1N6267A-1N6303CA
V
BR
： 6.8 - 200伏
P
PK
： 1500瓦
产品特点：
在1毫秒* 1500W浪涌能力
*出色的钳位能力
*低阻抗齐纳
*快速的响应时间：典型值
然后1.0 ps的，从0伏到V
BR （分钟）
*典型的我
R
小于1μA以上10V
瞬态电压
抑制器
DO-201
0.21 (5.33)
0.19 (4.83)
1.00 (25.4)
分钟。
0.375 (9.53)
0.285 (7.24)
机械数据
*案例： DO - 201模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极，除了两极。
*安装位置：任意
*重量： 0.93克
0.052 (1.07)
0.048 (0.97)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
等级
峰值功耗在TA = 25
°C,
TP = 1毫秒（注1）
稳态功耗为TL = 75
°C
引线长度0.375" ，设计（9.5mm ） （注2 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法） （注3）
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
1500
5.0
单位
W
W
I
FSM
200
A
T
J
, T
英镑
- 65 + 175
°C
注意事项：
（1）非重复性电流脉冲，每图。 5及以上的Ta降额= 25
°
每图。 1
（ 2 ）安装在1.57中铜铅区
2
(40mm
2
).
（ 3 ） 8.3ms单一正弦半波，占空比= 4个脉冲每分钟最多。
第1页3
启示录02 ： 2004年1月28日
电气特性
除非另有规定等级，在25℃的环境温度
型号
单向
1N6267A
1N6268A
1N6269A
1N6270A
1N6271A
1N6272A
1N6273A
1N6274A
1N6275A
1N6276A
1N6277A
1N6278A
1N6279A
1N6280A
1N6281A
1N6282A
1N6283A
1N6284A
1N6285A
1N6286A
1N6287A
1N6288A
1N6289A
1N6290A
1N6291A
1N6292A
1N6293A
1N6294A
1N6295A
1N6296A
1N6297A
1N6298A
1N6299A
1N6300A
1N6301A
1N6302A
1N6303A
双向
1N6267CA
1N6268CA
1N6269CA
1N6270CA
1N6271CA
1N6272CA
1N6273CA
1N6274CA
1N6275CA
1N6276CA
1N6277CA
1N6278CA
1N6279CA
1N6280CA
1N6281CA
1N6282CA
1N6283CA
1N6284CA
1N6285CA
1N6286CA
1N6287CA
1N6288CA
1N6289CA
1N6290CA
1N6291CA
1N6292CA
1N6293CA
1N6294CA
1N6295CA
1N6296CA
1N6297CA
1N6298CA
1N6299CA
1N6300CA
1N6301CA
1N6302CA
1N6303CA
击穿电压@这
（注1 ）
V
BR
(V)
分钟。
马克斯。
6.45
7.13
7.79
8.65
9.50
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19.0
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95.0
105
114
124
143
152
162
171
190
7.14
7.88
8.61
9.55
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41.0
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
86.1
95.5
105
116
126
137
158
168
179
189
210
It
（MA ）
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
工作峰值
反向
电压
V
RWM
(V)
5.80
6.40
7.02
7.78
8.55
9.40
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
18.8
20.5
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53.0
58.1
64.1
70.1
77.8
85.5
94.0
102
111
128
136
145
154
171
最大
最大
反向漏电流反向
@ V
RWM
当前
I
R
I
RSM
(A)
(A)
1000
500
200
50
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
143
132
124
112
103
96.0
90.0
82.0
71.0
67.0
59.5
54.0
49.0
45.0
40.0
36.0
33.0
30.0
28.0
25.3
23.2
21.4
19.5
17.7
16.3
14.6
13.3
12.0
11.0
9.9
9.1
8.4
7.2
6.8
6.4
6.1
5.5
最大
最大
夹紧
温度
电压@我
RSM
合作效率
V
RSM
V的
BR
(V)
(% /°C)
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
30.6
33.2
37.5
41.4
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77.0
85.0
92.0
103
113
125
137
152
165
179
207
219
234
246
274
0.057
0.061
0.065
0.068
0.073
0.075
0.078
0.081
0.084
0.086
0.088
0.090
0.092
0.094
0.096
0.097
0.098
0.099
0.100
0.101
0.101
0.102
0.103
0.104
0.104
0.105
0.105
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
注意事项：
( 1 ) V
BR
测量后，它适用于300
s.,
IT =方波脉冲或同等学历。
( 2 ) V
F
= 3.5的Vmax 。我
F
= 100安培。 （ 6.8伏通91伏）
V
F
= 5.0的Vmax 。我
F
= 100安培。 （ 100伏特通200伏特）每平方1/2或等效的正弦波。
PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
分页： 1 2 3
启示录02 ： 2004年1月28日
额定值和特性曲线（ 1N6267A - 1N6303CA ）
图1 - 脉冲降额曲线
120
图2 - 最大非重复性
浪涌电流
240
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流
峰值正向浪涌
当前，安培
100
80
200
160
60
120
40
80
8.3ms单一正弦半波
JEDEC的方法
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
40
0
1
2
4
6
10
20
40
60
100
TA，环境温度， （
°
C)
循环次数在60Hz
图3 - 稳态功率降额
P
D
，稳态功耗
（瓦特）
5.00
图4 - 脉冲额定值曲线
100
3.75
PP，峰值功率（kw ）
单相半波
60赫兹电阻或电感性负载
10
2.50
1.0
1.25
0.1
0.1s
125
150
175
200
1.0s
10s
100s
1.0ms
10ms
0
0
25
50
75
100
总磷，脉冲宽度
T
L
，焊接温度（ ° C）
图5 - 脉冲波形
峰值脉冲电流 - ％I
RMS
TR = 10μs的
100
峰值
I
RMS
T
J
=25
°C
脉冲宽度（ TP）的定义
因为这地步PEAK
电流衰减到50 ％
我
RSM
50
半值 - 我
RMS
2
10X1000波形
界定的R.E.A.
tp
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
T的时间（ms ）
第3页3
启示录02 ： 2004年1月28日
1.5KE6.8通1.5KE540A ， 1N6267 1N6303直通
威世通用半导体
T
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
特点
玻璃钝化结
提供单向和双向
1500瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形，重复率（税
周期） ：0.01％
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关瞬变和
照明在芯片， MOSFET ，传感器单元的信号线
对于消费者来说，计算机，工业，汽车和
电信。
机械数据
案例：
环氧树脂成型机身超过钝化路口
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，高可靠性/
汽车级（ AEC Q101标准）
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验， HE3
后缀符合JESD 201级2晶须测试
注意：
1.5KE250 1.5KE540A和1.5KE250C 1.5KE440CA的
只有商业级
机箱样式1.5KE
主要特征
V
BR
单向
V
BR
双向
P
PPM
P
D
I
FSM
（单向只）
T
J
马克斯。
6.8 V至540 V
6.8 V至440 V
1500 W
6.5 W
200 A
175 °C
用于双向应用的器件
对于双向类型
（例如1.5KE440CA ） 。
利用
C
or
CA
苏FFI X
电特性的应用中是双向的。
极性：
对于单向类型的色带
端为负极，在双向无标记
类型
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1)
（图1）的
峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形
(1)
在无限散热器在T功耗
L
= 75 ℃（图5）的
只有峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波单向
在100 A最大瞬时正向电压仅为单向
(3)
工作结存储温度范围
(2)
符号
P
PPM
I
PPM
P
D
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
极限
1500
看下表
6.5
200
3.5/5.0
- 55 + 175
单位
W
A
W
A
V
°C
注意事项：
（1）非重复性的电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃，每图。 2
（ 2 ）测得的8.3ms单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
(3) V
F
= 3.5 V的1.5KE220 （ A）及以下; V
F
= 5.0 V的1.5KE250 （ A）及以上
文档编号： 88301
修订： 22 - OCT- 08
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1
1.5KE6.8通1.5KE540A ， 1N6267 1N6303直通
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
JEDEC
TYPE
数
1N6267
1N6267A
1N6268
1N6268A
1N6269
1N6269A
1N6270
1N6270A
1N6271
1N6271A
1N6272
1N6272A
1N6273
1N6273A
1N6274
1N6274A
1N6275
1N6275A
1N6276
1N6276A
1N6277
1N6277A
1N6278
1N6278A
1N6279
1N6279A
1N6280
1N6280A
1N6281
1N6281A
1N6282
1N6282A
1N6283
1N6283A
1N6284
1N6284A
1N6285
1N6285A
1N6286
1N6286A
1N6287
1N6287A
1N6288
1N6288A
1N6289
1N6289A
1N6290
1N6290A
1N6291
1N6291A
1N6292
1N6292A
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2
