UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
1N60A
0.5A ， 600V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
1N60A
是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关电源中的应用， PWM马达控制，高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
功率MOSFET
特点
* V
DS
= 600V
* I
D
= 0.5A
* R
DS （ ON）
=15@V
GS
= 10V.
*超低栅极电荷（典型值8.0nC ）
*低反向传输电容（C
RSS
= 3.0 pF的（最大） ）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
1N60AL-T92-B
1N60AG-T92-B
1N60AL-T92-K
1N60AG-T92-K
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
磁带盒
体积
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1第8
QW-R502-091,F
1N60A
绝对最大额定值
(
T
C
= 25℃ ，除非另有说明）。
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
600
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
连续漏电流
I
D
0.5
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
2
A
单脉冲（注3 ）
E
AS
50
mJ
雪崩能量
3.6
4.0
mJ
重复的（注2）
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
功率耗散（T
C
=25°C)
3
W
P
D
减免上述25℃
25
毫瓦/°C的
结温
T
J
+150
°C
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 92mH ，我
AS
= 0.8A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=25°C
4. I
SD
≤1.0A,
DI / dt≤100A / μs的，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25°C
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
评级
120
单位
° C / W
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2第8
QW-R502-091,F
1N60A
电气特性
(T
J
= 25C ，除非另有说明）。
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
功率MOSFET
民
600
典型最大单位
V
μA
nA
nA
V /°C的
4.2
15
100
20
3
12
11
40
18
8
1.8
4.0
34
32
90
46
10
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
前锋
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
反向
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
击穿电压温度
I
D
= 250μA
ΔBV
DSS
/
△
T
J
系数
参考25 ℃下
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 300V ，我
D
= 0.5A ，R
G
=5
开启上升时间
t
R
（注1,2 ）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=480V, V
GS
= 10V ，我
D
=0.8A
栅极 - 源电荷
Q
GS
（注1,2 ）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.2A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.2A
的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲width≤300μs ，职务cycle≤2 ％
2.基本上是独立的工作温度。
10
100
-100
0.4
2.0
11
1.6
1.2
4.8
136
0.3
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3 8
QW-R502-091,F
1N60A
测试电路和波形
+
V
DS
-
+
-
L
功率MOSFET
D.U.T.
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
峰值二极管恢复dv / dt的波形
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4 8
QW-R502-091,F
1N60A
测试电路和波形（续）
R
L
V
DD
V
DS
V
GS
R
G
10%
t
D（上）
t
R
功率MOSFET
V
DS
90%
10V
脉冲Width≤为1μs
值班Factor≤0.1 ％
D.U.T.
V
GS
t
D（关闭）
t
F
切换测试电路
开关波形
12V
50k
0.2μF
V
GS
0.3μF
同一类型
作为D.U.T.
V
DS
10V
Q
GS
Q
G
Q
GD
DUT
1mA
V
GS
收费
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
BV
DSS
I
AS
I
D（T）
V
DD
V
DS （T ）
t
p
时间
非钳位感应开关测试电路
非钳位感应开关波形
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5 8
QW-R502-091,F
黄金保税
1N60A
锗二极管
优化的无线电频率响应
可以在许多AM，FM和电视中频应用中使用，代替点接触装置。
应用
AM / FM检波器
比探测器
FM鉴
电视音频探测器
RF输入探头
TV视频探测器
0.018 -0.022 "
0.458 -.558 m m
D 2 O -7摹姑娘套餐
特点
低漏电流
平结电容
机械强度高
至少100万小时MTBF
1.0"
25.4 m m
（M in。）的
长
0.230 -0.30"
5.85-7.6 2m m
迪亚
0.085 -.10 7 "
2.16-2.71 m m
BKC的Σ- BOND镀
问题免费的可焊性
绝对最大额定值
在T
AMB
= 25
O
C
参数
峰值反向电压
峰值正向浪涌电流非重复性， T = 1秒
峰值正向浪涌电流重复
平均正向电流整流
工作和存储温度
电气特性
在T
AMB
= 25
O
C
参数
测试条件
正向电压降
I
F
= 5毫安
击穿电压
反向漏
IR = 1.0毫安
V
R
= 10伏
符号
PIV
I
FSM
I
FSR
I
O
T
& STG
符号
V
F
PIV
I
R
-55
分钟。
典型值。
**
分钟。
**
马克斯。
45
0.2
50
50
+75
马克斯。
1.0
单位
伏
安培
mA
mA
O
C
单位
伏
伏
**
65
A
45
动态电阻输入周期@ 40MHz的
调制@ 400 Hz输入Voltage1.6 VRMS
无调制的RC滤波网络R = 4.7 K， C = 5 pF的
DR
1.55
伏（峰 - 峰值）
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
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1N60A
0.5安培， 600伏
N沟道MOSFET
描述
与UTC 1N60A是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关电源中的应用， PWM马达控制，高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
1
TO-92
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
=11@V
GS
= 10V.
