【BL特点银河电子1N6267- - -1N6303A击穿电压： 6.8 --- 200伏峰值脉冲功率】,IC型号1N6291A,1N6291A PDF资料,1N6291A经销商,ic,电子元器件-51电子网

BL

特点

银河电子

1N6267- - -1N6303A

击穿电压： 6.8 --- 200伏

峰值脉冲功率： 1500 W

瞬态电压抑制器

塑料包装

有

美国保险商实验室

易燃性分类科幻阳离子94V- 0

玻璃钝化结

有10 / 1000μs 1500W峰值脉冲功率能力

波形，重复率（占空比）： 0.05％

出色的钳位能力

低增量浪涌电阻

快速响应时间：通常小于1.0ps从0伏特至

V

（ BR ）

对于单向和5.0ns的双向类型

对于V器件

（ BR ）

10V ， ID通常比小于1.0μA

/ 10秒

高tem温度焊接保证： 265

DO-201AE

0.375"设计（9.5mm ）引线长度， 51bs 。（ 2.3千克）张力

机械数据

案例： JEDEC DO - 201AE ，模压塑料

极性：色环表示正端

（阴极），除了用于双向

重量： 0.032盎司，

0.9

克

安装位置：任意

对于双向应用的器件

对于双向使用C或CA后缀类型1N6267直通类型1N6303A （如1N6267 ， 1N6303A ）。

电特性的应用中是双向的。

最大额定值和特性

25评分

环境温度，除非另有规定。

符号

山顶POW ER消耗瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ，图1 ）

峰值脉冲电流瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ）

稳态POW ER功耗在T

L

=75

fffff

铅长度0.375"设计（9.5mm ）（注2 ）

山顶FORW ARD浪涌电流， 8.3ms单半

ffffsine -W

AVE叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）（注3 ）

在最大瞬时FORW ARD电压

100

一种单向止（注4 ）

典型热阻结到引线

典型热阻结到环境

工作结存储温度范围

价值

最低1500

参照表1

6.5

200.0

3.5/5.0

20

75

-50---+175

单位

W

A

W

A

V

/W

P

PPM

I

PPM

P

M（ AV）在

I

FSM

V

F

R

θ

JL

R

θ

JA

T

J

, T

英镑

注：（1）非重复性电流pules ，每个图3及以上的牛逼降额

A

= 25元图。 2

（ 2 ）安装在1.6" X 1.6" （ 40 x40mm铜焊盘面积

2

）每图。五

（ 3 ）测量8.3ms经单半正弦波-W AVE或equare瓦特大街，占空比= 4个脉冲每分钟最高

(4) V

F

= 3.5伏特最大值。对于V的设备

（ BR ）

200V ，而V

F

= 5.0伏特最大值。对于V的设备

（ BR ）

>200V

www.galaxycn.com

文档编号0285011

BL

银河电子

1.

在（T电气特性

A

=25

Breakdow

电压V

（ BR ）

(V)

(NOTE1)

民

1N6267

1N6267A

1N6268

1N6268A

1N6269

1N6269A

1N6270

1N6270A

1N6271

1N6271A

1N6272

1N6272A

1N6273

1N6273A

1N6274

1N6274A

1N6275

1N6275A

1N6276

1N6276A

1N6277

1N6277A

1N6278

1N6278A

1N6279

1N6279A

1N6280

1N6280A

1N6281

1N6281A

1N6282

1N6282A

1N6283

1N6283A

1N6284

1N6284A

1N6285

1N6285A

6.12

6.45

6.75

7.13

7.38

7.79

8.19

8.65

9.0

9.5

9.9

10.5

10.8

11.4

11.7

12.4

13.5

14.3

14.4

15.2

16.2

17.1

18.0

19.0

19.8

20.9

21.6

22.8

24.3

25.7

27.0

28.5

29.7

31.4

32.4

34.2

35.1

37.1

最大

7.48

7.14

8.25

7.88

9.02

8.61

10.0

9.55

11.0

10.5

12.1

11.6

13.2

12.6

14.3

13.7

16.5

15.8

17.6

16.8

19.8

18.9

22.0

21.0

24.2

23.1

26.4

25.2

29.7

28.4

33.0

31.5

36.3

34.7

39.6

37.8

42.9

41.0

TEST

当前

在我

T

（MA ）

10.0

1.0

除非另有说明）

最大

PEA

k

PULS ê

I

PPM(NOTE2)

(A)

139

143

128

133

120

124

109

112

100

103

92.6

96.2

86.7

89.8

78.9

82.4

68.2

70.8

63.8

66.7

56.6

59.5

51.5

54.2

47.0

49.0

43.2

45.2

38.4

40.0

34.5

36.2

31.4

32.8

28.8

30.1

26.6

27.8

最大

夹紧

电压

I

PPM

V

C

(V)

10.8

10.5

11.7

11.3

12.5

12.1

13.8

13.4

15.0

14.5

16.2

15.6

17.3

16.7

19.0

18.2

22.0

21.2

23.5

22.5

26.5

25.2

29.1

27.7

31.9

30.6

34.7

33.2

39.1

37.5

43.5

41.4

47.7

45.7

52.0

49.9

56.4

53.9

表1

最大

温度

对COEF网络cient

V

（ BR ）

(%/ )

0.057

0.061

0.065

0.068

0.073

0.075

0.076

0.078

0.081

0.084

0.086

0.088

0.089

0.090

0.092

0.094

0.096

0.097

0.098

0.099

0.100

www.galaxycn.com

设备类型

最大

对峙

反向

电压

LEAKGE

V

WM

(V)

在V

WM

I

D（注3）（ μ

A

)

5.50

5.80

6.05

6.40

6.63

7.02

7.37

7.78

8.10

8.55

8.92

9.40

9.72

10.2

10.5

11.1

12.1

12.8

12.9

13.6

14.5

15.3

16.2

17.1

17.8

18.8

19.4

20.5

21.8

23.1

24.3

25.6

26.8

28.2

29.1

30.8

31.6

33.3

1000

500

200

50

10

5.0

1.0

文档编号0285011

BL

银河电子

2.

在（T电气特性

A

=25

Breakdow

电压V

（ BR ）

(V)

(NOTE1)

民

1N6286

1N6286A

1N6287

1N6287A

1N6288

1N6288A

1N6289

1N6289A

1N6290

1N6290A

1N6291

1N6291A

1N6292

1N6292A

1N6293

1N6293A

1N6294

1N6294A

1N6295

1N6295A

1N6296

1N6296A

1N6297

1N6297A

1N6298

1N6298A

1N6299

1N6299A

1N6300

1N6300A

1N6301

1N6301A

1N6302

1N6302A

1N6303

1N6303A

38.7

40.9

42.3

44.7

45.9

48.5

50.4

53.2

55.8

58.9

61.2

64.6

67.5

71.3

73.8

77.9

81.9

86.5

90.0

95.0

99.0

105

108

114

117

124

136

143

144

152

153

162

171

180

190

最大

47.3

45.2

51.7

49.4

56.1

53.6

61.8

58.8

68.2

65.1

74.8

71.4

82.5

78.8

90.2

86.1

100

95.5

110

105

121

116

132

126

143

137

165

158

176

168

187

179

198

189

220

210

除非另有说明）

最大

反向

LEAKGE

在V

WM

I

D（注3）（ μ

A

)

1.0

1.

0

1.0

最大

高峰普尔斯ê

I

PPM(NOTE2)

(A)

24.2

25.3

22.1

23.1

20.4

21.4

18.6

19.5

16.9

17.6

15.3

16.3

13.9

14.6

12.7

13.3

11.5

12.0

10.4

10.9

9.5

9.9

8.7

9.1

8.0

8.4

7.0

7.2

6.5

6.8

6.1

6.4

5.8

6.1

5.2

5.5

表1 （续'D ）

最大

夹紧

电压

I

PPM

V

C

(V)

61.9

59.3

67.8

64.8

73.5

70.1

80.5

77.0

89.0

85.0

98.0

92.0

109

104

118

113

131

125

144

137

158

152

173

165

187

179

215

207

230

219

244

234

258

246

287

274

最大

温度

系数

V的

（ BR ）

(%/ )

0.101

0.102

0.103

0.104

0.105

0.106

0.107

0.108

0.106

0.108

设备类型

试验台客

电流电压

在我

T

V

WM

（MA ）

(V)

1.0

34.8

36.8

38.1

40.2

41.3

43.6

45.4

47.8

50.2

53.0

55.1

58.1

60.7

64.1

66.4

70.1

73.7

77.8

81.0

85.5

89.2

94.0

97.2

102

105

111

121

128

130

136

138

145

146

154

162

171

注：对于双向使用C或CA后缀类型

1N6267

直通型

1N6303A(e.g.1N6267,1N6303A).

电动

特征适用于两个方向。

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BL

银河电子

3.

收视率和特性曲线

峰值脉冲功率（P ）或电流

PP

1N6267- -

-1N6303A

图1 - 额定峰值脉冲功率曲线

P

PPM

，峰值脉冲功率，千瓦

100

不重复

脉冲波形

如果如图3所示

T

A

=25

10

图2 - 脉冲降额曲线

降额百分比，％

100

75

50

1.0

25

0.1

0.1μ

s

1.0μ

s

10μ

s

100μ

s

1ms

10ms

(I

PPM

)

TOL ，脉宽，美国证券交易委员会。

0

25

50

75

100

125

150

175

200

FIG.3

- 脉冲波形

150

PULES宽度（ TD ）

是DEFINDE作为

地步

峰值电流

衰减到50％的

I

PPM

TA ，环境温度。

I

PPM

，峰值脉冲电流，％

tr=10

Μ

S EC

峰值

I

PPM

图4 - 典型结电容

HHHHHHHH HUNIDIRECTIONAL

100

半值 - 我

PPM

2

6.000

T

J

=25

f=1.0MH

Z

Vsig=50mVp-p

在测

ZEROBIAS

50

C

J

，结电容， pF的

10/1000

Μ

EC 。

波形

DEFINDE由R.E.A.

10.000

td

0

1.0

2.0

3.0

4.0

T，时间，ms

图5 - 稳态功率降额曲线

P

M（ AV）在

， STRADY国家电力

1.00

1000

在测

对峙

电压，V

WM

L=0.375"(9.5mm)

导线长度

耗散，W

0.75

60 H

Z

RESISTIVEOR

感性负载

10

1.0

10

100

200

0.50

0.25

1.6 ×1.6× 0.040"

（ 40 ×40× 1毫米。）

铜散热器

V

（ BA ）

，击穿电压，V

0

25

50

75

100

125

150

175

200

T

L

，焊接温度，

I

D

，瞬时反向

I

FSM

，峰值正向浪涌

图7 - 典型的反向漏

JJJJJJJJJJJJJJJJJJCHARACTERISTICS

1 .0 0 0

图6 - 最高可非重复正向

HHHHHH HSURGE

电流单向只

200

漏电流，

mA

100

M E A S ü - [R E D为T D E V IC （E S）

S T A N - O F F V L T A G E，

V女男

目前，A

100

T

J

=T

J

马克斯。

8.3ms单正弦半MAVE

（ JEDEC的方法）

10

1

0 .1

T

A

= 25

℃

0 .0 1

0 .0 0 1

0

100

200

300

400

440

500

10

1

10

100

V

（ BR ）

，击穿电压，V

循环次数在60赫兹

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银河电子

4.