一般
半导体
产品型号
(+)
(+)
击穿
电压
V
BR
在我
T (1)
(V)
分钟。
马克斯。
7.48
7.14
8.25
7.88
9.02
8.61
10.0
9.55
11.0
10.5
12.1
11.6
13.2
12.6
14.3
13.7
16.5
15.8
17.6
16.8
19.8
18.9
22.0
21.0
24.2
23.1
26.4
25.2
29.7
28.4
33.0
31.5
36.3
34.7
39.6
37.8
42.9
41.0
47.3
45.2
51.7
49.4
56.1
53.6
61.8
58.8
68.2
65.1
74.8
71.4
82.5
78.8
6.12
6.45
6.75
7.13
7.38
7.79
8.19
8.65
9.00
9.50
9.90
10.5
10.8
11.4
11.7
12.4
13.5
14.3
14.4
15.2
16.2
17.1
18.0
19.0
19.8
20.9
21.6
22.8
24.3
25.7
27.0
28.5
29.7
31.4
32.4
34.2
35.1
37.1
38.7
40.9
42.3
44.7
45.9
48.5
50.4
53.2
55.8
58.9
61.2
64.6
67.5
71.3
TEST
当前
I
T
（MA ）
10
10
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
对峙
电压
V
WM
(V)
5.50
5.80
6.05
6.40
6.63
7.02
7.37
7.78
8.10
8.55
8.92
9.40
9.72
10.2
10.5
11.1
12.1
12.8
12.9
13.6
14.5
15.3
16.2
17.1
17.8
18.8
19.4
20.5
21.8
23.1
24.3
25.6
26.8
28.2
29.1
30.8
31.6
33.3
34.8
36.8
38.1
40.2
41.3
43.6
45.4
47.8
50.2
53.0
55.1
58.1
60.7
64.1
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D (4)
(A)
1000
1000
500
500
200
200
50
50
10
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PPM （2）
(A)
139
143
128
133
120
124
109
112
100
103
92.6
96.2
86.7
89.8
78.9
82.4
68.2
70.8
63.8
66.7
56.6
59.5
51.5
54.2
47.0
49.0
43.2
45.2
38.4
40.0
34.5
36.2
31.4
32.8
28.8
30.1
26.6
27.8
24.2
25.3
22.1
23.1
20.4
21.4
18.6
19.5
16.9
17.6
15.3
16.3
13.9
14.6
最大
夹紧
电压
在我
PPM
V
C
(V)
10.8
10.5
11.7
11.3
12.5
12.1
13.8
13.4
15.0
14.5
16.2
15.6
17.3
16.7
19.0
18.2
22.0
21.2
23.5
22.5
26.5
25.2
29.1
27.7
31.9
30.6
34.7
33.2
39.1
37.5
43.5
41.4
47.7
45.7
52.0
49.9
56.4
53.9
61.9
59.3
67.8
64.8
73.5
70.1
80.5
77.0
89.0
85.0
98.0
92.0
109
104
最大
温度。
系数
V的
BR
(%/°C)
0.057
0.057
0.061
0.061
0.065
0.065
0.068
0.068
0.073
0.073
0.075
0.075
0.076
0.078
0.081
0.081
0.084
0.084
0.086
0.086
0.088
0.089
0.090
0.090
0.092
0.092
0.094
0.094
0.096
0.096
0.097
0.097
0.098
0.098
0.099
0.099
0.100
0.100
0.101
0.101
0.101
0.101
0.102
0.102
0.103
0.103
0.104
0.104
0.104
0.104
0.105
0.105
1.5KE6.8
1.5KE6.8A
(+)
1.5KE7.5
(+)
1.5KE7.5A
(+)
1.5KE8.2
(+)
1.5KE8.2A
(+)
1.5KE9.1
(+)
1.5KE9.1A
(+)
1.5KE10
(+)
1.5KE10A
(+)
1.5KE11
(+)
1.5KE11A
(+)
1.5KE12
(+)
1.5KE12A
(+)
1.5KE13
(+)
1.5KE13A
(+)
1.5KE15
(+)
1.5KE15A
(+)
1.5KE16
(+)
1.5KE16A
(+)
1.5KE18
(+)
1.5KE18A
(+)
1.5KE20
(+)
1.5KE20A
(+)
1.5KE22
(+)
1.5KE22A
(+)
1.5KE24
(+)
1.5KE24A
(+)
1.5KE27
(+)
1.5KE27A
(+)
1.5KE30
(+)
1.5KE30A
(+)
1.5KE33
(+)
1.5KE33A
(+)
1.5KE36
(+)
1.5KE36A
(+)
1.5KE39
(+)
1.5KE39A
(+)
1.5KE43
(+)
1.5KE43A
(+)
1.5KE47
(+)
1.5KE47A
(+)
1.5KE51
(+)
1.5KE51A
(+)
1.5KE56
(+)
1.5KE56A
(+)
1.5KE62
(+)
1.5KE62A
(+)
1.5KE68
(+)
1.5KE68A
(+)
1.5KE75
(+)
1.5KE75A
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文档编号： 88301
修订： 22 - OCT- 08
1.5KE6.8通1.5KE540A ， 1N6267 1N6303直通
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
JEDEC
TYPE
数
1N6293
1N6293A
1N6294
1N6294A
1N6295
1N6295A
1N6296
1N6296A
1N6297
1N6297A
1N6298
1N6298A
1N6299
1N6299A
1N6300
1N6300A
1N6301
1N6301A
1N6302
1N6302A
1N6303
1N6303A
一般
半导体
产品型号
(+)
击穿
电压
V
BR
在我
T (1)
(V)
分钟。
马克斯。
90.2
86.1
100.0
95.5
110
105
121
116
132
126
143
137
165
158
176
168
187
179
198
189
220
210
242
231
275
263
330
315
385
368
440
420
484
462
528
504
561
535
594
567
73.8
77.9
81.9
86.5
90.0
95.0
99.0
105
108
114
117
124
136
143
144
152
153
162
162
171
180
190
198
209
225
237
270
285
315
333
360
380
396
418
432
456
459
485
486
513
TEST
当前
I
T
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
对峙
电压
V
WM
(V)
66.4
70.1
73.7
77.8
81.0
85.5
89.2
94.0
97.2
102
105
111
121
128
130
136
138
145
146
154
162
171
175
185
202
214
243
256
284
300
324
342
356
376
389
408
413
434
437
459
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D (4)
(A)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PPM （2）
(A)
12.7
13.3
11.5
12.0
10.4
10.9
9.5
9.9
8.7
9.1
8.0
8.4
7.0
7.2
6.5
6.8
6.1
6.4
5.8
6.1
5.2
5.5
4.4
4.6
4.2
4.4
3.5
3.6
3.0
3.1
2.6
2.7
2.4
2.5
2.19
2.28
2.06
2.15
1.94
2.03
最大
夹紧
电压
在我
PPM
V
C
(V)
118
113
131
125
144
137
158
152
173
165
187
179
215
207
230
219
244
234
258
246
287
274
344
328
360
344
430
414
504
482
574
548
631
602
686
658
729
698
772
740
最大
温度。
系数
V的
BR
(%/°C)
0.105
0.105
0.106
0.106
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.108
0.106
0.106
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
1.5KE82
(+)
1.5KE82A
(+)
1.5KE91
(+)
1.5KE91A
(+)
(+)
1.5KE100
1.5KE100A
(+)
1.5KE110
(+)
1.5KE 110A
(+)
1.5KE120
(+)
1.5KE120A
(+)
1.5KE130
(+)
1.5KE130A
(+)
1.5KE150
(+)
1.5KE150A
(+)
1.5KE160
(+)
1.5KE160A
(+)
1.5KE170
(+)
1.5KE170A
1.5KE180
1.5KE180A
1.5KE200
1.5KE200A*
1.5KE220
1.5KE220A*
1.5KE250
1.5KE250A
1.5KE300
1.5KE300A
1.5KE350
1.5KE350A
1.5KE400
1.5KE400A
1.5KE440
1.5KE440A
1.5KE480
1.5KE480A
1.5KE510
1.5KE510A
1.5KE540
1.5KE540A
注意事项：
（ 1 ）脉冲测试：吨
p
≤
50毫秒
（2 ）浪涌每图的电流波形。 3 ，每个图减免。 2
（ 3 ）所有的术语和符号与ANSI / IEEE CA62.35一致
（ 4 ）对于双向型与V
R
10 V ，少了我
D
限制一倍
*
(+)
双向版本正在组件通过UL认证跨线保护， ULV1414文件号E108274 （ 1.5KE200CA ，
1.5KE220CA)
美国保险商实验室认可保护（ QVGQ2 ）根据安全497B和文件号UL标准的分类
E136766两个单向和双向装置
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3
1.5KE6.8通1.5KE540A ， 1N6267 1N6303直通
威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻，结到环境
典型热阻，结到铅
符号
R
θJA
R
θJL
价值
75
15.4
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
1.5KE6.8A-E3/54
1.5KE6.8AHE3/54
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC- Q101标准
单位重量（g ）
0.968
0.968
首选包装代码
54
54
基地数量
1400
1400
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
直径13"纸胶带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
100
150
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
(t
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到50
%
我
PPM
I
PPM
- 峰值脉冲电流，
%
I
RSM
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
t
r
= 10
s
PEAK
价值
I
PPM
10
100
半
价值
- I
PP
I
PPM
2
50
10/1000
μs的波形
定义
by
R.E.A.
