前沿电子股份有限公司
E. COCHRAN STREET 667 ，西米谷，CA 93065
电话： （ 805 ） 522-9998
传真： （ 805 ） 522-9989
电子信箱：
frontiersales@frontierusa.com
网址：
http://www.frontierusa.com
1.5瓦特硅稳压二极管
1N5921B THRU 1N5956B
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
低阻抗齐纳
出色的钳位能力
机械数据
案例：模压塑料， DO41 ，尺寸
以英寸（毫米）
终端：轴向引线可焊PER
MIL- STD- 202方法208
极性：颜色频带为负极
安装位置：任意
重量： 0.34克
1.0(25.4)
民
.034(0.9)
.028(0.7)
.205(5.2)
.166(4.2)
.107(2.7)
.080(2.0)
1.0(25.4)
民
最大额定值，电器性能额定值在25 ° C环境温度，除非另有
指定的存储和工作温度范围-55到+ 150°C
电气特性（ TL = 30 ℃，为各类除非另有说明VF = 1.5V MAX ， @IF = 200毫安DC）
JEDEC
TYPE
公称
齐纳伏
V
Z
@I
ZT
伏
TEST
当前
I
ZT
mA
最大齐纳阻抗
马克斯。反向
漏电流
最大直流
齐纳
当前
I
ZM
直流毫安
1N5921B
1N5922B
1N5923B
1N5924B
1N5925B
1N5926B
1N5927B
1N5928B
1N5929B
1N5930B
1N5931B
1N5932B
1N5933B
1N5934B
1N5935B
1N5936B
1N5937B
1N5938B
1N5939B
1N5940B
1N5941B
1N5942B
1N5943B
1N5944B
1N5945B
1N5946B
1N5947B
1N5948B
1N5949B
1N5950B
1N5951B
1N5952B
1N5953B
1N5954B
1N5955B
1N5956B
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
55.1
50.0
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
28.8
25.0
23.4
20.8
18.7
17.0
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8.0
7.3
6.7
6.0
5.5
5.0
4.6
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
Z
ZT
@ I
ZT
欧
2.5
3
3.5
4
4.5
5.5
6.5
7
9
10
12
14
17.5
19
23
26
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
250
300
380
450
600
700
900
1200
Z
ZK
@
欧
200
400
400
500
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
3100
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
I
ZK
mA
1
0.
5
0.5
0.5
0.
25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
I
R
μA
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
@
V
R
伏
5.2
6
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
76
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
220
200
182
164
150
136
125
115
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
38
34
31
29
26
24
22
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8
7
NOTE︰SUFFIX的“B”用于
±5%
1N5921B THRU 1N5956B
页： 1
额定值和特性曲线1N5921B THRU 1N5956B
温度系数的值域
（90％的单位是在指定的范围）
θ
VZ
,
温度COEF网络cient
图。 1 - 单位12伏特
θ
vz
温度COEF网络cient
10
8
6
（ MV / ℃ ） @I
ZT
4
2
0
-2
-4
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
Z
，齐纳电压
＠I
ZT
（伏）
图。 3 - V
Z
= 3.3thru 10伏
100
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，齐纳电压
＠I
ZT
（伏）
图。 5 - V
Z
= 100通400伏
10
θ
JL
，交界处领导热
I
Z,
齐纳电流（毫安）
5
2
1
0.5
0.2
0.1
100
150
200
250
300
350
400
450
V
Z
，齐纳电压
＠I
ZT
（伏）
图。 7 - 电源温度降额曲线
2.5
P
D
，最大耗散
（瓦特）
2.0
1.5
1.0
0.5
80
70
60
性（℃ / W）
50
40
30
20
10
0
0
1/8
1/4
3/8
1/2
5/3
3/4
7/8
1
L，引线长度到散热器（ INCH ）
T
L
传导的主要途径是
通过阴极铅
范围
图。 2 - 单位10到1400伏特
1000
500
200
（ MV / ℃ ） @I
ZT
100
50
20
10
10
20
50
100
200
400
1000
V
Z
，齐纳电压
＠I
ZT
（伏）
齐纳电压与齐纳电流
图。 4 - V
Z
= 12直通82伏
100
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
10
20 30
40
50
60 70
80
90 100
V
Z
，齐纳电压
＠I
ZT
（伏）
图。 6 - 典型热阻
I
Z,
齐纳电流（毫安）
I
Z,
齐纳电流（毫安）
L
L
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
L
，焊接温度（
O
C)
180 200
1N5921B THRU 1N5956B
第2页
1N5913B系列
电气特性
(T
L
= 30℃ ，除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 MADC为所有类型的）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
1N5913B ，G
1N5917B ，G
1N5919B ，G
1N5920B ，G
1N5921B ，G
1N5923B ，G
1N5924B ，G
1N5925B ，G
1N5926B ，G
1N5927B ，G
1N5929B ，G
1N5930B ，G
1N5931B ，G
1N5932B ，G
1N5933B ，G
1N5934B ，G
1N5935B ，G
1N5936B ，G
1N5937B ，G