BL

特点

银河电子

1N6267- - -1N6303A

击穿电压： 6.8 --- 200伏

峰值脉冲功率： 1500 W

瞬态电压抑制器

塑料包装

有

美国保险商实验室

易燃性分类科幻阳离子94V- 0

玻璃钝化结

有10 / 1000μs 1500W峰值脉冲功率能力

波形，重复率（占空比）： 0.05％

出色的钳位能力

低增量浪涌电阻

快速响应时间：通常小于1.0ps从0伏特至

V

（ BR ）

对于单向和5.0ns的双向类型

对于V器件

（ BR ）

10V ， ID通常比小于1.0μA

/ 10秒

高tem温度焊接保证： 265

DO-201AE

0.375"设计（9.5mm ）引线长度， 51bs 。（ 2.3千克）张力

机械数据

案例： JEDEC DO - 201AE ，模压塑料

极性：色环表示正端

（阴极），除了用于双向

重量： 0.032盎司，

0.9

克

安装位置：任意

对于双向应用的器件

对于双向使用C或CA后缀类型1N6267直通类型1N6303A （如1N6267 ， 1N6303A ）。

电特性的应用中是双向的。

最大额定值和特性

25评分

环境温度，除非另有规定。

符号

山顶POW ER消耗瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ，图1 ）

峰值脉冲电流瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ）

稳态POW ER功耗在T

L

=75

fffff

铅长度0.375"设计（9.5mm ）（注2 ）

山顶FORW ARD浪涌电流， 8.3ms单半

ffffsine -W

AVE叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）（注3 ）

在最大瞬时FORW ARD电压

100

一种单向止（注4 ）

典型热阻结到引线

典型热阻结到环境

工作结存储温度范围

价值

最低1500

参照表1

6.5

200.0

3.5/5.0

20

75

-50---+175

单位

W

A

W

A

V

/W

P

PPM

I

PPM

P

M（ AV）在

I

FSM

V

F

R

θ

JL

R

θ

JA

T

J

, T

英镑

注：（1）非重复性电流pules ，每个图3及以上的牛逼降额

A

= 25元图。 2

（ 2 ）安装在1.6" X 1.6" （ 40 x40mm铜焊盘面积

2

）每图。五

（ 3 ）测量8.3ms经单半正弦波-W AVE或equare瓦特大街，占空比= 4个脉冲每分钟最高

(4) V

F

= 3.5伏特最大值。对于V的设备

（ BR ）

200V ，而V

F

= 5.0伏特最大值。对于V的设备

（ BR ）

>200V

www.galaxycn.com

文档编号0285011

BL

银河电子

1.

在（T电气特性

A

=25

Breakdow

电压V

（ BR ）

(V)

(NOTE1)

民

1N6267

1N6267A

1N6268

1N6268A

1N6269

1N6269A

1N6270

1N6270A

1N6271

1N6271A

1N6272

1N6272A

1N6273

1N6273A

1N6274

1N6274A

1N6275

1N6275A

1N6276

1N6276A

1N6277

1N6277A

1N6278

1N6278A

1N6279

1N6279A

1N6280

1N6280A

1N6281

1N6281A

1N6282

1N6282A

1N6283

1N6283A

1N6284

1N6284A

1N6285

1N6285A

6.12

6.45

6.75

7.13

7.38

7.79

8.19

8.65

9.0

9.5

9.9

10.5

10.8

11.4

11.7

12.4

13.5

14.3

14.4

15.2

16.2

17.1

18.0

19.0

19.8

20.9

21.6

22.8

24.3

25.7

27.0

28.5

29.7

31.4

32.4

34.2

35.1

37.1

最大

7.48

7.14

8.25

7.88

9.02

8.61

10.0

9.55

11.0

10.5

12.1

11.6

13.2

12.6

14.3

13.7

16.5

15.8

17.6

16.8

19.8

18.9

22.0

21.0

24.2

23.1

26.4

25.2

29.7

28.4

33.0

31.5

36.3

34.7

39.6

37.8

42.9

41.0

TEST

当前

在我

T

（MA ）

10.0

1.0

除非另有说明）

最大

PEA

k

PULS ê

I

PPM(NOTE2)

(A)

139

143

128

133

120

124

109

112

100

103

92.6

96.2

86.7

89.8

78.9

82.4

68.2

70.8

63.8

66.7

56.6

59.5

51.5

54.2

47.0

49.0

43.2

45.2

38.4

40.0

34.5

36.2

31.4

32.8

28.8

30.1

26.6

27.8

最大

夹紧

电压

I

PPM

V

C

(V)

10.8

10.5

11.7

11.3

12.5

12.1

13.8

13.4

15.0

14.5

16.2

15.6

17.3

16.7

19.0

18.2

22.0

21.2

23.5

22.5

26.5

25.2

29.1

27.7

31.9

30.6

34.7

33.2

39.1

37.5

43.5

41.4

47.7

45.7

52.0

49.9

56.4

53.9

表1

最大

温度

对COEF网络cient

V

（ BR ）

(%/ )

0.057

0.061

0.065

0.068

0.073

0.075

0.076

0.078

0.081

0.084

0.086

0.088

0.089

0.090

0.092

0.094

0.096

0.097

0.098

0.099

0.100

www.galaxycn.com

设备类型

最大

对峙

反向

电压

LEAKGE

V

WM

(V)

在V

WM

I

D（注3）（ μ

A

)

5.50

5.80

6.05

6.40

6.63

7.02

7.37

7.78

8.10

8.55

8.92

9.40

9.72

10.2

10.5

11.1

12.1

12.8

12.9

13.6

14.5

15.3

16.2

17.1

17.8

18.8

19.4

20.5

21.8

23.1

24.3

25.6

26.8

28.2

29.1

30.8

31.6

33.3

1000

500

200

50

10

5.0

1.0

文档编号0285011

BL

银河电子

2.

在（T电气特性

A

=25

Breakdow

电压V

（ BR ）

(V)

(NOTE1)

民

1N6286

1N6286A

1N6287

1N6287A

1N6288

1N6288A

1N6289

1N6289A

1N6290

1N6290A

1N6291

1N6291A

1N6292

1N6292A

1N6293

1N6293A

1N6294

1N6294A

1N6295

1N6295A

1N6296

1N6296A

1N6297

1N6297A

1N6298

1N6298A

1N6299

1N6299A

1N6300

1N6300A

1N6301

1N6301A

1N6302

1N6302A

1N6303

1N6303A

38.7

40.9

42.3

44.7

45.9

48.5

50.4

53.2

55.8

58.9

61.2

64.6

67.5

71.3

73.8

77.9

81.9

86.5

90.0

95.0

99.0

105

108

114

117

124

136

143

144

152

153

162

171

180

190

最大

47.3

45.2

51.7

49.4

56.1

53.6

61.8

58.8

68.2

65.1

74.8

71.4

82.5

78.8

90.2

86.1

100

95.5

110

105

121

116

132

126

143

137

165

158

176

168

187

179

198

189

220

210

除非另有说明）

最大

反向

LEAKGE

在V

WM

I

D（注3）（ μ

A

)

1.0

1.

0

1.0

最大

高峰普尔斯ê

I

PPM(NOTE2)

(A)

24.2

25.3

22.1

23.1

20.4

21.4

18.6

19.5

16.9

17.6

15.3

16.3

13.9

14.6

12.7

13.3

11.5

12.0

10.4

10.9

9.5

9.9

8.7

9.1

8.0

8.4

7.0

7.2

6.5

6.8

6.1

6.4

5.8

6.1

5.2

5.5

表1 （续'D ）

最大

夹紧

电压

I

PPM

V

C

(V)

61.9

59.3

67.8

64.8

73.5

70.1

80.5

77.0

89.0

85.0

98.0

92.0

109

104

118

113

131

125

144

137

158

152

173

165

187

179

215

207

230

219

244

234

258

246

287

274

最大

温度

系数

V的

（ BR ）

(%/ )

0.101

0.102

0.103

0.104

0.105

0.106

0.107

0.108

0.106

0.108

设备类型

试验台客

电流电压

在我

T

V

WM

（MA ）

(V)

1.0

34.8

36.8

38.1

40.2

41.3

43.6

45.4

47.8

50.2

53.0

55.1

58.1

60.7

64.1

66.4

70.1

73.7

77.8

81.0

85.5

89.2

94.0

97.2

102

105

111

121

128

130

136

138

145

146

154

162

171

注：对于双向使用C或CA后缀类型

1N6267

直通型

1N6303A(e.g.1N6267,1N6303A).

电动

特征适用于两个方向。

www.galaxycn.com

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银河电子

3.

收视率和特性曲线

峰值脉冲功率（P ）或电流

PP

1N6267- -

-1N6303A

图1 - 额定峰值脉冲功率曲线

P

PPM

，峰值脉冲功率，千瓦

100

不重复

脉冲波形

如果如图3所示

T

A

=25

10

图2 - 脉冲降额曲线

降额百分比，％

100

75

50

1.0

25

0.1

0.1μ

s

1.0μ

s

10μ

s

100μ

s

1ms

10ms

(I

PPM

)

TOL ，脉宽，美国证券交易委员会。

0

25

50

75

100

125

150

175

200

FIG.3

- 脉冲波形

150

PULES宽度（ TD ）

是DEFINDE作为

地步

峰值电流

衰减到50％的

I

PPM

TA ，环境温度。

I

PPM

，峰值脉冲电流，％

tr=10

Μ

S EC

峰值

I

PPM

图4 - 典型结电容

HHHHHHHH HUNIDIRECTIONAL

100

半值 - 我

PPM

2

6.000

T

J

=25

f=1.0MH

Z

Vsig=50mVp-p

在测

ZEROBIAS

50

C

J

，结电容， pF的

10/1000

Μ

EC 。

波形

DEFINDE由R.E.A.

10.000

td

0

1.0

2.0

3.0

4.0

T，时间，ms

图5 - 稳态功率降额曲线

P

M（ AV）在

， STRADY国家电力

1.00

1000

在测

对峙

电压，V

WM

L=0.375"(9.5mm)

导线长度

耗散，W

0.75

60 H

Z

RESISTIVEOR

感性负载

10

1.0

10

100

200

0.50

0.25

1.6 ×1.6× 0.040"

（ 40 ×40× 1毫米。）

铜散热器

V

（ BA ）

，击穿电压，V

0

25

50

75

100

125

150

175

200

T

L

，焊接温度，

I

D

，瞬时反向

I

FSM

，峰值正向浪涌

图7 - 典型的反向漏

JJJJJJJJJJJJJJJJJJCHARACTERISTICS

1 .0 0 0

图6 - 最高可非重复正向

HHHHHH HSURGE

电流单向只

200

漏电流，

mA

100

M E A S ü - [R E D为T D E V IC （E S）

S T A N - O F F V L T A G E，

V女男

目前，A

100

T

J

=T

J

马克斯。

8.3ms单正弦半MAVE

（ JEDEC的方法）

10

1

0 .1

T

A

= 25

℃

0 .0 1

0 .0 0 1

0

100

200

300

400

440

500

10

1

10

100

V

（ BR ）

，击穿电压，V

循环次数在60赫兹

www.galaxycn.com

文档编号0285011

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银河电子

4.

