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硅雪崩二极管
1500瓦金属轴向引线型瞬态电压抑制器
1N60系列
特点
密封式
击穿电压范围6.8 - 200伏
玻璃钝化结
出色的钳位能力
低阻抗齐纳
100 %的浪涌测试
-55 ° C至+ 150°C
双向
6
硅二极管
阵列
闵31.8
最大
5.33
7.5
9.0
闵25.4
最大
0.8
5.58
最大额定值
峰值脉冲功率(PPK ) : 15000瓦( 10× 1000μs ) @ 25°C
(见图表3页的波形)
1瓦特稳定状态
响应时间: 1 ×10
-12
秒(理论值)
工作&储存温度: -55 ° C至+ 150°C
机械特性
案例:金属密封DO- 13封装
终端:轴向引线,焊每MIL -STD- 202
方法208
焊引线= 230 ℃,10秒(从壳体1.59毫米)
重量: 1.5克(约)
机构认证:
根据公认的组件
节目保险商实验室。
代理文件编号:
E128662
订购信息
1N60 X X A
尺寸:mm
参考电压
5 %的电压公差
包装选项
B =散装(500个)
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
317
硅雪崩二极管
1500瓦金属轴向引线型瞬态电压抑制器
1N60系列
100%
50%
容许的
面积
手术
0
0°C
50°C
100°C
TAMB
°C
150°C
200°C
图1 - 峰值功率降额曲线
在25°C等级%的峰值脉冲功率
W
1.0
0.75
0.50
容许的
面积
手术
0.25
0
0°C
50°C
100°C
TAMB
°C
150°C
200
°
C
图2 - 连续的直流电源降额曲线
连续的直流功耗
318
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
硅雪崩二极管
1500瓦金属轴向引线型瞬态电压抑制器
1N60系列
电气规格@环境温度Tamb 25℃
部分
反向
站在关
电压
V
R
(伏)
5.5
6.0
6.5
7.0
7.0
7.5
8.0
8.5
8.5
9.0
9.0
10.0
10.0
11.0
11.0
12.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
24.0
25.0
26.0
28.0
29.0
30.0
击穿
电压
V
BR
(伏特) @
I
T
6.75
7.13
7.38
7.79
8.19
8.65
9.00
9.50
9.90
10.50
10.80
11.40
11.70
12.40
13.50
14.30
14.40
15.20
16.20
17.10
18.00
19.00
19.80
20.90
21.60
22.80
24.30
25.70
27.00
28.50
29.70
31.40
32.40
34.20
最大
8.25
7.88
9.02
8.61
10.00
9.55
11.00
10.50
12.10
11.60
13.20
12.60
14.30
13.70
16.50
15.80
17.60
16.80
19.80
18.90
22.00
21.00
24.20
23.10
26.40
25.20
29.70
28.40
33.00
31.50
36.30
34.70
39.60
37.80
(MA )
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
反向
泄漏
I
R
@ V
R
(A)
1000.0
1000.0
500.0
500.0
200.0
200.0
50.0
50.0
10.0
10.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
最大
夹紧
电压
V
C
@
I
PP
(伏)
11.7
11.3
12.5
12.1
13.8
13.4
15.0
14.5
16.2
15.6
17.3
16.7
19.0
18.2
22.0
21.2
23.5
22.5
26.5
25.2
29.1
27.7
31.9
30.6
34.7
33.2
39.1
37.5
43.5
41.4
47.7
45.7
52.0
49.9
最大
峰值脉冲
当前
I
PP
(A)
128.0
132.0
120.0
124.0
109.0
112.0
100.0
103.0
93.0
96.0
87.0
90.0
79.0
82.0
68.0
71.0
64.0
67.0
56.5
59.5
51.5
54.0
47.0
49.0
43.0
45.0
38.5
40.0
34.5
36.0
31.5
33.0
29.0
30.0
最大
电压
温度
变异
V的
BR
(毫伏/ ° C)
5.0
5.0
5.0
5.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
8.0
9.0
9.0
10.0
10.0
11.0
12.0
12.0
13.0
14.0
15.0
17.0
18.0
19.0
20.0
24.0
24.0
27.0
28.0
36.0
31.0
32.0
34.0
36.0
37.0
6
硅二极管
阵列
319
1N6036*
1N6036A*
1N6037*
1N6037A*
1N6038
1N6038A
1N6039
1N6039A
1N6040*
1N6040A*
1N6041*
1N6041A*
1N6042
1N6042A
1N6043
1N6043A
1N6044
1N6044A
1N6045*
1N6045A*
1N6046
1N6046A
1N6047
1N6047A
1N6048
1N6048A
1N6049*
1N6049A*
1N6050
1N6050A
1N6051*
1N6051A*
1N6052
1N6052A
后缀“A”表示5 %的容差的设备,没有后缀表示10 %容差的设备。
*首选的电压。
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
硅雪崩二极管
1500瓦金属轴向引线型瞬态电压抑制器
1N60系列
电气规格@环境温度Tamb 25℃
部分
反向
站在关
电压
V
R
(伏)
31.0
33.0
34.0
36.0
38.0
40.0
41.0
43.0
45.0
47.0
48.0
53.0
55.0
58.0
60.0
64.0
66.0
70.0
73.0
75.0
81.0
82.0
90.0
94.0
95.0
100.0
105.0
110.0
121.0
128.0
137.0
145.0
145.0
150.0
155.0
160.0
165.0
170.0
175.0
185.0
击穿
电压