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
1
0.1
0.1
s
1.0
s
10
s
100
s
1.0毫秒
10毫秒
t
d
- 脉冲
宽度
(s)
吨 - 时间（ms ）
图1.额定峰值脉冲功率曲线
图3.脉冲波形
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降容的百分比，
%
100
10 000
单向
双向
C
J
- 电容（pF ）
75
V
R
= 0
1000
50
100
V
R
=额定
对峙
电压
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
10
5
10
100
500
T
J
- 初始温度（ ℃）
V
BR
- 击穿
电压
(V)
图2.脉冲功率或电流与初始结温
图4.典型结电容
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4
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威世通用半导体
8.0
100
ΔV
C
- 增量钳位
电压
7.0
P
D
- 功耗（ W）
波形：
10/1000
s
冲动
ΔV
C
=
V
C
-
V
BR
1.5KE200
1.5KE130
1.5KE75
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
L = 0.375"毫米（9.5毫米）
导线长度
20
10
1.5KE39
2.0
1.0
1.5KE33
1.5KE6.8
1.5KE9.1
0.2
0.1
0.5
1
2
10
50
T
L
- 焊接温度（ ° C）
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
图5.功率降额曲线
图8.增量钳位电压曲线（单向）
200
100
ΔV
C
- 增量钳位
电压
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
100
波形
:
10/1000
s
冲动
ΔV
C
=
V
C
-
V
BR
20
10
1.5KE200C
1.5KE75C
2.0
1.0
1.5KE39C
1.5KE30C
1.5KE15C
11C
1.5KE7.5C
0.2
0.1
0.5
1
2
10
20
50
10
1
10
100
数
环，在60赫兹的
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
图6.最大非重复正向浪涌电流
只有单向
图9.增量钳位电压曲线（双向）
100
100
1.5KE200
1.5KE130
1.5KE100
1.5KE75
ΔV
C
- 增量钳位
电压
ΔV
C
- 增量钳位
电压
波形：
8/20 s
冲动
ΔV
C
=
V
C
-
V
BR
20
10
20
10
波形：
8/20 s
冲动
ΔV
C
=
V
C
-
V
BR
1.5KE200C
1.5KE75C
1.5KE39C
1.5KE30C
1.5KE15C
1.5KE11C
1.5KE7.5C
2.0
1.0
1.5KE39
1.5KE33
1.5KE6.8
1.5KE9.1
1.5KE18
1.5KE12
2
1
0.2
0.1
0.5
1
2
10
20
50
0.2
0.1
0.5
1
2.0
10
20
50
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
图7.增量钳位电压曲线（单向）
图10.增量钳位电压曲线（双向）
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1.5KE6.8A通1.5KE540A ， 1N6267A通1N6303A
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威世通用半导体
的TransZorb
瞬态电压抑制器
特点
玻璃钝化结
提供单向和双向
1500瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形，重复率（占空比） ：
0.01 %
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
机箱样式1.5KE
AEC- Q101标准
浸焊275 °C以下。 10秒，每JESD 22 - B106
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
主要特征
V
BR
单向
V
BR
双向
P
PPM
P
D
I
FSM
（单向只）
T
J
马克斯。
6.8 V至540 V
6.8 V至440 V
1500 W
6.5 W
200 A
175 °C
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关和灯光瞬间
上的IC ，MOSFET，传感器单元用于消费的信号线
计算机，工业，汽车和电信。
机械数据
案例：
环氧树脂成型机身超过钝化路口
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，符合AEC - Q101标准
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须测试， HE3后缀
符合JESD 201级2晶须测试
记
1.5KE250A到1.5KE540A和1.5KE250CA到1.5KE440CA的
只有商业级
用于双向应用的器件
对于双向类型，使用C或CA后缀（如
1.5KE440CA)
Eletrical特征适用于两个方向。
极性：
对于单向类型的颜色频带表示
阴极月底，双向类型没有任何标记
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1)
（图1）的
峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形
(1)
在无限散热器在T功耗
L
= 75 ℃（图5）的
只有峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波单向
在100 A最大瞬时正向电压仅为单向
(3)
工作结存储温度范围
(2)
符号
P
PPM
I
PPM
P
D
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
价值
1500
看下表
6.5
200
3.5/5.0
- 55 175
单位
W
A
W
A
V
°C
笔记
(1)
非重复电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额=每无花果25 ℃。 2
A
(2)
测量8.3ms单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
(3)
V = 3.5 V的1.5KE220A及以下; V = 5.0 V的1.5KE250A及以上
F
F
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威世通用半导体
最大最大
最大
PEAK
夹紧温度
脉冲
电压
系数中
当前
在我
PPM
V的
BR
(2)
I
PPM
V
C
(V)
(%/°C)
(A)
143
10.5
0.057
133
11.3
0.061
124
12.1
0.065
112
13.4
0.068
103
14.5
0.073
96.2
15.6
0.075
89.8
16.7
0.078
82.4
18.2
0.081
70.8
21.2
0.084
66.7
22.5
0.086
59.5
25.2
0.089
54.2
27.7
0.09
49.0
30.6
0.092
45.2
33.2
0.094
40.0
37.5
0.096
36.2
41.4
0.097
32.8
45.7
0.098
30.1
49.9
0.099
27.8
53.9
0.1
25.3
59.3
0.101
23.1
64.8
0.101
21.4
70.1
0.102
19.5
77.0
0.103
17.6
85.0
0.104
16.3
92.0
0.104
14.6
104
0.105
13.3
113
0.105
12.0
125
0.106
10.9
137
0.106
9.9
152
0.107
9.1
165
0.107
8.4
179
0.107
7.2
207
0.106
6.8
219
0.108
6.4
234
0.108
6.1
246
0.108
5.5
274
0.108
4.6
328
0.108
4.4
344
0.110
3.6
414
0.110
3.1
482
0.110
2.7
548
0.110
2.5
602
0.110
2.28
658
0.110
2.15
698
0.110
2.03
740
0.110
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
JEDEC
TYPE
数
击穿
最大
电压
TEST
对峙REVERSE
一般
V
BR
在我
T (1)
电流电压
泄漏
半导体
(V)
I
T
V
WM
在V
WM
产品型号
（MA ）
(V)
I
D (4)
分钟。马克斯。
(μA)
(+)
1.5KE6.8A
6.45
7.14
10
5.80
1000
(+)
1.5KE7.5A
7.13
7.88
10
6.40
500
(+)
1.5KE8.2A
7.79
8.61
10
7.02
200
(+)
1.5KE9.1A
8.65
9.55
1.0
7.78
50
(+)
1.5KE10A
9.50
10.5
1.0
8.55
10
(+)
1.5KE11A
10.5
11.6
1.0
9.40
5.0
(+)
1.5KE12A
11.4
12.6
1.0
10.2
5.0
(+)
1.5KE13A
12.4
13.7
1.0
11.1
5.0
(+)
1.5KE15A
14.3
15.8
1.0
12.8
1.0
(+)
1.5KE16A
15.2
16.8
1.0
13.6
1.0
(+)
1.5KE18A
17.1
18.9
1.0
15.3
1.0
(+)
1.5KE20A
19.0
21.0
1.0
17.1
1.0
(+)
1.5KE22A
20.9
23.1
1.0
18.8
1.0
(+)
1.5KE24A
22.8
25.2
1.0
20.5
1.0
(+)
1.5KE27A
25.7
28.4
1.0
23.1
1.0
(+)
1.5KE30A
28.5
31.5
1.0
25.6
1.0
(+)
1.5KE33A
31.4
34.7
1.0
28.2
1.0
(+)
1.5KE36A
34.2
37.8
1.0
30.8
1.0
(+)
1.5KE39A
37.1
41.0
1.0
33.3
1.0
(+)
1.5KE43A
40.9
45.2
1.0
36.8
1.0
(+)
1.5KE47A
44.7
49.4
1.0
40.2
1.0
(+)
1.5KE51A
48.5
53.6
1.0
43.6
1.0
(+)
1.5KE56A
53.2
58.8
1.0
47.8
1.0
(+)
1.5KE62A
58.9
65.1
1.0
53.0
1.0
(+)
1.5KE68A
64.6
71.4
1.0
58.1
1.0
(+)
1.5KE75A
71.3
78.8
1.0
64.1
1.0
(+)
1.5KE82A
77.9
86.1
1.0
70.1
1.0
(+)
1.5KE91A
86.5
95.5
1.0
77.8
1.0
(+)
1.5KE100A
95.0
105
1.0
85.5
1.0
(+)
1.5KE 110A
105
116
1.0
94.0
1.0
(+)
1.5KE120A
114
126
1.0
102
1.0
(+)
1.5KE130A
124
137
1.0
111
1.0
(+)
1.5KE150A
143
158
1.0
128
1.0
(+)
1.5KE160A
152
168
1.0
136
1.0
(+)
1.5KE170A
162
179
1.0
145
1.0
1.5KE180A
171
189
1.0
154
1.0
1.5KE200A*
190
210
1.0
171
1.0
1.5KE220A*
209
231
1.0
185
1.0
1.5KE250A
237
263
1.0
214
1.0
1.5KE300A
285
315
1.0
256
1.0
1.5KE350A
333
368
1.0
300
1.0
1.5KE400A
380
420
1.0
342
1.0
1.5KE440A
418
462
1.0
376
1.0
1.5KE480A
456
504
1.0
408
1.0
1.5KE510A
485
535
1.0
434
1.0
1.5KE540A
513
567
1.0
459
1.0
1N6267A
1N6268A
1N6269A
1N6270A
1N6271A
1N6272A
1N6273A
1N6274A
1N6275A
1N6276A
1N6277A
1N6278A
1N6279A
1N6280A
1N6281A
1N6282A
1N6283A
1N6284A
1N6285A
1N6286A
1N6287A
1N6288A
1N6289A
1N6290A
1N6291A
1N6292A
1N6293A
1N6294A
1N6295A
1N6296A
1N6297A
1N6298A
1N6299A
1N6300A
1N6301A
1N6302A
1N6303A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
笔记
(1)
脉冲测试：吨
≤
50毫秒
p
(2)
浪涌
每无花果电流波形。根据图3和减免。 2
(3)
所有的术语和符号与ANSI / IEEE CA62.35一致
(4)
对于双向型与V 10 V和更少的I限制一倍
R
D
*
双向版本正在组件通过UL认证跨线保护， ULV1414文件号E108274 （ 1.5KE200CA ，
1.5KE220CA)
(+)
美国保险商实验室认可保护（ QVGQ2 ）根据安全497B和文件号UL标准的分类
E136766两个单向和双向装置
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威世通用半导体
符号
R
θJA
R
θJL
价值
75
15.4
° C / W
单位
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻，结到环境
典型热阻，结到铅
订购信息
（例）
最佳PIN
1.5KE6.8A-E3/54
1.5KE6.8AHE3/54
(1)
记
(1)
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
单位重量（g ）
0.968
0.968
首选包装代码
54
54
基地数量
1400
1400
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
直径13"纸胶带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
150
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
t
r
= 10 s
PEAK
价值
I
PPM
10
T
J
= 25 °C
脉冲宽度（T
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到第I 50％
PPM
100
半
价值
- I
PP
I
PPM
2
50
10/1000微秒波形
定义
by
R.E.A.