1N6267A系列

1500瓦Mosorbt齐纳

瞬态电压

抑制器

单向*

http://onsemi.com

Mosorb设备旨在保护电压敏感

组件由高电压，高能量瞬变。他们有

出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳

阻抗和快速响应时间。这些设备是

安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性

Surmetict轴向引线封装，是理想的适合于用在

通信系统，数控系统，过程控制，

医疗设备，商用机器，电源和许多

其他工业/消费应用，以保护CMOS ， MOS和

双极集成电路。

特点

阴极

阳极

轴向引线

CASE 41A

塑料

标记图

A

1.5KE

XXXA

1N6

XXXA

YYWWG

G

=大会地点

= ON器件代码

= JEDEC器件代码

=年

=工作周

=

（请参阅表第3页）

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

A

1.5KExxxA

1N6xxxA

YY

WW

工作峰值反向电压范围 - 5.8 V至214 V

峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒

ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型

最大钳位电压@峰值脉冲电流

低漏< 5

mA

上述10 V

UL 497B用于隔离回路电路保护

响应时间通常< 1纳秒

无铅包可用

机械特性

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料

表面处理：

所有的外部表面耐腐蚀和导线

随手可焊

最大的铅焊接温度的目的：

订购信息

设备

1.5KExxxA

1.5KExxxAG

1.5KExxxARL4

1.5KExxxARL4G

1N6xxxA

1N6xxxAG

1N6xxxARL4

1N6xxxARL4G

包

轴向引线

（无铅）

轴向引线

（无铅）

轴向引线

（无铅）

轴向引线

（无铅）

航运

500单位/箱

1500 /磁带&卷轴

500单位/箱

1500 /磁带&卷轴

230 ℃下，在从10秒的情况下的1/16

极性：

阴极指示的极性带

安装位置：

任何

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

1

2007年2月 - 修订版8

出版订单号：

1N6267A/D

1N6267A系列

最大额定值

等级

峰值功耗（注1 ） @ T

L

≤

25°C

稳定状态下的功耗

@ T

L

≤

75 ° C，引线长度= 3/8英寸

上述牛逼降额

L

= 75°C

热阻，结到铅

正向浪涌电流（注2 ） @ T

A

= 25°C

工作和存储

温度范围

符号

P

PK

P

D

价值

1500

5.0

20

R

qJL

I

FSM

T

J

, T

英镑

20

200

- 65 +175

单位

W

毫瓦/°C的

° C / W

A

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作

推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响

器件的可靠性。

按照图5 1.非重复性电流脉冲及以上牛逼降额

A

= 25 ℃，按照图2 。

2. 1/2正弦波（或同等学历方波）， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。

注：请参阅1.5KE6.8CA到1.5KE250CA为双向设备

电气特性

(T

A

= 25°C ，除非

另有说明，V

F

= 3.5 V最大，我

F

（注3 ） = 100 A）

符号

I

PP

V

C

V

RWM

I

R

V

BR

I

T

QV

BR

I

F

V

F

参数

最大反向峰值脉冲电流

钳位电压@ I

PP

工作峰值反向电压

最大反向漏电流@ V

RWM

击穿电压@ I

T

测试电流

V的最大温度系数

BR

正向电流

正向电压@ I

F

V

C

V

BR

V

RWM

I

F

I

R

V

F

I

T

V

I

PP

单向TVS

http://onsemi.com

2

1N6267A系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，V

F

= 3.5 V最大。 @我

F

（注3 ） = 100 A）

JEDEC

设备

（注4 ）

1N6267A ，G

1N6268A ，G

1N6269A ，G

1N6270A ，G

1N6271A ，G

1N6272A ，G

1N6273A ，G

1N6274A ，G

1N6275A ，G

1N6276A ，G

1N6277A ，G

1N6278A ，G

1N6279A ，G

1N6280A ，G

1N6281A ，G

1N6282A ，G

1N6283A ，G

1N6284A ，G

1N6285A ，G

1N6286A ，G

1N6287A ，G

1N6288A ，G

1N6289A ，G

1N6290A ，G

1N6291A ，G

1N6292A ，G

1N6293A ，G

1N6294A ，G

1N6295A ，G

1N6296A ，G

1N6297A ，G

1N6298A ，G

1N6299A ，G

1N6300A ，G

1N6301A ，G

1N6302A ， G *

1N6303A ，G

V

RWM

（注5 ）

（伏）

5.8

6.4

7.02

7.78

8.55

9.4

10.2

11.1

12.8

13.6

15.3

17.1

18.8

20.5

23.1

25.6

28.2

30.8

33.3

36.8

40.2

43.6

47.8

53

58.1

64.1

70.1

77.8

85.5

94

102

111

128

136

145

154

171

185

214

击穿电压

I

R

@ V

RWM

（MA ）

1000

500

200

50

10

5

V

BR

（注6 ）

（伏）

民

6.45

7.13

7.79

8.65

9.5

10.5

11.4

12.4

14.3

15.2

17.1

19

20.9

22.8

25.7

28.5

31.4

34.2

37.1

40.9

44.7

48.5

53.2

58.9

64.6

71.3

77.9

86.5

95

105

114

124

143

152

162

171

190

209

237

喃

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

170

180

200

220

250

最大

7.14

7.88

8.61

9.55

10.5

11.6

12.6

13.7

15.8

16.8

18.9

21

23.1

25.2

28.4

31.5

34.7

37.8

41

45.2

49.4

53.6

58.8

65.1

71.4

78.8

86.1

95.5

105

116

126

137

158

168

179

189

210

231

263

@ I

T

（MA ）

10

1

V

C

@ I

PP

（注7 ）

V

C

（伏）

10.5

11.3

12.1

13.4

14.5

15.6

16.7

18.2

21.2

22.5

25.2

27.7

30.6

33.2

37.5

41.4

45.7

49.9

53.9

59.3

64.8

70.1

77

85

92

103

113

125

137

152

165

179

207

219

234

246

274

328

344

I

PP

(A)

143

132

124

112

103

96

90

82

71

67

59.5

54

49

45

40

36

33

30

28

25.3

23.2

21.4

19.5

17.7

16.3

14.6

13.3

12

11

9.9

9.1

8.4

7.2

6.8

6.4

6.1

5.5

4.6

5

QV

BR

(%/°C)

0.057

0.061

0.065

0.068

0.073

0.075

0.078

0.081

0.084

0.086

0.088

0.09

0.092

0.094

0.096

0.097

0.098

0.099

0.1

0.101

0.102

0.103

0.104

0.105

0.106

0.107

0.108

0.109

设备

1.5KE6.8A ，G

1.5KE7.5A ，G

1.5KE8.2A ，G

1.5KE9.1A ，G

1.5KE10A ，G

1.5KE11A ，G

1.5KE12A ，G

1.5KE13A ，G

1.5KE15A ，G

1.5KE16A ，G

1.5KE18A ，G

1.5KE20A ，G

1.5KE22A,

1.5KE24A,

1.5KE27A,

1.5KE30A,

G

1.5KE33A ，G

1.5KE36A ，G

1.5KE39A ，G

1.5KE43A ，G

1.5KE47A ，G

1.5KE51A ，G

1.5KE56A ，G

1.5KE62A ，G

1.5KE68A,

1.5KE75A,

1.5KE82A,

1.5KE91A,

G

1.5KE100A ，G

1.5KE110A ，G

1.5KE120A ，G

1.5KE130A ，G

1.5KE150A,

1.5KE160A,

1.5KE170A,

1.5KE180A,

G

1.5KE200A ，G

1.5KE220A ，G

1.5KE250A ，G

设备上市

粗体，斜体

是安森美半导体首选设备。

首选

装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。

3. 1/2正弦波（或同等学历方波）， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。

4.表示JEDEC注册的数据

5.瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V

RWM

），这应该等于或

比直流或连续峰值工作电压电平更大。

6. V

BR

在脉冲测试电流I测量

T

在25 ℃的环境温度

按照图5和每图1和2减功率7.浪涌电流波形。

的“G”后缀表示无铅封装。

*不可用1500 /磁带&卷轴

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3

1N6267A系列

不重复

脉冲波形

如图5中所示

峰值脉冲降额的％

峰值功率或电流@ T = 25

°

C

A

100

PPK ，峰值功率（kw ）

100

80

60

40

20

0

25

50

75

100 125 150 175 200

T

A

，环境温度（ ° C）

10

1

0.1

ms

1

ms

10

ms

100

ms

1毫秒

10毫秒

t

P

，脉宽

图1.脉冲额定值曲线

图2.脉冲降额曲线

1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，

通过

1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C

10,000

标准@

零偏压

10,000

1N6267A/1.5KE6.8A

通过

1N6303A/1.5KE200A

标准@

零偏压

C，电容（pF ）

1000

C，电容（pF ）

1000

测量@ V

RWM

100

测量@ V

RWM

100

10

1

10

100

1000

10

1

10

100

1000

V

BR

，击穿电压（伏）

V

BR

，击穿电压（伏）

图3.电容与击穿电压

PD ，稳态功耗（瓦）

3/8″

5

4

3

2

1

0

25

50

75

100 125 150 175

T

L

，焊接温度（ ° C）

200

0

IPP ，值（％）

3/8″

100

t

r

峰值 - 我

PP

脉冲宽度（T

P

）被定义为

这一点在峰值

电流衰减到我的50 ％

PP

.

tr

≤

10

ms

半值 -

50

t

P

I

PP

2

1

2

吨，时间（ ms）的

3

4

图4.稳态功率降额

图5.脉冲波形

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4

1N6267A系列

1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，

通过

1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C

1000

500

信息技术，测试电流（安培）

200

100

50

20

10

5

2

1

0.3 0.5 0.7 1

2

3

5 7 10

20 30

DV

BR

，瞬加IN V

BR

上述V

BR （ NOM ）

（伏）

T

L

= 25°C

t

P

= 10

ms

V

BR （ NOM ）

= 6.8 13 V

20 V

43 V

24 V

1000

500

信息技术，测试电流（安培）

200

100

50

20

10

5

2

1

0.3

0.5 0.7 1

2

3

5 7 10

20 30

DV

BR

，瞬加IN V

BR

上述V

BR （ NOM ）

（伏）

180 V

120 V

T

L

= 25°C

t

P

= 10

ms

1.5KE6.8CA

通过

1.5KE200CA

V

BR （ NOM ）

= 6.8 13 V

20 V

24 V

43 V

75 V

图6.动态阻抗

1

0.7

0.5

0.3

降额因子

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

10

ms

0.01

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

D，占空比（％）

20

50

100

脉冲宽度

10毫秒

1毫秒

100

ms

图7.典型的降额因子的占空比

应用笔记

响应时间

在大多数应用中，瞬变抑制器装置是

平行放置，所述设备或组件是

受保护的。在这种情况下，存在相关联的时间延迟

与器件的电容和过冲

与该装置的电感条件相关联，并且

连接方法的电感。电容

作用是不重要的，在并联保护

方案，因为它只产生的时间延迟，在

从操作电压钳位电压作为过渡

在图8中示出。

在器件中的电感效应是由于实际

开启时间（所需要的设备，从零到时间

到全电流）和引线电感电流。这种感性

效应产生的过冲在整个电压

设备或组件的保护，如图

图9.尽量减少这种过冲是在非常重要

应用中，由于主要目的，用于将瞬时

抑制器是为钳位电压峰值。这些器件具有

良好的反应时间，通常是在皮秒范围

和电感可以忽略不计。但是，外部感应

效果可能会产生不能接受的过冲。正确

电路布局，最小导线长度和放置

抑制装置尽可能接近该设备或

元件被保护将这种过冲最小化。

由Z表示的一些输入阻抗

in

是必不可少的

防止所述保护装置的过应力。这种阻抗

应尽可能地高，而不限制电路

操作。

占空比降额

图1的数据适用于不重复的条件

并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，

由曲线所指示的峰值功率必须减少

图7.平均功耗必须降低为主角或

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5

BL

特点

银河电子

1N6267- - -1N6303A

击穿电压： 6.8 --- 200伏

峰值脉冲功率： 1500 W

瞬态电压抑制器

塑料包装

有

美国保险商实验室

易燃性分类科幻阳离子94V- 0

玻璃钝化结

有10 / 1000μs 1500W峰值脉冲功率能力

波形，重复率（占空比）： 0.05％

出色的钳位能力

低增量浪涌电阻

快速响应时间：通常小于1.0ps从0伏特至

V

（ BR ）

对于单向和5.0ns的双向类型

对于V器件

（ BR ）

10V ， ID通常比小于1.0μA

/ 10秒

高tem温度焊接保证： 265

DO-201AE

0.375"设计（9.5mm ）引线长度， 51bs 。（ 2.3千克）张力

机械数据

案例： JEDEC DO - 201AE ，模压塑料

极性：色环表示正端

（阴极），除了用于双向

重量： 0.032盎司，

0.9

克

安装位置：任意

对于双向应用的器件

对于双向使用C或CA后缀类型1N6267直通类型1N6303A （如1N6267 ， 1N6303A ）。

电特性的应用中是双向的。

最大额定值和特性

25评分

环境温度，除非另有规定。

符号

山顶POW ER消耗瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ，图1 ）

峰值脉冲电流瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ）

稳态POW ER功耗在T

L

=75

fffff

铅长度0.375"设计（9.5mm ）（注2 ）

山顶FORW ARD浪涌电流， 8.3ms单半

ffffsine -W

AVE叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）（注3 ）

在最大瞬时FORW ARD电压

100

一种单向止（注4 ）

典型热阻结到引线

典型热阻结到环境

工作结存储温度范围

价值

最低1500

参照表1

6.5

200.0

3.5/5.0

20

75

-50---+175

单位

W

A

W

A

V

/W

P

PPM

I

PPM

P

M（ AV）在

I

FSM

V

F

R

θ

JL

R

θ

JA

T

J

, T

英镑

注：（1）非重复性电流pules ，每个图3及以上的牛逼降额

A

= 25元图。 2

（ 2 ）安装在1.6" X 1.6" （ 40 x40mm铜焊盘面积

2

）每图。五

（ 3 ）测量8.3ms经单半正弦波-W AVE或equare瓦特大街，占空比= 4个脉冲每分钟最高

(4) V

F

= 3.5伏特最大值。对于V的设备

（ BR ）

200V ，而V

F

= 5.0伏特最大值。对于V的设备

（ BR ）

>200V

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文档编号0285011

BL

银河电子

1.

