【1N59081500瓦Mosorbt齐纳瞬态电压抑制器单向*Mosorb设备旨在保护电压敏感组件由高】,IC型号1N5908,1N5908 PDF资料,1N5908经销商,ic,电子元器件-51电子网

1N5908

1500瓦Mosorbt齐纳

瞬态电压抑制器

单向*

Mosorb设备旨在保护电压敏感

组件由高电压，高能量瞬变。他们有

出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳

阻抗和快速响应时间。这些设备是

安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性

Surmetict轴向引线封装，是理想的适合于用在

通信系统，数控系统，过程控制，

医疗设备，商用机器，电源和许多

其他工业/消费应用，以保护CMOS ， MOS和

双极集成电路。

特点

http://onsemi.com

阴极

阳极

工作峰值反向电压范围 - 5 V

峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒

最大钳位电压@峰值脉冲电流

低漏< 5

上述10 V

响应时间通常< 1纳秒

无铅包可用

轴向引线

CASE 41A

塑料

标记图

5908

YYWWG

=大会地点

1N5908 = JEDEC设备号

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

机械特性

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料

表面处理：

所有的外部表面耐腐蚀和导线

随手可焊

最大的铅焊接温度的目的：

230_C ， 1/16“从10秒的情况下

极性：

阴极指示的极性带

安装位置：

任何

订购信息

设备

1N5908

1N5908G

1N5908RL4

1N5908RL4G

包

轴向引线

（无铅）

轴向引线

（无铅）

航运

500单位/箱

1500 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

2005年7月 - 第4版

出版订单号：

1N5908/D

1N5908

最大额定值

等级

峰值功耗（注1 ）

@ T

≤

25°C

稳定状态下的功耗

@ T

≤

75 ° C，引线长度= 3/8 “

上述牛逼降额

= 75°C

热阻，结到铅

正向浪涌电流（注2 ）

@ T

= 25°C

工作和存储

温度范围

符号

价值

1500

5.0

qJL

FSM

, T

英镑

200

- 65 +175

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限

值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，

可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。

按照图4 1.非重复性电流脉冲及以上牛逼降额

= 25 ℃，按照图2 。

2. 1/2正弦波（或同等学历方波）， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。

*双向设备将不会在该设备可用

电气特性

= 25°C ，除非

另有说明，V

= 3.5 V最大。 @我

（注3 ） = 100 A）

符号

RWM

参数

最大反向峰值脉冲电流

钳位电压@ I

工作峰值反向电压

最大反向漏电流@ V

RWM

击穿电压@ I

测试电流

正向电流

正向电压@ I

RWM

单向TVS

电气特性

= 25 ° C除非另有说明，V

= 3.5 V最大。 @我

（注3

)

= 53 A)

