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1N5817S THRU 1N5819S
反向电压 - 20 40Volts
A-405
肖特基势垒整流器
特点
正向电流 - 1.0安培
1.0 (25.4)
分钟。
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
DIA 。
0.205 (5.2)
0.160(4.1)
1.0 (25.4)
分钟。
0.025 (0.65)
0.021(0.55)
DIA 。
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
金属硅交界处,多数载流子传导
Guardring过电压保护
低功耗,高效率
高电流能力,低正向电压降
高浪涌能力
为了在低电压,高频率逆变器,
续流和极性保护应用
高温焊接保证:
250 ℃/ 10秒0.375
设计(9.5mm )引线长度,
5磅。 ( 2.3千克)张力
机械数据
案例:
JEDEC A- 405模压塑体
终端:
镀轴向引线,每MIL -STD -750焊接的,
方法2026
极性:
颜色频带端为负极
安装位置:
任何
重量: 0.008
盎司, 0.23克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹,电阻或电感性负载,为20%,目前的容性负载。
符号
1N5817S
1N5818S
1N5819S
单位
AMP
安培
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计(9.5mm )引线长度在T
L
=90 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
在1.0A最大正向电压
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
英镑
20
14
20
30
21
30
1.0
25.0
40
28
40
0.450
0.550
0.5
10.0
110.0
50.0
-65到+125
0.600
mA
pF
C / W
C
注: 1.Measured
在1MHz和应用4.0V的直流反向电压
结2.Thermal耐环境在0.375“设计(9.5mm )引线长度,PCB安装
www.shunyegroup.com
额定值和特性曲线1N5817S THRU 1N5819S
峰值正向浪涌电流,
安培
图。 1正向电流降额曲线
1
图。 2 ,最大非重复峰值正向
浪涌电流
30
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
平均正向
当前,安培
0.75
电阻或
感性负载
0.375” (9.5mm)
导线长度
25
0.5
20
15
0.25
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
5.0
焊接温度,C
0
1
10
100
循环次数在60赫兹
瞬时反向电流,
毫安
图。 3 ,典型正向
特征
图。 4 ,典型的反向特性
1,00
正向
当前,安培
50
10
T
J
=125 C
10
TJ = 100℃
1
T
J
=25 C
1
TJ = 75℃
0.1
TJ = 25℃
0.01
0.1
脉冲宽度= 300
s
1 %占空比
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向电压,
0.001
0
20
40
60
80
100
百分之峰值反向电压, %
图。 5 ,典型结电容
瞬态热阻抗,
C / W
图。 6 ,典型的瞬态热阻抗
100
结电容, pF的
400
10
100
1
T
J
=25 C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
0.1
10
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压,伏
1.0
10
100
T,脉冲持续时间,秒。
www.shunyegroup.com
BL
特点
银河电子
1N5817S - - - 1N5819S
电压范围: 20 - 40 V
CURRENT : 1.0
肖特基势垒整流器
金属半导体结与保护环
外延建设
低正向压降,低开关损耗
高浪涌能力
为了在低电压,高频率逆变器免费
xxxx
续流和极性保护应用
塑料材料进行U / L承认94V - 0
A
- 405
机械数据
案例: JEDEC
A--405,molded
塑料
终端:轴向引线,每焊
MIL-STD - 202方法208
极性:颜色频带为负极
重量:
0.008盎司, 0.23克
安装位置:任意
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。对于容性负载, 20%减免。
1N5817S
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD整流电流
9.5毫米引线长度,
@T
A
=75
1N5818S
30
21
30
1.0
1N5819S
40
28
40
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
20
14
20
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷
@T
J
=70
I
FSM
0.45
0.75
25.0
A
最大瞬时FORW ARD电压@ 1.0A
z
(注1 )
@ 3.0A
最大反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容
典型热阻
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note2)
(Note3)
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
T
英镑
0.55
0.875
1.0
10.0
110
50
- 55 ---- + 125
- 55 ---- + 150
0.60
0.90
V
mA
pF
/W
工作结温范围
存储温度范围
注: 1.脉冲测试: 300
脉搏的宽度, 1 %的关税CY CLE 。
www.galaxycn.com
2.测得1.0MH
Z
和4.0V DC应用转ERSE V oltage 。
3.Thermal阻力结到环境
文档编号0266038
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
1N5817S - - - 1N5819S
图1 - 前降额曲线
正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
安培
图2 - 峰值正向浪涌电流
1.0
30
25
20
25
10
5
0
1
10
100
T
J
=T
J
最大
8.3ms单半
正弦波
0.75
安培
0.5
0.25
电阻或
感性负载
0.375"(9.5mm)Lead
0
0
25
50
75
100
125
150
环境
温度,
循环次数在60Hz
图3 - 典型正向
X -CHARACTERISTICS
正向电流
图4 - 典型结电容
20
400
电容,PF
10
1N5817S
1N5819S
T
J
=25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
安培
100
1
1N5818S
T
J
= 25
P ulse瓦特ID TH = 300
1 %D UTY YC乐
s
10
0.1
1
10
100
.1
.1
.3
.5
.7
.9
1.1 1.3
1.5 1.7 1.9
2.1
正向电压,伏
反向电压,伏
www.galaxycn.com
文档编号0266038
BL
银河电子
2.