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
1
0.1
0.1 s
1.0 s
10 s
100 s
1.0毫秒
10毫秒
t
d
- 脉冲宽度（S ）
吨 - 时间（ms ）
图。 1 - 额定峰值脉冲功率曲线
图。 3 - 脉冲波形
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降额百分比， ％
100
10 000
单向
双向
C
J
- 电容（pF ）
75
V
R
= 0
1000
50
100
V
R
=额定
对峙
电压
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
10
5
10
100
500
T
J
- 初始温度（ ℃）
V
BR
- 击穿
电压
(V)
图。 2 - 脉冲功率或电流与初始结温
图。 4 - 典型结电容
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威世通用半导体
100
8.0
ΔV
C
- 增量钳位
电压
7.0
P
D
- 功耗（ W）
波形：
10/1000微秒脉冲
ΔV
C
=
V
C
-
V
BR
1.5KE200
1.5KE130
1.5KE75
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
L = 0.375"毫米（9.5毫米）
导线长度
20
10
1.5KE39
2.0
1.0
1.5KE33
1.5KE6.8
1.5KE9.1
0.2
0.1
0.5
1
2
10
50
T
L
- 焊接温度（ ° C）
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
图。 5 - 电源降额曲线
图。 8 - 增量钳位电压曲线（单向）
200
100
ΔV
C
- 增量钳位
电压
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
100
波形：
10/1000微秒脉冲
ΔV
C
=
V
C
-
V
BR
20
10
1.5KE200C
1.5KE75C
2.0
1.0
1.5KE39C
1.5KE30C
1.5KE15C
11C
1.5KE7.5C
0.2
0.1
0.5
1
2
10
20
50
10
1
10
100
数
环，在60赫兹的
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
图。 6 -
最大非重复正向浪涌电流
只有单向
图。 9 -
增量钳位电压曲线（双向）
100
100
1.5KE200
1.5KE130
1.5KE100
1.5KE75
ΔV
C
- 增量钳位
电压
ΔV
C
- 增量钳位
电压
波形：
8/20
μs的脉冲
ΔV
C
=
V
C
-
V
BR
20
10
20
10
波形：
8/20
μs的脉冲
ΔV
C
=
V
C
-
V
BR
1.5KE200C
1.5KE75C
1.5KE39C
1.5KE30C
1.5KE15C
1.5KE11C
1.5KE7.5C
2.0
1.0
1.5KE39
1.5KE33
1.5KE6.8
1.5KE9.1
1.5KE18
1.5KE12
2
1
0.2
0.1
0.5
1
2
10
20
50
0.2
0.1
0.5
1
2.0
10
20
50
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
图。 7 -
增量钳位电压曲线（单向）
图。 10 -
增量钳位电压曲线（双向）
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威世通用半导体
100
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
10
10
1
T
J
= 25 °C
脉冲宽度= 300微秒
1 ％占空比
1
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
正向
电压
(V)
t
p
- 脉冲持续时间（ S）
图。 11 -
正向电压特性曲线
图。 12 -
典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
例
风格
1.5KE
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
分钟。
0.042 (1.07)
0.038 (0.96)
DIA 。
APPLIACTION注意事项
该系列硅瞬态抑制器采用的是
应用大电压瞬变
永久损坏电压敏感元件。
在TVS二极管可以在应用中使用
在农村或偏远传输感应雷电
行提出了一个危险的电子电路
（参考： R.E.A.规范体育60 ） 。
此瞬态电压抑制器二极管具有脉冲
1500瓦1毫秒的额定功率。的响应时间
TVS二极管的钳位作用是有效瞬时
(1 x 10
-9
s的双向） ;因此，它们可以保护
集成电路， MOS器件，混合及其它
电压敏感半导体和组件。 TVS
二极管也可以使用串联或并联，以增加
峰值功率额定值。
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L E （C T） R 0 N I
1.5KE6.8(C)-LF
THRU
1.5KE540(C)A-LF
1500W瞬态电压抑制器
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
1500W浪涌能力1毫秒
出色的钳位能力
低阻抗齐纳
响应时间快：一般小于1.0 PS FROM
0伏特至V MIN
标准IR小于1μA ，高于10V
高温焊接保证： 260 ℃ / 10S
/.375\
无铅
1.0(25.4)
民
.042(1.07)
.037(0.94)
.375(9.5)
.335(8.5)
.220(5.6)
.197(5.0)
机械数据
案例：模压塑料
TERMINALS︰AXIAL线索，每MIL -STD- 202 ，
方法208
极性：颜色频带表示阴极除
双极
重量： 1.2 GRAMS
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
评级
峰值功耗在TA = 25 ℃ ， TP = 1毫秒（注1）
用10 / 1000US波形峰值脉冲电流（注1 ）
在T稳态功耗
L
=75℃,
引线长度0.375“设计（9.5mm ） （注2）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法） （注3）
典型热阻JUNCTUION到环境
工作和存储温度范围
记
︰
符号
P
PK
I
PPM
P
M（ AV）在
I
FSM
1.0(25.4)
民
CASE：DO-201AE
尺寸以英寸（毫米）
价值
最低1500
看下表
6.5
200
单位
瓦
A
瓦
安培
℃/W
℃
R
θ
JA
75
- 55 + 175
T
J,
T
英镑
1.非重复性电流脉冲PER图3和降低额定功率减以上TA = 25 ℃ PER图2 。
2.安装在1.6 × 1.6 “ （ 40 × 40毫米） PER图铜焊盘面积。五
3. 8.3ms单半正弦波，占空比= 4个脉冲PER分钟最大
4.对于双向使用C语言后缀为10 ％的容差， 5 ％的容差CA后缀
HTTP ： // www.sirectsemi.com
击穿
V
BR
（伏）
JEDEC
TYPE
数
一般
部分
数
@IT
（MA ）
民
最大
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
（伏）
5.50
5.80
6.05
6.40
6.63
7.02
7.37
7.78
8.10
8.55
8.92
9.40
9.72
10.2
10.5
11.1
12.1
12.8
12.9
13.6
14.5
15.3
16.2
17.1
17.8
18.8
19.4
20.5
21.8
23.1
24.3
25.6
26.8
28.2
29.1
30.8
31.6
33.3
34.8
36.8
36.1
40.2
41.3
43.6
45.4
47.8
50.2
53.0
55.1
58.1
60.7
64.1
66.4
70.1
最大
反向
泄漏
在V
RWM
IR（ μA ）
1000
1000
500
500
200
200
50
50
10
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
最大
反向
浪涌
当前
I
RSM
（安培）
139
143
128
132
120
124
109
112
100
103
93.0
96.0
87.0
90.0
79.0
82.0
68.0
71.0
64.0
67.0
56.5
59.5
51.5
54.0
47.0
49.0
43.0
45.0
38.5
40.0
34.5
36.0
31.5
33.0
29.0
30.0
26.5
28.0
24.0
25.3
22.2
23.2
20.4
21.4
18.6
19.5
16.9
17.7
15.3
16.3
13.9
14.6
12.7
13.3
最大
夹紧
电压
V
RWM
（伏）
10.8
10.5
11.7
11.3
12.5
12.1
13.8
13.4
15.0
14.5
16.2
15.6
17.3
16.7
19.0
18.2
22.0
21.2
23.5
22.5
26.5
25.2
29.1
27.7
31.9
30.6
34.7
33.2
39.1
37.5
43.5
41.4
47.7
45.7
52.0
49.9
56.4
53.9
61.9
59.3
67.8
64.8
73.5
70.1
80.5
77.0
89.0
85.0
98.0
92.0
108.0
103.0
118.0
113.0
最大
温度
系数
V的
BR
(%C)
V
RSM
（伏）
0.057
0.057
0.061
0.061
0.065
0.065
0.068
0.068
0.073
0.073
0.075
0.075
0.078
0.078
0.081
0.081
0.084
0.084
0.086
0.086
0.088
0.088
0.090
0.090
0.092
0.092
0.094
0.094
0.096
0.096
0.097
0.097
0.098
0.098
0.099
0.099
0.100
0.100
0.101
0.101
0.101
0.101
0.102
0.102
0.103
0.103
0.104
0.104
0.104
0.104
0.105
0.105
0.105
0.105
1N6267
1N6267A
1N6268
1N6268A
1N6269
1N6269A
1N6270
1N6270A
1N6271
1N6271A
1N6272
1N6272A
1N6273
1N6273A
1N6274
1N6274A
1N6275
1N6275A
1N6276
1N6276A
1N6277
1N6277A
1N6278
1N6278A
1N6279
1N6279A
1N6280
1N6280A
1N6281
1N6281A
1N6282
1N6282A
1N6283
1N6283A
1N6284
1N6284A
1N6285
1N6285A
1N6286
1N6286A
1N6287
1N6287A
1N6288
1N6288A
1N6289
1N6289A
1N6290
1N6290A
1N6291
1N6291A
1N6292
1N6292A
1N6293
1N6293A
1.5KE6.8(C)-LF
1.5KE6.8(C)A-LF
1.5KE7.5(C)-LF
1.5KE7.5(C)A-LF
1.5KE8.2(C)-LF
1.5KE8.2(C)A-LF
1.5KE9.1(C)-LF
1.5KE9.1(C)A-LF
1.5KE10(C)-LF
1.5KE10(C)A-LF
1.5KE11(C)-LF
1.5KE11(C)A-LF
1.5KE12(C)-LF
1.5KE12(C)A-LF
1.5KE13(C)-LF
1.5KE13(C)A-LF
1.5KE15(C)-LF
1.5KE15(C)A-LF
1.5KE16(C)-LF
1.5KE16(C)A-LF
1.5KE18(C)-LF
1.5KE18(C)A-LF
1.5KE20(C)-LF
1.5KE20(C)A-LF
1.5KE22(C)-LF
1.5KE22(C)A-LF
1.5KE24(C)-LF
1.5KE24(C)A-LF
1.5KE27(C)-LF
1.5KE27(C)A-LF
1.5KE30(C)-LF
1.5KE30(C)A-LF
1.5KE33(C)-LF
1.5KE33(C)A-LF
1.5KE36(C)-LF
1.5KE36(C)A-LF
1.5KE39(C)-LF
1.5KE39(C)A-LF
1.5KE43(C)-LF
1.5KE43(C)A-LF
1.5KE47(C)-LF
1.5KE47(C)A-LF
1.5KE51(C)-LF
1.5KE51(C)A-LF
1.5KE56(C)-LF
1.5KE56(C)A-LF
1.5KE62(C)-LF
1.5KE62(C)A-LF
1.5KE68(C)-LF
1.5KE68(C)A-LF
1.5KE75 （ C） -LF
1.5KE75(CA-LF
1.5KE82(C)-LF
1.5KE82(C)A-LF
6.12
6.45
6.75
7.13
7.38
7.79
8.19