1N5938B ，G
1N5940B ，G
1N5941B ，G
1N5942B ，G
1N5943B ，G
1N5944B ，G
1N5946B ，G
1N5947B ，G
1N5948B ，G
1N5950B ，G
1N5951B ，G
1N5952B ，G
1N5953B ，G
1N5954B ，G
1N5955B ，G
1N5956B ，G
设备
记号
1N5913B
1N5917B
1N5919B
1N5920B
1N5921B
1N5923B
1N5924B
1N5925B
1N5926B
1N5927B
1N5929B
1N5930B
1N5931B
1N5932B
1N5933B
1N5934B
1N5935B
1N5936B
1N5937B
1N5938B
1N5940B
1N5941B
1N5942B
1N5943B
1N5944B
1N5946B
1N5947B
1N5948B
1N5950B
1N5951B
1N5952B
1N5953B
1N5954B
1N5955B
1N5956B
V
Z
（伏）
民
3.14
4.47
5.32
5.89
6.46
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
71.25
77.90
86.45
104.5
114
123.5
142.5
152
171
190
喃
3.3
4.7
5.6
6.2
6.8
8.2
9.1
10
11
12
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
43
47
51
56
62
75
82
91
110
120
130
150
160
180
200
最大
3.47
4.94
5.88
6.51
7.14
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
78.75
86.10
95.55
115.5
126
136.5
157.5
168
189
210
@ I
ZT
mA
113.6
79.8
66.9
60.5
55.1
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
25.0
23.4
20.8
18.7
17.0
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
8.7
8.0
7.3
6.7
6.0
5.0
4.6
4.1
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
齐纳阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
W
10
5
2
2
2.5
3.5
4
4.5
5.5
6.5
9
10
12
14
17.5
19
23
28
33
38
53
67
70
86
100
140
160
200
300
380
450
600
700
900
1200
Z
ZK
@ I
ZK
W
500
500
250
200
200
400
500
500
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
950
1000
1100
1300
1500
2000
2500
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
mA
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
最大
100
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
伏
1
1.5
3
4
5.2
6.5
7
8
8.4
9.1
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
56
62.2
69.2
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
I
ZM
mA
454
319
267
241
220
182
164
150
136
125
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
34
31
29
26
24
20
18
16
13
12
11
10
9
8
7
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
的“G ”后缀表示无铅封装。
1.
耐性与TYPE号指定
公差代号 - 器件容差
±5%
通过一个“B”后缀来表示。
2.
齐纳电压（V
Z
）测量
安森美半导体保证齐纳电压时，在90秒为单位计算，同时保持引线温度（T
L
）在30℃下
±1°C,
3/8“从二极管体。
3.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60秒交流电压，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
http://onsemi.com
3
1N5913B系列
应用说明
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的，以确定它是必要
在任何一组的操作条件下的结温
为了计算其值。下面的过程是
推荐：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA
P
D
+ T
A
DT
JL
是上述引线的增加的结温
温度，并且可以发现，从图2为一列
功率脉冲（ L = 3/8英寸），或从图10为直流电源。
DT
JL
=
q
JL
P
D
q
LA
是引入到环境的热阻（ ° C / W）和
P
D
是功耗。对于价值
q
LA
将各不相同，
取决于设备的安装方法。
q
LA
一般是
对于各种片段30-40 ℃/ W，并在共同配合分
使用与用于印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶放置在上述引线尽可能接近的
配合点。连接到所述连接点的热质
通常足够大，使得它不会显著
到热响应浪涌在二极管中产生的结果
脉冲操作，一旦稳定状态得以实现。
使用T的测量值
L
，结温
可通过确定：
T
J
= T
L
+
DT
JL
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，限制
P的
D
和T的极端
J
（ DT
J
）可以被估计。
改变电压，V
Z
然后，可以得到：
DV
=
q
VZ
DT
J
q
VZ
中，齐纳电压的温度系数，是发现
从图5和图6 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持电流
游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌
能力。电涌限制在图3中给他们
会比只考虑结预期低
温度，因为电流拥挤效应引起的温度
是非常高导致设备的小斑点
降解应图3的极限被超出。
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5
数据表
1.5瓦
齐纳二极管（ 3.3V到200V ）
JEDEC
D0-41
.080
.107
.205
.160
1.00分钟。
.031典型。
特点
n
5 & 10 ％的电压
公差可用
最大额定值
DC功率耗散为T
L
= 75
o
C
引线长度= 3/8 “
减免上述75
o
C
工作&储存温度范围牛逼...