1N5817S THRU 1N5819S
肖特基势垒整流器
反向电压 - 20 40Volts
正向电流 - 1.0安培
A-405
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
金属硅交界处,多数载流子传导
Guardring过电压保护
低功耗,高效率
高电流能力,低正向电压降
高浪涌能力
为了在低电压,高频率逆变器,
续流和极性保护应用
高温焊接保证:
250 ℃/ 10秒0.375
设计(9.5mm )引线长度,
5磅。 ( 2.3千克)张力
1.0 (25.4)
分钟。
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
DIA 。
0.205 (5.2)
0.160(4.1)
1.0 (25.4)
分钟。
0.025 (0.65)
0.021(0.55)
DIA 。
机械数据
案例:
JEDEC A- 405模压塑体
终端:
镀轴向引线,每MIL -STD -750焊接的,
方法2026
极性:
颜色频带端为负极
安装位置:
任何
重量: 0.008
盎司, 0.23克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹,电阻或电感性负载,为20%,目前的容性负载。
MDD产品目录号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计(9.5mm )引线长度在T
L
=90 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
在1.0A最大正向电压
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作结存储温度范围
符号
1N5817S
1N5818S
1N5819S
单位
AMP
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
20
14
20
30
21
30
1.0
40
28
40
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
英镑
0.450
25.0
0.550
0.5
10.0
110.0
50.0
-65到+125
0.600
安培
mA
pF
C / W
C
注: 1.Measured
在1MHz和应用4.0V的直流反向电压
结2.Thermal耐环境在0.375“设计(9.5mm )引线长度,PCB安装
MDD电子
额定值和特性曲线1N5817S THRU 1N5819S
峰值正向浪涌电流,
安培
图。 1正向电流降额曲线
1
图。 2 ,最大非重复峰值正向
浪涌电流
30
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
平均正向
当前,安培
0.75
电阻或
感性负载
0.375” (9.5mm)
导线长度
25
20
0.5
15
0.25
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
5.0
焊接温度,C
0
1
10
100
循环次数在60赫兹
瞬时反向电流,
毫安
图。 3 ,典型正向
特征
图。 4 ,典型的反向特性
1,00
正向
当前,安培
50
10
T
J
=125 C
10
TJ = 100℃
1
T
J
=25 C
1
TJ = 75℃
0.1
TJ = 25℃
0.01
0.1
脉冲宽度= 300
s
1 %占空比
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压,
百分之峰值反向电压, %
图。 5 ,典型结电容
瞬态热阻抗,
C / W
图。 6 ,典型的瞬态热阻抗
100
结电容, pF的
400
10
100
1
T
J
=25 C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
0.1
0.01
0.1
1
10
100
10
0.1
1.0
10
100
反向电压,伏
T,脉冲持续时间,秒。
MDD电子
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    1N5817S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1977615742 复制 点击这里给我发消息 QQ:2276916927 复制

电话:18929336553
联系人:陈先生\陈小姐
地址:深圳市龙华区大浪街道龙平社区腾龙路淘金地电子商务孵化基地展滔商业广场E座512
1N5817S
平伟
21+
50000
A-405
深圳仓库,现货库存,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
1N5817S
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