8.65
9.00
9.50
9.90
10.5
10.8
11.4
11.7
12.4
13.5
14.3
14.4
15.2
16.2
17.1
18.0
19.0
19.8
20.9
21.6
22.8
24.3
25.7
27.0
28.5
29.7
31.4
32.4
34.2
35.1
37.1
38.7
40.9
42.3
44.7
45.9
48.5
50.4
53.2
55.8
58.9
61.2
64.6
67.5
71.3
73.8
77.9
7.48
7.14
8.25
7.88
9.02
8.61
10.0
9.55
11.0
10.5
12.1
11.6
13.2
12.6
14.3
13.7
16.5
15.8
17.6
16.8
19.8
18.9
22.0
21.0
24.2
23.1
26.4
25.2
29.7
28.4
33.0
31.5
36.3
34.7
39.6
37.8
42.9
41.0
47.3
45.2
51.7
49.4
56.1
53.6
61.8
58.8
68.2
65.1
74.8
71.4
82.5
78.8
90.2
86.1
10
10
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
HTTP ： // www.sirectsemi.com
设备
一般
部分
数
1.5KE91(C)-LF
1.5KE91(C)A-LF
1.5KE100(C)-LF
1.5KE100(C)A-LF
1.5KE110(C)-LF
1.5KE110(C)A-LF
1.5KE120(C)-LF
1.5KE120(C)A-LF
1.5KE130(C)-LF
1.5KE130(C)A-LF
1.5KE150(C)-LF
1.5KE150(C)A-LF
1.5KE160(C)-LF
1.5KE160(C)A-LF
1.5KE170(C)-LF
1.5KE170(C)A-LF
1.5KE180(C)-LF
1.5KE180(C)A-LF
1.5KE200(C)-LF
1.5KE200(C)A-LF
1.5KE220(C)-LF
1.5KE220(C)A-LF
1.5KE250(C)-LF
1.5KE250(C)A-LF
1.5KE300(C)-LF
1.5KE300(C)A-LF
1.5KE350(C)-LF
1.5KE350(C)A-LF
1.5KE400(C)-LF
1.5KE400(C)A-LF
1.5KE440(C)-LF
1.5KE440(C)A-LF
1.5KE480(C)-LF
1.5KE480(C)A-LF
1.5KE510(C)-LF
1.5KE510(C)A-LF
1.5KE540(C)-LF
1.5KE540(C)A-LF
击穿
V
BR
（伏）
@IT
（MA ）
民
81.9
86.5
90.0
95.0
99.0
106.0
108.0
114.0
117.0
124.0
136.0
143.0
144.0
152.0
153.0
162.0
162.0
171.0
180.0
190.0
196.0
209.0
225.0
237.0
270.0
285.0
315.0
333.0
360.0
380.0
396.0
418.0
432.0
456.0
459.0
485.0
486.0
513.0
最大
100.0
95.50
110.0
105.0
121.0
116.0
132.0
126.0
143.0
137.0
165.0
158.0
176.0
168.0
187.0
179.0
198.0
189.0
220.0
210.0
242.0
231.0
275.0
263.0
330.0
315.0
385.0
368.0
440.0
420.0
484.0
462.0
528.0
504.0
561.0
535.0
594.0
567.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
（伏）
73.7
77.8
81.0
85.5
89.2
94.0
97.2
102.0
106.0
111.0
121.0
128.0
130.0
136.0
138.0
145.0
146.0
154.0
162.0
171.0
175.0
185.0
202.0
214.0
243.0
256.0
284.0
300.0
324.0
342.0
356.0
376.0
389.0
408.0
413.0
434.0
437.0
459.0
最大
反向
泄漏
在V
RWM
IR（ μA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
最大
反向
当前
I
RSM
（安培）
11.4
12.0
10.4
11.0
9.5
9.9
8.7
9.1
8.0
8.4
7.0
7.2
6.5
6.8
6.2
6.4
5.8
6.1
5.2
5.5
4.4
4.6
4.2
4.4
3.5
3.6
3.0
3.1
2.6
2.7
2.4
2.5
2.19
2.28
2.06
2.15
1.94
2.03
最大
夹紧
电压
V
RWM
（伏）
131.8
125.0
144.0
137.0
158.0
152.0
173.0
165.0
187.0
179.0
215.0
207.0
230.0
219.0
244.0
234.0
258.0
246.0
287.0
274.0
344.0
328.0
360.0
344.0
430.0
414.0
504.0
482.0
574.0
548.0
631.0
602.0
686.0
658.0
729.0
698.0
772.0
740.0
最大
温度
系数
V的
BR
(%C)
V
RSM
（伏）
0.106
0.106
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
1N6294
1N6294A
1N6295
1N6295A
1N6296
1N6296A
1N6297
1N6297A
1N6298
1N6298A
1N6299
1N6299A
1N6300
1N6300A
1N6301
1N6301A
1N6302
1N6302A
1N6303
1N6303A
注意事项：
1. V
BR
之后，我测
T
申请300
μS ，我
T
=方波脉冲或同等学历
2.浪涌电流按照图3波形和降额按照图2 。
3. V
F
= 3.5V MAX ，我
F
= 100A （ 1.5KE6.8 （ C） THRU 1.5KE200 （ C） A）
V
F
= 6.5V MAX ，我
F
= 100A （ 1.5KE220 （ C） THRU 1.5KE540 （ C） A） PER 1/2方形或等效的正弦波。
PW = 8.3ms的，占空比= 4个脉冲每分钟MXIMUM
4.双极类型的具有V
RWM
10伏及以下的我
R
限制一倍
HTTP ： // www.sirectsemi.com
额定值和特性曲线1.5KE6.8 （ C） -LF THRU 1.5KE540 （C ） A- LF
图。 1 - 额定峰值脉冲功率曲线
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降额百分比， ％
P
PPM ，
峰值脉冲功率， KW
100
不重复
脉冲波形
示于图。 3
T
A
=25℃
图。 2 - 脉冲降额曲线
100
10
75
50
1.0
25
0.1
0.1
US
1.0
US
10
US
100
US
1.0
MS
10
MS
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TD ，脉冲宽度，美国证券交易委员会
TA，环境温度， ℃
图。 3 - 脉冲波形
150
I
PPM
，峰值脉冲电流， ％
C
J
，电容，
P
F
TR = 10usec 。
峰值
I
PPM
脉冲宽度（ TD ）的定义
由于这种地步峰值
电流衰减到我的50 ％
PP
图。 4 - 典型结电容
10,000
不定向
双向
100
1,000
V
R
=0
半值
IPP
2
50
10 / 1000usec 。波形
界定的R.E.A.
100
F = 1 MH
Z
Vsig=50mVp-p
T
J
=25℃
V
R
Rated
对峙
电压
10
0
0
td
5
1.0
2.0
T，时间，ms
3.0
4.0
10
100
500
V(
BR
） ，击穿电压，伏
P
M（ AV）在
，稳定状态功率
耗散（ W）
图。 5 - 稳态功率降额曲线
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
60Hz的电阻或
感性负载
峰值正向浪涌电流，
安培
图。 6 - 最大非重复峰值正向
浪涌电流单向只
200
100
L = 0.375“设计（9.5mm ）
导线长度
1.6×1.6×.040”
(40×40×1mm)
铜散热器
9.3ms单一正弦半波
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
（ JEDEC的方法）
T
JJ
=T
jj
马克斯。
T =最大值。
25
50 75 100
125 150
T
L,
引线温度（ ℃ ）
175 200
10
1
10
循环次数的AT 60H的
Z
100
HTTP ： // www.sirectsemi.com
额定值和特性曲线1.5KE6.8 （ C） -LF THRU 1.5KE540 （C ） A- LF
图。 7 - 增量钳位电压曲线
单向
100
波形：
10 ×1000 IMPULSE
△ VC = VC- V（
BR
)
1.5KE200-LF
图。 8 - 增量钳位电压曲线
单向
100
波形：
10 ×1000 IMPULSE
△ VC = VC- V（
BR
)
1.5KE200-LF
1.5KE130-LF
△ VC，
增量钳位电压
1.5KE130-LF
△ VC，
增量钳位电压
20
1.5KE100-LF
20
10
1.5KE75-LF
10
1.5KE75-LF
1.5KE39-LF
1.5KE39-LF
2.0
1.5KE33-LF
2.0
1.5KE33-LF
1.0
1.0
1 5KE6 8 -LF
1.5KE9.1-LF
1.5KE18-LF
1.5KE12-LF
1.5KE6.8-LF
1.5KE9.1-LF
0.2
0.1
0.5
1
2.0
10
20
50
0.2
0.1
0.5
1
2.0
10
20
50
I
PP,
峰值脉冲电流， AMPS
I
PP,
峰值脉冲电流， AMPS
图。 9 - 增量钳位电压曲线
双向
100
波形：
10 ×1000 IMPULSE
△ VC = VC- V（
BR
)
图。 10 - 增量CLMPING电压曲线
双向
100
波形：
10 ×1000 IMPULSE
△ VC = VC- V（
BR
)
1.5KE200C-LF
△ VC，
增量钳位电压
20
1.5KE200C-LF
△ VC，
增量钳位电压
20
1.5KE75C-LF
10
1.5KE75C-LF
10
1.5KE39C-LF
1.5KE30C-LF
1.5KE15C-LF
1.5KE39C-LF
2.0
1.5KE30C-LF
1.5KE15C-LF
1.5KE11C-L
1.5KE7.5C-LF
2.0
1.5KE11C-LF
1.0
1.5KE7.5C-LF
0.2
0.1
0.5
1
2.0
10
20
50
0.2
0.1
0.5
1
2.0
10
20
50
I
PP,
峰值脉冲电流， AMPS
I
PP,
峰值脉冲电流， AMPS
HTTP ： // www.sirectsemi.com
1.5KE6.8 THRU 1.5KE440CA
T
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
击穿电压 -
6.8至440伏
机箱样式1.5KE
峰值脉冲功率 -
1500瓦
特点
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
分钟。
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
玻璃钝化结
1500W峰值脉冲功率
在10 / 1000μs波形的能力
重复率（占空比） ： 0.05％
出色的钳位能力
低增量浪涌电阻
快速响应时间：通常小
超过1.0ps从0伏特至V
（ BR ）
为单向
而5.0ns的双向类型
对于V器件
（ BR ）
>10V ，我
D
通常少
比1.0μA
高温焊接保证：
265 ℃/ 10秒0.375"设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （2.3千克）的张力
包括直通1N6303 1N6267
0.042 (1.07)
0.038 (0.96)
DIA 。
机械数据
案例：
模压塑料车身超过钝化结
终端：
镀轴向引线，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
色环表示正端（阴极）除外
双向
安装位置：
任何
重量：
0.045盎司， 1.2克
尺寸以英寸（毫米）
双向应用的器件
对于双向使用C或CA后缀类型1.5KE6.8直通类型1.5KE440A （如1.5KE6.8C ， 1.5KE440CA ） 。
电特性的应用中是双向的。
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
价值
单位
峰值脉冲功率耗散了10 / 1000μs
波形
（注1 ，图1）
峰值脉冲电流为10 / 1000μs波
