1N5913BUR - 1直通1N5956BUR - 1
（或MLL5913B直通MLL5956B ）
斯科茨代尔区划
冶金结合玻璃
表面安装1.5瓦齐纳二极管
描述
这表面贴装1.5瓦齐纳二极管串联在JEDEC DO- 213AB
包在电气特性，让JEDEC注册1N5913B相似
通1N5956B轴向引线封装为3.3 200 V.这是一个理想的选择
对于高密度和低寄生要求的应用程序。由于其
玻璃密封素质和冶金地加强内部联系，它
由源极需要时也可用于高可靠性应用
控制图（ SCD ）或筛选符合MIL -PRF- 19500的
在下面描述的特点。齐纳电压容差选项标识
通过型号后缀，包括严格的公差。各种其它稳压
产品和软件包可以由Microsemi以满足更高
或更低的功耗和测试电流的应用。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-213AB
特点
电类似于JEDEC注册1N5913B
直通1N5956B齐纳系列
齐纳电压提供3.3V至200V
按照MIL- PRF-筛选选项
19500为JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS是
可通过加入MQ ，MX， MV，或MSP前缀
分别零件编号，例如MX1N5913BUR -1，
MV1N5923CUR -1， MSP1N5952DUR - 1等。
表面贴装当量也可作为
SMBJ5913B到SMBJ5956B ， SMBG5913B到
SMBG5956B ， SMAJ5913B到SMAJ5956B ，或者作为
1PMT5913B到1PMT5956B （参见单独的数据
张）
塑体轴向引线齐纳同等学力
作为1N5913BP到1N5956BP （参见单独的
数据表）
应用/优势
调节电压在很宽的工作电流
和温度范围
多种选择，从3.3到200 V
无铅封装表面贴装
适用于高密度安装
冶金地加强内部触点设计
更高的可靠性和更低的热阻
标准电压容差±5 ％为B后缀
和10％的后缀标识
可在正负2 ％的容差或
分别为1 ％，与C或D后缀
不敏感的静电放电
气密密封的玻璃封装
指定电容（参见图2）
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
25功耗
C： 1.5瓦特（另见
降额于图1） 。
操作和储存温度： -65
C至+175
C
热电阻： 40
C / W结到端盖，或
120
安装在FR4当C / W结到环境
印刷电路板（ 1盎司铜）和推荐的足迹（见
最后一页）
稳定状态功率： 1.50瓦特在T
EC
＆ LT ; 115
o
C，或
1.25瓦特在T
A
= 25
安装FR4 PC上。当C
板与所描述的建议足迹
热阻（也参见图1）
正向电压@ 200毫安： 1.2伏（最大）
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封DO- 213AB玻璃MELF
包
端子：端盖，锡铅镀焊
每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管
可与带状端与正操作
相对于相对的端部为齐纳调节
只有阴极乐队：标记
TAPE & REEL可选：标准按照EIA - 481 -B
12毫米磁带， 1500元7寸盘或5000元
13英寸卷轴（加“ TR”后缀的部件号）
重量： 0.05 GRAMS
请参阅最后一页的封装尺寸
1N5913BUR-11N5956BUR-1
版权
2005
2005年1月4日修订版D
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5913BUR - 1直通1N5956BUR - 1
（或MLL5913B直通MLL5956B ）
斯科茨代尔区划
冶金结合玻璃
表面安装1.5瓦齐纳二极管
电气特性@
T
EC
= 25
o
C除非另有说明*
Microsemi的
部分
数
（注1 &4 ）
齐纳
电压
V
Z
（注2 ）
伏
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
TEST
当前
I
ZT
动态
阻抗
Z
ZT
（注3）
欧
10
9.0
7.5
6.0
5.0
4.0
2.0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.5
6.5
7.0
9.0
10
12
14
17.5
19
23
28
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
250
300
380
450
600
700
900
1200
膝关节
当前
I
ZK
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
膝关节
阻抗
Z
ZK
（注3）
欧
500
500
500
500
500
350
250
200
200
400
400
500
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
3100
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
反向
当前
I
R
μAdc
100
75
25
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
反向
电压
V
R
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.2
6.0
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.2
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.9
114.0
121.6
136.8
152.0
MAX 。 DC
当前
I
ZM
mA
454
416
384
348
319
294
267
241
220
200
182
164
150
136
125
115
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
38
34
31
29
26
24
22
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8
7
WWW .
