗阻抗
当前
反向浪涌
当前
Z
Z
Z
ZK
I
ZM
V
Z
（ REG ）
电流电压
I
Z2
@
@
V
R
I
ZSM
(V
Z
)
250
A
I
Z2
注2
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
.85
.80
.68
.65
欧
30
30
29
24
22
20
18
16
14
8.0
3.0
3.0
4.0
5.0
6.0
6.0
7.0
7.0
8.0
10
12
14
18
20
24
27
32
40
50
55
65
75
85
100
125
155
180
220
270
340
500
600
850
1000
1200
1500
1800
欧
1200
1300
1400
1400
1400
1700
1400
1500
1300
1200
800
400
400
400
500
500
550
550
550
600
600
600
500
500
500
500
500
600
600
700
800
900
1000
1200
1300
1500
1600
1800
2100
2400
2800
3200
4100
4500
5000
5600
6500
mA
177
157
141
128
109
118
99
90
83
76
68
63
57
52
47
43
39
35
33
28
27
24
21
19
18
16
14
13
12
11
9.9
9.0
8.3
7.6
6.8
6.3
5.7
5.2
4.7
4.3
3.9
3.5
3.3
2.8
2.7
2.4
2.1
伏
1.5
1.5
1.5
1.6
1.6
1.6
0.9
0.5
0.4
0.4
0.3
0.35
0.4
0.4
0.5
0.5
0.5
0.55
0.55
.70
.75
.85
.95
1.05
1.15
1.30
1.45
1.60
1.75
1.90
2.10
2.25
2.50
2.70
2.90
3.20
3.40
3.80
4.20
4.40
4.80
5.20
5.60
7.00
7.50
9.00
12.0
安培
2.5
2.2
2.0
1.8
1.65
1.5
1.4
1.27
1.17
1.10
0.97
1.23
1.16
1.07
0.97
.89
.83
.77
.71
.62
.58
.52
.47
.43
.39
.35
.31
.28
.26
.24
.22
.20
.18
.17
.15
.13
.125
.115
.100
.095
.085
.080
.070
.065
.060
.050
.045
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.5
9.0
9.9
11
12
14
15
17
18
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
56
62
69
76
84
91
99
114
122
137
152
马克斯。
反向
当前
I
R
1
@ V
R
o
25
C
A
100
60
30
5.0
3.0
2.0
2.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
马克斯。
反向
当前
I
R2
@ V
R
o
150
C
A
200
150
100
20
12
12
12
12
12
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
WWW .
Microsemi的
.C
OM
TYPE
注1
马克斯。
最大
温度。
噪音
密度
COEFF 。的
N
D
齐纳
@ 250
A
电压
1到3千赫
α
VZ
V
/ √Hz的
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
5.0
5.0
5.0
20
40
80
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
%/
C
-.085
-.080
-.075
-.065
-.055
+.020
-.043
+.025
-.030
+.030
-.028
+.032
+.045
+.050.
060
.062
.068
.075
.076
.079
.082
.083
.079
.082
.083
.085
.086
.087
.088
+.090
.091
.092
.093
.094
.095
.095
.096
.097
.097
.098
.098
.099
.099
.110
.110
.110
.110
.110
.110
.110
.110
o
马克斯。
帽。
@
OV
pF
2000
1900
1800
1650
1600
1400
1350
1300
1200
1150
1050
1000
900
800
700
600
500
450
400
350
325
300
275
260
240
220
200
185
175
170
165
155
145
135
130
120
110
105
100
95
90
70
70
65
65
60
55
1N6309US
1N6310美国
1N6311美国
1N6312美国
1N6313美国
1N6314美国
1N6315美国
1N6316美国
1N6317美国
1N6318美国
1N6319美国
1N6320美国
1N6321美国
1N6322美国
1N6323美国
1N6324美国
1N6325美国
1N6326美国
1N6327美国
1N6328美国
1N6329美国
1N6330美国
1N6331美国
1N6332美国
1N6333美国
1N6334美国
1N6335美国
1N6336美国
1N6337美国
1N6338美国
1N6339美国
1N6340美国
1N6341美国
1N6342美国
1N6343美国
1N6344美国
1N6345美国
1N6346美国
1N6347美国
1N6348美国
1N6349美国
1N6350美国
1N6351美国
1N6352美国
1N6353美国
1N6354美国
1N6355美国
1N6309 1N6355直通
注1 ：分别在加或减2％或1％的C或D后缀提供严格的公差，例如1N6309CUS ， 1N6335DUS等。
注2 ：电压调节
V
Z
（ REG ）
达到热平衡所测量的电压变化的10 ％和50％的电流之间
最大齐纳电流I
ZM
当引线的温度保持在25 ℃= + 8 ℃， -2 ℃。
版权
2005
2005年2月2日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N6309US通1N6355US
无空隙，密闭
表面贴装500 mW的玻璃齐纳二极管
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
最大功耗 - 毫瓦
ENDCAP温度 - 摄氏度
包装尺寸
1N6309 1N6355直通
版权
2005
2005年2月2日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5102 ， REV 。 -
1N6309 1N6355到
1N6309US到1N6355US
SJ
SX
SV
500mW的齐纳电压稳压器
封装形式： 500mW的齐纳（后缀“美”是指MELF /表面贴装包装）
- 所有的评级是@ T = 25 ℃，除非另有规定。
- 工作-55 ° C至+175 ° C和储存在-65° C至+175 ℃，
TYPE
VZ2
喃
在IZ2
V
1N6309
1N6310
1N6311
1N6312
1N6313
1N6314
1N6315
1N6316
1N6317
1N6318
1N6319
1N6320
1N6321
1N6322
1N6323
1N6324
1N6325
1N6326
1N6327
1N6328
1N6329
1N6330
1N6331
1N6332
1N6333