（注1 ）
P
PPM
I
PPM
P
M（ AV）在
最低1500
参照表1
瓦
安培
瓦
在T稳态功耗
L
=75°C
引线长度， 0.375"设计（9.5mm ）
（注2 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
只有单向的
（注3）
最大正向电压在100A的
只有单向的
（注4 ）
工作结存储温度范围
6.5
I
FSM
200
安培
V
F
T
J
, T
英镑
3.5/5.0
-55到+175
伏
°C
注意事项：
（1）非重复性的电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃，每图。 2
（ 2 ）安装在1.6 ×1.6 “ （ 40× 40毫米）每个图的铜焊盘面积。五
（ 3 ）测量在8.3ms单半正弦波或等效方波的占空比= 4个脉冲每分钟最高
(4) V
F
= 3.5V为V的设备
（ BR ）
≤220V
和V
F
= 5.0伏特最大值。对于V的设备
（ BR ）
>220V
1/21/99
在（T电气特性
A
= 25℃，除非另有说明）表1（续）
击穿电压
V
（ BR ）
（伏）
（注1 ）
民
64.6
67.5
71.3
73.8
77.9
81.9
86.5
90.0
95.0
99.0
105
108
114
117
124
136
143
144
152
153
162
162
171
180
190
198
209
225
237
270
285
315
333
360
380
396
418
最大
71.4
82.5
78.8
90.2
86.1
100.0
95.5
110
105
121
116
132
126
143
137
165
158
176
168
187
179
198
189
220
210
242
231
275
263
330
315
385
368
440
420
484
462
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D（注4 ）
(A)
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
最大
峰值脉冲
电流I
PPM
（注2 ）
JEDEC
TYPE
数
1N6291A
1N6292
1N6292A
1N6293
1N6293A
1N6294
1N6294A
1N6295
1N6295A
1N6296
1N6296A
1N6297
1N6297A
1N6298
1N6298A
1N6299
1N6299A
1N6300
1N6300A
1N6301
1N6301A
1N6302
1N6302A
1N6303
1N6303A
一般
半导体
部分
数
1.5KE68A
1.5KE75
1.5KE75A
1.5KE82
1.5KE82A
1.5KE91
1.5KE91A
1.5KE100
1.5KE100A
1.5KE110
1.5KE 110A
1.5KE120
1.5KE120A
1.5KE130
1.5KE130A
1.5KE150
1.5KE150A
1.5KE160
1.5KE160A
1.5KE170
1.5KE170A
1.5KE180
1.5KE180A
1.5KE200
1.5KE200A*
1.5KE220
1.5KE220A*
1.5KE250
1.5KE250A
1.5KE300
1.5KE300A
1.5KE350
1.5KE350A
1.5KE400
1.5KE400A
1.5KE440
1.5KE440A
TEST
当前
at
（毫安）I
T
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
对峙
电压
V
WM
（伏）
58.1
60.7
64.1
66.4
70.1
73.7
77.8
81.0
85.5
89.2
94.0
97.2
102
105
111
121
128
130
136
138
145
146
154
162
171
175
185
202
214
243
256
284
300
324
342
356
376
安培
16.3
13.9
14.6
12.7
13.3
11.5
12.0
10.4
10.9
9.5
9.9
8.7
9.1
8.0
8.4
7.0
7.2
6.5
6.8
6.1
6.4
5.8
6.1
5.2
5.5
4.4
4.6
4.2
4.4
3.5
3.6
3.0
3.1
2.6
2.7
2.4
2.5
最大
夹紧
电压在我
PPM
Vc
（伏）
92.0
109
104
118
113
131
125
144
137
158
152
173
165
187
179
215
207
230
219
244
234
258
246
287
274
344
328
360
344
430
414
504
482
574
548
631
602
最大
温度
第五COEF网络cient
（ BR ）
(% / °C)
0.104
0.105
0.105
0.105
0.105
0.106
0.106
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.108
0.106
0.106
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
注意事项：
(1) V
（ BR ）
之后，我测
T
申请300μS ，我
T
=方波脉冲或同等学历
（2 ）浪涌每图的电流波形。 3 ，每个图减免。 2
（ 3 ）所有的术语和符号与ANSI / IEEE CA62.35一致
（ 4 ）对于双向型与V
R
10伏，少了我
D
限制一倍
*双向版本是跨线的保护下，组件通过UL认证， ULV1414文件号E108274
（ 1.5KE200CA ， 1.5KE220CA ）
+ UL认证的电信应用程序保护， 497B ，文件号E136766为单向和双向器件
应用
该系列硅瞬态抑制器采用的是应用大电压瞬变会永久损坏电压敏感元件。
该TVS二极管可以在应用中的农村或偏远输电线路感应雷击提出了一个危险的电子电路中使用
（参考： R.E.A.规范体育60 ） 。
这个瞬态电压抑制器二极管具有1500瓦的脉冲的额定功率为1毫秒。的TVS二极管的钳位作用的响应时间是有效的例化
taneous （1× 10
-9
秒双向） ;因此，它们能保护集成电路， MOS器件，混合动力汽车，以及其它电压敏感的半导体和组件。
TVS二极管也可以使用串联或并联，以增加峰值功率额定值。
额定值和特性曲线1.5KE6.8直通1.5KE440CA
图。 1 - 额定峰值脉冲功率曲线
图。 2 - 脉冲降额曲线
100
P
PPM
，峰值脉冲功率，千瓦
不重复
脉冲波形
示于图。 3
T
A
=25°C
100
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降额百分比， ％
10
75
50
1.0
25
0.1
0.1
s
1.0
s
10
s
100
s
1.0ms
10ms
TD ，脉冲宽度，秒。
0
0
25
50
75
100
125 150
175 200
T
A
，环境温度，℃
图。 3 - 脉冲波形
150
I
PPM ，
峰值脉冲电流， ％
tr=10sec.
峰值
I
PPM
脉冲宽度（ TD ）的定义
由于这种地步峰值
电流衰减到我的50 ％
PP
图。 4 - 典型结电容
10,000
单向
双向
C
J
，电容， pF的
100
半值 - 我
PP
2
1,000
V
R
=0
50
10 / 1000μsec 。波形
界定的R.E.A.
100
F = 1 MHz的
Vsig=50mV
P-P
T
J
=25°C
V
R
Rated
对峙
电压
td
10
0
5
10
100
V
（ BR ）
，击穿电压，伏
500
0
1.0
2.0
T，时间，ms
3.0
4.0
图。 5 - 稳态功率降额曲线
PM
（ AV）
稳定状态下的功耗，
瓦
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
1.6 ×1.6× 0.040"
（ 40 ×40× 1毫米。 ）
铜散热器
图。 6 - 最大非重复峰值正向
浪涌电流单向只
峰值正向浪涌电流，
安培
60 H
Z
电阻或
感性负载
200
L
= 0.375” (9.5mm)
导线长度
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
T
J
=T
J
马克斯。
100
10
1
10
周期数的AT 60 H
Z
100
T
L,
焊接温度， ℃，
额定值和特性曲线1.5KE6.8直通1.5KE440CA
图。 7 - 增量钳位电压曲线
单向
图。 8 - 增量钳位电压曲线
单向
100
波形：
8 ×20脉冲
V
C
=V
C
-V
（ BR ）
100
波形：
10 ×1000英派斯
V
C
=V
C
-V
（ BR ）
1.5KE200
1.5KE130
1.5KE75
1.5KE200
1.5KE130
1.5KE100
△ VC，
增量钳位电压
△ VC，
增量钳位电压
20
10
20
10
1.5KE75
1.5KE39
2.0
1.0
1.5KE39
1.5KE33
1.5KE6.8
1.5KE9.1
1.5KE18
1.5KE12
2.0
1.5KE33
1.0
1.5KE6.8
1.5KE9.1
0.2
0.1
0.5
0.2
0.1
0.5
1
2.0
10
20
50
1
2.0
10
50
I
PP,
峰值脉冲电流， AMPS
I
PP,
峰值脉冲电流， AMPS
图。 9 - 增量钳位电压曲线
双向
图。 10 - 增量钳位电压曲线
双向
100
波形：
8 ×20脉冲
V
C
=V
C
-V
（ BR ）
100
波形：
10 ×1000英派斯
V
C
=V
C
-V
（ BR ）
△ VC，
增量钳位电压
1.5KE200C
△ VC，
增量钳位电压
20
10
1.5KE200C
20
1.5KE75C
10
1.5KE39C
1.5KE30C
1.5KE15C
1.5KE11C
1.5KE75C
1.5KE39C
2.0
1.0
1.5KE30C
1.5KE15C
1.5KE11C
1.5KE7.5C
2.0
1.0
1.5KE7.5C
0.2
0.1
0.5
0.2
0.1
0.5
1
2.0
10
20
50
1
2.0
10
20
50
I
PP,
峰值脉冲电流， AMPS
I
PP,
峰值脉冲电流， AMPS
BL
特点
银河电子
1N6267- - -1N6303A
击穿电压： 6.8 --- 200伏
峰值脉冲功率： 1500 W
瞬态电压抑制器
塑料包装
有
美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
玻璃钝化结
有10 / 1000μs 1500W峰值脉冲功率能力
波形，重复率（占空比） ： 0.05％
出色的钳位能力
低增量浪涌电阻
快速响应时间：通常小于1.0ps从0伏特至
V
（ BR ）
对于单向和5.0ns的双向类型
对于V器件
（ BR ）
10V ， ID通常比小于1.0μA
/ 10秒
高tem温度焊接保证： 265
DO-201AE
0.375"设计（9.5mm ）引线长度， 51bs 。 （ 2.3千克）张力
机械数据
案例： JEDEC DO - 201AE ，模压塑料
极性：色环表示正端
（阴极），除了用于双向
重量： 0.032盎司，
0.9
克
安装位置：任意
对于双向应用的器件
对于双向使用C或CA后缀类型1N6267直通类型1N6303A （如1N6267 ， 1N6303A ） 。
电特性的应用中是双向的。
最大额定值和特性
25评分
环境温度，除非另有规定。
符号
山顶POW ER消耗瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ，图1 ）
峰值脉冲电流瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ）
稳态POW ER功耗在T
L
=75
fffff
铅长度0.375"设计（9.5mm ） （注2 ）
山顶FORW ARD浪涌电流， 8.3ms单半
ffffsine -W
AVE叠加在额定负荷（ JEDEC的方法） （注3 ）
在最大瞬时FORW ARD电压
100
一种单向止（注4 ）
典型热阻结到引线
典型热阻结到环境
工作结存储温度范围
价值
最低1500
参照表1
6.5
200.0
3.5/5.0
20
75
-50---+175
单位
W
A
W
A
V
/W
/W
P
PPM
I
PPM
P
M（ AV）在
I
FSM
V
F
R
θ
JL
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
注：（1）非重复性电流pules ，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25元图。 2
（ 2 ）安装在1.6" X 1.6" （ 40 x40mm铜焊盘面积
2
）每图。五
（ 3 ）测量8.3ms经单半正弦波-W AVE或equare瓦特大街，占空比= 4个脉冲每分钟最高
(4) V
F
= 3.5伏特最大值。对于V的设备
（ BR ）
200V ，而V
F
= 5.0伏特最大值。对于V的设备
（ BR ）
>200V
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文档编号0285011
BL
银河电子
1.