在（T电气特性

A

=25

Breakdow

电压V

（ BR ）

(V)

(NOTE1)

民

1N6267

1N6267A

1N6268

1N6268A

1N6269

1N6269A

1N6270

1N6270A

1N6271

1N6271A

1N6272

1N6272A

1N6273

1N6273A

1N6274

1N6274A

1N6275

1N6275A

1N6276

1N6276A

1N6277

1N6277A

1N6278

1N6278A

1N6279

1N6279A

1N6280

1N6280A

1N6281

1N6281A

1N6282

1N6282A

1N6283

1N6283A

1N6284

1N6284A

1N6285

1N6285A

6.12

6.45

6.75

7.13

7.38

7.79

8.19

8.65

9.0

9.5

9.9

10.5

10.8

11.4

11.7

12.4

13.5

14.3

14.4

15.2

16.2

17.1

18.0

19.0

19.8

20.9

21.6

22.8

24.3

25.7

27.0

28.5

29.7

31.4

32.4

34.2

35.1

37.1

最大

7.48

7.14

8.25

7.88

9.02

8.61

10.0

9.55

11.0

10.5

12.1

11.6

13.2

12.6

14.3

13.7

16.5

15.8

17.6

16.8

19.8

18.9

22.0

21.0

24.2

23.1

26.4

25.2

29.7

28.4

33.0

31.5

36.3

34.7

39.6

37.8

42.9

41.0

TEST

当前

在我

T

（MA ）

10.0

1.0

除非另有说明）

最大

PEA

k

PULS ê

I

PPM(NOTE2)

(A)

139

143

128

133

120

124

109

112

100

103

92.6

96.2

86.7

89.8

78.9

82.4

68.2

70.8

63.8

66.7

56.6

59.5

51.5

54.2

47.0

49.0

43.2

45.2

38.4

40.0

34.5

36.2

31.4

32.8

28.8

30.1

26.6

27.8

最大

夹紧

电压

I

PPM

V

C

(V)

10.8

10.5

11.7

11.3

12.5

12.1

13.8

13.4

15.0

14.5

16.2

15.6

17.3

16.7

19.0

18.2

22.0

21.2

23.5

22.5

26.5

25.2

29.1

27.7

31.9

30.6

34.7

33.2

39.1

37.5

43.5

41.4

47.7

45.7

52.0

49.9

56.4

53.9

表1

最大

温度

对COEF网络cient

V

（ BR ）

(%/ )

0.057

0.061

0.065

0.068

0.073

0.075

0.076

0.078

0.081

0.084

0.086

0.088

0.089

0.090

0.092

0.094

0.096

0.097

0.098

0.099

0.100

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设备类型

最大

对峙

反向

电压

LEAKGE

V

WM

(V)

在V

WM

I

D（注3）（ μ

A

)

5.50

5.80

6.05

6.40

6.63

7.02

7.37

7.78

8.10

8.55

8.92

9.40

9.72

10.2

10.5

11.1

12.1

12.8

12.9

13.6

14.5

15.3

16.2

17.1

17.8

18.8

19.4

20.5

21.8

23.1

24.3

25.6

26.8

28.2

29.1

30.8

31.6

33.3

1000

500

200

50

10

5.0

1.0

文档编号0285011

BL

银河电子

2.

在（T电气特性

A

=25

Breakdow

电压V

（ BR ）

(V)

(NOTE1)

民

1N6286

1N6286A

1N6287

1N6287A

1N6288

1N6288A

1N6289

1N6289A

1N6290

1N6290A

1N6291

1N6291A

1N6292

1N6292A

1N6293

1N6293A

1N6294

1N6294A

1N6295

1N6295A

1N6296

1N6296A

1N6297

1N6297A

1N6298

1N6298A

1N6299

1N6299A

1N6300

1N6300A

1N6301

1N6301A

1N6302

1N6302A

1N6303

1N6303A

38.7

40.9

42.3

44.7

45.9

48.5

50.4

53.2

55.8

58.9

61.2

64.6

67.5

71.3

73.8

77.9

81.9

86.5

90.0

95.0

99.0

105

108

114

117

124

136

143

144

152

153

162

171

180

190

最大

47.3

45.2

51.7

49.4

56.1

53.6

61.8

58.8

68.2

65.1

74.8

71.4

82.5

78.8

90.2

86.1

100

95.5

110

105

121

116

132

126

143

137

165

158

176

168

187

179

198

189

220

210

除非另有说明）

最大

反向

LEAKGE

在V

WM

I

D（注3）（ μ

A

)

1.0

1.

0

1.0

最大

高峰普尔斯ê

I

PPM(NOTE2)

(A)

24.2

25.3

22.1

23.1

20.4

21.4

18.6

19.5

16.9

17.6

15.3

16.3

13.9

14.6

12.7

13.3

11.5

12.0

10.4

10.9

9.5

9.9

8.7

9.1

8.0

8.4

7.0

7.2

6.5

6.8

6.1

6.4

5.8

6.1

5.2

5.5

表1 （续'D ）

最大

夹紧

电压

I

PPM

V

C

(V)

61.9

59.3

67.8

64.8

73.5

70.1

80.5

77.0

89.0

85.0

98.0

92.0

109

104

118

113

131

125

144

137

158

152

173

165

187

179

215

207

230

219

244

234

258

246

287

274

最大

温度

系数

V的

（ BR ）

(%/ )

0.101

0.102

0.103

0.104

0.105

0.106

0.107

0.108

0.106

0.108

设备类型

试验台客

电流电压

在我

T

V

WM

（MA ）

(V)

1.0

34.8

36.8

38.1

40.2

41.3

43.6

45.4

47.8

50.2

53.0

55.1

58.1

60.7

64.1

66.4

70.1

73.7

77.8

81.0

85.5

89.2

94.0

97.2

102

105

111

121

128

130

136

138

145

146

154

162

171

注：对于双向使用C或CA后缀类型

1N6267

直通型

1N6303A(e.g.1N6267,1N6303A).

电动

特征适用于两个方向。

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BL

银河电子

3.

收视率和特性曲线

峰值脉冲功率（P ）或电流

PP

1N6267- -

-1N6303A

图1 - 额定峰值脉冲功率曲线

P

PPM

，峰值脉冲功率，千瓦

100

不重复

脉冲波形

如果如图3所示

T

A

=25

10

图2 - 脉冲降额曲线

降额百分比，％

100

75

50

1.0

25

0.1

0.1μ

s

1.0μ

s

10μ

s

100μ

s

1ms

10ms

(I

PPM

)

TOL ，脉宽，美国证券交易委员会。

0

25

50

75

100

125

150

175

200

FIG.3

- 脉冲波形

150

PULES宽度（ TD ）

是DEFINDE作为

地步

峰值电流

衰减到50％的

I

PPM

TA ，环境温度。

I

PPM

，峰值脉冲电流，％

tr=10

Μ

S EC

峰值

I

PPM

图4 - 典型结电容

HHHHHHHH HUNIDIRECTIONAL

100

半值 - 我

PPM

2

6.000

T

J

=25

f=1.0MH

Z

Vsig=50mVp-p

在测

ZEROBIAS

50

C

J

，结电容， pF的

10/1000

Μ

EC 。

波形

DEFINDE由R.E.A.

10.000

td

0

1.0

2.0

3.0

4.0

T，时间，ms

图5 - 稳态功率降额曲线

P

M（ AV）在

， STRADY国家电力

1.00

1000

在测

对峙

电压，V

WM

L=0.375"(9.5mm)

导线长度

耗散，W

0.75

60 H

Z

RESISTIVEOR

感性负载

10

1.0

10

100

200

0.50

0.25

1.6 ×1.6× 0.040"

（ 40 ×40× 1毫米。）

铜散热器

V

（ BA ）

，击穿电压，V

0

25

50

75

100

125

150

175

200

T

L

，焊接温度，

I

D

，瞬时反向

I

FSM

，峰值正向浪涌

图7 - 典型的反向漏

JJJJJJJJJJJJJJJJJJCHARACTERISTICS

1 .0 0 0

图6 - 最高可非重复正向

HHHHHH HSURGE

电流单向只

200

漏电流，

mA

100

M E A S ü - [R E D为T D E V IC （E S）

S T A N - O F F V L T A G E，

V女男

目前，A

100

T

J

=T

J

马克斯。

8.3ms单正弦半MAVE

（ JEDEC的方法）

10

1

0 .1

T

A

= 25

℃

0 .0 1

0 .0 0 1

0

100

200

300

400

440

500

10

1

10

100

V

（ BR ）

，击穿电压，V

循环次数在60赫兹

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银河电子

4.

BL

特点

银河电子

1N6267- - -1N6303A

击穿电压： 6.8 --- 200伏

峰值脉冲功率： 1500 W

瞬态电压抑制器

塑料包装

有

美国保险商实验室

易燃性分类科幻阳离子94V- 0

玻璃钝化结

有10 / 1000μs 1500W峰值脉冲功率能力

波形，重复率（占空比）： 0.05％

出色的钳位能力

低增量浪涌电阻

快速响应时间：通常小于1.0ps从0伏特至

V

（ BR ）

对于单向和5.0ns的双向类型

对于V器件

（ BR ）

10V ， ID通常比小于1.0μA

/ 10秒

高tem温度焊接保证： 265

DO-201AE

0.375"设计（9.5mm ）引线长度， 51bs 。（ 2.3千克）张力

机械数据

案例： JEDEC DO - 201AE ，模压塑料

极性：色环表示正端

（阴极），除了用于双向

重量： 0.032盎司，

0.9

克

安装位置：任意

对于双向应用的器件

对于双向使用C或CA后缀类型1N6267直通类型1N6303A （如1N6267 ， 1N6303A ）。

电特性的应用中是双向的。

最大额定值和特性

25评分

环境温度，除非另有规定。

符号

山顶POW ER消耗瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ，图1 ）

峰值脉冲电流瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ）

稳态POW ER功耗在T

L

=75

fffff

铅长度0.375"设计（9.5mm ）（注2 ）

山顶FORW ARD浪涌电流， 8.3ms单半

ffffsine -W

AVE叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）（注3 ）

在最大瞬时FORW ARD电压

100

一种单向止（注4 ）

典型热阻结到引线

典型热阻结到环境

工作结存储温度范围

价值

最低1500

参照表1

6.5

200.0

3.5/5.0

20

75

-50---+175

单位

W

A

W

A

V

/W

P

PPM

I

PPM

P

M（ AV）在

I

FSM

V

F

R

θ

JL

R

θ

JA

T

J

, T

英镑

注：（1）非重复性电流pules ，每个图3及以上的牛逼降额

A

= 25元图。 2

（ 2 ）安装在1.6" X 1.6" （ 40 x40mm铜焊盘面积

2

）每图。五

（ 3 ）测量8.3ms经单半正弦波-W AVE或equare瓦特大街，占空比= 4个脉冲每分钟最高

(4) V

F

= 3.5伏特最大值。对于V的设备

（ BR ）

200V ，而V

F

= 5.0伏特最大值。对于V的设备

（ BR ）

>200V

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银河电子

1.

在（T电气特性

A

=25

Breakdow

电压V

（ BR ）

(V)

(NOTE1)

民

1N6267

1N6267A

1N6268

1N6268A

1N6269

1N6269A

1N6270

1N6270A

1N6271

1N6271A

1N6272

1N6272A

1N6273

1N6273A

1N6274

1N6274A

1N6275

1N6275A

1N6276

1N6276A

1N6277

1N6277A

1N6278

1N6278A

1N6279

1N6279A

1N6280

1N6280A

1N6281

1N6281A

1N6282

1N6282A

1N6283

1N6283A

1N6284

1N6284A

1N6285

1N6285A

6.12

6.45

6.75

7.13

7.38

7.79

8.19

8.65

9.0

9.5

9.9

10.5

10.8

11.4

11.7

12.4

13.5

14.3

14.4

15.2

16.2

17.1

18.0

19.0

19.8

20.9

21.6

22.8

24.3

25.7

27.0

28.5

29.7

31.4

32.4

34.2

35.1

37.1

最大

7.48

7.14

8.25

7.88

9.02

8.61

10.0

9.55

11.0

10.5

12.1

11.6

13.2

12.6

14.3

13.7

16.5

15.8

17.6

16.8

19.8

18.9

22.0

21.0

24.2

23.1

26.4

25.2

29.7

28.4

33.0

31.5

36.3

34.7

39.6

37.8

42.9

41.0

TEST

当前

在我

T

（MA ）

10.0

1.0

除非另有说明）

最大

PEA

k

PULS ê

I

PPM(NOTE2)

(A)

139

143

128

133

120

124

109

112

100

103

92.6

96.2

86.7

89.8

78.9

82.4

68.2

70.8

63.8

66.7

56.6

59.5

51.5

54.2

47.0

49.0

43.2

45.2

38.4

40.0

34.5

36.2

31.4

32.8

28.8

30.1

26.6

27.8

最大

夹紧

电压

I

PPM

V

C

(V)

10.8

10.5

11.7

11.3

12.5

12.1

13.8

13.4

15.0

14.5

16.2

15.6

17.3

16.7

19.0

18.2

22.0

21.2

23.5

22.5

26.5

25.2

29.1

27.7

31.9

30.6

34.7

33.2

39.1

37.5

43.5

41.4

47.7

45.7

52.0

49.9

56.4

53.9

表1

最大

温度

对COEF网络cient

V

（ BR ）

(%/ )

0.057

0.061

0.065

0.068

0.073

0.075

0.076

0.078

0.081

0.084

0.086

0.088

0.089

0.090

0.092

0.094

0.096

0.097

0.098

0.099

0.100

www.galaxycn.com

设备类型

最大

对峙

反向

电压

LEAKGE

V

WM

(V)

在V

WM

I

D（注3）（ μ

A

)

5.50

5.80

6.05

6.40

6.63

7.02

7.37

7.78

8.10

8.55

8.92

9.40

9.72

10.2

10.5

11.1

12.1

12.8

12.9

13.6

14.5

15.3

16.2

17.1

17.8

18.8

19.4

20.5

21.8

23.1

24.3

25.6

26.8

28.2

29.1

30.8

31.6

33.3

1000

500

200

50

10

5.0

1.0

文档编号0285011

BL

银河电子

2.

