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1N6266
砷化镓红外发光二极管
包装尺寸
0.209 (5.31)
0.184 (4.67)
特点
良好的光学机械调整
机械和波长相匹配的
TO- 18系列光电晶体管
0.030 (0.76)
0.255 (6.48)
密封包装
高辐射水平
( * )表示JEDEC注册的价值观
1.00 (25.4)
阳极
(案例)
描述
该1N6266是940的纳米LED
窄角, TO- 46封装。
概要
阳极
(接
以案例)
阴极
3
0.100 (2.54)
0.050 (1.27)
1
0.040 (1.02)
0.040 (1.02)
45°
1
3
0.020 (0.51) 2X
注意事项:
1,外形尺寸为所有的图纸都是以英寸(毫米) 。
在所有非标称尺寸2.公差± 0.010 ( 0.25 )
除非另有规定ED 。
1.减免功耗线性1.70毫瓦/ ° C以上25 ° C的环境。
2.减免功耗线性13.0毫瓦/°C, 25°C以上的情况下。
3. RMA助焊剂,推荐。
4,甲醇,异丙醇酒精建议清洗
代理商。
5.烙铁头
1/16”
( 1.6毫米)从最低住房。
6.只要线索都没有在任何压力或弹簧张力
绝对最大额定值
参数
工作温度
*储存温度
*焊接温度(铁)
( 3,4,5和6)
*焊接温度(流动)
( 3,4和6)
*连续正向电流
*正向电流( PW ,为1μs ; 200Hz时)
*反向电压
*功率耗散(T
A
= 25°C)
(1)
功率耗散(T
C
= 25°C)
(2)
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
I
F
I
F
V
R
P
D
P
D
等级
-65到+125
-65到+150
240 ,持续5秒
260 ,持续10秒
100
10
3
170
1.3
单位
°C
°C
°C
°C
mA
A
V
mW
W
电/光特性
参数
测试条件
(T
A
= 25 ℃)(脉冲条件下进行所有的测量)
典型值
最大
单位
符号
P
*峰值发射波长
发射角为1/2电源
正向电压
*反向漏电流
*辐射强度
上升时间输出的0-90 %
下降时间输出100-10 %
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 3 V
I
F
= 100毫安
935
25
±10
1.0
1.0
955
1.7
10
nm
度。
V
A
毫瓦/ SR
s
s
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V
F
I
R
Ie
t
r
t
f
1 7
2001年仙童半导体公司
DS300278
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1N6266
砷化镓红外发光二极管
最大额定值曲线
10
8
150
T
A
=最大允许环境
温度(℃)
6
4
I
F
- 输入电流(mA)
PU
LS
125
E
W
2
ID
TH
100
=
2
S
1.0
0.8
0.6
S
50
S
0
10
75
100%占空比
50
10 %占空比
周期
1 %占空比
周期
10
S
0.4
0.2
25
0.1
10
100
1000
10,000
100,000
0
.01
.02
.04 .06 .08 0.1
.2
.4
.6 .8 1.0
2
4
6
8 10
F = FREQUENCY - 赫兹
I
F
- 输入电流(mA)
图1最大脉冲能力
100
.80
60
40
图2最高温度与输入电流
10.0
8.0
6.0
4.0
I
e
- 标准化的辐射强度
I
F
- 正向电流( A)
20
10
8
6
4
2
1.0
.8
.6
.4
.2
.10
.08
.06
.04
.02
.01
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
.08
.06
.04
.02
.01
标准化为:
I
F
= 100毫安
= 0.01球面度
T
A
= 25C
.01
.02
.04 .06 .08 .1
.2
.4
.6 .8 1.0
2
4
6 8 10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
F
- 输入电流( A)
V
F
- 正向电压( V)
图3辐射强度对比
输入电流
LE /升
图4正向电压 -
正向电流
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DS300278
1N6266
砷化镓红外发光二极管
最大额定值曲线
100
80
60
1.0
I
F
- 正向电流(mA )
40
0.8
20
10
8
6
4
相对输出
1.4
1.5
0.6
T
A
= 100C
25C
-55C
0.4
2
0.2
0
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
880
900
920
940
960
980
1000
1020
V
F
- 正向电压( V)
- 波长 - 纳米
图5正向电压与正向电流
图6光谱输出
I
R