J
, T
STRG
稳态功率降额
齐纳电流（毫安）
............................................. 1.5 ...............................................
............................................. 1 2 ...............................................
......................................... -65 200 ..... .....................................
齐纳电流与齐纳电压
n
宽电压范围
n
符合UL规格94V- 0
毫瓦/
°C
°C
功率（W）的
铅温度（ ℃）
°
齐纳电流与齐纳电压
齐纳电流（毫安）
齐纳电流（毫安）
齐纳电压（V）
齐纳电流与齐纳电压
齐纳电压（V）
齐纳电压（V）
第12-13页
1N5913 ... 5956系列
单位
W
描述
机械尺寸
数据表
1N5913 。 。 。 5956 ， 1.5瓦
齐纳二极管（ 3.3V到200V ）
注意事项：
1.关于齐纳电压10 ％的容差，指定后缀???? ????一。对于5 ％的容差，
指定后缀???? B ???? 。 （实施例： 1N5917B = 4.7V ±5 ％）
2. T
A
= 25
°C
除非另有规定。在热平衡进行测量。
导线长度= 0.375" 。散热器的热阻= 30
°C
/ W，V
F
= 1.5V最大。 @我
F
= 200毫安
电气特性@ 25
O
C.
产品编号
JEDEC类型＃
1N5913A
1N5914A
1N5915A
1N5916A
1N5917A
1N5918A
1N5919A
1N5920A
1N5921A
1N5922A
1N5923A
1N5924A
1N5925A
1N5926A
1N5927A
1N5928A
1N5929A
1N5930A
1N5931A
1N5932A
1N5933A
1N5934A
1N5935A
1N5936A
1N5937A
1N5938A
1N5939A
1N5940A
1N5941A
1N5942A
1N5943A
1N5944A
1N5945A
1N5946A
1N5947A
1N5948A
1N5949A
1N5950A
1N5951A
1N5952A
1N5953A
1N5954A
1N5955A
1N5956A
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
or
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
公称
齐纳电压
V
Z
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
113.6
104.2
96.1
87.2
79.8
73.5
66.9
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
28.8
25
23.4
20.8
18.7
17
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8
7.3
6.7
6
5.5
5
4.6
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
马克斯。齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
()
10
9
7.5
6
5
4
2
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5.5
6.5
7
9
10
12
14
17.5
19
23
26
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
250
300
380
450
600
700
900
1200
Z
ZK
@ I
ZK
= 0.25毫安
()
500
500
500
500
500
350
250
200
200
400
400
500
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
3100
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
马克斯。反向
漏泄电流
V
R
MAX 。 DC
齐纳电流
I
R
(A)
100
75
25
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
R
(V)
I
ZM
（MA ）
454
416
384
348
319
294
267
241
220
200
182
164
150
136
125
115
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
38
34
31
29
26
24
22
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8
7
1
1
1
1
1.5
2
3
4
5.2
6
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
76
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
第12-14页
1N5913B系列
电气特性
(T
L
= 30℃ ，除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 MADC为所有类型的）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
1N5913B ，G
1N5917B ，G
1N5919B ，G
1N5920B ，G
1N5921B ，G
1N5923B ，G
1N5924B ，G
1N5925B ，G
1N5926B ，G
1N5927B ，G
1N5929B ，G
1N5930B ，G
1N5931B ，G
1N5932B ，G
1N5933B ，G
1N5934B ，G
1N5935B ，G
1N5936B ，G
1N5937B ，G
1N5938B ，G
1N5940B ，G
1N5941B ，G
1N5942B ，G
1N5943B ，G
1N5944B ，G
1N5946B ，G
1N5947B ，G
1N5948B ，G
1N5950B ，G
1N5951B ，G
1N5952B ，G
1N5953B ，G
1N5954B ，G
1N5955B ，G
1N5956B ，G
设备
记号
1N5913B
1N5917B
1N5919B
1N5920B
1N5921B
1N5923B
1N5924B
1N5925B
1N5926B
1N5927B
1N5929B
1N5930B
1N5931B
1N5932B
1N5933B
1N5934B
1N5935B
1N5936B
1N5937B
1N5938B
1N5940B
1N5941B
1N5942B
1N5943B
1N5944B
1N5946B
1N5947B
1N5948B
1N5950B
1N5951B
1N5952B
1N5953B
1N5954B
1N5955B
1N5956B
V
Z
（伏）
民
3.14
4.47
5.32
5.89
6.46
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
71.25
77.90
86.45
104.5
114
123.5
142.5
152
171
190
喃
3.3
