齐纳二极管1N5985B - 1N6025B
齐纳二极管
1N5985B - 1N6025B
绝对最大额定值*
符号
P
D
参数
功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
T
J
, T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
500
4.0
-65到+200
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
V
Z
（ V） @我
Z
（注1 ）
设备
1N5985B
1N5986B
1N5987B
1N5988B
1N5989B
1N5990B
1N5991B
1N5992B
1N5993B
1N5994B
1N5995B
1N5996B
1N5997B
1N5998B
1N5999B
1N6000B
1N6001B
1N6002B
1N6003B
1N6004B
1N6005B
1N6006B
1N6007B
1N6008B
1N6009B
1N6010B
1N6011B
1N6012B
1N6013B
1N6014B
分钟。
2.58
2.565
2.85
3.135
3.42
3.705
4.085
4.465
4.845
5.32
5.89
6.46
7.125
7.79
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
典型值。
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
马克斯。
2.52
2.835
3.15
3.465
3.78
4.095
4.515
4.935
5.355
5.88
6.51
7.14
7.875
8.61
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试电流
I
Z
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
齐纳阻抗
Z
Z
@ I
Z
()
100
100
95
95
90
90
88
70
50
25
10
8
7
7
10
15
18
22
25
32
36
42
48
55
62
70
78
88
95
130
Z
ZK
@ I
ZK
= 250A
()
1800
1900
2000
2200
2300
2400
2500
2200
2050
1800
1300
750
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
漏电流
I
R
（MA ）
100
75
50
25
15
10
5
3
2
2
1
1
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
5.2
6
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
11
12
14
15
17
18
21
23
25
27
30
I
ZM
（MA ）
（注2 ）
208
185
167
152
139
128
116
106
98
89
81
74
67
61
55
50
45
42
38
33
31
28
25
23
21
19
17
15
14
13
2004仙童半导体公司
1N5985B - 1N6025B ，版本C
齐纳二极管1N5985B - 1N6025B
电气特性
（续）T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
（ V） @我
Z
（注1 ）
设备
1N6015B
1N6016B
1N6017B
1N6018B
1N6019B
1N6020B
1N6021B
1N6022B
1N6023B
1N6024B
1N6025B
分钟。
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
71.25
77.9
86.45
95
104.5
典型值。
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
马克斯。
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
78.75
86.1
95.55
105
115.5
测试电流
I
Z
（MA ）
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
齐纳阻抗
Z
Z
@ I
Z
()
150
170
180
200
225
240
265
280
300
500
650
Z
ZK
@ I
ZK
= 250A
()
900
1000
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2300
2600
3000
漏电流
I
R
（MA ）
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
33
36
39
43
47
52
56
62
69
76
84
I
ZM
（MA ）
（注2 ）
12
11
9.8
8.9
8
7.4
6.7
6.1
5.5
5
4.5
V
F
正向电压= 1.2V最大@ I
F
= 200毫安
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
)
齐纳电压测量中的铅温度themal平衡器件结（T
L
）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。
2.最大齐纳额定电流（I
ZM
)
在最坏的情况下根据最大电流处理能力是由实际的齐纳电压时的动作点和功耗降低曲线限定。
2004仙童半导体公司
1N5985B - 1N6025B ，版本C
齐纳二极管1N5985B - 1N6025B
顶标信息
（续）
F
1
st
行：F - 仙童标志
2
nd
行：设备名称 - 3
rd
5
th
设备名称的字符。
或4
th
6
th
字符BZXyy系列
3
rd
行：设备名称 - 6
th
7到
th
设备名称的字符。
或额定电压为BZXyy系列
4
th
行：设备代码或 - 两个数字 - 六个星期日期代码。
日期代码或加两位数 - 六个星期日期代码
大型模具标识及大型模具鉴定， “ L”
522
9B
XY
一般要求：
1.0阴极乐队
2.0第一行：F - 仙童标志
3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3
rd
设备名称的第五个字符。
对于BZxx系列： 4
th
6
th
设备名称的字符。
4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 6
th
7到
th
设备名称的字符。
对于BZXyy系列：额定电压
5.0四线： XY或XYL - 两个数字 - 六个星期日期代码
式中： X表示历年的最后一位数字
Y代表六个星期的数字代码
L代表的大型模具鉴定
6.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格） 。
7.0最大无。标记线： 4
8.0最大无。的每行的数字： 3
9.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。
10.0标识字体：宋体（除FSC标志）
11.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐
2004仙童半导体公司
1N5985B - 1N6025B ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FPS
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK GTO
E
2
CMOS
TM
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
FACT
ImpliedDisconnect
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师I8
齐纳二极管1N5985B - 1N6025B
齐纳二极管
1N5985B - 1N6025B
绝对最大额定值*
符号
P
D
参数
功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
T
J
, T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
500
4.0
-65到+200
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
V
Z
