1N6102A
QPL
500瓦轴向引线TVS
THRU
1N6137A
电话： 805-498-2111传真： 805-498-3804
描述
该1N61xx系列瞬态电压抑制器是
旨在保护军用和商用电子
设备的过电压造成的雷击，防静电，
EFT ，感性负载切换和EMP 。这些设备是
使用两个pn结的TVS二极管的背用于─构造
背面配置，密封在一无空隙的玻璃
封装。的密封包装物提供了高
可靠性在恶劣的环境条件。 TVS二极管
的特征还在于它们的高浪涌能力，低
操作和钳位电压，并在理论上
瞬时响应时间。这使得它们非常适合
对于敏感的半导体板级保护利用
组件。
产品特点：
500瓦峰值脉冲功率（ TP = 10 / 1000μs ）
无空隙密封的玻璃封装
冶金结合
高浪涌能力
军事&工业应用
可在
JAN ， JTX ，
和
JTXV
每个版本
MIL-S-19500/516
机械特性：
气密密封的玻璃封装
镀锡铜引线
标识： P / N ，日期代码，标识
最大额定值
等级
峰值脉冲功率（ TP = 10× 1000μs ）
工作温度
储存温度
稳态功率耗散@ TL = 75℃ （ 3/8“ ）
符号
PPK
Tj
TSTG
PD
价值
500
-65到+175
-65到+175
3
单位
瓦
°C
°C
瓦
电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
设备
TYPE
反向
对峙
电压
V
RWM
1N6102A
1N6103A
1N6104A
1N6105A
1N6106A
1N6107A
1N6108A
1N6109A
1N6110A
1N6111A
1N6112A
1N6113A
1N6114A
1N6115A
1N6116A
1N6117A
1N6118A
1N6119A
1N6120A
1N6121A
1N6122A
1N6123A
1N6124A
1N6125A
1N6126A
1N6127A
1N6128A
1N6129A
1N6130A
1N6131A
1N6132A
1N6133A
1N6134A
1N6135A
1N6136A
1N6137A
(V)
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
反向
泄漏
当前
I
R
(A)
100
50
20
20
20
20
20
20
20
20
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
最低
击穿
电压
V
BR
@ I
T
(V)
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.0
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95.0
104.5
114.0
123.5
142.5
152.0
171.0
190.0
TEST
当前
I
T
（MA ）
175
175
150
150
125
125
100
100
75
75
65
65
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
15
15
12
12
10
10
8
8
5
5
最大
夹紧
电压
VC @我
PP
(V)
10.5
11.2
12.1
13.4
14.5
15.6
16.9
18.2
21.0
22.3
25.1
27.7
30.5
33.3
37.4
41.6
45.7
49.9
53.6
59.1
64.6
70.1
77.0
85.3
97.1
103.1
112.8
125.1
137.6
151.3
165.1
178.8
206.3
218.4
245.7
273.0
峰值脉冲
当前
IPP
TP = 1毫秒
(A)
47.6
44.6
41.3
37.3
34.5
32.0
29.6
27.5
23.8
22.4
19.9
18.0
16.4
15.0
13.4
12.0
10.9
10.0
9.3
8.5
7.7
7.1
6.5
5.9
5.1
4.8
4.4
4.0
3.6
3.3
3.0
2.8
2.4
2.3
2.0
1.8
温度
系数
V的
BR
γVZ
% / °C
0.05
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.085
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.100
0.100
0.100
0.100
0.100
0.100
0.100
0.100
0.105
0.105
0.105
0.110
0.110
最大
反向
泄漏
电流（ IR2 ）
TA=+150°C
(A)
4000
750
500
300
200
200
150
150
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
1.非A部分具有较高的5 ％的钳位电压，低5 ％，最小击穿电压和较低的5 ％的峰值脉冲电流。
1997 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
1N6102A
QPL
500瓦轴向引线TVS
THRU
1N6137A
电话： 805-498-2111传真： 805-498-3804
峰值脉冲功率与脉冲时间
100
10x1000μs型脉冲波形
PPP - 峰值脉冲功率（kW ）
10
1
0.1
0.1
1
10