4.7
5.6
6.2
6.8
8.2
9.1
10
11
12
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
43
47
51
56
62
75
82
91
110
120
130
150
160
180
200
最大
3.47
4.94
5.88
6.51
7.14
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
78.75
86.10
95.55
115.5
126
136.5
157.5
168
189
210
@ I
ZT
mA
113.6
79.8
66.9
60.5
55.1
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
25.0
23.4
20.8
18.7
17.0
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
8.7
8.0
7.3
6.7
6.0
5.0
4.6
4.1
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
齐纳阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
W
10
5
2
2
2.5
3.5
4
4.5
5.5
6.5
9
10
12
14
17.5
19
23
28
33
38
53
67
70
86
100
140
160
200
300
380
450
600
700
900
1200
Z
ZK
@ I
ZK
W
500
500
250
200
200
400
500
500
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
950
1000
1100
1300
1500
2000
2500
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
mA
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
最大
100
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
伏
1
1.5
3
4
5.2
6.5
7
8
8.4
9.1
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
56
62.2
69.2
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
I
ZM
mA
454
319
267
241
220
182
164
150
136
125
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
34
31
29
26
24
20
18
16
13
12
11
10
9
8
7
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
的“G ”后缀表示无铅封装。
1.
耐性与TYPE号指定
公差代号 - 器件容差
±5%
通过一个“B”后缀来表示。
2.
齐纳电压（V
Z
）测量
安森美半导体保证齐纳电压时，在90秒为单位计算，同时保持引线温度（T
L
）在30℃下
±1°C,
3/8“从二极管体。
3.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60秒交流电压，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
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3
1N5913B系列
应用说明
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的，以确定它是必要
在任何一组的操作条件下的结温
为了计算其值。下面的过程是
推荐：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA
P
D
+ T
A
DT
JL
是上述引线的增加的结温
温度，并且可以发现，从图2为一列
功率脉冲（ L = 3/8英寸），或从图10为直流电源。
DT
JL
=
q
JL
P
D
q
LA
是引入到环境的热阻（ ° C / W）和
P
D
是功耗。对于价值
q
LA
将各不相同，
取决于设备的安装方法。
q
LA
一般是
对于各种片段30-40 ℃/ W，并在共同配合分
使用与用于印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶放置在上述引线尽可能接近的
配合点。连接到所述连接点的热质
通常足够大，使得它不会显著
到热响应浪涌在二极管中产生的结果
脉冲操作，一旦稳定状态得以实现。
使用T的测量值
L
，结温
可通过确定：
T
J
= T
L
+
DT
JL
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，限制
P的
D
和T的极端
J
（ DT
J
）可以被估计。
改变电压，V
Z
然后，可以得到：
DV
=
q
VZ
DT
J
q
VZ
中，齐纳电压的温度系数，是发现
从图5和图6 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持电流
游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌
能力。电涌限制在图3中给他们
会比只考虑结预期低
温度，因为电流拥挤效应引起的温度
是非常高导致设备的小斑点
降解应图3的极限被超出。
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5
1N5913B系列
电气特性
(T
L
= 30℃ ，除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 MADC为所有类型的）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
1N5913B ，G
1N5917B ，G
1N5919B ，G
1N5920B ，G
1N5921B ，G
1N5923B ，G
1N5924B ，G
1N5925B ，G
1N5926B ，G
1N5927B ，G
1N5929B ，G
1N5930B ，G
1N5931B ，G
1N5932B ，G
1N5933B ，G
1N5934B ，G
1N5935B ，G
1N5936B ，G
1N5937B ，G
1N5938B ，G
1N5940B ，G
1N5941B ，G
1N5942B ，G
1N5943B ，G
1N5944B ，G
1N5946B ，G
1N5947B ，G
1N5948B ，G
1N5950B ，G
1N5951B ，G
1N5952B ，G
1N5953B ，G
1N5954B ，G
1N5955B ，G
1N5956B ，G
设备
记号
1N5913B
1N5917B
1N5919B
1N5920B
1N5921B
1N5923B
1N5924B
1N5925B
1N5926B
1N5927B
1N5929B
1N5930B
1N5931B
1N5932B
1N5933B
1N5934B
1N5935B
1N5936B
1N5937B
1N5938B
1N5940B
1N5941B
1N5942B
1N5943B
1N5944B
1N5946B
1N5947B
1N5948B
1N5950B
1N5951B
1N5952B
1N5953B