（ V） @我
Z
（注1 ）
设备
1N5985B
1N5986B
1N5987B
1N5988B
1N5989B
1N5990B
1N5991B
1N5992B
1N5993B
1N5994B
1N5995B
1N5996B
1N5997B
1N5998B
1N5999B
1N6000B
1N6001B
1N6002B
1N6003B
1N6004B
1N6005B
1N6006B
1N6007B
1N6008B
1N6009B
1N6010B
1N6011B
1N6012B
1N6013B
1N6014B
分钟。
2.58
2.565
2.85
3.135
3.42
3.705
4.085
4.465
4.845
5.32
5.89
6.46
7.125
7.79
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
典型值。
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
马克斯。
2.52
2.835
3.15
3.465
3.78
4.095
4.515
4.935
5.355
5.88
6.51
7.14
7.875
8.61
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试电流
I
Z
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
齐纳阻抗
Z
Z
@ I
Z
()
100
100
95
95
90
90
88
70
50
25
10
8
7
7
10
15
18
22
25
32
36
42
48
55
62
70
78
88
95
130
Z
ZK
@ I
ZK
= 250A
()
1800
1900
2000
2200
2300
2400
2500
2200
2050
1800
1300
750
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
漏电流
I
R
（MA ）
100
75
50
25
15
10
5
3
2
2
1
1
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
5.2
6
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
11
12
14
15
17
18
21
23
25
27
30
I
ZM
（MA ）
（注2 ）
208
185
167
152
139
128
116
106
98
89
81
74
67
61
55
50
45
42
38
33
31
28
25
23
21
19
17
15
14
13
2004仙童半导体公司
1N5985B - 1N6025B ，版本C
齐纳二极管1N5985B - 1N6025B
电气特性
（续）T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
（ V） @我
Z
（注1 ）
设备
1N6015B
1N6016B
1N6017B
1N6018B
1N6019B
1N6020B
1N6021B
1N6022B
1N6023B
1N6024B
1N6025B
分钟。
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
71.25
77.9
86.45
95
104.5
典型值。
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
马克斯。
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
78.75
86.1
95.55
105
115.5
测试电流
I
Z
（MA ）
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
齐纳阻抗
Z
Z
@ I
Z
()
150
170
180
200
225
240
265
280
300
500
650
Z
ZK
@ I
ZK
= 250A
()
900
1000
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2300
2600
3000
漏电流
I
R
（MA ）
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
33
36
39
43
47
52
56
62
69
76
84
I
ZM
（MA ）
（注2 ）
12
11
9.8
8.9
8
7.4
6.7
6.1
5.5
5
4.5
V
F
正向电压= 1.2V最大@ I
F
= 200毫安
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
)
齐纳电压测量中的铅温度themal平衡器件结（T
L
）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。
2.最大齐纳额定电流（I
ZM
)
在最坏的情况下根据最大电流处理能力是由实际的齐纳电压时的动作点和功耗降低曲线限定。
2004仙童半导体公司
1N5985B - 1N6025B ，版本C
齐纳二极管1N5985B - 1N6025B
顶标信息
（续）
F
1
st
行：F - 仙童标志
2
nd
行：设备名称 - 3
rd
5
th
设备名称的字符。
或4
th
6
th
字符BZXyy系列
3
rd
行：设备名称 - 6
th
7到
th
设备名称的字符。
或额定电压为BZXyy系列
4
th
行：设备代码或 - 两个数字 - 六个星期日期代码。
日期代码或加两位数 - 六个星期日期代码
大型模具标识及大型模具鉴定， “ L”
522
9B
XY
一般要求：
1.0阴极乐队
2.0第一行：F - 仙童标志
3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3
rd
设备名称的第五个字符。
对于BZxx系列： 4
th
6
th
设备名称的字符。
4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 6
th
7到
th
设备名称的字符。
对于BZXyy系列：额定电压
5.0四线： XY或XYL - 两个数字 - 六个星期日期代码
式中： X表示历年的最后一位数字
Y代表六个星期的数字代码
L代表的大型模具鉴定
6.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格） 。
7.0最大无。标记线： 4
8.0最大无。的每行的数字： 3
9.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。
10.0标识字体：宋体（除FSC标志）
11.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐
2004仙童半导体公司
1N5985B - 1N6025B ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FPS
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK GTO
E
2
CMOS
TM
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
FACT
ImpliedDisconnect
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师I8
数据表
半导体
1N5985B~1N6025B
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃齐纳电压
稳压器
最大额定值
（注1 ）
等级
最大稳态功耗
@ T
L
≤75°C,
引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
工作和存储
温度范围
符号
P
D
价值
500
单位
mW
4.0
T
J
, T
英镑
-65到+200
毫瓦/°C的
°C
轴向引线
DO35
1.有些部件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
规格特点
齐纳电压范围从2.4 V到110 V
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
DO- 35封装（ DO- 204AH ）
双弹头式建筑
冶金结合
阴极
阳极
机械特性
例
:
双塞型，密闭玻璃
完
:
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊。
极性：