=归一化功率输出
100
80
60
40
20
10
8
6
4
2
1.0
.8
.6
.4
.2
.10
.08
.06
.04
.02
.01
I
F
= 1 A
标准化为:
I
F
= 100毫安
= 0.01球面度
T
A
= 25C
硅光电二极管
作为探测器
I
F
= 100毫安
I
F
= 10毫安
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
A
- 环境温度( ° C)
图7输出与温度的关系
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1N6266
砷化镓红外发光二极管
红外发光二极管的辐射强度
红外发光二极管( IRED )的设计-photode-
tector系统通常要求设计人员确定
红外辐射的由所接收的最小量
光检测器,其然后允许photode-的定义
tector电流。在此之前推出的1N6266后,
估算接收的光检测器的最佳方法
红外线是几何比例分段英特
用指定微型典型波束图案的格雷申
妈妈总输出功率红外发光二极管的。然而,由于
的IRED积分透镜和光束的不一致
叶,此过程将不提供有效的估计。
该1N6266现在提供设计规范
它精确地定义沿着设备的红外光束
机械轴。该1N6266是一种优质的设备选择 -
编辑给的25毫瓦/球面度最低辐射强度
到0.01的球面度的设备的引用
机械轴和飞机座位。辐射强度是
红外发光二极管光束的功率输出,在指定立体角内,
每单位立体角。
几何体的快速审查表明,一个球面度是
单位立体角的,参考一个球体的中心,
由投影的面积的4倍之比定义
立体角的范围的面积。立体角是
等于由平方半径分割的投影面积。
球面度= 4
A/4
R
2
= A / R
2
=
辐射强度提供了一种简便,准确的工具来calcu-
后期由光电探测器接收到的红外接收双相指令的权力
ED在IRED轴。随着设备被选择为
光束特性,计算出的结果是有效的
最坏情况分析。对于许多应用来说一个简单的
近似光电探测器辐照度:
H
即/ D
2
在毫瓦/平方厘米
2
其中,d是从红外发光二极管的检测器的距离
厘米。
红外发光二极管的功率输出,因此也就是说,取决于IRED
电流。这种变化(我
e
/ I),被记录在图3中,
并完成了近似: H =我
e
/d
2
( I
e
/ I) 。这
通常给出辐照度的保守值。为
更准确的结果,进行精确角度的效果观察
由检测器必须被考虑。这是记录
在图8 (我
e
/ ) ,并提供:
)在毫瓦/平方厘米
2
H =我
e
/d
2
( I
e
/
对于最坏情况设计,温度系数和允差
erances必须加以考虑。
该检测器的最小输出电流(I
L
)可
确定了检测器的从一个给定的距离(d)
红外发光二极管。
I
L
= (S )H-
(S )I
e
/d
2
or
I
L
= (S) H = (S) - (我
e
/d
2
) ( I
e
/ ) ( I
e
/ I)
作为投影面积具有圆形的周边,一个几何
整合将解决显示的关系
圆锥的笛卡尔角( ) , (从该中心
球体),以投影面积。
= 2( 1 - COS
2
)
其中,S是所述检测器的输出方面的灵敏度
把每单位辐射电流从砷化镓来源。
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DS300278
1N6266
砷化镓红外发光二极管
红外发光二极管辐射强度规格CONCEPT
IRED飞机座位
中心
IRED轴
C和
L
飞机座位
IRED
区域"A"
接收
电源"Pw"
C
L
d
2
I
e
= PW /毫瓦/球面度
H = PW / A = I
e
/d
2
毫瓦/平方厘米
2
= A / D
2
= 2 (I - COS
)球面度
MATCHING与1N6266光电晶体管
假设需要10毫安I系统
L
在一个IRED到检测器2厘米(座位飞机座位平面)的间距,与
偏置条件规范点。
鉴于:D
1
= 2厘米,我
L
= 10 mA最小;我
e
= 25毫瓦/球面度
那么:
1
I
e
/d
12
= 25/(2)
2
= 6.25毫瓦/平方厘米
2
检测评价:
I
L
@
TYPE
mA
L14G1
1
L14G2
0.5
我计算
L
@ d
1
是:
L14G1 (S )H-
1
= ( 2 ) 6.25 = 12.5毫安
L14G2 (S )H-
1
= ( 1 ) 6.25 = 6.25毫安
H(砷化镓)
毫瓦/平方厘米
2
0.5
0.5
S(砷化镓)
毫安/毫瓦/平方厘米
2
2
1
因为该系统需要一个I
L
10毫安最低使用正确的设备是L14G1 。
典型特征
1.4
= A
r
2
1.2
= 2 (I - COS
1.0
r
0.8
2
)
A区
I
F
- 标准化的辐射强度
0.6
标准化为:
IF = 100毫安
= 0.01球面度
TA = 25°C
0.4
0.2
0.1
.001
1
2
.002
1
3
.004 .006
1
4
1
5
.01
1
7
.02
1
10
.04 .06.08 .1
1
15
1
20
球面度 -
度 -
.6 .8 1.0
1
45
1
60
图8强和功率对角升
e
/
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