RWM

（注5 ）

（伏）

击穿电压

@ V

RWM

（MA ）

民

（注6 ）

（伏）

喃

最大

@ I

（MA ）

@ I

= 120 A

@ I

= 60 A

@ I

= 30 A

（伏）

（注7 ）

设备

（注4 ）

1N5908

5.0

300

6.0

1.0

8.5

8.0

7.6

方波， PW = 8.3毫秒，不重复的占空比。

1N5908是JEDEC注册为单向器（不使用双向选择）

瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V

RWM

），这应该等于或

比直流或连续峰值工作电压电平更大。

在脉冲测试电流I测量

在25 ℃的环境温度和最低电压V中

都被控制。

浪涌电流波形按照图4和每一般数据中的图2的降额 - 1500 W在这个组的开始

http://onsemi.com

1N5908

峰值脉冲降额的％

峰值功率或电流@ T = 25

100

不重复

脉冲波形

如图5中所示

PPK ，峰值功率（kw ）

100

100 125 150 175 200

，环境温度（ ° C）

0.1

100

1毫秒

10毫秒

，脉宽

图1.脉冲额定值曲线

图2.脉冲降额曲线

PD ，稳态功耗（瓦）

3/8″

100 125 150 175

，焊接温度（ ° C）

200

3/8″

100

值（％）

≤

峰值 - 我

脉冲宽度（T

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减到50 ％

我

半值 -

吨，时间（ ms）的

图3.稳态功率降额

图4.脉冲波形

0.7

0.5

0.3

降额因子

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.1

0.2

0.5

D，占空比（％）

100

脉冲宽度

10毫秒

1毫秒

100

图5.典型的降额因子的占空比

http://onsemi.com

1N5908

应用笔记

响应时间

在大多数应用中，瞬变抑制器装置是

平行放置，所述设备或组件是

受保护的。在这种情况下，有一个与相关联的时间延迟

该器件的电容和过冲的条件

与所述设备和所述电感器的电感有关的

的连接方法。电容效应是次要的

在并联保护方案的重要性，因为它仅

产生的时间延迟在从操作的过渡

电压钳位电压在图6中，如图所示。

在器件中的电感效应是由于实际的导通

所需的设备的时间（时间去从零电流到全

电流）和引线电感。这种诱导效应产生

过冲在整个设备或组件上的电压

被保护成如图7所示。最小化这

过冲是在应用非常重要，由于主

目的，用于将瞬变抑制器是为钳位电压

尖峰。这些器件具有良好的反应时间，通常

在皮秒范围和极小的电感。不过，

外部感应效果可能会产生不能接受的

过冲。正确的电路布局，最小导线长度和

将所述抑制器装置尽可能接近的

设备或部件被保护将最大限度地减少这种

过冲。

由Z表示的一些输入阻抗

是必不可少的

防止所述保护装置的过应力。这种阻抗

应尽可能地高，而不限制电路

操作。

占空比降额

图1的数据适用于不重复的条件

并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，

通过的曲线所指示的峰值功率必须减少

图5.平均功耗必须降低为主角或环境

温度超过25 ℃。平均功耗降额

曲线上的数据表，通常可以考虑进行标准化和

用于此目的。

乍一看，图5的降额曲线似乎是

在误差为10毫秒的脉冲具有比所述较高的降级因数

脉搏。然而，当给出一个降额因子

脉冲图5乘以的峰值功率值

图1为相同的脉冲，其结果遵循预期

的趋势。

通常的保护电路

负载

（瞬态）

过冲DUE TO

电感效应

（瞬态）

= TIME DELAY由于电容的影响

图6 。

图7 。

CLIPPER双向器件

1.流线型双向器件可在

3.通过1N6303A系列1N6267A是JEDEC

1.5KEXXA系列和被指定一个“CA”后缀;

注册的设备和登记不包括

例如， 1.5KE18CA 。联系离您最近的ON

“CA”的后缀。如需订购流线型双向设备1

安森美半导体的代表。

必须添加CA的1.5KE设备称号。

2.快船双向部分号码在两个测试

方向电气参数前述表

（除V

这不适用）。

http://onsemi.com

1N5908

包装尺寸

MOSORB

CASE 41A -04

版本D

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.铅光洁度和直径不受控制

在维P.

4. 041A -01 THRU 041A -03过时了，新

标准041A -04 。

英寸

民

最大

0.335

0.374

0.189

0.209

0.038

0.042

1.000

0.050

MILLIMETERS

民

最大

8.50

9.50

4.80

5.30

0.96

1.06

25.40

1.27

暗淡

http://onsemi.com

1N5908

1500瓦Mosorbt齐纳

瞬态电压抑制器

单向*

Mosorb设备旨在保护电压敏感

组件由高电压，高能量瞬变。他们有

出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳

阻抗和快速响应时间。这些设备是

安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性

Surmetict轴向引线封装，是理想的适合于用在

通信系统，数控系统，过程控制，

医疗设备，商用机器，电源和许多

其他工业/消费应用，以保护CMOS ， MOS和

双极集成电路。

特点

http://onsemi.com

阴极

阳极

工作峰值反向电压范围 - 5 V

峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒

最大钳位电压@峰值脉冲电流

低漏< 5

上述10 V

响应时间通常< 1纳秒

无铅包可用

轴向引线

CASE 41A

塑料

标记图

5908

YYWWG

=大会地点

1N5908 = JEDEC设备号

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

机械特性

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料

表面处理：

所有的外部表面耐腐蚀和导线

随手可焊

最大的铅焊接温度的目的：

230_C ， 1/16“从10秒的情况下

极性：

阴极指示的极性带

安装位置：

任何

订购信息

设备

1N5908

1N5908G

1N5908RL4

1N5908RL4G

包

轴向引线

（无铅）

轴向引线

（无铅）

航运

500单位/箱

1500 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

2005年7月 - 第4版

出版订单号：

1N5908/D

1N5908

最大额定值

等级

峰值功耗（注1 ）

@ T

≤

25°C

稳定状态下的功耗

@ T

≤

75 ° C，引线长度= 3/8 “

上述牛逼降额

= 75°C

热阻，结到铅

正向浪涌电流（注2 ）

@ T

= 25°C

工作和存储

温度范围

符号

价值

1500

5.0

qJL

FSM

, T

英镑

200

- 65 +175

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限

值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，

可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。

按照图4 1.非重复性电流脉冲及以上牛逼降额

= 25 ℃，按照图2 。

2. 1/2正弦波（或同等学历方波）， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。

*双向设备将不会在该设备可用

电气特性

= 25°C ，除非

另有说明，V

= 3.5 V最大。 @我

（注3 ） = 100 A）

符号

RWM

参数

最大反向峰值脉冲电流

钳位电压@ I

工作峰值反向电压

最大反向漏电流@ V

RWM

击穿电压@ I

测试电流

正向电流

正向电压@ I

RWM

单向TVS

电气特性

= 25 ° C除非另有说明，V

= 3.5 V最大。 @我

（注3

)

= 53 A)