在（T电气特性

A

=25

Breakdow

电压V

（ BR ）

(V)

(NOTE1)

民

1N6286

1N6286A

1N6287

1N6287A

1N6288

1N6288A

1N6289

1N6289A

1N6290

1N6290A

1N6291

1N6291A

1N6292

1N6292A

1N6293

1N6293A

1N6294

1N6294A

1N6295

1N6295A

1N6296

1N6296A

1N6297

1N6297A

1N6298

1N6298A

1N6299

1N6299A

1N6300

1N6300A

1N6301

1N6301A

1N6302

1N6302A

1N6303

1N6303A

38.7

40.9

42.3

44.7

45.9

48.5

50.4

53.2

55.8

58.9

61.2

64.6

67.5

71.3

73.8

77.9

81.9

86.5

90.0

95.0

99.0

105

108

114

117

124

136

143

144

152

153

162

171

180

190

最大

47.3

45.2

51.7

49.4

56.1

53.6

61.8

58.8

68.2

65.1

74.8

71.4

82.5

78.8

90.2

86.1

100

95.5

110

105

121

116

132

126

143

137

165

158

176

168

187

179

198

189

220

210

除非另有说明）

最大

反向

LEAKGE

在V

WM

I

D（注3）（ μ

A

)

1.0

1.

0

1.0

最大

高峰普尔斯ê

I

PPM(NOTE2)

(A)

24.2

25.3

22.1

23.1

20.4

21.4

18.6

19.5

16.9

17.6

15.3

16.3

13.9

14.6

12.7

13.3

11.5

12.0

10.4

10.9

9.5

9.9

8.7

9.1

8.0

8.4

7.0

7.2

6.5

6.8

6.1

6.4

5.8

6.1

5.2

5.5

表1 （续'D ）

最大

夹紧

电压

I

PPM

V

C

(V)

61.9

59.3

67.8

64.8

73.5

70.1

80.5

77.0

89.0

85.0

98.0

92.0

109

104

118

113

131

125

144

137

158

152

173

165

187

179

215

207

230

219

244

234

258

246

287

274

最大

温度

系数

V的

（ BR ）

(%/ )

0.101

0.102

0.103

0.104

0.105

0.106

0.107

0.108

0.106

0.108

设备类型

试验台客

电流电压

在我

T

V

WM

（MA ）

(V)

1.0

34.8

36.8

38.1

40.2

41.3

43.6

45.4

47.8

50.2

53.0

55.1

58.1

60.7

64.1

66.4

70.1

73.7

77.8

81.0

85.5

89.2

94.0

97.2

102

105

111

121

128

130

136

138

145

146

154

162

171

注：对于双向使用C或CA后缀类型

1N6267

直通型

1N6303A(e.g.1N6267,1N6303A).

电动

特征适用于两个方向。

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银河电子

3.

收视率和特性曲线

峰值脉冲功率（P ）或电流

PP

1N6267- -

-1N6303A

图1 - 额定峰值脉冲功率曲线

P

PPM

，峰值脉冲功率，千瓦

100

不重复

脉冲波形

如果如图3所示

T

A

=25

10

图2 - 脉冲降额曲线

降额百分比，％

100

75

50

1.0

25

0.1

0.1μ

s

1.0μ

s

10μ

s

100μ

s

1ms

10ms

(I

PPM

)

TOL ，脉宽，美国证券交易委员会。

0

25

50

75

100

125

150

175

200

FIG.3

- 脉冲波形

150

PULES宽度（ TD ）

是DEFINDE作为

地步

峰值电流

衰减到50％的

I

PPM

TA ，环境温度。

I

PPM

，峰值脉冲电流，％

tr=10

Μ

S EC

峰值

I

PPM

图4 - 典型结电容

HHHHHHHH HUNIDIRECTIONAL

100

半值 - 我

PPM

2

6.000

T

J

=25

f=1.0MH

Z

Vsig=50mVp-p

在测

ZEROBIAS

50

C

J

，结电容， pF的

10/1000

Μ

EC 。

波形

DEFINDE由R.E.A.

10.000

td

0

1.0

2.0

3.0

4.0

T，时间，ms

图5 - 稳态功率降额曲线

P

M（ AV）在

， STRADY国家电力

1.00

1000

在测

对峙

电压，V

WM

L=0.375"(9.5mm)

导线长度

耗散，W

0.75

60 H

Z

RESISTIVEOR

感性负载

10

1.0

10

100

200

0.50

0.25

1.6 ×1.6× 0.040"

（ 40 ×40× 1毫米。）

铜散热器

V

（ BA ）

，击穿电压，V

0

25

50

75

100

125

150

175

200

T

L

，焊接温度，

I

D

，瞬时反向

I

FSM

，峰值正向浪涌

图7 - 典型的反向漏

JJJJJJJJJJJJJJJJJJCHARACTERISTICS

1 .0 0 0

图6 - 最高可非重复正向

HHHHHH HSURGE

电流单向只

200

漏电流，

mA

100

M E A S ü - [R E D为T D E V IC （E S）

S T A N - O F F V L T A G E，

V女男

目前，A

100

T

J

=T

J

马克斯。

8.3ms单正弦半MAVE

（ JEDEC的方法）

10

1

0 .1

T

A

= 25

℃

0 .0 1

0 .0 0 1

0

100

200

300

400

440

500

10

1

10

100

V

（ BR ）

，击穿电压，V

循环次数在60赫兹

www.galaxycn.com

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银河电子

4.

1.5KE系列

瞬态电压抑制二极管

电压范围

6.8至440伏

1500瓦峰值功率

5.0瓦稳态

特点

UL认证文件＃ E- 96005

塑料包装有保险商实验室可燃性

分类科幻阳离子94V- 0

超过MIL -STD- 19500环境标准

1500W浪涌能力为10 ×100美国波形占空比：

0.01%

出色的钳位能力

低阻抗齐纳

快速响应时间：通常小于1.0ps从0伏特至

VBR单向和5.0 ns的双向

典型的我

R

低于1uA高于10V

高温焊接保证： 260 ℃/ 10秒

/ .375 “设计（9.5mm ）引线长度/ 5磅，（ 2.3千克）张力

DO-201

机械数据

案例：模压塑料

铅：轴向引线，焊每MIL -STD- 202 ，

导语：

方法208

极性：颜色频带为负极，除了两极

重量： 0.94克

尺寸以英寸（毫米）

最大额定值和电气特性

评分在25 ° C环境温度，除非另有规定。

单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。

对于容性负载，减免电流20 ％

类型编号

P

EAK

P

OWER

D

issipation在

T

A

= 25℃ ， TP = 1毫秒

(

N

OTE 1 ）

O

符号

P

PK

P

D

I

FSM

V

F

T

J

, T

英镑

价值

Minimum1500

5.0

200

3.5 / 5.0

-55 + 175

O

单位

瓦

安培

伏

°C

在T稳态功耗

L

=75 °C

引线长度.375 “ ， 9.5毫米（注2 ）

峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半

正弦波叠加在额定负荷

（ JEDEC的方法）（注3）

最大正向电压在

50.0A的单向只有（注4 ）

工作和存储温度范围

注：1.非重复性电流脉冲每图。 3及以上的牛逼降容

A

=每图25℃ 。 2 。

注意事项：

2.安装在0.8× 0.8铜焊盘面积“ （ 20 ×20 MM）每图。 4 。

注意事项：

3. 8.3ms单正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟

注：3 。

最大。

注意事项：

4. V

F

= 3.5V为V的设备

BR

≤

200V和V

F

= 5.0V最大。对于设备v

BR

>200V.

双极性应用的器件

注意事项：

1.对于双向使用C或CA后缀类型1.5KE6.8通过类型1.5KE440 。

注意事项：

2.电气特性适用于在两个方向上。

- 576 -

额定值和特性曲线（ 1.5KE系列）

FIG.1-额定峰值脉冲功率曲线

峰值脉冲功率（ PPP）或电流（

IPPM

)

降额百分比，％

100

FIG.2-脉冲降额曲线

P

PPM

，峰值脉冲功率，千瓦

不重复

脉冲波形

如图3中所示

T

A

=25

0

C

10

75

50

1.0

25

0.1

0.1ms

1ms

10ms

100ms

1.0ms

10ms

0

25

50

75

100

125

o

150

175

200

TP ，脉冲宽度，秒。

T

A,

环境温度，C

FIG.3-脉冲波形

tr=10

m

美国证券交易委员会。

峰值

l

PPM

脉冲宽度（ TD ）的定义

由于这种地步峰值

电流衰减

向升50％

PPM

PM

（AV）

，稳态功耗，

瓦

FIG.4-稳态功率降额曲线

5.0

150

峰值脉冲电流 - ％

60Hz

负载电阻或电感

100

L=0.375"(9.5mm)

导线长度

50

半值 - 升

PPM

2

10/1000秒。波形

界定的R.E.A.

2.5

1.6 ×1.6× 0.040"