*超低栅极电荷（典型值8.0nC ）
*低反向传输电容（C
RSS
= 3.0 pF的（最大） ）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
*无铅电镀产品编号： 1N60AL
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订单号
包
正常
无铅电镀
1N60A-T92-B
1N60AL-T92-B
TO-92
1N60A-T92-K
1N60AL-T92-K
TO-92
1N60A-T92-R
1N60AL-T92-R
TO-92
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
磁带盒
体积
带盘
1N60AL-T92-B
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ） B：磁带盒， K：散装， R：带卷轴
（ 2 ） T92 ： TO- 92
（ 3）L ：无铅电镀空白：铅/锡
,
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1第8
QW-R502-091,B
1N60A
绝对最大额定值（
T
C
= 25 ℃ ，除非另有说明）。
参数
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
600
V
栅源电压
±30
V
T
C
= 25℃
0.5
连续漏电流
I
D
A
T
C
= 100℃
0.4
漏电流脉冲（注2 ）
I
DP
2
A
重复（注1 ）
E
AR
3.6
4.0
mJ
雪崩能量
50
mJ
单脉冲（注2 ）
E
AS
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
T
C
=25℃
3
W
总功耗
P
D
减免上述25℃
25
毫瓦/ °
工作结温
T
J
-55 ~ +150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
热阻结到环境
热阻案例散热器
符号
θ
JA
θ
CS
民
典型值
0.5
最大
120
单位
℃/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃ ，除非另有说明）。
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
前锋
反向
符号
测试条件
民
600
0.4
1
10
-10
2.0
11
4.0
15
100
20
3
12
11
40
18
8
1.8
4.0
34
32
90
46
10
典型值
最大
单位
V
V/℃
A
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
ΔBV
DSS
/
I
D
= 250μA ，参考25 ℃
△
T
J
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
I
DSS
V
DS
= 480V ，T
C
= 125℃
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
I
GSS
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
GD
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
= 300V ，我
D
= 0.5A ，R
G
=5
（注4,5 ）
V
DS
=480V, V
GS
= 10V ，我
D
=0.8A
（注4,5 ）
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2第8
QW-R502-091,B
1N60A
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
漏源二极管的特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 0.8A,
连续漏 - 源电流
I
SD
脉冲漏源电流
I
SM
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0V时，我
S
= 0.8A
的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
注： 1。 Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2， L = 92mH ，我
AS
= 1.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=25℃
3. I
SD
≤1.0A,
DI / dt≤100A / μs的，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25℃
4.脉冲测试：脉冲Width≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
5.基本上是独立的工作温度。
民
功率MOSFET
典型值
最大
1.6
1.2
4.8
单位
V
A
A
ns
C
136
0.3
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3 8
QW-R502-091,B
1N60A
测试电路和波形
功率MOSFET
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
图。 1A峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
P.W.
期
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复dv
/ DT
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
图。 1B峰值二极管恢复dv / dt的波形
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4 8
QW-R502-091,B
1N60A
测试电路和波形（续）
R
L
V
DD
功率MOSFET
V
DS
V
GS
R
G
V
DS
90%
10V
脉冲宽度
≤
1μs
占空比
≤0.1%
D.U.T.
V
GS
10%
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
图。 2A开关测试电路
图。 2B的开关波形
50kΩ
12V
0.2μF
0.3μF
同一类型
作为D.U.T.
10V
V
DS
Q
GS
Q
G
Q
GD
V
GS
DUT
1mA
V
G
收费
图。 3A栅极电荷测试电路
图。 3B栅极电荷波形
L
V
DS
BV
DSS
R
G
V
DD
D.U.T.
10V
t
p
I
AS
t
p
时间
图。 4A非钳位感应开关测试电路
图。 4B非钳位感应开关波形
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5 8
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