RWM

（注5 ）

（伏）

击穿电压

@ V

RWM

（MA ）

民

（注6 ）

（伏）

喃

最大

@ I

（MA ）

@ I

= 120 A

@ I

= 60 A

@ I

= 30 A

（伏）

（注7 ）

设备

（注4 ）

1N5908

5.0

300

6.0

1.0

8.5

8.0

7.6

方波， PW = 8.3毫秒，不重复的占空比。

1N5908是JEDEC注册为单向器（不使用双向选择）

瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V

RWM

），这应该等于或

比直流或连续峰值工作电压电平更大。

在脉冲测试电流I测量

在25 ℃的环境温度和最低电压V中

都被控制。

浪涌电流波形按照图4和每一般数据中的图2的降额 - 1500 W在这个组的开始

http://onsemi.com

1N5908

峰值脉冲降额的％

峰值功率或电流@ T = 25

100

不重复

脉冲波形

如图5中所示

PPK ，峰值功率（kw ）

100

100 125 150 175 200

，环境温度（ ° C）

0.1

100

1毫秒

10毫秒

，脉宽

图1.脉冲额定值曲线

图2.脉冲降额曲线

PD ，稳态功耗（瓦）

3/8″

100 125 150 175

，焊接温度（ ° C）

200

3/8″

100

值（％）

≤

峰值 - 我

脉冲宽度（T

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减到50 ％

我

半值 -

吨，时间（ ms）的

图3.稳态功率降额

图4.脉冲波形

0.7

0.5

0.3

降额因子

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.1

0.2

0.5

D，占空比（％）

100

脉冲宽度

10毫秒

1毫秒

100

图5.典型的降额因子的占空比

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1N5908

应用笔记

响应时间

在大多数应用中，瞬变抑制器装置是

平行放置，所述设备或组件是

受保护的。在这种情况下，有一个与相关联的时间延迟

该器件的电容和过冲的条件

与所述设备和所述电感器的电感有关的

的连接方法。电容效应是次要的

在并联保护方案的重要性，因为它仅

产生的时间延迟在从操作的过渡

电压钳位电压在图6中，如图所示。

在器件中的电感效应是由于实际的导通

所需的设备的时间（时间去从零电流到全

电流）和引线电感。这种诱导效应产生

过冲在整个设备或组件上的电压

被保护成如图7所示。最小化这

过冲是在应用非常重要，由于主

目的，用于将瞬变抑制器是为钳位电压

尖峰。这些器件具有良好的反应时间，通常

在皮秒范围和极小的电感。不过，

外部感应效果可能会产生不能接受的

过冲。正确的电路布局，最小导线长度和

将所述抑制器装置尽可能接近的

设备或部件被保护将最大限度地减少这种

过冲。

由Z表示的一些输入阻抗

是必不可少的

防止所述保护装置的过应力。这种阻抗

应尽可能地高，而不限制电路

操作。

占空比降额

图1的数据适用于不重复的条件

并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，

通过的曲线所指示的峰值功率必须减少

图5.平均功耗必须降低为主角或环境

温度超过25 ℃。平均功耗降额

曲线上的数据表，通常可以考虑进行标准化和

用于此目的。

乍一看，图5的降额曲线似乎是

在误差为10毫秒的脉冲具有比所述较高的降级因数

脉搏。然而，当给出一个降额因子

脉冲图5乘以的峰值功率值

图1为相同的脉冲，其结果遵循预期

的趋势。

通常的保护电路

负载

（瞬态）

过冲DUE TO

电感效应

（瞬态）

= TIME DELAY由于电容的影响

图6 。

图7 。

CLIPPER双向器件

1.流线型双向器件可在

3.通过1N6303A系列1N6267A是JEDEC

1.5KEXXA系列和被指定一个“CA”后缀;

注册的设备和登记不包括

例如， 1.5KE18CA 。联系离您最近的ON

“CA”的后缀。如需订购流线型双向设备1

安森美半导体的代表。

必须添加CA的1.5KE设备称号。

2.快船双向部分号码在两个测试

方向电气参数前述表

（除V

这不适用）。

http://onsemi.com

1N5908

包装尺寸

MOSORB

CASE 41A -04

版本D

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.铅光洁度和直径不受控制

在维P.

4. 041A -01 THRU 041A -03过时了，新

标准041A -04 。

英寸

民

最大

0.335

0.374

0.189

0.209

0.038

0.042

1.000

0.050

MILLIMETERS

民

最大

8.50

9.50

4.80

5.30

0.96

1.06

25.40

1.27

暗淡

http://onsemi.com

1N6267直通1N6303A ， E3

1.5KE6.8直通1.5KE400CA ， E3

斯科茨代尔区划

单向双向&

瞬态电压抑制器

描述

瞬态电压抑制器（ TVS）系列1N5908 & 1N6267-1N6303A

是JEDEC注册选择单向装置。流行系列

1.5KE6.8-1.5KE400CA提供了类似的电压与扩展电压范围

并且还提供了具有C或CA后缀双向选择。所有具有相同

1500 W高额定峰值脉冲功率和极快的响应时间。他们

每IEC61000-4-5和职业等级二级防雷效果能保护

本文中所描述，以及电感式开关的环境和感应射频

保护。因为它们的响应时间几乎是瞬间的，它们也可以

从ESD和EFT每IEC61000-4-2和IEC61000-4-4保护。

重要提示：

有关最新资料，请咨询

Microsemi的

网址：

http://www.microsemi.com

外形

WWW .