1N6334
1N6335
1N6336
1N6337
1N6338
1N6339
1N6340
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
15.0
16.0
18.0
20.0
22.0
24.0
27.0
30.0
33.0
36.0
39.0
43.0
47.0
VZ1
IZ1
250
μA
MINV
1.1
1.2
1.3
1.5
1.5
1.8
2.0
2.4
2.8
3.3
4.3
6.0
6.6
7.5
8.4
9.1
10.0
11.0
11.9
13.8
14.7
16.6
18.5
20.4
22.3
25.2
28.0
30.9
33.7
36.6
40.4
44.2
IZ2
TEST
当前
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
ZZT
at
IZ2
30
3029
27
25
23
20
17
14
8
3
3
3
4
5
6
6
7
7
8
10
12
14
18
20
24
27
32
40
50
55
65
75
ZZK
at
250
μA
1200
1300
1400
1400
1400
1700
1700
1500
1300
1200
800
400
400
400
500
500
550
550
550
600
600
600
500
500
500
500
500
600
600
700
800
900
IZM
VZ （ REG）
VR
IR1
at
+25°C
μA
100
60
30
5
3
2
2
5
5
5
5
2
2
1
1.00
1.00
1.00
1.00
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
IR2
在Ta =
+150°C
μA
200
150
100
20
12
12
12
12
12
10
10
50
30
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
γVZ
%/
°
C
-.085
-.080
-.075
-.070
-.065
-.060
-.045
/+.032
-.028
/+.032
-
.020/+.
035
+.050
+.060
+.062
+.068
+.075
+.076
+.079
+.082
+.083
+.083
+.084
+.084
+.085
+.086
+.087
+.088
+.090
+.091
+.092
+.093
+.094
+.095
+.095
mA
177
157
141
128
117
108
99
90
83
76
68
63
57
52
47
43
39
35
33
28
27
24
21
19
18
16
14
13
12.0
11.0
9.9
9.0
V
1.50
1.50
1.50
1.60
1.60
1.60
0.90
0.50
0.40
0.40
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0.40
0.40
0.50
0.50
0.50
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0.55
0.70
0.75
0.85
0.95
1.05
1.15
1.30
1.45
1.60
1.75
1.90
2.10
2.25
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.5
9.0
9.9
11.0
12.0
14.0
15.0
17.0
18.0
21.0
23.0
25.0
27.0
30
33
36
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
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传真：（ 631 ） 242-9798
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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5102 ， REV 。 -
TYPE
VZ2
喃
在IZ2
V
1N6341
1N6342
1N6343
1N6344
1N6345
1N6346
1N6347
1N6348
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56.0
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160.0
180.0
200.0
VZ1
IZ1
250
μA
MINV
48.0
52.7
58.4
64.1
70.8
77.4
86.0
94.5
104.0
113.0
122
141
151
170
189
IZ2
TEST
CURREN
t
mA
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.80
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ZZT
at
IZ2
85
100
125
155
180
220
270
340
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600
850
1,000
1,200
1,500
1,800
ZZK
at
250
μA
1,000
1,200
1,300
1,500
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4,100
4,500
5,000
5,600
6,500
IZM
VZ （ REG）
1N6309 1N6355到
1N6309US到1N6355US
VR
IR1
at
+25°C
μA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
IR2
在Ta =
+150°C
μA
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
γVZ
mA
8.3
7.6
6.8
6.3
5.7
5.2
4.7
4.3
3.9
3.5
3.3
2.8
2.7
2.4
2.1
V
2.50
2.70
2.90
3.20
3.40
3.80
4.20
4.40
4.80
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5.60
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7.50
9.00
12.00
V
39
43
47
52
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62
69
76
84
91
99
114
122
137
152
%/
°
C
+.096
+.097
+.099
+.101
+.103
+.105
+.108
+.110
+.110
+.110
+.110
+.110
+.110
+.110
+.110
外形尺寸： 500mW的齐纳包装：英寸/毫米
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
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传真：（ 631 ） 242-9798
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数据表5102 ， REV 。 -
1N6309 1N6355到
1N6309US到1N6355US
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