V
BR
(伏特) @
I
T
35.10
37.10
38.70
40.90
42.30
44.70
45.90
48.50
50.4
53.2
55.8
58.9
61.2
64.6
67.5
71.3
73.8
77.9
81.9
86.5
90.0
95.0
99.0
105.0
108.0
114.0
117.0
124.0
135.0
143.0
153.0
162.0
162.0
171.0
171.0
181.0
180.0
190.0
198.0
209.0
最大
42.90
41.00
47.30
45.20
51.70
49.40
56.10
53.60
61.6
58.8
68.2
65.1
74.8
71.4
82.5
78.8
90.2
86.1
100.0
95.5
110.0
105.0
121.0
116.0
132.0
126.0
143.0
137.0
165.0
158.0
187.0
179.0
198.0
189.0
210.0
200.0
220.0
210.0
242.0
231.0
(MA )
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
反向
泄漏
I
R
@ V
R
(A)
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
最大
夹紧
电压
V
C
@
I
PP
(伏)
56.4
53.9
61.9
59.3
67.8
64.8
73.5
70.1
80.5
77.0
89.0
85.0
98.0
92.0
108.0
103.0
118.0
113.0
131.0
125.0
144.0
137.0
158.0
152.0
173.0
165.0
187.0
179.0
215.0
207.0
258.0
245.0
274.0
261.0
292.0
278.0
308.0
294.0
344.0
328.0
最大
峰值脉冲
当前
I
PP
(A)
26.5
28.0
24.0
25.3
22.2
23.2
20.4
21.4
18.6
19.5
16.9
17.7
15.3
16.3
13.9
14.6
12.7
13.3
11.4
12.0
10.4
11.0
9.5
9.9
8.7
9.1
8.0
8.4
7.0
7.2
5.8
6.1
5.5
5.7
5.1
5.4
4.9
5.1
4.3
4.6
最大
电压
温度
变异
V的
BR
(毫伏/ ° C)
39.0
40.0
44.0
43.0
49.0
47.0
53.0
51.0
58.0
56.0
64.0
62.0
70.0
68.0
77.0
75.0
84.0
82.0
90.0
86.0
99.0
94.0
109.0
104.0
120.0
115.0
131.0
125.0
142.0
136.0
164.0
157.0
175.0
167.0
186.0
188.0
197.0
188.0
219.0
209.0
1N6053*
1N6053A*
1N6054*
1N6054A*
1N6055*
1N6055A*
1N6056*
1N6056A*
1N6057
1N6057A
1N6058*
1N6058A*
1N6059*
1N6059A*
1N6060*
1N6060A*
1N6061*
1N6061A*
1N6062
1N6062A
1N6063*
1N6063A*
1N6064*
1N6064A*
1N6065
1N6065A
1N6066
1N6066A
1N6067
1N6067A
1N6068
1N6068A
1N6069*
1N6069A*
1N6070
1N6070A
1N6071*
1N6071A*
1N6072
1N6072A
后缀“A”表示5 %的容差的设备,没有后缀表示10 %容差的设备。
*首选的电压。
320
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    1N6049A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
1N6049A
微芯
21+22+
19200
原装正品欢迎询价
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电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
1N6049A
Microchip
21+
10500
███原装现货正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881281130 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881281129 复制
电话:0755-83286481/83272554/83272638/83272823
联系人:张
地址:深圳市龙岗区坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602
1N6049A
Microchip Technology
23+
6000
DO-13
瞬态电压抑制器
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
10134
贴◆插
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
1N6049A
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9881
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电话:400-168-7299
联系人:King
地址:深圳市福田区福田街道福安社区福华一路国际商会大厦A栋1305-1306
1N6049A
MICROCHIP/微芯
22+
5500
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
1N6049A
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联系人:肖先生
地址:福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
1N6049A
36
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
1N6049A
Microchip Technology
24+
89025
DO-13
全新原装现货,原厂代理。
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