Microsemi的

案例1

特点

经济型TVS系列通孔安装

可提供单向和双向

（ 1.5KE系列中添加C或CA后缀为双向）

电压范围为6.8 400 V击穿（V

)

瞬态抑制高达1500瓦特@ 10/1000微秒

可选100 ％

筛查航空电子级

可通过添加MA前缀部分号码添加

100％的温度循环-55

C至+ 125

C（ 10X ），以及

浪涌（ 3X ）并在24小时HTRB与测试后V

＆放大器;

（在操作方向为单向或两者

方向为双向）

按照MIL- PRF-筛选选项

19500的JANTX也可以通过添加MX

前缀的部件号。

表面贴装封装相当于可作为

SMCJ5.0 - SMCJ170CA或SMCG5.0 - SMCG170CA

（咨询工厂其他表面贴装选项）

保湿分类等级1 ，无干燥包

根据IPC / JEDEC J -STD- 020B标准要求

可通过添加“ E3 ”后缀符合RoHS设备

应用/优势

保护开关瞬态和感应RF

保护免受ESD和EFT符合IEC 61000-4-2和

IEC 61000-4-4具有响应速度快

每IEC61000-4-5次级雷击保护，

42欧姆源阻抗：

第1类： 1.5KE6.8A到1.5KE200A或CA *

第2类： 1.5KE5.0A到1.5KE180A或CA *

第3类： 1.5KE5.0A到1.5KE91A或CA *

第四类： 1.5KE5.0A到1.5KE43A或CA *

每IEC61000-4-5次级雷击保护，

12欧姆源阻抗：

第1类： 1.5KE5.0A到1.5KE110A或CA *

第2类： 1.5KE5.0A到1.5KE56A或CA *

第3类： 1.5KE5.0A到1.5KE27A或CA *

第四类： 1.5KE5.0A到1.5KE13A或CA *

每IEC61000-4-5次级雷击保护，

2欧姆源阻抗：

第2类： 1.5KE5.0A到1.5KE24A或CA *

第3类： 1.5KE5.0到1.5KE12A或CA *

*也适用于1N5908相同的电压和1Nxxxx

最大额定值

峰值脉冲功率耗散在25

C： 1500瓦特在

10/1000

μs

（也可参见图1,2和3 ）

脉冲重复率（占空因数）：0.01％

夹紧

（ 0伏特至V

（ BR ）

分）： < 100ps的理论为

单向和< 5 ns的双向

操作和储存温度： -65

C至+150

热电阻： 22

C / W交界处领导在3/8英寸

（ 10mm）的自体，或82

C / W结到环境的时候

安装在FR4印刷电路板用4 mm铜垫

（ 1盎司）和跟踪宽1毫米，长25毫米

稳态功耗： 5瓦特在T

= 40

或1.52瓦特在T

= 25

安装FR4 PC上。当C

主板描述的热阻

正向浪涌： 8.3毫秒200安培峰值脉冲半

在25℃的正弦波（单向只）

焊接温度： 260

下10秒（最大）

机械及包装

案例：无空洞转移成型热固性

环氧机构会议UL94V- 0

镀层：锡铅或符合RoHS雾锡

每MIL -STD- 750方法2026电镀可焊性

极性：负极由乐队表示。没有

标记双向设备

标记：部件号

TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加

“ TR ”后缀的部件号）

重量：1.5克数（近似值）

请参阅最后一页的封装尺寸

1N6267 - 1N6303A ， E3

1.5KE6.8 - 1.5KE400A ， E3

版权

2009

11-03-2009版本G ; SA4-15

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第1页

1N6267直通1N6303A ， E3

1.5KE6.8直通1.5KE400CA ， E3

斯科茨代尔区划

单向双向&

瞬态电压抑制器

电气特性

工业

TYPE

数

1.5KE6.8

1.5KE6.8A

1.5KE7.5

1.5KE7.5A

1.5KE8.2

1.5KE8.2A

1.5KE9.1

1.5KE9.1A

1.5KE10

1.5KE10A

1.5KE11

1.5KE11A

1.5KE12

1.5KE12A

1.5KE13

1.5KE13A

1.5KE15

1.5KE15A

1.5KE16

1.5KE16A

1.5KE18

1.5KE18A

1.5KE20

1.5KE20A

1.5KE22

1.5KE22A

1.5KE24

1.5KE24A

1.5KE27

1.5KE27A

1.5KE30

1.5KE30A

1.5KE33

1.5KE33A

1.5KE36

1.5KE36A

1.5KE39

1.5KE39A

1.5KE43

1.5KE43A

1.5KE47

1.5KE47A

1.5KE51

1.5KE51A

1.5KE56

1.5KE56A

1.5KE62

1.5KE62A

1.5KE68

1.5KE68A

1.5KE75

1.5KE75A

WWW .

