1N5711WS
表面贴装肖特基二极管
特点
·
·
·
·
·
低正向压降
保护环结构的瞬态
保护
开关速度快
低电容
表面贴装型封装非常适合
自动插入
案例： SOD- 323 ，塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
极性：负极频带
标识： SA
重0.004克数（大约）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
P
d
R
qJA
T
j
T
英镑
1N5711WS
70
49
15
150
650
-55到+125
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
° C / W
°C
°C
SOD-323
暗淡
A
H
G
A
B
C
E
D
民
2.30
1.60
1.20
0.25
0.20
0.10
0°
最大
2.70
1.80
1.40
0.35
0.40
0.15
8°
J
B
C
D
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
1.05典型
a
E
G
H
J
a
0.05典型
尺寸：mm
最大额定值
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境空气（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
电气特性
特征
反向击穿电压（注2 ）
反向漏电流（注2）
正向电压降（注2 ）
总电容
反向恢复时间
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
T
t
rr
民
70
典型值
最大
200
0.41
1.00
2.0
1.0
单位
V
nA
V
pF
ns
测试条件
I
R
= 10毫安
V
R
= 50V
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 0V ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 5.0毫安
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
订购信息
（注3）
设备
1N5711WS-7
注意：
包装
SOD-323
航运
3000 /磁带和卷轴
安装在FR- 4印刷电路板与推荐的焊盘布局，可以在我们的网站上找到1部分
在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
DS31033牧师4 - 2
1第3
1N5711WS
SPICE模型： 1N5711WS
1N5711WS
表面贴装肖特基二极管
特点
低正向压降
保护环结构的瞬态保护
开关速度快
低电容
表面贴装型封装非常适合自动插入
无铅/符合RoHS （注3 ）
SOD-323
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
α
民
2.30
1.60
1.20
最大
2.70
1.80
1.40
机械数据
案例： SOD- 323
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火
合金引线框架42 ） 。
极性：负极频带
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.004克（近似值）
1.05典型
0.25
0.20
0.10
0.35
0.40
0.15
0.05典型
0°
8°
尺寸：mm
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
P
D
R
θJA
T
j
T
英镑
价值
70
49
15
150
650
-55到+125
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
° C / W
°C
°C
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境空气（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
电气特性
特征
反向击穿电压（注2 ）
反向漏电流（注2）
正向电压降
总电容
反向恢复时间
注意：
1.
2.
3.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
T
t
rr
民
70
典型值
最大
200
0.41
1.00
2.0
1.0
单位
V
nA
V
pF
ns
测试条件
I
R
= 10μA
V
R
= 50V
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 0V ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 5.0毫安，
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100Ω
安装在FR- 4印刷电路板与推荐的焊盘布局，可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf被发现的一部分。
短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
没有故意添加铅。
DS31033牧师10 - 2
1第3
www.diodes.com
1N5711WS
Diodes公司
订购信息
设备
1N5711WS-7-F
注意事项：
4.
（注4 ）
包装
SOD-323
航运
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
SA =产品型号标识代码
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DS31033牧师10 - 2
3 3
www.diodes.com
1N5711WS
Diodes公司
SMD型
表面贴装肖特基二极管BARIER
1N5711WS
二极管
SOD-323
+0.1
1.7
-0.1
单位：mm
特点
低正向压降
保护环结构瞬态Prote
开关速度快
低电容
表面贴装封装ldeally适合自动插入
0.475
+0.1
2.6
-0.1
+0.05
0.3
-0.05
+0.05
0.85
-0.05
1.0max
0.375
绝对最大额定值大= 25
Paramater
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
DC阻断Volatge
RMS反向电压
正向连续电流
功率耗散（注1）
热阻，结到环境空气（注1 ）
工作和存储温度范围
存储温度范围
注意：
安装在FR- 4印刷电路板与建议焊盘布局1.部分。
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
P
d
R
θJA
T
j
T
英镑
49
15
150
650
-55 + 125
-55到+ 150
V
mA
mW
/W
70
V
价值
单位
电气特性TA = 25
特征
反向BreakdownVoltage （注2 ）
反向漏电流（注2）
正向电压降（注2 ）
总电容
反向恢复时间
注意：
2.测与我
F
=I
R
= 10 mA时，我
RR
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100
符号
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
T
t
rr
测试条件
I
R
= 10
A
民
70
200
0.41
1.00
2.0
1.0
pF
ns
典型值
最大
单位
V
nA
V
V
R
= 50 V
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
=I
R
= 5.0毫安
内部收益率= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100
.
记号
记号
SA
+0.05
0.1
-0.02
+0.1
1.3
-0.1
www.kexin.com.cn
1
产品speci fi cation
1N5711WS
SOD-323
+0.1
1.7
-0.1
单位：mm
特点
低正向压降
保护环结构瞬态Prote
开关速度快
低电容
表面贴装封装ldeally适合自动插入
0.475
+0.1
2.6
-0.1
+0.05
0.3
-0.05
+0.05
0.85
-0.05
1.0max
0.375
绝对最大额定值大= 25
Paramater
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
DC阻断Volatge
RMS反向电压
正向连续电流
功率耗散（注1）
热阻，结到环境空气（注1 ）
工作和存储温度范围
存储温度范围
注意：
安装在FR- 4印刷电路板与建议焊盘布局1.部分。
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
P
d
R
θJA
T
j
T
英镑
49
15
150
650
-55 + 125
-55到+ 150
V
mA
mW
/W
70
V
价值
单位
电气特性TA = 25
特征
反向BreakdownVoltage （注2 ）
反向漏电流（注2）
正向电压降（注2 ）
总电容
反向恢复时间
注意：
2.测与我
F
=I
R
= 10 mA时，我
RR
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100
符号
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
T
t
rr
测试条件
I
R
= 10
A
民
70
200
0.41
1.00
2.0
1.0
pF
ns
典型值
最大
单位
V
nA
V
V
R
= 50 V
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
=I
R
= 5.0毫安
内部收益率= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100
.
记号
记号
SA
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
+0.05
0.1
-0.02
+0.1
1.3
-0.1
1 1
QQ：2881677436 复制