阴极指示的极性带
安装：
任何
最大的铅焊接温度的目的
230_C ， 1/16“从10秒的情况下
1NxxxxB
Y
MM
标记图
1N
xx
XXB
青运
=器件代码
=年
=月
http://www.yeashin.com
1
REV.02 20120403
1N5985B~1N6025B
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明。 V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 100mA的电流来所有类型）
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
Zk
I
R
V
R
I
F
V
F
I
ZM
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向齐纳电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向齐纳电流
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
最大直流稳压电流
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 100mA的电流来所有类型）
齐纳电压
（注3 ）
设备
（注2 ）
齐纳阻抗
（注4 ）
@ I
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
()
100
100
95
95
90
90
88
70
50
25
10
8
7
7
10
15
18
22
25
32
Z
ZK
@ I
ZK
()
1800
1900
2000
2200
2300
2400
2500
2200
2050
1800
1300
750
600
600
600
600
600
600
600
600
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
(A)
100
75
50
25
15
10
5
3
2
2
1
1
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
（伏）
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
5.2
6
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
11
I
ZM
（注5 ）
设备
记号
1N5985B
1N5986B
1N5987B
1N5988B
1N5989B
1N5990B
1N5991B
1N5992B
1N5993B
1N5994B
1N5995B
1N5996B
1N5997B
1N5998B
1N5999B
1N6000B
1N6001B
1N6002B
1N6003B
1N6004B
V
Z
（伏）
民
2.28
2.565
2.85
3.135
3.42
3.705
4.085
4.465
4.845
5.32
5.89
6.46
7.125
7.79
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
喃
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
最大
2.52
2.835
3.15
3.465
3.78
4.095
4.515
4.935
5.355
5.88
6.51
7.14
7.875
8.61
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
（MA ）
208
185
167
152
139
128
116
106
98
89
81
74
67
61
55
50
45
42
38
33
1N5985B
1N5986B
1N5987B
1N5988B
1N5989B
1N5990B
1N5991B
1N5992B
1N5993B
1N5994B
1N5995B
1N5996B
1N5997B
1N5998B
1N5999B
1N6000B
1N6001B
1N6002B
1N6003B
1N6004B
2.宽容和TYPE号指定（V
Z
)
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
3.齐纳电压（V
Z
）测量
额定齐纳电压测量中的铅温度的热平衡器件结（T
L
）在30℃下
±1°C
和3/8 “引线长度。
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。指定限制
是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
5.最大齐纳电流额定值（我
ZM
)
使用标称电压此数据来计算。在最坏的情况下，依据最大电流处理能力是有限的
由实际的齐纳电压时的动作点和功率降额曲线。
http://www.yeashin.com
2
REV.02 20120403
1N5985B~1N6025B
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 100mA的电流来所有类型）
齐纳电压
（注7 ）
设备
（注6 ）
齐纳阻抗
（注8 ）
@ I
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
()
36
42
48
55
62
70
78
88
95
130
150
170
180
200
225
240
265
280
300
500
650
Z
ZK
@ I
ZK
()
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2300
2600
3000
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
(A)
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
（伏）
12
14
15
17
18
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
56
62
69
76
84
I
ZM
（注9 ）
设备
记号
1N6005B
1N6006B
1N6007B
1N6008B
1N6009B
1N6010B
1N6011B
1N6012B
1N6013B
1N6014B
1N6015B
1N6016B
1N6017B
1N6018B
1N6019B
1N6020B
1N6021B
1N6022B
1N6023B
1N6024B
1N6025B
V
Z
（伏）
民
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
71.25
77.9
86.45
95
104.5
喃
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
最大
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
78.75
86.1
95.55
105
115.5
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
（MA ）
31
28
25
23
21
19
17
15
14
13
12
11
9.8
8.9
8
7.4
6.7
6.1
5.5
5
4.5
1N6005B
1N6006B
1N6007B
1N6008B
1N6009B
1N6010B
1N6011B
1N6012B
1N6013B
1N6014B
1N6015B
1N6016B
1N6017B
1N6018B
1N6019B
1N6020B
1N6021B
1N6022B
1N6023B
1N6024B
1N6025B
6.耐性与TYPE号指定（V
Z
)
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
7.齐纳电压（V
Z
）测量
额定齐纳电压测量中的铅温度的热平衡器件结（T
L
）在30℃下
±1°C
和3/8 “引线长度。
8.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。指定限制
是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
9.最大齐纳电流额定值（我
ZM
)
使用标称电压此数据来计算。在最坏的情况下，依据最大电流处理能力是有限的
由实际的齐纳电压时的动作点和功率降额曲线。
http://www.yeashin.com
3
REV.02 20120403
QQ：2881677436 复制