Microsemi的

JEDEC

TYPE

数

1N5908

1N6267

1N6267A

1N6268

1N6268A

1N6269

1N6269A

1N6270

1N6270A

1N6271

1N6271A

1N6272

1N6272A

1N6273

1N6273A

1N6274

1N6274A

1N6275

1N6275A

1N6276

1N6276A

1N6277

1N6277A

1N6278

1N6278A

1N6279

1N6279A

1N6280

1N6280A

1N6281

1N6281A

1N6282

1N6282A

1N6283

1N6283A

1N6284

1N6284A

1N6285

1N6285A

1N6286

1N6286A

1N6287

1N6287A

1N6288

1N6288A

1N6289

1N6289A

1N6290

1N6290A

1N6291

1N6291A

1N6292

1N6292A

评级

STANDOFF

电压

（注1 ）

伏

5.0

5.50

5.80

6.05

6.40

6.63

7.02

7.37

7.78

8.10

8.55

8.92

9.40

9.72

10.220

10.50

11.10

12.10

12.80

12.90

13.60

14.50

15.30

16.20

17.10

17.80

18.80

19.40

20.50

21.80

23.10

24.30

25.60

26.80

28.20

29.10

30.80

31.60

33.30

34.80

36.80

38.10

40.20

41.30

43.60

45.40

47.80

50.20

53.00

55.10

58.10

60.70

64.10

击穿

电压

最大

夹紧

电压

@ I

伏

7.6

10.8

10.5

11.7

11.3

12.5

12.1

13.8

13.4

15.0

14.5

16.2

15.6

17.3

16.7

19.0

18.2

22.0

21.2

23.5

22.5

26.5

25.2

29.1

27.7

31.9

30.6

34.7

33.2

39.1

37.5

43.5

41.4

47.7

45.7

52.0

49.9

56.4

53.9

61.9

59.3

67.8

64.8

73.5

70.1

80.5

77.0

89.0

85.0

98.0

92.0

108.0

103.0

最大

待机

当前

@ V

μA

300

1000

500

200

最大

（ BR ）

峰值脉冲

当前

（图2）

139.0

143.0

128.0

132.0

120.0

124.0

109.0

112.0

100.0

103.0

93.0

96.0

87.0

90.0

79.0

82.0

68.0

71.0

64.0

67.0

56.5

59.5

51.5

54.0

47.0

49.0

43.0

45.0

38.5

40.0

34.5

36.0

31.5

33.0

29.0

30.0

26.5

28.0

24.0

25.3

22.2

23.2

20.4

21.4

18.6

19.5

16.9

17.7

15.3

16.3

13.9

14.6

最大

温度

对COEF网络cient

（ BR ）

V（ BR ）

%/ C

.057

.061

.065

.068

.073

.075

.078

.081

.084

.086

.088

.090

.092

.094

.096

.097

.098

.099

.100

.101

.102

.103

.104

.105

伏

分钟。马克斯。

6.0 – -

6.12 – 7.48

6.45 – 7.14

6.75 – 8.25

7.13 – 7.88

7.38 – 9.02

7.79 – 8.61

8.19 – 10.00

8.65 – 9.55

9.00 – 11.00

9.50 – 10.50

9.90 – 12.10

10.50 – 11.60

10.80 – 13.20

11.40 – 12.60

11.70 – 14.30

12.40 – 13.70

13.50 – 16.50

14.30 – 15.80

14.40 – 17.60

15.20 – 16.80

16.20 – 19.80

17.10 – 18.90

18.00 – 22.00

19.00 – 21.00

19.80 – 24.20

20.90 – 23.10

21.60 – 26.40

22.80 – 25.20

24.30 – 29.70

25.70 – 28.40

27.00 – 33.00

28.50 – 31.50

29.70 – 36.30

31.40 – 34.70

32.40 – 39.60

34.20 – 37.80

35.10 – 42.90

37.10 – 41.00

38.70 – 47.30

40.90 – 45.20

42.30 – 51.70

44.70 – 49.40

45.90 – 56.10

48.50 – 53.60

50.40 – 61.60

53.20 – 58.80

55.80 – 68.20

58.90 – 65.10

61.20 – 74.80

64.60 – 71.40

67.50 – 82.50

71.30 – 78.80

1N6267 - 1N6303A ， E3

1.5KE6.8 - 1.5KE400A ， E3

版权

2009

11-03-2009版本G ; SA4-15

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第2页

1N6267直通1N6303A ， E3

1.5KE6.8直通1.5KE400CA ， E3

斯科茨代尔区划

单向双向&

瞬态电压抑制器

WWW .