100
1000
10000
脉冲持续时间（我们）
稳态降额特性
空气自由支撑架
2.5
脉冲降额曲线
100
PP或
在IPP ％
最大的
评级
脉冲条件为
由10× 1000US定义
脉冲波形
2
1.5
MAX 。功率（W）的
60
1
40
0.5
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
0
40
80
TJ （OC）
120
160
200
环境温度（ TA ）的摄氏度
机械概要
概要
B
A
C
暗淡
N
尺寸
英寸
MM
记
最小值最大值最小值最大值
0.085
1.00
0.140
0.026
0.140
1.300
0.245
0.033
2.1
25.4
3.5
0.66
3.6
33.0
6.3
0.84
2
D
B
A
B
C
D
注意事项：
1.控制尺寸为英寸。
2.包括器件引线不受控制的区域。
1997 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5073 ， REV 。 -
瞬态电压抑制二极管， 500W
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
o
o
工作和存储温度： -55℃至+175
SS6102A /美通SS6137A /美
系列
TYPE
500W
1N6102A/US
1N6103A/US
1N6104A/US
1N6105A/US
1N6106A/US
1N6107A/US
1N6108A/US
1N6109A/US
1N6110A/US
1N6111A/US
1N6112A/US
1N6113A/US
1N6114A/US
1N6115A/US
1N6116A/US
1N6117A/US
1N6118A/US
1N6119A/US
1N6120A/US
1N6121A/US
1N6122A/US
1N6123A/US
1N6124A/US
1N6125A/US
1N6126A/US
1N6127A/US
1N6128A/US
1N6129A/US
1N6130A/US
1N6131A/US
1N6132A/US
1N6133A/US
1N6134A/US
1N6135A/US
1N6136A/US
1N6137A/US
民
击穿
电压
V（ BR ） @ I（ BR ）
VDC
6.12
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95.0
104.5
114.0
123.5
142.5
152
171
190
直流毫安
175
175
150
150
125
125
100
100
75
75
65
65
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
15
15
12
12
10
10
8.0
8.0
5.0
5.0
工作
反向峰值
电压
VRWM
VDC
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
最大
反向
当前
IR1
μAdc
500
300
100
100
100
20
20
20
20
20
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
MAX 。 CLAMP 。
电压
VC @ IP
TP = 1毫秒
V（ PK）
10.5
11.2
12.1
13.4
14.5
15.6
16.9
18.2
21.0
22.3
25.1
27.7
30.5
33.3
37.4
41.6
45.7
49.9
53.6
59.1
64.6
70.1
77.0
85.3
97.1
103.1
112.8
125.1
137.6
151.3
165.1
178.8
206.3
218.4
245.7
273.0
马克斯。高峰
脉冲
当前
IP
A（ PK）
142.8
133.9
124.0
111.9
103.4
96.2
88.8
82.4
71.4
67.3
59.8
54.2
49.2
45.0
40.1
36.0
32.8
30.1
28.0
25.4
23.2
21.4
19.5
17.6
15.4
14.5
13.3
12.0
10.9
9.9
9.1
8.4
7.3
6.9
6.1
5.5
马克斯。温度。
系数
V（ BR ）
% /
°C
.05
.06
.06
.06
.07
.07
.07
.08
.08
.08
.085
.085
.085
.09
.09
.09
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.105
.105
.105
.110
.110
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5073 ， REV 。 -
SS6102A /美通SS6137A /美
外形尺寸（英寸） / （毫米）
轴向
包
风格
轴向
尺寸 - 英寸/ MILLIMETERS
φB
φD
.026/.033
.085/.140
.66/.84
2.16/3.56
G
.140/.185
3.56/4.70
L
1.00/1.30
25.4/33.02
MELF
R = 0.020最大
风格
MELF
A
.200/.225
5.08/5.72
B
.019/.028
.48/.71
C
.003MIN
.08MIN
D
.137/.148
3.48/3.76
