1N5913B系列
电气特性
(T
L
= 30℃ ，除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 MADC为所有类型的）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
1N5913B ，G
1N5917B ，G
1N5919B ，G
1N5920B ，G
1N5921B ，G
1N5923B ，G
1N5924B ，G
1N5925B ，G
1N5926B ，G
1N5927B ，G
1N5929B ，G
1N5930B ，G
1N5931B ，G
1N5932B ，G
1N5933B ，G
1N5934B ，G
1N5935B ，G
1N5936B ，G
1N5937B ，G
1N5938B ，G
1N5940B ，G
1N5941B ，G
1N5942B ，G
1N5943B ，G
1N5944B ，G
1N5946B ，G
1N5947B ，G
1N5948B ，G
1N5950B ，G
1N5951B ，G
1N5952B ，G
1N5953B ，G
1N5954B ，G
1N5955B ，G
1N5956B ，G
设备
记号
1N5913B
1N5917B
1N5919B
1N5920B
1N5921B
1N5923B
1N5924B
1N5925B
1N5926B
1N5927B
1N5929B
1N5930B
1N5931B
1N5932B
1N5933B
1N5934B
1N5935B
1N5936B
1N5937B
1N5938B
1N5940B
1N5941B
1N5942B
1N5943B
1N5944B
1N5946B
1N5947B
1N5948B
1N5950B
1N5951B
1N5952B
1N5953B
1N5954B
1N5955B
1N5956B
V
Z
（伏）
民
3.14
4.47
5.32
5.89
6.46
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
71.25
77.90
86.45
104.5
114
123.5
142.5
152
171
190
喃
3.3
4.7
5.6
6.2
6.8
8.2
9.1
10
11
12
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
43
47
51
56
62
75
82
91
110
120
130
150
160
180
200
最大
3.47
4.94
5.88
6.51
7.14
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
78.75
86.10
95.55
115.5
126
136.5
157.5
168
189
210
@ I
ZT
mA
113.6
79.8
66.9
60.5
55.1
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
25.0
23.4
20.8
18.7
17.0
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
8.7
8.0
7.3
6.7
6.0
5.0
4.6
4.1
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
齐纳阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
W
10
5
2
2
2.5
3.5
4
4.5
5.5
6.5
9
10
12
14
17.5
19
23
28
33
38
53
67
70
86
100
140
160
200
300
380
450
600
700
900
1200
Z
ZK
@ I
ZK
W
500
500
250
200
200
400
500
500
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
950
1000
1100
1300
1500
2000
2500
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
mA
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
最大
100
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
伏
1
1.5
3
4
5.2
6.5
7
8
8.4
9.1
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
56
62.2
69.2
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
I
ZM
mA
454
319
267
241
220
182
164
150
136
125
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
34
31
29
26
24
20
18
16
13
12
11
10
9
8
7
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
的“G ”后缀表示无铅封装。
1.
耐性与TYPE号指定
公差代号 - 器件容差
±5%
通过一个“B”后缀来表示。
2.
齐纳电压（V
Z
）测量
安森美半导体保证齐纳电压时，在90秒为单位计算，同时保持引线温度（T
L
）在30℃下
±1°C,
3/8“从二极管体。
3.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60秒交流电压，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
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3
1N5913B系列
应用说明
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的，以确定它是必要
在任何一组的操作条件下的结温
为了计算其值。下面的过程是
推荐：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA
P
D
+ T
A
DT
JL
是上述引线的增加的结温
温度，并且可以发现，从图2为一列
功率脉冲（ L = 3/8英寸），或从图10为直流电源。
DT
JL
=
q
JL
P
D
q
LA
是引入到环境的热阻（ ° C / W）和
P
D
是功耗。对于价值
q
LA
将各不相同，
取决于设备的安装方法。
q
LA
一般是
对于各种片段30-40 ℃/ W，并在共同配合分
使用与用于印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶放置在上述引线尽可能接近的
配合点。连接到所述连接点的热质
通常足够大，使得它不会显著
到热响应浪涌在二极管中产生的结果
脉冲操作，一旦稳定状态得以实现。
使用T的测量值
L
，结温
可通过确定：
T
J
= T
L
+
DT
JL
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，限制
P的
D
和T的极端
J
（ DT
J
）可以被估计。
改变电压，V
Z
然后，可以得到：
DV
=
q
VZ
DT
J
q
VZ
中，齐纳电压的温度系数，是发现
从图5和图6 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持电流
游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌
能力。电涌限制在图3中给他们
会比只考虑结预期低
温度，因为电流拥挤效应引起的温度
是非常高导致设备的小斑点
降解应图3的极限被超出。
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