Microsemi的

工业

TYPE

数

JEDEC

TYPE

数

评级

STANDOFF

电压

（注1 ）

击穿

电压

最大

夹紧

电压

@ I

（ BR ）

最大

待机

当前

@ V

最大

（ BR ）

峰值脉冲

当前

（图2）

最大

温度

对COEF网络cient

（ BR ）

V（ BR ）

伏

分钟。马克斯。

伏

%/ C

μA

.105

12.7

118.0

73.80 – 90.20

66.40

1N6293

1.5KE82

.105

13.3

113.0

77.90 – 86.10

70.10

1N6293A

1.5KE82A

.106

11.4

131.0

81.90 – 100.00

73.70

1N6294

1.5KE91

.106

12.0

125.0

86.50 – 95.50

77.80

1N6294A

1.5KE91A

.106

10.4

144.0

90.00 – 110.00

81.00

1N6295

1.5KE100

.106

11.0

137.0

95.00 – 105.00

85.50

1N6295A

1.5KE100A

.107

9.5

158.0

99.00 – 121.00

89.20

1N6296

1.5KE110

.107

9.9

152.0

105.00 – 116.00

94.00

1N6296A

1.5KE110A

.107

8.7

173.0

108.00 – 132.00

97.20

1N6297

1.5KE120

.107

9.1

165.0

114.00 – 126.00

102.00

1N6297A

1.5KE120A

.107

8.0

187.0

117.00 – 143.00

105.00

1N6298

1.5KE130

.107

8.4

179.0

124.00 – 137.00

111.00

1N6298A

1.5KE130A

.108

7.0

215.0

135.00 – 165.00

121.00

1N6299

1.5KE150

.108

7.2

207.0

143.00 – 158.00

128.00

1N6299A

1.5KE150A

.108

6.5

230.0

144.00 – 176.00

130.00

1N6300

1.5KE160

.108

6.8

219.0

152.00 – 168.00

136.00

1N6300A

1.5KE160A

.108

6.2

244.0

153.00 – 187.00

138.00

1N6301

1.5KE170

.108

6.4

234.0

162.00 – 179.00

145.00

1N6301A

1.5KE170A

.108

5.8

258.0

162.00 – 198.00

146.00

1N6303

1.5KE180

.108

6.1

246.0

171.00 – 189.00

154.00

1N6303A

1.5KE180A

.108

5.2

287.0

180.00 – 220.00

162.00

1.5KE200

.108

5.5

274.0

190.00 – 210.00

171.00

1.5KE200A

.110

4.3

344.0

198.00 – 242.00

175.00

1.5KE220

.110

4.6

328.0

209.00 – 231.00

185.00

1.5KE220A

.110

5.0

360.0

225.00 – 275.00

202.00

1.5KE250

.110

5.0

344.0

237.00 – 263.00

214.00

1.5KE250A

.111

5.0

430.0

270.00 – 330.00

243.00

1.5KE300

.111

5.0

414.0

285.00 – 315.00

256.00

1.5KE300A

.111

4.0

504.0

315.00 – 385.00

284.00

1.5KE350

.111

4.0

482.0

332.00 – 368.00

300.00

1.5KE350A

.111

4.0

574.0

360.00 – 440.00

324.00

1.5KE400

.111

4.0

548.0

380.00 – 420.00

324.00

1.5KE400A

注：1 。

正常的选择标准TVS器件是额定关态电压（V

）和应等于或大于直流或连续的峰

的工作电压。

TVS器件进行测试，以最大峰值脉冲电流（I

）与钳位电压监测。这种浪涌能力是一个最

该装置和显著电特性应被视为客户质量检查的一部分。

对于双向部分号码添加C或CA作为后缀（ EE ， 1.5KE33C或1.5KE33CA ）。对于具有V型双向

8伏，

下，在我

漏电流加倍。 1N62XX或1N5908不作为双向的。对于双极性电容将0.5 ，在显示

图。 2零偏差。

为单向，正向电压（V

）是伏最高3.5在百安培峰值为8.3 ms半正弦波。

1N6267 - 1N6303A ， E3

1.5KE6.8 - 1.5KE400A ， E3

符号

（最大）

符号定义&

德网络nition

工作峰值（防区）电压

峰值脉冲电流

峰值脉冲功率

最大钳位电压

击穿电压

测试电流

待机电流

（ BR ）

版权

2009

11-03-2009版本G ; SA4-15

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第3页

1N6267直通1N6303A ， E3

1.5KE6.8直通1.5KE400CA ， E3

斯科茨代尔区划

单向双向&

瞬态电压抑制器

图的

WWW .

Microsemi的

图1

峰值脉冲功率与

脉冲时间（T

）在

μs

脉冲时间（ TW ）在

μs

峰值脉冲功率（

）或连续

功率在25℃评分百分比

1N6267 - 1N6303A ， E3

1.5KE6.8 - 1.5KE400A ， E3

图2

脉冲波形

LEAD温度下

科幻gure 3

降额曲线

版权

2009

11-03-2009版本G ; SA4-15

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第4页

1N6267直通1N6303A ， E3

1.5KE6.8直通1.5KE400CA ， E3

斯科茨代尔区划

单向双向&

瞬态电压抑制器

WWW .

Microsemi的

包装尺寸

图4

典型的电容比。

击穿电压

注：尺寸单位：英寸

1N6267 - 1N6303A ， E3

1.5KE6.8 - 1.5KE400A ， E3

版权

2009

11-03-2009版本G ; SA4-15

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第5页

1N5908

SM5908

TRANSIL

特点

单向TRANSIL二极管

峰值脉冲功率： 1500瓦（ 10 / 1000μs ）

反向关断电压： 5 V

低钳位因子

快速响应时间

UL认可

描述

该1N5908和SM5908都献给了5 V

logiccircuit保护（ TTL和CMOS技术）。

它们的低钳位电压，高电流水平

保证了灵敏的优良保护

组件。

绝对最大额定值

AMB

= 25°C).