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5073 ， REV 。 -
SS6102A /美通SS6137A /美
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5074 ， REV 。 -
瞬态电压抑制二极管， 500W
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
o
o
工作和存储温度： -55℃至+175
1N6102A /美通1N6137A /美
SJ
SX
SV
系列
TYPE
500W
1N6102A/US
1N6103A/US
1N6104A/US
1N6105A/US
1N6106A/US
1N6107A/US
1N6108A/US
1N6109A/US
1N6110A/US
1N6111A/US
1N6112A/US
1N6113A/US
1N6114A/US
1N6115A/US
1N6116A/US
1N6117A/US
1N6118A/US
1N6119A/US
1N6120A/US
1N6121A/US
1N6122A/US
1N6123A/US
1N6124A/US
1N6125A/US
1N6126A/US
1N6127A/US
1N6128A/US
1N6129A/US
1N6130A/US
1N6131A/US
1N6132A/US
1N6133A/US
1N6134A/US
1N6135A/US
1N6136A/US
1N6137A/US
民
击穿
电压
V（ BR ） @ I（ BR ）
VDC
6.12
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95.0
104.5
114.0
123.5
142.5
152
171
190
直流毫安
175
175
150
150
125
125
100
100
75
75
65
65
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
15
15
12
12
10
10
8.0
8.0
5.0
5.0
工作
反向峰值
电压
VRWM
VDC
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
最大
反向
当前
IR1
μAdc
500
300
100
100
100
20
20
20
20
20
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
MAX 。 CLAMP 。
电压
VC @ IP
TP = 1毫秒
V（ PK）
10.5
11.2
12.1
13.4
14.5
15.6
16.9
18.2
21.0
22.3
25.1
27.7
30.5
33.3
37.4
41.6
45.7
49.9
53.6
59.1
64.6
70.1
77.0
85.3
97.1
103.1
112.8
125.1
137.6
151.3
165.1
178.8
206.3
218.4
245.7
273.0
马克斯。高峰
脉冲
当前
IP
A（ PK）
142.8
133.9
124.0
111.9
103.4
96.2
88.8
82.4
71.4
67.3
59.8
54.2
49.2
45.0
40.1
36.0
32.8
30.1
28.0
25.4
23.2
21.4
19.5
17.6
15.4
14.5
13.3
12.0
10.9
9.9
9.1
8.4
7.3
6.9
6.1
5.5
马克斯。温度。
系数
V（ BR ）
% /
°C
.05
.06
.06
.06
.07
.07
.07
.08
.08
.08
.085
.085
.085
.09
.09
.09
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.105
.105
.105
.110
.110
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5074 ， REV 。 -
1N6102A /美通1N6137A /美
外形尺寸（英寸） / （毫米）
轴向
包
风格
轴向
尺寸 - 英寸/ MILLIMETERS
φB
φD
.026/.033
.085/.140
.66/.84
2.16/3.56
G
.140/.185
3.56/4.70
L
1.00/1.30
25.4/33.02
MELF
R = 0.020最大
风格
MELF
A
.200/.225
5.08/5.72
B
.019/.028
.48/.71
C
.003MIN
.08MIN
D
.137/.148
3.48/3.76
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SENSITRON
半导体
技术参数
DATA SHEET 5074 REV 。 -
1N6102A /美通1N6137A /美
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表287 ， REV -
1N6102A通
1N6137A
瞬态电压抑制器二极管
（轴向引线和MELF ）
瞬态电压抑制器， 500W系列
系列
TYPE
突破性
下
电压
I（ BR ）
TEST
当前
I（ BR ）
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