在（T电气特性
A
=25
Breakdow
电压V
（ BR ）
(V)
(NOTE1)
民
1N6286
1N6286A
1N6287
1N6287A
1N6288
1N6288A
1N6289
1N6289A
1N6290
1N6290A
1N6291
1N6291A
1N6292
1N6292A
1N6293
1N6293A
1N6294
1N6294A
1N6295
1N6295A
1N6296
1N6296A
1N6297
1N6297A
1N6298
1N6298A
1N6299
1N6299A
1N6300
1N6300A
1N6301
1N6301A
1N6302
1N6302A
1N6303
1N6303A
38.7
40.9
42.3
44.7
45.9
48.5
50.4
53.2
55.8
58.9
61.2
64.6
67.5
71.3
73.8
77.9
81.9
86.5
90.0
95.0
99.0
105
108
114
117
124
136
143
144
152
153
162
162
171
180
190
最大
47.3
45.2
51.7
49.4
56.1
53.6
61.8
58.8
68.2
65.1
74.8
71.4
82.5
78.8
90.2
86.1
100
95.5
110
105
121
116
132
126
143
137
165
158
176
168
187
179
198
189
220
210
除非另有说明）
最大
反向
LEAKGE
在V
WM
I
D（注3） （ μ
A
)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.
0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
高峰普尔斯ê
I
PPM(NOTE2)
(A)
24.2
25.3
22.1
23.1
20.4
21.4
18.6
19.5
16.9
17.6
15.3
16.3
13.9
14.6
12.7
13.3
11.5
12.0
10.4
10.9
9.5
9.9
8.7
9.1
8.0
8.4
7.0
7.2
6.5
6.8
6.1
6.4
5.8
6.1
5.2
5.5
表1 （续'D ）
最大
夹紧
电压
I
PPM
V
C
(V)
61.9
59.3
67.8
64.8
73.5
70.1
80.5
77.0
89.0
85.0
98.0
92.0
109
104
118
113
131
125
144
137
158
152
173
165
187
179
215
207
230
219
244
234
258
246
287
274
最大
温度
系数
V的
（ BR ）
(%/ )
0.101
0.101
0.101
0.101
0.102
0.102
0.103
0.103
0.104
0.104
0.104
0.104
0.105
0.105
0.105
0.105
0.106
0.106
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.108
0.106
0.106
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
设备类型
试验台客
电流电压
在我
T
V
WM
（MA ）
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
34.8
36.8
38.1
40.2
41.3
43.6
45.4
47.8
50.2
53.0
55.1
58.1
60.7
64.1
66.4
70.1
73.7
77.8
81.0
85.5
89.2
94.0
97.2
102
105
111
121
128
130
136
138
145
146
154
162
171
注：对于双向使用C或CA后缀类型
1N6267
直通型
1N6303A(e.g.1N6267,1N6303A).
电动
特征适用于两个方向。
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BL
银河电子
3.
收视率和特性曲线
峰值脉冲功率（P ）或电流
PP
1N6267- -
-1N6303A
图1 - 额定峰值脉冲功率曲线
P
PPM
，峰值脉冲功率，千瓦
100
不重复
脉冲波形
如果如图3所示
T
A
=25
10
图2 - 脉冲降额曲线
降额百分比， ％
100
75
50
1.0
25
0.1
0.1μ
s
1.0μ
s
10μ
s
100μ
s
1ms
10ms
(I
PPM
)
TOL ，脉宽，美国证券交易委员会。
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
FIG.3
- 脉冲波形
150
PULES宽度（ TD ）
是DEFINDE作为
地步
峰值电流
衰减到50％的
I
PPM
TA ，环境温度。
I
PPM
，峰值脉冲电流， ％
tr=10
Μ
S EC
峰值
I
PPM
图4 - 典型结电容
HHHHHHHH HUNIDIRECTIONAL
100
半值 - 我
PPM
2
6.000
T
J
=25
f=1.0MH
Z
Vsig=50mVp-p
在测
ZEROBIAS
50
C
J
，结电容， pF的
10/1000
Μ
EC 。
波形
DEFINDE由R.E.A.
10.000
td
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
T，时间，ms
图5 - 稳态功率降额曲线
P
M（ AV）在
， STRADY国家电力
1.00
1000
在测
对峙
电压，V
WM
L=0.375"(9.5mm)
导线长度
耗散，W
0.75
60 H
Z
RESISTIVEOR
感性负载
10
1.0
10
100
200
0.50
0.25
1.6 ×1.6× 0.040"
（ 40 ×40× 1毫米。 ）
铜散热器
V
（ BA ）
，击穿电压，V
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
L
，焊接温度，
I
D
，瞬时反向
I
FSM
，峰值正向浪涌
图7 - 典型的反向漏
JJJJJJJJJJJJJJJJJJCHARACTERISTICS
1 .0 0 0
图6 - 最高可非重复正向
HHHHHH HSURGE
电流单向只
200
漏电流，
mA
100
M E A S ü - [R E D为T D E V IC （E S）
S T A N - O F F V L T A G E，
V女男
目前，A
100
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单正弦半MAVE
（ JEDEC的方法）
10
1
0 .1
T
A
= 25
℃
0 .0 1
0 .0 0 1
0
100
200
300
400
440
500
10
1
10
100
V
（ BR ）
，击穿电压，V
循环次数在60赫兹
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银河电子
4.
BL
特点
银河电子
1N6267- - -1N6303A
击穿电压： 6.8 --- 200伏
峰值脉冲功率： 1500 W
瞬态电压抑制器
塑料包装
有
美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
玻璃钝化结
有10 / 1000μs 1500W峰值脉冲功率能力
波形，重复率（占空比） ： 0.05％
出色的钳位能力
低增量浪涌电阻
快速响应时间：通常小于1.0ps从0伏特至
V
（ BR ）
对于单向和5.0ns的双向类型
对于V器件
（ BR ）
10V ， ID通常比小于1.0μA
/ 10秒
高tem温度焊接保证： 265
DO-201AE
0.375"设计（9.5mm ）引线长度， 51bs 。 （ 2.3千克）张力
机械数据
案例： JEDEC DO - 201AE ，模压塑料
极性：色环表示正端
（阴极），除了用于双向
重量： 0.032盎司，
0.9
克
安装位置：任意
对于双向应用的器件
对于双向使用C或CA后缀类型1N6267直通类型1N6303A （如1N6267 ， 1N6303A ） 。
电特性的应用中是双向的。
最大额定值和特性
25评分
环境温度，除非另有规定。
符号
山顶POW ER消耗瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ，图1 ）
峰值脉冲电流瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ）
稳态POW ER功耗在T
L
=75
fffff
铅长度0.375"设计（9.5mm ） （注2 ）
山顶FORW ARD浪涌电流， 8.3ms单半
ffffsine -W
AVE叠加在额定负荷（ JEDEC的方法） （注3 ）
在最大瞬时FORW ARD电压
100
一种单向止（注4 ）
典型热阻结到引线
典型热阻结到环境
工作结存储温度范围
价值
最低1500
参照表1
6.5
200.0
3.5/5.0
20
75
-50---+175
单位
W
A
W
A
V
/W
/W
P
PPM
I
PPM
P
M（ AV）在
I
FSM
V
F
R
θ
JL
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
注：（1）非重复性电流pules ，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25元图。 2
（ 2 ）安装在1.6" X 1.6" （ 40 x40mm铜焊盘面积
2
）每图。五
（ 3 ）测量8.3ms经单半正弦波-W AVE或equare瓦特大街，占空比= 4个脉冲每分钟最高
(4) V
F
= 3.5伏特最大值。对于V的设备
（ BR ）
200V ，而V
F
= 5.0伏特最大值。对于V的设备
（ BR ）
>200V
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银河电子
1.
在（T电气特性
A
=25
Breakdow
电压V
（ BR ）
(V)
(NOTE1)
民
1N6286
1N6286A
1N6287
1N6287A
1N6288
1N6288A
1N6289
1N6289A
1N6290
1N6290A
1N6291
1N6291A
1N6292
1N6292A
1N6293
1N6293A
1N6294
1N6294A
1N6295
1N6295A
1N6296
1N6296A
1N6297
1N6297A
1N6298
1N6298A
1N6299
1N6299A
1N6300
1N6300A
1N6301
1N6301A
1N6302
1N6302A
1N6303
1N6303A
38.7
40.9
42.3
44.7
45.9
48.5
50.4
53.2
55.8
58.9
61.2
64.6
67.5
71.3
73.8
77.9
81.9
86.5
90.0
95.0
99.0
105
108
114
117
124
136
143
144
152
153
162
162
171
180
190
最大
47.3
45.2
51.7
49.4
56.1
53.6
61.8
58.8
68.2
65.1
74.8
71.4
82.5
78.8
90.2
86.1
100
95.5
110
105
121
116
132
126
143
137
165
158
176
168
187
179
198
189
220
210
除非另有说明）
最大
反向
LEAKGE
在V
WM
I
D（注3） （ μ
A
)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.
0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
高峰普尔斯ê
I
PPM(NOTE2)
(A)
24.2
25.3
22.1
23.1
20.4
21.4
18.6
19.5
16.9
17.6
15.3
16.3
13.9
14.6
12.7
13.3
11.5
12.0
10.4
10.9
9.5
9.9
8.7
9.1
8.0
8.4
7.0
7.2
6.5
6.8
6.1
6.4
5.8
6.1
5.2
5.5
表1 （续'D ）
最大
夹紧
电压
I
PPM
V
C
(V)
61.9
59.3
67.8
64.8
73.5
70.1
80.5
77.0
89.0
85.0
98.0
92.0
109
104
118
113
131
125
144
137
158
152
173
165
187
179
215
207
230
219
244
234
258
246
287
274
最大
温度
系数
V的
（ BR ）
(%/ )
0.101
0.101
0.101
0.101
0.102
0.102
0.103
0.103
0.104
0.104
0.104
0.104
0.105
0.105
0.105
0.105
0.106
0.106
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.108
0.106
0.106
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
设备类型
试验台客
电流电压
在我
T
V
WM
（MA ）
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
34.8
36.8
38.1
40.2
41.3
43.6
45.4
47.8
50.2
53.0
55.1
58.1
60.7
64.1
66.4
70.1
73.7
77.8
81.0
85.5
89.2
94.0
97.2
102
105
111
121
128
130
136
138
145
146
154
162
171
注：对于双向使用C或CA后缀类型
1N6267
直通型
1N6303A(e.g.1N6267,1N6303A).
电动
特征适用于两个方向。
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文档编号0285011
BL
银河电子
3.
