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数据表
3.0安培屏障
肖特基整流器
机械尺寸
JEDEC
D0-201AD
.190
.210
.285
.375
1.00分钟。
描述
.050 TYP 。
特点
n
超低V
F
n
低功耗?高效率
电气特性@ 25
O
C.
最大额定值
峰值重复反向电压... V
RRM
工作峰值反向电压... V
RWM
DC阻断电压... V
DC
RMS反向电压... V
R( RMS )
平均正向整流电流... I
F( AV )
@ T
A
= 55°C
非重复性峰值正向浪涌电流... I
FSM
@ Rated Load Conditions, ½ Wave, 60 HZ, T
L
= 75°C
正向电压... V
F
@ I
F
= 3.0安培
n
低存储的电荷;岁数
载流子传导
n
符合UL规格94V- 0
IN5820 , 21 & 22系列
IN5820
20
20
20
14
IN5821
30
30
30
21
IN5822
40
40
40
28
单位
安培
安培
毫安
毫安
pF
°C
............................................. 3.0 ...............................................
............................................. 8 0 ...............................................
.475
.500
.525
DC反向电流... I
R
@额定阻断电压DC
典型结电容... C
J
工作&储存温度范围牛逼...
J,
T
STRG
典型的反向特性
正向电流( AMPS )
反向电流(mA )
T
L
= 25°C
T
L
= 100°C
............................................. 2.0 ...............................................
............................................. 1 0 ...............................................
............................................. 2 5 0 ...............................................
....................................... -65至125 ....... .....................................
正向电流降额曲线
典型结电容
额定峰值电压的百分比
焊接温度(
o
C)
pF
反向电压(V
R
) - 伏
注意事项:
1.测量@ 1 MHz和应用4.0V的反向电压。
2.热阻结到环境, JEDEC的方法。
3.当安装到散热器,从主体。
第7-7页
1N5820 , 21 & 22系列
W TE
PO WE R SEM IC ND ü C TO RS
1N5820 – 1N5822
3.0A肖特基整流器
特点
!
!
!
!
!
!
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
高电流能力
低功耗,高效率
高浪涌电流能力
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
保护应用
A
B
A
C
D
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:负极频带
重量: 1.2克(约)
安装位置:任意
标记:型号数量
DO-201AD
暗淡
最大
A
25.4
B
8.50
9.50
C
1.20
1.30
D
5.0
5.60
尺寸:mm
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流器ED输出电流(注1 )
@T
L
= 90°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
1N5820
20
14
1N5821
30
21
3.0
80
1N5822
40
28
单位
V
V
A
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
@T
L
= 75°C
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容(注2 )
典型热阻结到环境
工作和存储温度范围
@I
F
= 3.0A
@I
F
= 9.4A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
V
FM
I
RM
C
j
R
θJA
T
j
, T
英镑
0.475
0.850
0.50
0.90
2.0
20
250
20
-65到+150
0.525
0.950
V
mA
pF
K / W
°C
注:1。有效的规定,引线被保持在环境温度下从所述壳体的距离9.5毫米。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
1N5820 – 1N5822
1第3
2002韩元鼎好电子
4
I
F
,正向电流(A)
I
( AV)
平均输出电流( A)
单相半波
60赫兹电阻或电感
负载9.5毫米引线长度
30
3
10
2
1.0
1
T
j
= 25C
脉冲宽度= 300
s
2 %的占空比
0
10
50
100
150
T
L
,焊接温度( ° C)
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向电压特性
100
1000
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
T
j
= 25C
F = 1MHz的
80
60
C
j
,结电容(pF )
100
40
20
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
0
1
10
循环次数在60赫兹
图。 3峰值正向浪涌电流
100
10
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
1N5820 – 1N5822
2 3
2002
韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
!
1N5820-T3
1N5820-TB
1N5820
1N5821-T3
1N5821-TB
1N5821
1N5822-T3
1N5822-TB
1N5822
套餐类型
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
送货数量
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
产品上市
胆大
是WTE
首选
设备。
!
T3后缀是指一个13 “卷轴。 TB后缀是指弹药包。
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量,请咨询售楼部。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
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互联网:
http://www.wontop.com
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2002韩元鼎好电子
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3 3
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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