最大
反向
当前
IR1
马克斯。
钳。
电压
V
C
（最大）
@ IP
TP = 1毫秒
500W
马克斯。
PEAK
脉冲
当前
IP
马克斯。
温度。
coefficien
T
V（ BR ）
马克斯。
反向
当前
@ TA =
150°C
包
风格
分钟。 VDC
直流毫安
VDC
μAdc
V（ PK）
A（ PK）
% /
°C
μAdc
1N6102A
6.46
175
5.2
100
1N6103A
7.13
175
5.7
50
1N6104A
7.79
150
6.2
20
1N6105A
8.65
150
6.9
20
1N6106A
9.50
125
7.6
20
1N6107A
10.45
125
8.4
20
1N6108A
11.40
100
9.1
20
1N6109A
12.35
100
9.9
20
1N6110A
14.25
75
11.4
20
1N6111A
15.20
75
12.2
20
1N6112A
17.10
65
13.7
1.0
1N6113A
19.00
65
15.2
1.0
1N6114A
20.9
50
16.7
1.0
1N6115A
22.8
50
18.2
1.0
1N6116A
25.7
50
20.6
1.0
1N6117A
28.5
40
22.8
1.0
1N6118A
31.4
40
25.1
1.0
1N6119A
34.2
30
27.4
1.0
1N6120A
37.1
30
29.7
1.0
1N6121A
40.9
30
32.7
1.0
1N6122A
44.7
25
35.8
1.0
1N6123A
48.5
25
38.8
1.0
1N6124A
53.2
20
42.6
1.0
1N6125A
58.9
20
47.1
1.0
1N6126A
64.6
20
51.7
1.0
1N6127A
71.3
20
56.0
1.0
1N6128A
77.9
15
62.2
1.0
1N6129A
86.5
15
69.2
1.0
1N6130A
95.0
12
76.0
1.0
1N6131A
104.5
12
83.6
1.0
1N6132A
114.0
10
91.2
1.0
1N6133A
123.5
10
98.8
1.0
1N6134A
142.5
8.0
114.0
1.0
1N6135A
152
8.0
121.6
1.0
1N6136A
171
5.0
136.8
1.0
1N6137A
190
5.0
152.0
1.0
注意事项：
- PR = 2W为500W峰值脉冲功率器件在TA = + 25°C 。
- PPR = 500W
-55°C
≤
顶部
≤
+175°C, -55°C
≤
TSTG
≤
+ 175℃ （环境温度） 。
10.5
11.2
12.1
13.4
14.5
15.6
16.9
18.2
21.0
22.3
25.1
27.7
30.5
33.3
37.4
41.6
45.7
49.9
53.6
59.1
64.6
70.1
77.0
85.3
97.1
103.1
112.8
125.1
137.6
151.3
165.1
178.8
206.3
218.4
245.7
273.0
47.6
44.6
41.3
37.3
34.5
32.0
29.6
27.5
23.8
22.4
19.9
18.0
16.4
15.0
13.4
12.0
10.9
10.0
9.3
8.5
7.7
7.1
6.5
5.9
5.1
4.8
4.4
4.0
3.6
3.3
3.0
2.8
2.4
2.3
2.0
1.8
.05
.06
.06
.06
.07
.07
.07
.08
.08
.08
.085
.085
.085
.09
.09
.09
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.105
.105
.105
.110
.110
4,000
750
500
300
200
200
150
150
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
- 对于L PR = 3W （为500W峰值脉冲功率器件在TL = + 75 ° C = 0.375英寸（ 9.53毫米） 。
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1N6102A通
1N6137A
SENSITRON
技术参数
数据表287 ， REV -
机械尺寸：单位：英寸/毫米
轴向
MELF
8
500 W
1N6102A - 1N6137A
包装尺寸 - 英寸/ MILLIMETERS
风格
G
L
φB
φD
.026/.033 .085/.140 .140/.185 1.00/1.30
401
.66/.84
2.16/3.56 3.56/4.70 25.4/33.02
500 W
包
风格
MELF -B
8
R = 0.020最大
1N6102AUS - 1N6137AUS
尺寸 - 英寸/ MILLIMETERS
A
B
C
.200/.225
.019/.028
0.003敏
5.08/5.72
0.48/0.71
0.08 MIN
D
.137/.148
3.48/3.76
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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