收视率和特性曲线
峰值脉冲功率（P ）或电流
PP
1N6267- -
-1N6303A
图1 - 额定峰值脉冲功率曲线
P
PPM
，峰值脉冲功率，千瓦
100
不重复
脉冲波形
如果如图3所示
T
A
=25
10
图2 - 脉冲降额曲线
降额百分比， ％
100
75
50
1.0
25
0.1
0.1μ
s
1.0μ
s
10μ
s
100μ
s
1ms
10ms
(I
PPM
)
TOL ，脉宽，美国证券交易委员会。
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
FIG.3
- 脉冲波形
150
PULES宽度（ TD ）
是DEFINDE作为
地步
峰值电流
衰减到50％的
I
PPM
TA ，环境温度。
I
PPM
，峰值脉冲电流， ％
tr=10
Μ
S EC
峰值
I
PPM
图4 - 典型结电容
HHHHHHHH HUNIDIRECTIONAL
100
半值 - 我
PPM
2
6.000
T
J
=25
f=1.0MH
Z
Vsig=50mVp-p
在测
ZEROBIAS
50
C
J
，结电容， pF的
10/1000
Μ
EC 。
波形
DEFINDE由R.E.A.
10.000
td
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
T，时间，ms
图5 - 稳态功率降额曲线
P
M（ AV）在
， STRADY国家电力
1.00
1000
在测
对峙
电压，V
WM
L=0.375"(9.5mm)
导线长度
耗散，W
0.75
60 H
Z
RESISTIVEOR
感性负载
10
1.0
10
100
200
0.50
0.25
1.6 ×1.6× 0.040"
（ 40 ×40× 1毫米。 ）
铜散热器
V
（ BA ）
，击穿电压，V
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
L
，焊接温度，
I
D
，瞬时反向
I
FSM
，峰值正向浪涌
图7 - 典型的反向漏
JJJJJJJJJJJJJJJJJJCHARACTERISTICS
1 .0 0 0
图6 - 最高可非重复正向
HHHHHH HSURGE
电流单向只
200
漏电流，
mA
100
M E A S ü - [R E D为T D E V IC （E S）
S T A N - O F F V L T A G E，
V女男
目前，A
100
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单正弦半MAVE
（ JEDEC的方法）
10
1
0 .1
T
A
= 25
℃
0 .0 1
0 .0 0 1
0
100
200
300
400
440
500
10
1
10
100
V
（ BR ）
，击穿电压，V
循环次数在60赫兹
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文档编号0285011
BL
银河电子
4.
1N6267A系列
1500瓦Mosorbt齐纳
瞬态电压
抑制器
单向*
http://onsemi.com
Mosorb设备旨在保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。这些设备是
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetict轴向引线封装，是理想的适合于用在
通信系统，数控系统，过程控制，
医疗设备，商用机器，电源和许多
其他工业/消费应用，以保护CMOS ， MOS和
双极集成电路。
特点
阴极
阳极
轴向引线
CASE 41A
塑料
标记图
A
1.5KE
XXXA
1N6
XXXA
YYWWG
G
=大会地点
= ON器件代码
= JEDEC器件代码
=年
=工作周
=
（请参阅表第3页）
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
A
1.5KExxxA
1N6xxxA
YY
WW
工作峰值反向电压范围 - 5.8 V至214 V
峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
mA
上述10 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
响应时间通常< 1纳秒
无铅包可用
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的：
订购信息
设备
1.5KExxxA
1.5KExxxAG
1.5KExxxARL4
1.5KExxxARL4G
1N6xxxA
1N6xxxAG
1N6xxxARL4
1N6xxxARL4G
包
轴向引线
轴向引线
（无铅）
轴向引线
轴向引线
（无铅）
轴向引线
轴向引线
（无铅）
轴向引线
轴向引线
（无铅）
航运
500单位/箱
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
500单位/箱
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
230 ℃下，在从10秒的情况下的1/16
极性：
阴极指示的极性带
安装位置：
任何
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2007年2月 - 修订版8
出版订单号：
1N6267A/D
1N6267A系列
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ） @ T
L
≤
25°C
稳定状态下的功耗
@ T
L
≤
75 ° C，引线长度= 3/8英寸
上述牛逼降额
L
= 75°C
热阻，结到铅
正向浪涌电流（注2 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储
温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
1500
5.0
20
R
qJL
I
FSM
T
J
, T
英镑
20
200
- 65 +175
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
按照图5 1.非重复性电流脉冲及以上牛逼降额
A
= 25 ℃，按照图2 。
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
注：请参阅1.5KE6.8CA到1.5KE250CA为双向设备
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 3.5 V最大，我
F
（注3 ） = 100 A）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
http://onsemi.com
2
1N6267A系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注3 ） = 100 A）
JEDEC
设备
（注4 ）
1N6267A ，G
1N6268A ，G
1N6269A ，G
1N6270A ，G
1N6271A ，G
1N6272A ，G
1N6273A ，G
1N6274A ，G
1N6275A ，G
1N6276A ，G
1N6277A ，G
1N6278A ，G
1N6279A ，G
1N6280A ，G
1N6281A ，G
1N6282A ，G
1N6283A ，G
1N6284A ，G
1N6285A ，G
1N6286A ，G
1N6287A ，G
1N6288A ，G
1N6289A ，G
1N6290A ，G
1N6291A ，G
1N6292A ，G
1N6293A ，G
1N6294A ，G
1N6295A ，G
1N6296A ，G
1N6297A ，G
1N6298A ，G
1N6299A ，G
1N6300A ，G
1N6301A ，G
1N6302A ， G *
1N6303A ，G
V
RWM
（注5 ）
（伏）
5.8
6.4
7.02
7.78
8.55
9.4
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
18.8
20.5
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53
58.1
64.1
70.1
77.8
85.5
94
102
111
128
136
145
154
171
185
214
击穿电压
I
R
@ V
RWM
（MA ）
1000
500
200
50
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
V
BR
（注6 ）
（伏）
民
6.45
7.13
7.79
8.65
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95
105
114
124
143
152
162
171
190
209
237
喃
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
170
180
200
220
250
最大
7.14
7.88
8.61
9.55
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
86.1
95.5
105
116
126
137
158
168
179
189
210
231
263
@ I
T
（MA ）
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
C
@ I
PP
（注7 ）
V
C
（伏）
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
30.6
33.2
37.5
41.4
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77
85
92
103
113
125
137
152
165
179
207
219
234
246
274
328
344
I
PP
(A)
143
132
124
112
103
96
90
82
71
67
59.5
54
49
45
40
36
33
30
28
25.3
23.2
21.4
19.5
17.7
16.3
14.6
13.3
12
11
9.9
9.1
8.4
7.2
6.8
6.4
6.1
5.5
4.6
5
QV
BR
(%/°C)
0.057
0.061
0.065
0.068
0.073
0.075
0.078
0.081
0.084
0.086
0.088
0.09
0.092
0.094
0.096
0.097
0.098
0.099
0.1
0.101
0.101
0.102
0.103
0.104
0.104
0.105
0.105
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.109
0.109
设备
1.5KE6.8A ，G
1.5KE7.5A ，G
1.5KE8.2A ，G
1.5KE9.1A ，G
1.5KE10A ，G
1.5KE11A ，G
1.5KE12A ，G
1.5KE13A ，G
1.5KE15A ，G
1.5KE16A ，G
1.5KE18A ，G
1.5KE20A ，G
1.5KE22A,
1.5KE24A,
1.5KE27A,
1.5KE30A,
G
G
G
G
1.5KE33A ，G
1.5KE36A ，G
1.5KE39A ，G
1.5KE43A ，G
1.5KE47A ，G
1.5KE51A ，G
1.5KE56A ，G
1.5KE62A ，G
1.5KE68A,
1.5KE75A,
1.5KE82A,
1.5KE91A,
G
G
G
G
1.5KE100A ，G
1.5KE110A ，G
1.5KE120A ，G
1.5KE130A ，G
1.5KE150A,
1.5KE160A,
1.5KE170A,
1.5KE180A,
G
G
G
G
1.5KE200A ，G
1.5KE220A ，G
1.5KE250A ，G
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体首选设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
3. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
4.表示JEDEC注册的数据
5.瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
），这应该等于或
比直流或连续峰值工作电压电平更大。
6. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度
按照图5和每图1和2减功率7.浪涌电流波形。
的“G”后缀表示无铅封装。
*不可用1500 /磁带&卷轴
http://onsemi.com
3
1N6267A系列
不重复
脉冲波形
如图5中所示
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ T = 25
°
C
A
100
PPK ，峰值功率（kw ）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
A
，环境温度（ ° C）
10
1
0.1
ms
1
ms
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
t
P
，脉宽
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲降额曲线
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
10,000
标准@
零偏压
10,000
1N6267A/1.5KE6.8A
通过
1N6303A/1.5KE200A
标准@
零偏压
C，电容（pF ）
1000
C，电容（pF ）
1000
测量@ V
RWM
100
测量@ V
RWM
100
10
1
10
100
1000
10
1
10
100
1000
V
BR
，击穿电压（伏）
V
BR
，击穿电压（伏）
图3.电容与击穿电压
PD ，稳态功耗（瓦）
3/8″
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175
T
L
，焊接温度（ ° C）
200
0
0
IPP ，值（％ ）
3/8″
100
t
r
峰值 - 我
PP
脉冲宽度（T
P
）被定义为
这一点在峰值
电流衰减到我的50 ％
PP
.
tr
≤
10
ms
半值 -
50
t
P
I
PP
2
1
2
吨，时间（ ms）的
3
4
图4.稳态功率降额
图5.脉冲波形
http://onsemi.com
4
1N6267A系列
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
1000
500
信息技术，测试电流（安培）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3 0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
DV
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR （ NOM ）
（伏）
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
V
BR （ NOM ）
= 6.8 13 V
20 V
43 V
24 V
1000
500
信息技术，测试电流（安培）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
DV
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR （ NOM ）
（伏）
180 V
120 V
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
1.5KE6.8CA
通过
1.5KE200CA
V
BR （ NOM ）
= 6.8 13 V
20 V
24 V
43 V
75 V
图6.动态阻抗
1
0.7
0.5
0.3
降额因子
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10
ms
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
50
100
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
ms
图7.典型的降额因子的占空比
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下，存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联，并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的，在并联保护
方案，因为它只产生的时间延迟，在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图8中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间（所需要的设备，从零到时间
到全电流）和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护，如图
图9.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中，由于主要目的，用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。这些器件具有
良好的反应时间，通常是在皮秒范围
和电感可以忽略不计。但是，外部感应
效果可能会产生不能接受的过冲。正确
电路布局，最小导线长度和放置
抑制装置尽可能接近该设备或
元件被保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
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