符号

FSM

英镑

参数

峰值脉冲功率耗散（见注1）

在无限的散热器功耗

不重复浪涌峰值正向电流

单向类型

存储温度范围

最高结温

最大无铅焊接温度的

期间（从案例CB429为5mm ） 10秒

CB429

SMC

TJ初始= T

AMB

= 75°C

= 10ms的

初始= T

AMB

价值

1500

200

- 65 + 175

175

230

260

单位

°C

CB429

SMC

注1

：对于浪涌大于最大值时，二极管将在短路故障。

热阻

符号

号（j -1）的

号（j -a）的

结到引线

结到环境

上的印刷电路。

升主导= 10毫米

在推荐的焊盘布局

CB429

SMC

参数

价值

单位

° C / W

1999年8月版： 2A

1/6

1N5908/SM5908

电气特性（T

AMB

= 25°C)

符号

参数

待机offvoltage

击穿电压

钳位电压

漏电流@ V

峰值脉冲电流

电压温度系数

正向电压

@ V

类型

最大

@ I

民

note2

@ I

最大

10/1000s

7.6

@ I

最大

10/1000s

@ I

最大

10/1000s

8.5

120

αT

最大

note3

-4

/°C

5.7

典型值

note4

9500

1N5908

SM5908

300

% I

100

图。 1 ：

峰值脉冲功耗与

初始结温（印刷电路板）。

1000

注2 ：

注3 ：

注4

脉冲测试： TP < 50毫秒

αT*(T

AMB

-25)* V

(25°C).

= 0V中，f = 1 MHz的

2/6

1N5908/SM5908

图。 2 ：

峰值脉冲功率与指数脉冲持续时间。

图。 3 ：

钳位电压与峰值脉冲电流。

指数波形

= 10毫秒...............

= 1毫秒-------------

= 20

s________

注意：

在图3的曲线为25的结温度规定

°C

前激增。

给定的结果，可推测为其它结点温度下，通过使用下面的公式：

αT

AMB

- 25)

(25°C).

3/6

1N5908/SM5908

图。 4 ：

电容与反向应用

电压（典型值）。

图。 5 ：

峰值正向压降与峰值

正向电流。

图。 6A / 6B ：

瞬态热阻抗结点ambientversus脉冲持续时间。

图。 6A ：

CB429包。

（对于FR4 PC板为L

领导

= 10 mm)

图。图6b ：

SMC封装。

安装在FR4印刷电路板与推荐

键盘布局。

图。 7 ：

漏电流的相对变化

随结温。

4/6

1N5908/SM5908

订货编号

1N5908 RL

器件代码

包装：

= Ammopack磁带

RL =磁带和卷轴

SM 5908

数码

表面贴装

标记：

标志，类型代码和阴极带

包

SMC

CB429

TYPE

SM5908

1N5908

记号

MDC

1N5908

白色带表示阴极

包装机械数据

SMC

（塑胶）

尺寸

REF 。

MILLIMETERS

分钟。

马克斯。

2.45

0.20

3.2

0.41

8.15

7.15

4.70

6.25

1.60

1.90

0.05

2.90

0.15

7.75

6.60

4.40

5.55

0.75

英寸

分钟。

0.075

0.002

0.114

0.006

0.305

0.260

0.173

0.218

0.030

马克斯。

0.096

0.008

0.126

0.016

0.321

0.281

0.185

0.246

0.063

FOOT PRINT

（单位：毫米）

3.3

2.0

4.2

2.0

包装

： Standardpackagingis在磁带和卷轴。

重量

= 0.25 g.

5/6

1N5907和1N5908

1500 W低电压瞬变

电压抑制器

斯科茨代尔区划

描述

这对单向的低电压的瞬态电压抑制器（ TVS ）

为1N5907和1N5908 JEDEC注册有不同的设备

包有1500相同的高峰值脉冲功率等级W和

极其快速的响应时间。该1N5907是一个合格的军人提供

如本文中的特色部分中描述的版本。它们最常用于

保护免受电感式开关瞬变的环境，诱导

RF的影响，或在水平激增发现诱导二次雷电影响

IEC61000-4-5本文中所描述。它们也可用于保护非常成功

当低电压，需要机载航空电子设备和电气系统。自

其响应时间几乎是瞬间的，它们也可以免受ESD保护

和EFT每IEC61000-4-2和IEC61000-4-4 。

两个不透气的密封和模塑类型可用。

重要提示：

有关最新资料，请咨询

Microsemi的

网址：

http://www.microsemi.com

外形

WWW .