（ 40 ×40× 1毫米。）

铜散热器

0

25

50

75

100

125

o

0

td

0

1.0

2.0

T，时间，ms

3.0

4.0

150

175

200

TL ，焊接温度，C

FIG.5-典型结电容

单向

10,000

单向

双向

FIG.6-最大非重复正向浪涌

电流单向只

l

FSM

，峰值正向浪涌电流，

安培

200

8.3ms单半正弦波

JEDEC的方法

TJ = Tj最高。

100

C

J

，结电容。（PF ）

V

R

=0

1,000

100

Tj=25

0

C

f=1.0MHz

Vsig=50mVp-p

10

1

10

循环次数在60Hz

100

V

R

- 额定

对峙

电压

10

1.0

10

V

（ BR ）

，击穿电压。伏

100

200

- 577 -

电气特性（ TA = 25

O

C除非另有说明）

JEDEC

TYPE

数

1N6267

1N6267A

1N6268

1N6268A

1N6269

1N6269A

1N6270

1N6270A

1N6271

1N6271A

1N6272

1N6272A

1N6273

1N6273A

1N6274

1N6274A

1N6275

1N6275A

1N6276

1N6276A

1N6277

1N6277A

1N6278

1N6278A

1N6279

1N6279A

1N6280

1N6280A

1N6281

1N6281A

1N6282

1N6282A

1N6283

1N6283A

1N6284

1N6284A

1N6285

1N6285A

1N6286

1N6286A

1N6287

1N6287A

1N6288

1N6288A

1N6289

1N6289A

1N6290

1N6290A

1N6291

1N6291A

1N6292

1N6292A

1N6293

1N6293A

1N6294

1N6294A

1N6295

1N6295A

1N6296

1N6296A

1N6297

1N6297A

1N6298

1N6298A

1N6299

1N6299A

1N6300

1N6300A

1N6301

1N6301A

1N6302

1N6302A

1N6303

1N6303A

一般

部分

数

1.5KE6.8

1.5KE6.8A

1.5KE7.5

1.5KE7.5A

1.5KE8.2

1.5KE8.2A

1.5KE9.1

1.5KE9.1A

1.5KE10

1.5KE10A

1.5KE11

1.5KE11A

1.5KE12

1.5KE12A

1.5KE13

1.5KE13A

1.5KE15

1.5KE15A

1.5KE16

1.5KE16A

1.5KE18

1.5KE18A

1.5KE20

1.5KE20A

1.5KE22

1.5KE22A

1.5KE24

1.5KE24A

1.5KE27

1.5KE27A

1.5KE30

1.5KE30A

1.5KE33

1.5KE33A

1.5KE36

1.5KE36A

1.5KE39

1.5KE39A

1.5KE43

1.5KE43A

1.5KE47

1.5KE47A

1.5KE51

1.5KE51A

1.5KE56

1.5KE56A

1.5KE62

1.5KE62A

1.5KE68

1.5KE68A

1.5KE75

1.5KE75A

1.5KE82

1.5KE82A

1.5KE91

1.5KE91A

1.5KE100

1.5KE100A

1.5KE110

1.5KE110A

1.5KE120

1.5KE120A

1.5KE130

1.5KE130A

1.5KE150

1.5KE150A

1.5KE160

1.5KE160A

1.5KE170

1.5KE170A

1.5KE180

1.5KE180A

1.5KE200

1.5KE200A

1.5KE220

1.5KE220A

1.5KE250

1.5KE250A

1.5KE300

1.5KE300A

1.5KE350

1.5KE350A

1.5KE400

1.5KE400A

1.5KE440

1.5KE440A

公称

电压

（伏）

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

170

180

200

220

250

300

350

400

440

击穿电压

VBR

（伏特）（注1 ）

民

最大

6.12

6.45

6.75

7.13

7.38

7.79

8.19

8.65

9.00

9.50

9.90

10.5

10.8

11.4

11.7

12.4

13.5

14.3

14.4

15.2

16.2

17.1

18.0

19.0

19.8

20.9

21.6

22.8

24.3

25.7

27.0

28.5

29.7

31.4

32.4

34.2

35.1

37.1

38.7

40.9

42.3

44.7

45.9

48.5

50.4

53.2

55.8

58.9

61.2

64.6

67.5

71.3

73.8

77.9

81.9

86.5

90.0

95.0

99.0

105.0

108.0

114.0

117.0

124.0

135.0

143.0

144.0

152.0

153.0

162.0

171.0

180.0

190.0

198.0

209.0

225.0

237.0

270.0

285.0

315.0

333.0

360.0

380.0

396.0

418.0

7.48

7.14

8.25

7.88

9.02

8.61

10.0

9.55

11.0

10.5

12.1

11.6

13.2

12.6

14.3

13.7

16.5

15.8

17.6

16.8

19.8

18.9

22.0

21.0

24.2

23.1

26.4

25.2

29.7

28.4

33.0

31.5

36.3

34.7

39.6

37.8

42.9

41.0

47.3

45.2

51.7

49.4

56.1

53.6

61.8

58.8

68.2

65.1

74.8

71.4

82.5

78.8

90.2

86.1

100.0

95.50

110.0

105.0

121.0

116.0

132.0

126.0

143.0

137.0

165.0

158.0

176.0

168.0

187.0

179.0

198.0

189.0

220.0

210.0

242.0

231.0

275.0

263.0

330.0

315.0

385.0

368.0

440.0

420.0

484.0

462.0

测试电流

@IT （毫安）

10

1.0

对峙

电压

VWM

（伏）

5.50

5.80

6.05

6.40

6.63

7.02

7.37

7.78

8.10

8.55

8.92

9.40

9.72

10.2

10.5

11.1

12.1

12.8

12.9

13.6

14.5

15.3

16.2

17.1

17.8

18.8

19.4

20.5

21.8

23.1

24.3

25.6

26.8

28.2

29.1

30.8

31.6

33.3

34.8

36.8

38.1

40.2

41.3

43.6

45.4

47.8

50.2

53.0

55.1

58.1

60.7

64.1

66.4

70.1

73.7

77.8

81.0

85.5

89.2

94.0

97.2

102.0

106.0

111.0

121.0

128.0

130.0

136.0

138.0

145.0

146.0

154.0

162.0

171.0

175.0

185.0

202.0

214.0

243.0

256.0

284.0

300.0

324.0

342.0

356.0

376.0

最大

反向漏

在VWM

ID （ UA）

1000

500

200

50

10

5.0

最大

峰值浪涌

目前IPPM

（注2）（安培）

145

150

134

139

126

130

114

117

105

108

97

100

91

94

82

86

71

74

67

70

59

60

54

56

49

51

45

47

40

42

36

38

33

34

30

31

27

29

25

26

23

24

21

22

19

20

17

18

16

17

14

15

13

13.9

12

12.6

10.9

11.4

9.9

10.3

9.1

9.5

8.4

8.7

7.3

7.6

6.8

7.1

6.4

6.7

6.1

6.4

5.4

5.7

4.5

4.8

4.3

4.5

3.6

3.8

3.1

3.2

2.7

2.8

2.4

2.5

最大

夹紧

电压IPPM

VC （伏特）

10.8

10.5

11.7

11.3

12.5

12.1

13.8

13.4

15.0

14.5

16.2

15.6

17.3

16.7

19.0

18.2

22.0

21.2

23.5

22.5

26.5

25.2

29.1

27.7

31.9

30.6

34.7

33.2

39.1

37.5

43.5

41.4

47.7

45.7

52.0

49.9

56.4

53.9

61.9

59.3

67.8

64.8

73.5

70.1

80.5

77.0

89.0

85.0

98.0

92.0

108.0

103.0

118.0

113.0

131.0

125.0

144.0

137.0

158.0

152.0

173.0

165.0

187.0

179.0

215.0

207.0

230.0

219.0

244.0

234.0

258.0

246.0

287.0

274.0

344.0

328.0

360.0

344.0

430.0

414.0

504.0

482.0

574.0

548.0

631.0

602.0

最大

温度

系数

O

VBR率（％ / C）

0.057

0.061

0.065

0.068

0.073

0.075

0.078

0.081

0.084

0.086

0.088

0.090

0.092

0.094

0.096

0.097

0.098

0.099

0.100

0.101

0.102

0.103

0.104

0.105

0.106

0.107

0.108

0.110

注意事项：

1. VBR测量后， IT申请300US ， IT =方波脉冲或同等学历。

按照图3和减免按照图2 2.浪涌电流波形。

3.对于双极类型的具有10伏和下VWM ，该ID限加倍。

4.所有术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致。

- 578 -

1N6267直通1N6303A

1.5KE6.8通1.5KE400A

斯科茨代尔区划

单向双向&

瞬态电压抑制器

描述

瞬态电压抑制器（ TVS）系列1N5908 & 1N6267-1N6303A

是JEDEC注册选择单向装置。流行系列

的1.5KE6.8-1.5KE400A提供了类似的电压与扩展电压范围

并且还提供了具有C或CA后缀双向选择。所有具有相同

1500 W高额定峰值脉冲功率和极快的响应时间。

他们可以从每IEC61000-4-5和类次级雷击保护作用

说明在此水平以及电感式开关的环境和诱导

射频保护。因为它们的响应时间几乎是瞬间的，它们也可以

从ESD和EFT每IEC61000-4-2和IEC61000-4-4保护。

重要提示：

有关最新资料，请咨询

Microsemi的

网址：

http://www.microsemi.com

外形

WWW .

Microsemi的

.C

OM

案例1

特点

经济型TVS系列通孔安装

可提供单向和双向（加

C或CA后缀为双向）

电压范围为6.8 400 V击穿（V

BR

)

瞬态抑制高达1500瓦特@ 10/1000微秒

（参见图1）

快速响应

按照MIL- PRF-筛选选项

19500为JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS是

可通过加入MQ ，MX， MV，或MSP前缀

分别零件号。

表面贴装封装相当于可作为

SMCJ5.0 - SMCJ170CA或SMCG5.0 - SMCG170CA

（咨询工厂其他表面贴装选项）

保湿分类等级1 ，无干燥包

根据IPC / JEDEC J -STD- 020B标准要求

应用/优势

保护开关瞬态和感应RF

保护免受ESD和EFT符合IEC 61000-4-2和

IEC 61000-4-4

每IEC61000-4-5次级雷击保护，

42欧姆源阻抗：

第1类： 1.5KE6.8A到1.5KE200A或CA *

第2类： 1.5KE5.0A到1.5KE180A或CA *

第3类： 1.5KE5.0A到1.5KE91A或CA *

第四类： 1.5KE5.0A到1.5KE43A或CA *

每IEC61000-4-5次级雷击保护，

12欧姆源阻抗：

第1类： 1.5KE5.0A到1.5KE110A或CA *

第2类： 1.5KE5.0A到1.5KE56A或CA *

第3类： 1.5KE5.0A到1.5KE27A或CA *

第四类： 1.5KE5.0A到1.5KE13A或CA *

每IEC61000-4-5次级雷击保护，

2欧姆源阻抗：

第2类： 1.5KE5.0A到1.5KE24A或CA *

第3类： 1.5KE5.0到1.5KE12A或CA *

*也适用于1N5908相同的电压和1Nxxxx

最大额定值

峰值脉冲功率耗散在25

C： 1500瓦特在

10/1000

s

（也可参见图1,2和3 ）

脉冲重复率（占空因数）：0.01％

t

夹紧

（ 0伏特至V

（ BR ）

分）： < 100ps的理论为

单向和< 5 ns的双向

操作和储存温度： -65

C至+150

C

热电阻： 22

C / W交界处领导在3/8

寸（ 10mm）的自体，或82

C / W结到环境

2

安装在FR4印刷电路板用4 mm铜时

垫（ 1盎司）和跟踪宽1毫米，长25毫米

稳态功耗： 5瓦特在T

L

= 40

o

C,

或1.52瓦特在T

A

= 25

安装FR4 PC上。当C

主板描述的热阻

正向浪涌： 8.3毫秒200安培峰值脉冲

在25℃的半正弦波（单向只）

焊接温度： 260

下10秒（最大）

机械及包装

案例：无空洞转移成型热固性

环氧机构会议UL94V- 0

端子的：锡铅镀焊元

MIL- STD- 750 ，方法2026

极性：负极由乐队表示。没有

标记双向设备

标记：部件号

TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加

“ TR ”后缀的部件号）

重量：1.5克数（近似值）

请参阅最后一页的封装尺寸

1N6267 - 1N6303A

1.5KE6.8 - 1.5KE400A

版权

2002

2003年6月9日REV A

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第1页

1N6267直通1N6303A

1.5KE6.8通1.5KE400A

斯科茨代尔区划

单向双向&

瞬态电压抑制器

电气特性

工业

TYPE

数

-

1.5KE6.8

1.5KE6.8A

1.5KE7.5

1.5KE7.5A

1.5KE8.2

1.5KE8.2A

1.5KE9.1

1.5KE9.1A

1.5KE10

1.5KE10A

1.5KE11

1.5KE11A

1.5KE12

1.5KE12A

1.5KE13

1.5KE13A

1.5KE15

1.5KE15A

1.5KE16

1.5KE16A

1.5KE18

1.5KE18A

1.5KE20

1.5KE20A

1.5KE22

1.5KE22A

1.5KE24

1.5KE24A

1.5KE27

1.5KE27A

1.5KE30

1.5KE30A

1.5KE33

1.5KE33A

1.5KE36

1.5KE36A

1.5KE39

1.5KE39A

1.5KE43

1.5KE43A

1.5KE47

1.5KE47A

1.5KE51

1.5KE51A

1.5KE56

1.5KE56A

1.5KE62

1.5KE62A

1.5KE68

1.5KE68A

1.5KE75

1.5KE75A

版权

2002

2003年6月9日REV A

WWW .