1N5954B
1N5955B
1N5956B
V
Z
（伏）
民
3.14
4.47
5.32
5.89
6.46
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
71.25
77.90
86.45
104.5
114
123.5
142.5
152
171
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喃
3.3
4.7
5.6
6.2
6.8
8.2
9.1
10
11
12
15
16
18
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22
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33
36
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56
62
75
82
91
110
120
130
150
160
180
200
最大
3.47
4.94
5.88
6.51
7.14
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
78.75
86.10
95.55
115.5
126
136.5
157.5
168
189
210
@ I
ZT
mA
113.6
79.8
66.9
60.5
55.1
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
25.0
23.4
20.8
18.7
17.0
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
8.7
8.0
7.3
6.7
6.0
5.0
4.6
4.1
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
齐纳阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
W
10
5
2
2
2.5
3.5
4
4.5
5.5
6.5
9
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12
14
17.5
19
23
28
33
38
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140
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300
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@ I
ZK
W
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1100
1300
1500
2000
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3000
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4500
5000
6000
6500
7000
8000
mA
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
最大
100
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
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1
1
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1
1
1
1
1
1
1
1
1
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伏
1
1.5
3
4
5.2
6.5
7
8
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11.4
12.2
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16.7
18.2
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27.4
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62.2
69.2
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
I
ZM
mA
454
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267
241
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136
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93
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55
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45
41
34
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29
26
24
20
18
16
13
12
11
10
9
8
7
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
的“G ”后缀表示无铅封装。
1.
耐性与TYPE号指定
公差代号 - 器件容差
±5%
通过一个“B”后缀来表示。
2.
齐纳电压（V
Z
）测量
安森美半导体保证齐纳电压时，在90秒为单位计算，同时保持引线温度（T
L
）在30℃下
±1°C,
3/8“从二极管体。
3.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60秒交流电压，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
http://onsemi.com
3
1N5913B系列
应用说明
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的，以确定它是必要
在任何一组的操作条件下的结温
为了计算其值。下面的过程是
推荐：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA
P
D
+ T
A
DT
JL
是上述引线的增加的结温
温度，并且可以发现，从图2为一列
功率脉冲（ L = 3/8英寸），或从图10为直流电源。
DT
JL
=
q
JL
P
D
q
LA
是引入到环境的热阻（ ° C / W）和
P
D
是功耗。对于价值
q
LA
将各不相同，
取决于设备的安装方法。
q
LA
一般是
对于各种片段30-40 ℃/ W，并在共同配合分
使用与用于印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶放置在上述引线尽可能接近的
配合点。连接到所述连接点的热质
通常足够大，使得它不会显著
到热响应浪涌在二极管中产生的结果
脉冲操作，一旦稳定状态得以实现。
使用T的测量值
L
，结温
可通过确定：
T
J
= T
L
+
DT
JL
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，限制
P的
D
和T的极端
J
（ DT