Microsemi的
.C
OM
mA
1N5913BUR-1
113.6
1N5914BUR-1
104.2
1N5915BUR-1
96.1
1N5916BUR-1
87.2
1N5917BUR-1
79.8
1N5918BUR-1
73.5
1N5919BUR-1
66.9
1N5920BUR-1
60.5
1N5921BUR-1
55.1
1N5922BUR-1
50.0
1N5923BUR-1
45.7
1N5924BUR-1
41.2
1N5925BUR-1
37.5
1N5926BUR-1
34.1
1N5927BUR-1
31.2
1N5928BUR-1
28.8
1N5929BUR-1
25.0
1N5930BUR-1
23.4
1N5931BUR-1
20.8
1N5932BUR-1
18.7
1N5933BUR-1
17.0
1N5934BUR-1
15.6
1N5935BUR-1
13.9
1N5936BUR-1
12.5
1N5937BUR-1
11.4
1N5938BUR-1
10.4
1N5939BUR-1
9.6
1N5940BUR-1
8.7
1N5941BUR-1
8.0
1N5942BUR-1
7.3
1N5943BUR-1
6.7
1N5944BUR-1
6.0
1N5945BUR-1
5.5
1N5946BUR-1
5.0
1N5947BUR-1
4.6
1N5948BUR-1
4.1
1N5949BUR-1
3.7
1N5950BUR-1
3.4
1N5951BUR-1
3.1
1N5952BUR-1
2.9
1N5953BUR-1
2.5
1N5954BUR-1
2.3
1N5955BUR-1
2.1
1N5956BUR-1
1.9
o
*
T
EC
维持在30℃ ，V
F
= 1.2V最大@ I
F
= 200 mA（所有类型）。
注1 ：
1N5913BUR-11N5956BUR-1
无后缀表示在标称值+/- 20 ％容差
V
Z
。后缀A表示+/- 10％ ，在标准后缀B表示为+/- 5％ ， C表示的+/- 2 ％，且
D表示+/- 1 ％的容差。
齐纳电压（V
Z
）的测量是在端盖此，T
EC
= 30
o
应用直流90秒后进行C.电压测量
电流。
齐纳阻抗是从60赫兹的交流电压时，具有有效值等于直流稳压的10％的交流电流时，其导致来自
电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
该系列产品目前也已经预先确定为MLL5913B直通MLL5956B系列，其中包括增强的冶金结合。
此替代名称仍然可以使用。
注2 ：
注3 ：
注4 ：
版权
2005
2005年1月4日修订版D
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5913BUR - 1直通1N5956BUR - 1
（或MLL5913B直通MLL5956B ）
斯科茨代尔区划
冶金结合玻璃
表面安装1.5瓦齐纳二极管
图的
WWW .
Microsemi的
.C
OM
稳态功率降额
P
D
功耗（瓦）
T
EC
T
A
温度（
o
C
)
图1
功率降额曲线式中：T
EC
是端盖温度
和T
A
是FR4印刷电路板环境温度。
图2
包装尺寸
1N5913BUR-11N5956BUR-1
暗淡
A
B
C
英寸
民
最大
0.094
0.105
0.189
0.205
0.016
0.022
MILLIMETERS
民
最大
2.39
2.66
4.80
5.20
0.41
0.55
焊盘布局
A
B
C
英寸
.276
0.070
0.110
mm
7.00
1.8
2.8
第3页
版权
2005
2005年1月4日修订版D
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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