Microsemi的

.C

OM

JEDEC

TYPE

数

1N5908

1N6267

1N6267A

1N6268

1N6268A

1N6269

1N6269A

1N6270

1N6270A

1N6271

1N6271A

1N6272

1N6272A

1N6273

1N6273A

1N6274

1N6274A

1N6275

1N6275A

1N6276

1N6276A

1N6277

1N6277A

1N6278

1N6278A

1N6279

1N6279A

1N6280

1N6280A

1N6281

1N6281A

1N6282

1N6282A

1N6283

1N6283A

1N6284

1N6284A

1N6285

1N6285A

1N6286

1N6286A

1N6287

1N6287A

1N6288

1N6288A

1N6289

1N6289A

1N6290

1N6290A

1N6291

1N6291A

1N6292

1N6292A

评级

STANDOFF

电压

V

WM

（注1 ）

伏

5.0

5.50

5.80

6.05

6.40

6.63

7.02

7.37

7.78

8.10

8.55

8.92

9.40

9.72

10.220

10.50

11.10

12.10

12.80

12.90

13.60

14.50

15.30

16.20

17.10

17.80

18.80

19.40

20.50

21.80

23.10

24.30

25.60

26.80

28.20

29.10

30.80

31.60

33.30

34.80

36.80

38.10

40.20

41.30

43.60

45.40

47.80

50.20

53.00

55.10

58.10

60.70

64.10

击穿

电压

V

（ BR ）

@

I

（ BR ）

mA

1

10

1

最大

夹紧

电压

V

C

@ I

PP

伏

7.6

10.8

10.5

11.7

11.3

12.5

12.1

13.8

13.4

15.0

14.5

16.2

15.6

17.3

16.7

19.0

18.2

22.0

21.2

23.5

22.5

26.5

25.2

29.1

27.7

31.9

30.6

34.7

33.2

39.1

37.5

43.5

41.4

47.7

45.7

52.0

49.9

56.4

53.9

61.9

59.3

67.8

64.8

73.5

70.1

80.5

77.0

89.0

85.0

98.0

92.0

108.0

103.0

最大

待机

当前

I

D

@ V

WM

A

300

1000

500

200

50

10

5

最大

峰值脉冲

当前

I

PP

（图2）

A

30

139.0

143.0

128.0

132.0

120.0

124.0

109.0

112.0

100.0

103.0

93.0

96.0

87.0

90.0

79.0

82.0

68.0

71.0

64.0

67.0

56.5

59.5

51.5

54.0

47.0

49.0

43.0

45.0

38.5

40.0

34.5

36.0

31.5

33.0

29.0

30.0

26.5

28.0

24.0

25.3

22.2

23.2

20.4

21.4

18.6

19.5

16.9

17.7

15.3

16.3

13.9

14.6

最大

温度

对COEF网络cient

V

（ BR ）

α

V（ BR ）

%/ C

.057

.061

.065

.068

.073

.075

.078

.081

.084

.086

.088

.090

.092

.094

.096

.097

.098

.099

.100

.101

.102

.103

.104

.105

o

伏

分钟。马克斯。

6.0 – -

6.12 – 7.48

6.45 – 7.14

6.75 – 8.25

7.13 – 7.88

7.38 – 9.02

7.79 – 8.61

8.19 – 10.00

8.65 – 9.55

9.00 – 11.00

9.50 – 10.50

9.90 – 12.10

10.50 – 11.60

10.80 – 13.20

11.40 – 12.60

11.70 – 14.30

12.40 – 13.70

13.50 – 16.50

14.30 – 15.80

14.40 – 17.60

15.20 – 16.80

16.20 – 19.80

17.10 – 18.90

18.00 – 22.00

19.00 – 21.00

19.80 – 24.20

20.90 – 23.10

21.60 – 26.40

22.80 – 25.20

24.30 – 29.70

25.70 – 28.40

27.00 – 33.00

28.50 – 31.50

29.70 – 36.30

31.40 – 34.70

32.40 – 39.60

34.20 – 37.80

35.10 – 42.90

37.10 – 41.00

38.70 – 47.30

40.90 – 45.20

42.30 – 51.70

44.70 – 49.40

45.90 – 56.10

48.50 – 53.60

50.40 – 61.60

53.20 – 58.80

55.80 – 68.20

58.90 – 65.10

61.20 – 74.80

64.60 – 71.40

67.50 – 82.50

71.30 – 78.80

1N6267 - 1N6303A

1.5KE6.8 - 1.5KE400A

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第2页

1N6267直通1N6303A

1.5KE6.8通1.5KE400A

斯科茨代尔区划

单向双向&

瞬态电压抑制器

WWW .

Microsemi的

.C

OM

工业

TYPE

数

JEDEC

TYPE

数

评级

STANDOFF

电压

V

WM

（注1 ）

击穿

电压

V

（ BR ）

@

I

（ BR ）

最大

夹紧

电压

V

C

@ I

PP

最大

待机

当前

I

D

@ V

WM

最大

峰值脉冲

当前

I

PP

（图2）

最大

温度

对COEF网络cient

V

（ BR ）

α

V（ BR ）

伏

o

伏

分钟。马克斯。

mA

伏

A

%/ C

A

1.5KE82

1N6293

66.40

73.80 – 90.20

1

118.0

5

12.7

.105

1.5KE82A

1N6293A

70.10

77.90 – 86.10

1

113.0

5

13.3

.105

1.5KE91

1N6294

73.70

81.90 – 100.00

1

131.0

5

11.4

.106

1.5KE91A

1N6294A

77.80

86.50 – 95.50

1

125.0

5

12.0

.106

1.5KE100

1N6295

81.00

90.00 – 110.00

1

144.0

5

10.4

.106

1.5KE100A

1N6295A

85.50

95.00 – 105.00

1

137.0

5

11.0

.106

1.5KE110

1N6296

89.20

99.00 – 121.00

1

158.0

5

9.5

.107

1.5KE110A

1N6296A

94.00

105.00 – 116.00

1

152.0

5

9.9

.107

1.5KE120

1N6297

97.20

108.00 – 132.00

1

173.0

5

8.7

.107

1.5KE120A

1N6297A

102.00

114.00 – 126.00

1

165.0

5

9.1

.107

1.5KE130

1N6298

105.00

117.00 – 143.00

1

187.0

5

8.0

.107

1.5KE130A

1N6298A

111.00

124.00 – 137.00

1

179.0

5

8.4

.107

1.5KE150

1N6299

121.00

135.00 – 165.00

1

215.0

5

7.0

.108

1.5KE150A

1N6299A

128.00

143.00 – 158.00

1

207.0

5

7.2

.108

1.5KE160

1N6300

130.00

144.00 – 176.00

1

230.0

5

6.5

.108

1.5KE160A

1N6300A

136.00

152.00 – 168.00

1

219.0

5

6.8

.108

1.5KE170

1N6301

138.00

153.00 – 187.00

1

244.0

5

6.2

.108

1.5KE170A

1N6301A

145.00

162.00 – 179.00

1

234.0

5

6.4

.108

1.5KE180

1N6303

146.00

162.00 – 198.00

1

258.0

5

5.8

.108

1.5KE180A

1N6303A

154.00

171.00 – 189.00

1

246.0

5

6.1

.108

1.5KE200

-

162.00

180.00 – 220.00

1

287.0

5

5.2

.108

1.5KE200A

171.00

190.00 – 210.00

1

274.0

5

5.5

.108

1.5KE220

175.00

198.00 – 242.00

1

344.0

5

4.3

.110

1.5KE220A

185.00

209.00 – 231.00

1

328.0

5

4.6

.110

1.5KE250

-

202.00

225.00 – 275.00

1

360.0

5

5.0

.110

1.5KE250A

214.00

237.00 – 263.00

1

344.0

5

5.0

.110

1.5KE300

243.00

270.00 – 330.00

1

430.0

5

5.0

.111

1.5KE300A

256.00

285.00 – 315.00

1

414.0

5

5.0

.111

1.5KE350

-

284.00

315.00 – 385.00

1

504.0

5

4.0

.111

1.5KE350A

300.00

332.00 – 368.00

1

482.0

5

4.0

.111

1.5KE400

324.00

360.00 – 440.00

1

574.0

5

4.0

.111

1.5KE400A

324.00

380.00 – 420.00

1

548.0

5

4.0

.111

注：1 。

正常的选择标准TVS器件是额定关态电压（V

WM

）和应等于或大于直流或连续的峰

的工作电压。

2.

TVS器件进行测试，以最大峰值脉冲电流（I

PP

）与钳位电压监测。这种浪涌能力是一个最

该装置和显著电特性应被视为客户质量检查的一部分。

3.

对于双向部分号码添加C或CA作为后缀（ EE ， 1.5KE33C或1.5KE33CA ）。对于具有V型双向

WM

8伏，

下，在我

D

漏电流加倍。 1N62XX或1N5908不作为双向的。对于双极性电容将0.5 ，在显示

图。 2零偏差。

4.

为单向，正向电压（V

F

）是伏最高3.5在百安培峰值为8.3 ms半正弦波。

1N6267 - 1N6303A

1.5KE6.8 - 1.5KE400A

符号

V

WM

I

PP

P

PP

V

C

（最大）

符号定义&

德网络nition

工作峰值（防区）电压

峰值脉冲电流

峰值脉冲功率

最大钳位电压

击穿电压

测试电流

待机电流

V

（ BR ）

I

（ BR ）

I

D

版权

2002

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8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第3页

1N6267直通1N6303A

1.5KE6.8通1.5KE400A

斯科茨代尔区划

单向双向&

瞬态电压抑制器

图的

WWW .

Microsemi的

.C

OM

图1

峰值脉冲功率与

脉冲时间（T

W

）在

s

脉冲时间（ TW ）在

s

1N6267 - 1N6303A

1.5KE6.8 - 1.5KE400A

图2

脉冲波形

科幻gure 3

降额曲线

版权

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斯科茨代尔区划

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第4页

1N6267直通1N6303A

1.5KE6.8通1.5KE400A

斯科茨代尔区划

单向双向&

瞬态电压抑制器

WWW .

Microsemi的

.C

OM

包装尺寸

图4

典型的电容比。

击穿电压

注：尺寸单位：英寸

mm

1N6267 - 1N6303A

1.5KE6.8 - 1.5KE400A

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斯科茨代尔区划

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第5页

1.5KE系列和1N6267直通1N6303A

威世半导体

原通用半导体

T

RANS

Z

ORB

瞬态电压抑制器

机箱样式1.5KE

编辑ê

第二昂

XTE

E e

特点

标签

VOL

V

（ BR ）

单向

6.8 540V

V

（ BR ）

双向

6.8 440V

峰值脉冲功率

1500W

1.0 (25.4)

分钟。

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

DIA 。

在UL标准保险商实验室认可

安全497B ：隔离回路电路保护

玻璃钝化结

在10 / 1000μs 1500W峰值脉冲功率接性能

波形，重复率（占空比）： 0.05％

出色的钳位能力

低增量浪涌电阻

非常快的响应时间

包括直通1N6303A 1N6267

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

机械数据

案例：

模压塑料车身超过钝化结

终端：

镀轴向引线，每焊

MIL- STD- 750 ，方法2026

高温焊接保证： 265 ℃/ 10秒

0.375"设计（9.5mm ）引线长度， 5磅。（2.3千克）的张力

极性：

对于单向类型的颜色频带表示

阴极，它是正相对于所述阳极

在正常运行TVS

安装位置：

任何

重量：

0.045盎司， 1.2克

阻燃性：

环氧树脂被评为UL 94V- 0

包装代码 - 选项（防静电）：

51 - 1K元散装盒， 10K /箱

54 - 1.4K每13"纸卷

（ 52毫米HORIZ ，磁带）， 4.2K /箱

73 - 每HORIZ 1K 。磁带&弹药盒， 10K /箱

尺寸以英寸

（毫米）

1.0 (25.4)

分钟。

0.042 (1.07)

0.038 (0.96)

DIA 。

对于双向应用的器件

对于双向使用C或CA后缀类型1.5KE6.8直通型1.5KE440

（例如1.5KE6.8C ， 1.5KE440CA ）。电特性的应用中是双向的。

最大额定值和特性

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

符号

P

PPM

I

PPM

P

M（ AV）在

I

FSM

V

F

R

θJL

R

θJA

T

J

, T

英镑

极限

1500

看下表

6.5

200

3.5/5.0

20

75

-55到+175

单位

W

A

W

A

V

° C / W

O

峰值功耗有10 / 1000μs波

(1)

（图1）的

峰值脉冲电流王氏10 / 1000μs波

(1)

稳定状态下的功耗

在T

L

= 75

O

C，引线长度0.375“设计（9.5mm ）

(2)

峰值正向浪涌电流， 8.3ms的

只有单一正弦半波单向

(3)

最大正向电压

在100A单向只

(4)

典型热阻结到引线

典型热阻结到环境

工作结存储温度范围

注意事项：

(1)

(2)

(3)

(4)

C

非重复性电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额

A

= 25 ℃，每图。 2

安装在1.6 ×1.6 “ （ 40× 40毫米）每个图的铜焊盘面积。五

测量8.3ms单半正弦波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高

V

F

= 3.5V的1.5KE220 （ A） &如下; V

F

= 5.0V的1.5KE250 （A ） &以上

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1

1.5KE系列和1N6267直通1N6303A

威世半导体

原通用半导体

电气特性

(T

JEDEC

TYPE

数

1N6267

1N6267A

1N6268

1N6268A

1N6269

1N6269A

1N6270

1N6270A

1N6271

1N6271A

1N6272

1N6272A

1N6273

1N6273A

1N6274

1N6274A

1N6275

1N6275A

1N6276

1N6276A

1N6277

1N6277A

1N6278

1N6278A

1N6279

1N6279A

1N6280

1N6280A

1N6281

1N6281A

1N6282

1N6282A

1N6283

1N6283A

1N6284

1N6284A

1N6285

1N6285A

1N6286

1N6286A

1N6287

1N6287A

1N6288

1N6288A

1N6289

1N6289A

1N6290

1N6290A

1N6291

1N6291A

1N6292

一般

半导体

部分

数

+1.5KE6.8

+1.5KE6.8A

+1.5KE7.5

+1.5KE7.5A

+1.5KE8.2

+1.5KE8.2A

+1.5KE9.1

+1.5KE9.1A

+1.5KE10

+1.5KE10A

+1.5KE11

+1.5KE11A

+1.5KE12

+1.5KE12A

+1.5KE13

+1.5KE13A

+1.5KE15

+1.5KE15A

+1.5KE16

+1.5KE16A

+1.5KE18

+1.5KE18A

+1.5KE20

+1.5KE20A

+1.5KE22

+1.5KE22A

+1.5KE24

+1.5KE24A

+1.5KE27

+1.5KE27A

+1.5KE30

+1.5KE30A

+1.5KE33

+1.5KE33A

+1.5KE36

+1.5KE36A

+1.5KE39

+1.5KE39A

+1.5KE43

+1.5KE43A

+1.5KE47

+1.5KE47A

+1.5KE51

+1.5KE51A

+1.5KE56

+1.5KE56A

+1.5KE62

+1.5KE62A

+1.5KE68

+1.5KE68A

+1.5KE75

A

= 25 ° C除非另有说明）

击穿电压

V

（ BR ）

在我

T

(1)