J
）可以被估计。
改变电压，V
Z
然后，可以得到：
DV
=
q
VZ
DT
J
q
VZ
中，齐纳电压的温度系数，是发现
从图5和图6 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持电流
游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌
能力。电涌限制在图3中给他们
会比只考虑结预期低
温度，因为电流拥挤效应引起的温度
是非常高导致设备的小斑点
降解应图3的极限被超出。
http://onsemi.com
5
1N5913B系列
电气特性
(T
L
= 30℃ ，除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 MADC为所有类型的）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
1N5913B ，G
1N5917B ，G
1N5919B ，G
1N5920B ，G
1N5921B ，G
1N5923B ，G
1N5924B ，G
1N5925B ，G
1N5926B ，G
1N5927B ，G
1N5929B ，G
1N5930B ，G
1N5931B ，G
1N5932B ，G
1N5933B ，G
1N5934B ，G
1N5935B ，G
1N5936B ，G
1N5937B ，G
1N5938B ，G
1N5940B ，G
1N5941B ，G
1N5942B ，G
1N5943B ，G
1N5944B ，G
1N5946B ，G
1N5947B ，G
1N5948B ，G
1N5950B ，G
1N5951B ，G
1N5952B ，G
1N5953B ，G
1N5954B ，G
1N5955B ，G
1N5956B ，G
设备
记号
1N5913B
1N5917B
1N5919B
1N5920B
1N5921B
1N5923B
1N5924B
1N5925B
1N5926B
1N5927B
1N5929B
1N5930B
1N5931B
1N5932B
1N5933B
1N5934B
1N5935B
1N5936B
1N5937B
1N5938B
1N5940B
1N5941B
1N5942B
1N5943B
1N5944B
1N5946B
1N5947B
1N5948B
1N5950B
1N5951B
1N5952B
1N5953B
1N5954B
1N5955B
1N5956B
V
Z
（伏）
民
3.14
4.47
5.32
5.89
6.46
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
14.25
15.20
17.10
19.00
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58.90
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77.90
86.45
104.5
114
123.5
142.5
152
171
190
喃
3.3
4.7
5.6
6.2
6.8
8.2
9.1
10
11
12
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
43
47
51
56
62
75
82
91
110
120
130
150
160
180
200
最大
3.47
4.94
5.88
6.51
7.14
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
15.75
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18.90
21.00
23.10
25.20
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126
136.5
157.5
168
189
210
@ I
ZT
mA
113.6
79.8
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60.5
55.1
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34.1
31.2
25.0
23.4
20.8
18.7
17.0
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
8.7
8.0
7.3
6.7
6.0
5.0
4.6
4.1
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
齐纳阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
W
10
5
2
2
2.5
3.5
4
4.5
5.5
6.5
9
10
12
14
17.5
19
23
28
33
38
53
67
70
86
100
140
160
200
300
380
450
600
700
900
1200
Z
ZK
@ I
ZK
W
500
500
250
200
200
400
500
500
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
950
1000
1100
1300
1500
2000
2500
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
mA
1
1
1
1
1
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0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
最大
100
5
5
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1
1
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1
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伏
1
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20.6
22.8
25.1
27.4
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35.8
38.8
42.6
47.1
56
62.2
69.2
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
I
ZM
mA
454
319
267
241
220
182
164
150
136
125
100
93
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75
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62
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50
45
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29
26
24
20
18
16
13
12
11
10
9
8
7
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
的“G ”后缀表示无铅封装。
1.
耐性与TYPE号指定
公差代号 - 器件容差
±5%
通过一个“B”后缀来表示。
2.