Microsemi的

DO-13

(DO-202AA)

案例1

特点

单向TVS系列通孔安装

抑制瞬变高达1500瓦特@ 10/1000微秒（图1）

在小于100微微秒

低工作电压（V

）的5 V

气密密封， 1N5907和塑料DO- 13金属封装

“案例1” 1N5908

JAN / TX /热力膨胀阀适用于每MIL- 1N5907军事资质

PRF - 500分之19500加入JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀，如

JANTXV1N5907

表面贴装也可作为SMCJ5.0相当于包

或SMCG5.0在单独的数据表（咨询工厂其他

表面贴装选项）

应用/优势

保护开关瞬态和感应RF

保护TTL ， ECL ， DTL ， MOS ，微星等

集成电路需要5.0 V或更低的功耗

耗材

保护免受ESD和EFT符合IEC 61000-4-2和

IEC 61000-4-4

每IEC61000-4-5次级雷击保护，

42欧姆源阻抗： 1级通4

每IEC61000-4-5次级雷击保护，

12欧姆源阻抗： 1级通4

每IEC61000-4-5次级雷击保护，

2欧姆源阻抗： 2级& 3

1N5907固有的辐射坚硬如所描述

Microsemi的MicroNote 050

最大额定值

1500瓦为10/1000

在铅温度（T

) 25

C（见图。

1 ，2和4）为0.01 ％或更少的重复率*

操作&存储温度： -65

到+175

下1N5907

和

-65

+150

下1N5908

热阻（交界处领导）： 50

对于1N5907 C / W或

为1N5908在从主体0.375英寸（ 10mm）的C / W的

热阻（结到环境）： 110

对于C / W

1N5907或82

对于1N5908安装在FR4印刷电路板时， C / W

为4 mm

铜垫（1盎司）和跟踪宽1毫米，长25毫米

DC功耗* （ 1N5907 ）： 1瓦在T

<125

C 3/8” (10

毫米）从主体，或1瓦特在T

≤+65

安装FR4 PC上。当C

主板所描述的热阻结到环境

DC功耗* （ 1N5908 ）： 5瓦在T

<+40

C 3/8” (10

毫米）从主体，或1.52瓦特在T

= +25

安装在FR4当C

PC板所描述的热阻结到环境

正向浪涌电流： 200 A为8.3ms的在T正弦半波

+25

焊接温度： 260

下10秒（最大）

机械及包装

CASE （ 1N5907 ）： DO - 13 （ DO- 202AA ）焊接

气密密封的金属和玻璃的

案例（ 1N5908 ）： “情况1 ”太虚自由转会成型

热固性环氧机构会议UL94V- 0

表面处理：外部金属表面锡铅（ Sn-

以Pb计）镀每MIL -STD- 750方法

2026

极性：极性指示的二极管符号或

阴极带（阴极连接情况下1N5907 ）

标记：部件号和极性符号

重量：2.3克。（约）

TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加

“ TR ”后缀的部件号）

请参阅最后一页的封装尺寸

1N5907 1N5908直通

TVS器件通常不用于直流功耗，相反，却等于或小于其额定隔绝电压操作

）除了瞬变简要驱动设备进入雪崩击穿（V

到V

区域）。

版权

2002

2003年11月6日REV A

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第1页

1N5907和1N5908

1500 W低电压瞬变

电压抑制器

斯科茨代尔区划

电气特性@ 25

JEDEC

TYPE

号

反向

STANDOFF

电压

（注1 ）

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最低

击穿

电压

（ BR ）

@ 1毫安

最大

待机

当前

@ V

最大

夹紧

电压

@ I

PP1

（图3）的

峰值脉冲

当前

PP1

（图3）的

最大

夹紧

电压

@ I

PP2

（图3）的

峰值脉冲

当前

PP2

（图3）的

最大

夹紧

电压

@ I

PP3

（图3）的

峰值脉冲

当前

PP3

（图3）的

安培

120

伏

安培

1N5907*

5.0

6.0

300

7.6

8.0

8.5

1N5908

5.0

6.0

300

7.6

8.0

8.5

*军工资质类型，每MIL -PRF-五百分之一万九千五一个JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀也可以。

注1 ：

一个TVS是根据反“断态电压”V通常选择

这应该是等于或大于直流或

连续峰值工作voltge水平。

符号

（ BR ）

符号定义&

德网络nition

断态电压：施加反向电压，以确保非导电状态。（见注1以上）

击穿电压：这是击穿电压器件将参展25

最大钳位电压：最大峰值电压出现在TVS当经受

峰值脉冲电流在1毫秒的时间间隔。的峰值脉冲电压的电压上升的组合

由于两个串联电阻和热上升和正温度系数（

V（ BR ）

)

峰值脉冲电流：脉冲期间的峰值电流（参见图2 ）

峰值脉冲功率：如用V的乘积决定的脉冲功率

我

待机电流：在断态电压电流（V

)

击穿电流：用于测量击穿电压电流（V

（ BR ）

)

（ BR ）

图的

1N5907 1N5908直通

图1

峰值脉冲功率与脉冲时间

图2

降额曲线

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1N5907和1N5908

1500 W低电压瞬变

电压抑制器

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测试波形

参数

TR = 10

TP = 1000

科幻gure 3

脉冲波形

图4

典型钳位电压（V

)

VS.峰值脉冲电流（I

)

包装尺寸

1N5907 1N5908直通

5907直通1N5908

以英寸所有尺寸

DO-13

(DO-202AA)

尺寸：mm

和英寸

案例1

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