(V)

民

6.12

6.45

6.75

7.13

7.38

7.79

8.19

8.65

9.00

9.50

9.90

10.5

10.8

11.4

11.7

12.4

13.5

14.3

14.4

15.2

16.2

17.1

18.0

19.0

19.8

20.9

21.6

22.8

24.3

25.7

27.0

28.5

29.7

31.4

32.4

34.2

35.1

37.1

38.7

40.9

42.3

44.7

45.9

48.5

50.4

53.2

55.8

58.9

61.2

64.6

67.5

最大

7.48

7.14

8.25

7.88

9.02

8.61

10.0

9.55

11.0

10.5

12.1

11.6

13.2

12.6

14.3

13.7

16.5

15.8

17.6

16.8

19.8

18.9

22.0

21.0

24.2

23.1

26.4

25.2

29.7

28.4

33.0

31.5

36.3

34.7

39.6

37.8

42.9

41.0

47.3

45.2

51.7

49.4

56.1

53.6

61.8

58.8

68.2

65.1

74.8

71.4

82.5

TEST

当前

I

T

（MA ）

10

1.0

对峙

电压

V

WM

(V)

5.50

5.80

6.05

6.40

6.63

7.02

7.37

7.78

8.10

8.55

8.92

9.40

9.72

10.2

10.5

11.1

12.1

12.8

12.9

13.6

14.5

15.3

16.2

17.1

17.8

18.8

19.4

20.5

21.8

23.1

24.3

25.6

26.8

28.2

29.1

30.8

31.6

33.3

34.8

36.8

38.1

40.2

41.3

43.6

45.4

47.8

50.2

53.0

55.1

58.1

60.7

最大

反向

泄漏

在V

WM

I

D

(4)

(A)

1000

500

200

50

10

5.0

1.0

最大

峰值脉冲

当前

I

PPM

(2)

(A)

139

143

128

133

120

124

109

112

100

103

92.6

96.2

86.7

89.8

78.9

82.4

68.2

70.8

63.8

66.7

56.6

59.5

51.5

54.2

47.0

49.0

43.2

45.2

38.4

40.0

34.5

36.2

31.4

32.8

28.8

30.1

26.6

27.8

24.2

25.3

22.1

23.1

20.4

21.4

18.6

19.5

16.9

17.6

15.3

16.3

13.9

最大

夹紧

电压

在我

PPM

V

C

(V)

10.8

10.5

11.7

11.3

12.5

12.1

13.8

13.4

15.0

14.5

16.2

15.6

17.3

16.7

19.0

18.2

22.0

21.2

23.5

22.5

26.5

25.2

29.1

27.7

31.9

30.6

34.7

33.2

39.1

37.5

43.5

41.4

47.7

45.7

52.0

49.9

56.4

53.9

61.9

59.3

67.8

64.8

73.5

70.1

80.5

77.0

89.0

85.0

98.0

92.0

109

最大

温度。

系数

V的

（ BR ）

(% / °C)

0.057

0.061

0.065

0.068

0.073

0.075

0.076

0.078

0.081

0.084

0.086

0.088

0.089

0.090

0.092

0.094

0.096

0.097

0.098

0.099

0.100

0.101

0.102

0.103

0.104

0.105

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2

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威世半导体

原通用半导体

电气特性

（续）

JEDEC

TYPE

数

1N6292A

1N6293

1N6293A

1N6294

1N6294A

1N6295

1N6295A

1N6296

1N6296A

1N6297

1N6297A

1N6298

1N6298A

1N6299

1N6299A

1N6300

1N6300A

1N6301

1N6301A

1N6302

1N6302A

1N6303

1N6303A

一般

半导体

部分

数

+1.5KE75A

+1.5KE82

+1.5KE82A

+1.5KE91

+1.5KE91A

+1.5KE100

+1.5KE100A

+1.5KE110

+ 1.5KE 110A

+1.5KE120

+1.5KE120A

+1.5KE130

+1.5KE130A

+1.5KE150

+1.5KE150A

+1.5KE160

+1.5KE160A

+1.5KE170

+1.5KE170A

1.5KE180

1.5KE180A

1.5KE200

1.5KE200A*

1.5KE220

1.5KE220A*

1.5KE250

1.5KE250A

1.5KE300

1.5KE300A

1.5KE350

1.5KE350A

1.5KE400

1.5KE400A

1.5KE440

1.5KE440A

1.5KE480

1.5KE480A

1.5KE510

1.5KE510A

1.5KE540

1.5KE540A

击穿电压

V

（ BR ）

在我

T

(1)

(V)

民

71.3

73.8

77.9

81.9

86.5

90.0

95.0

99.0

105

108

114

117

124

136

143

144

152

153

162

171

180

190

198

209

225

237

270

285

315

333

360

380

396

418

432

456

459

485

486

513

最大

78.8

90.2

86.1

100.0

95.5

110

105

121

116

132

126

143

137

165

158

176

168

187

179

198

189

220

210

242

231

275

263

330

315

385

368

440

420

484

462

528

504

561

535

594

567

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

TEST

当前

I

T

（MA ）

1.0

对峙

电压

V

WM

(V)

64.1

66.4

70.1

73.7

77.8

81.0

85.5

89.2

94.0

97.2

102

105

111

121

128

130

136

138

145

146

154

162

171

175

185

202

214

243

256

284

300

324

342

356

376

389

408

413

434

437

459

最大

反向

泄漏

在V

WM

I

D

(4)

(A)

1.0

最大

峰值脉冲

当前

I

PPM

(2)

(A)

14.6

12.7

13.3

11.5

12.0

10.4

10.9

9.5

9.9

8.7

9.1

8.0

8.4

7.0

7.2

6.5

6.8

6.1

6.4

5.8

6.1

5.2

5.5

4.4

4.6

4.2

4.4

3.5

3.6

3.0

3.1

2.6

2.7

2.4

2.5

2.19

2.28

2.06

2.15

1.94

2.03

最大

夹紧

电压

在我

PPM

V

C

(V)

104

118

113

131

125

144

137

158

152

173

165

187

179

215

207

230

219

244

234

258

246

287

274

344

328

360

344

430

414

504

482

574

548

631

602

686

658

729

698

772

740

最大

温度。

系数

V的

（ BR ）

(% / °C)

0.105

0.106

0.107

0.108

0.106

0.108

0.110

注意事项：

（ 1 ）脉冲测试：吨

p

≤

50ms

（2 ）浪涌每图的电流波形。 3 ，每个图减免。 2

（ 3 ）所有的术语和符号与ANSI / IEEE CA62.35一致

（ 4 ）对于双向型与V

R

10伏，少了我

D

限制一倍

*双向版本是跨线的保护下，组件通过UL认证， ULV1414文件号E108274 （ 1.5KE200CA ， 1.5KE220CA ）

+保险商实验室认可下安全497B和文件号E136766 UL标准保护（ QVGQ2 ）的分类

两个单向和双向装置

应用

该系列硅瞬态抑制器采用的是应用大电压瞬变会永久损坏电压敏感元件。

在TVS二极管可在感应雷电的农村或偏远传输线应用程序中使用提出了一个危险的电子电路

（参考： R.E.A.规范体育60 ）。

此瞬态电压抑制器二极管具有1500瓦的脉冲额定功率为1毫秒。的TVS二极管的钳位作用，响应时间为

有效的瞬间（1× 10

-9

秒双向） ;因此，它们能保护集成电路， MOS器件，混合动力汽车，以及其它电压敏感

半导体和组件。 TVS二极管也可以使用串联或并联，以增加峰值功率额定值。

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3

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威世半导体

原通用半导体

收视率和

特性曲线

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

图。 1 - 额定峰值脉冲功率曲线

100

图。 2 - 脉冲降额曲线

峰值脉冲功率（P

PP

）或电流（I

PP

)

降额百分比，％

100

P

PPM

- 峰值脉冲功率（kW ）

75

10

50

1

25

0.1

0.1s

1.0s

10s

100s

1.0ms

10ms

0

25

50

75

100

125

150

175

200

t

d

- 脉冲宽度（秒）。

T

A

=环境温度（℃）

图。 3 - 脉冲波形

150

10,000

TR = 10微秒。

峰值

I

PPM

T

J

= 25°C

脉冲宽度（ TD ）

被定义为点

在峰值电流

衰减到我的50 ％

PPM

图。 4 - 典型结电容

单向

双向

V

R

= 0

1,000

I

PPM

- 峰值脉冲电流，％I

RSM

100

半值=伊普

2

I

PPM

50

10 / 1000μsec 。波形

界定的R.E.A.

C

J

，电容， pF的

100

V

R

=额定

对峙电压

F = 1 MHz的

VSIG = 50mVp -P

T

J

= 25°C

5

10

100

500

td

0

10

0

1.0

2.0

3.0

4.0

吨 - 时间（ms ）

V

（ BR ）

，击穿电压（V ）

图。 5 - 稳态功率

降额曲线

P

M（ AV）在

，稳态功耗（ W）

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0

25

50

75

100

125

150

175

200

1.6 ×1.6× 0.040"

（ 40 ×40×仅1mm）

铜散热器

L = 0.375"设计（9.5mm ）

导线长度

图。 6 - 最大非重复峰值正向

浪涌电流单向只

200

峰值正向浪涌电流（ A）

60 H

Z

电阻或

感性负载

8.3ms单半正弦波

（ JEDEC的方法）T

J

= T

J

马克斯。

100

10

1

10

100

T

L

- 焊接温度（ ° C）

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周期数的AT 60 H

Z

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威世半导体

原通用半导体

收视率和

特性曲线

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

图。 7 - 增量钳位电压

曲线（单向）

100

△ VC，

增量钳位电压

波形：

8 / 20μs的脉冲

V

C

= V

C

- V

（ BR ）

1.5KE200

100

△ VC，

增量钳位电压

图。 8 - 增量钳位电压

曲线（单向）

波形：

10 / 1000μs脉冲

V

C

= V

C

- V

（ BR ）

1.5KE200

1.5KE130

1.5KE75

1.5KE130

20

10

20

10

1.5KE39

1.5KE100

1.5KE75

2.0

1.0

1.5KE39

1.5KE33

1.5KE6.8

1.5KE9.1

1.5KE18

1.5KE12

2.0

1.0

1.5KE33

1.5KE6.8

1.5KE9.1

0.2

0.1

0.5

1

2.0

10

20

I

PP

，峰值脉冲电流（ A）

50

0.2

0.1

0.5

1

2.0

10

I

PP

，峰值脉冲电流（ A）

50

图。 7 - 增量钳位电压

曲线（双向）

100

△ VC，

增量钳位电压

波形：

8 / 20μs的脉冲

V

C

= V

C

- V

（ BR ）

1.5KE200C

100

△ VC，

增量钳位电压

图。 10 - 增量钳位电压

曲线（双向）

波形：

10 / 1000μs脉冲

V

C

= V

C

- V

（ BR ）

1.5KE200C

20

10

20

10

1.5KE75C

1.5KE39C

1.5KE30C

1.5KE75C

1.5KE39C

1.5KE30C

1.5KE15C

11C

1.5KE7.5C

2.0

1.0

2.0

1.0

1.5KE15C

1.5KE11C

1.5KE7.5C

0.2

0.1

0.5

1

10

20

2.0

I

PP

，峰值脉冲电流（ A）

50

0.2

0.1

0.5

1

20

10

2.0

I

PP

，峰值脉冲电流（ A）

50

文档编号88301

30-Oct-02

www.vishay.com

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