齐纳电压（V
Z
）测量
安森美半导体保证齐纳电压时，在90秒为单位计算，同时保持引线温度（T
L
）在30℃下
±1°C,
3/8“从二极管体。
3.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60秒交流电压，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
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3
1N5913B系列
应用说明
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的，以确定它是必要
在任何一组的操作条件下的结温
为了计算其值。下面的过程是
推荐：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA
P
D
+ T
A
DT
JL
是上述引线的增加的结温
温度，并且可以发现，从图2为一列
功率脉冲（ L = 3/8英寸），或从图10为直流电源。
DT
JL
=
q
JL
P
D
q
LA
是引入到环境的热阻（ ° C / W）和
P
D
是功耗。对于价值
q
LA
将各不相同，
取决于设备的安装方法。
q
LA
一般是
对于各种片段30-40 ℃/ W，并在共同配合分
使用与用于印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶放置在上述引线尽可能接近的
配合点。连接到所述连接点的热质
通常足够大，使得它不会显著
到热响应浪涌在二极管中产生的结果
脉冲操作，一旦稳定状态得以实现。
使用T的测量值
L
，结温
可通过确定：
T
J
= T
L
+
DT
JL
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，限制
P的
D
和T的极端
J
（ DT
J
）可以被估计。
改变电压，V
Z
然后，可以得到：
DV
=
q
VZ
DT
J
q
VZ
中，齐纳电压的温度系数，是发现
从图5和图6 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持电流
游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌
能力。电涌限制在图3中给他们
会比只考虑结预期低
温度，因为电流拥挤效应引起的温度
是非常高导致设备的小斑点
降解应图3的极限被超出。
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1N5913B系列
电气特性
(T
L
= 30℃ ，除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 MADC为所有类型的）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
1N5913B ，G
1N5917B ，G
1N5919B ，G
1N5920B ，G
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1N5923B ，G
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1N5935B ，G
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1N5953B ，G
1N5954B ，G
1N5955B ，G
1N5956B ，G
设备
记号
1N5913B
1N5917B
1N5919B
1N5920B
1N5921B
1N5923B
1N5924B
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1N5951B
1N5952B
1N5953B
1N5954B
1N5955B
1N5956B
V
Z
（伏）
民
3.14
4.47
5.32
5.89
6.46
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
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25.65
28.50
31.35
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171
190
喃
3.3
4.7
5.6
6.2
6.8
8.2
9.1
10
11
12
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
43
47
51
56
62
75
82
91
110
120
130
150
160
180
200
最大
3.47
4.94
5.88
6.51
7.14
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
78.75
86.10
95.55
115.5
126
136.5
157.5
168
189
210
@ I
ZT
mA
113.6
79.8
66.9
60.5
55.1
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
25.0
23.4
20.8
18.7
17.0
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
8.7
8.0
7.3
6.7
6.0
5.0
4.6
4.1
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
齐纳阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
W
10
5
2
2
2.5
3.5
4
4.5
5.5
6.5
9
10
12
14
17.5
19
23
28
33
38
53
67
70
86
100
140
160
200
300
380
450
600
700
900
1200
Z
ZK
@ I
ZK
W
500
500
250
200
200
400
500
500
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
950
1000
1100
1300
1500
2000
2500
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
mA
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
最大
100
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
伏
1
1.5
3
4
5.2
6.5
7
8
8.4
9.1
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
56
62.2
69.2
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
I
ZM
mA
454
319
267
241
220
182
164
150
136
125
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
34
31
29
26
24
20
18
16
13
12
11
10
9
8
7
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
的“G ”后缀表示无铅封装。
1.
耐性与TYPE号指定
公差代号 - 器件容差
±5%
通过一个“B”后缀来表示。
2.
齐纳电压（V
Z
）测量
安森美半导体保证齐纳电压时，在90秒为单位计算，同时保持引线温度（T
L
）在30℃下
±1°C,
3/8“从二极管体。
3.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60秒交流电压，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
http://onsemi.com
3
1N5913B系列
应用说明
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的，以确定它是必要
在任何一组的操作条件下的结温
为了计算其值。下面的过程是
推荐：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA
P
D
+ T
A
DT
JL
是上述引线的增加的结温
温度，并且可以发现，从图2为一列
功率脉冲（ L = 3/8英寸），或从图10为直流电源。
DT
JL
=
q
JL
P
D
q
LA
是引入到环境的热阻（ ° C / W）和
P
D
是功耗。对于价值
q
LA
将各不相同，
取决于设备的安装方法。
q
LA
一般是
对于各种片段30-40 ℃/ W，并在共同配合分
使用与用于印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶放置在上述引线尽可能接近的
配合点。连接到所述连接点的热质
通常足够大，使得它不会显著
到热响应浪涌在二极管中产生的结果
脉冲操作，一旦稳定状态得以实现。
使用T的测量值
L
，结温
可通过确定：
T
J
= T
L
+
DT
JL
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，限制
P的
D
和T的极端
J
（ DT
J
）可以被估计。
改变电压，V
Z
然后，可以得到：
DV
=
q
VZ
DT
J
q
VZ
中，齐纳电压的温度系数，是发现
从图5和图6 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持电流
游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌
能力。电涌限制在图3中给他们
会比只考虑结预期低
温度，因为电流拥挤效应引起的温度
是非常高导致设备的小斑点
降解应图3的极限被超出。
http://onsemi.com
5
齐纳二极管
（续）
动力
1.5瓦
2.0 WATT
2.5 WATT
例
齐纳
电压
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
30
高
性能
DO-41
工业
标准
1N5913B
1N5914B
1N5915B
1N5916B
1N5917B
1N5918B
1N5919B
AX-5W
一般
用途
1N5008A
1N5009A*
1N5010A
1N5011A
1N5012A
1N5013A
1N5014A
1N5015A
1N5016A
1N5017A
1N5018A
1N5019A
1N5020A
1N5021A
1N5022A
1N5023A
1N5024A
1N5025A
1N5026A
1N5027A
1N5028A
1N5029A
1N5030A
1N5031A
1N5032A
1N5033A*
1N5034A
1N5035A
如需完整的规格，请咨询厂家。
*不建议用于新设计。
1N4460
1N4461
1N4462
1N4463
1N4464
1N4465
1N4466
1N4467
1N4468
1N4469
1N4470
1N4471
1N4472
1N4473
1N4474
1N4475
1N4476
1N5920B
1N5921B
1N5922B
1N5923B
1N5924B
1N5925B
1N5926B
1N5927B
1N5928B
1N5929B
1N5930B
1N5931B
1N5932B
1N5933B
1N5934B
1N5935B
1N5936B
114
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
1N5913B...1N5956B
3 W硅稳压二极管
最大。 0.7
马克斯。 2.8
分钟。 25.4
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
"ST"品牌
XXX
ST
马克斯。 4.2
分钟。 25.4
玻璃外壳DO- 41
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
最大稳态功耗
在T
L
= 75
O
C，引线长度= 8"分之3
结温
存储温度范围
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
3
175
- 65 + 175
单位
W
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
正向电压
在我
F
= 200毫安
符号
V
F
马克斯。
1.5
单位
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 30/04/2008
1N5913B…1N5956B
特征
T
a
= 25
O
C
齐纳电压
TYPE
喃。 （V ）
1N5913B
1N5914B
1N5915B
1N5916B
1N5917B
1N5918B
1N5919B
1N5920B
1N5921B
1N5922B
1N5923B
1N5924B
1N5925B
1N5926B
1N5927B
1N5928B
1N5929B
1N5930B
1N5931B
1N5932B
1N5933B
1N5934B
1N5935B
1N5936B
1N5937B
1N5938B
1N5939B
1N5940B
1N5941B
1N5942B
1N5943B
1N5944B
1N5945B
1N5946B
1N5947B
1N5948B
1N5949B
1N5950B
1N5951B
1N5952B
1N5953B
1N5954B
1N5955B
1N5956B
1)
1)
最大齐纳阻抗
Z
ZT
Z
ZK
I
ZT
（MA ）
113.6
104.2
96.1
87.2
79.8
73.5
66.9
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
28.8
25
23.4
20.8
18.7
17
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8
7.3
6.7
6
5.5
5
4.6
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
最大。 （ Ω ）
500
500
500
500
500
350
250
200
200
400
400
500
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
3100
4000
4500
5000
6000
6500
7000
9990
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
I
ZT
（MA ）
113.6
104.2
96.1
87.2
79.8
73.5
66.9
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
28.8
25
23.4
20.8
18.7
17
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8
7.3
6.7
6
5.5
5
4.6
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
最大。 （ Ω ）
10
9
7.5
6
5
4
2
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5.5
6.5
7
9
10
12
14
17.5
19
23
26
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
250
300
380
450
600
700
900
1900
漏电流
I
R
V
R
(V)
1
1
1
1
1.5
2
3
4
5.2
6
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
76
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
V
Z
MIN 。 （V ）
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
71.25
77.9
86.45
95
104.5
114
123.5
142.5
152
171
190
MAX 。 （V ）
3.47
3.78
4.1
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
78.75
86.1
95.55
105
115.5
126
136.5
157.5
168
189
210
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
最大直流
齐纳电流
I
ZM
（MA ）
454
416
384
348
319
294
267
241
220
200
182
164
150
136
125
115
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
38
34
31
29
26
24
22
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8
7
I
ZK
（毫安）最大。 （ μA ）
100
75
25
5
5
5
40
40
50
50
50
50
50
50
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
测试了脉冲TP = 20毫秒
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 30/04/2008
1N5913B...1N5956B
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 30/04/2008
QQ：2880707522 复制
