整流器，最多为1KV ，2A，
150-500ns
1N5615 1N5623直通
S2F通S0F
1998年1月7日
电话： 805-498-2111传真： 805-498-3804网址： HTTP ： //www.semtech.com
1997 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
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SENSITRON
_
半导体
技术参数
数据表5081 ， REV 。 -
1N5615 /美通1N5623 / US
SJ
SX
SV
快速恢复整流
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
o
o
工作和存储温度： -65℃至+175
TYPE
数
PEAK
逆
电压
MAX 。 AVG 。
DC输出
当前
最大
反向
当前
@ PIV
μAMPS
25°C
100°C
马克斯。高峰
前锋
电压
（脉冲的）
PEAK
1周
浪涌
当前
安培
伏
200
400
600
800
1000
55°C
100°C
V
A
安培
1N5615
1N5617
1N5619
1N5621
1N5623
1.0
.75
0.5
25
1.6
3.0
25
最大
反向
恢复
时间
TRR
I
F
=0.5A
I
RM
=1A
I
R（ REC （
=0.25A
纳秒
150
150
250
300
500
THERM
RESIS
R
θJL
d=.375
° C / W
38
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
_
半导体
技术参数
数据表5081 ， REV 。 -
1N5615 /美通1N5623 / US
外形尺寸（英寸） / （毫米）
轴向
MELF
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SENSITRON
半导体
技术参数
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1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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1N5615 1N5623直通
玻璃钝化快速开关整流器
反向电压 -
200至1000伏
DO-204AP
正向电流 -
1.0安培
特点
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
0.240 (6.1)
马克斯。
0.150 (3.8)
0.100 (2.5)
DIA 。
高温冶金结合
施工
密封情况
玻璃钝化内腔无结
1.0安培操作
在T
A
= 55°C ，无
热失控
典型的我
R
小于0.1μA
能够满足环境标准
MIL-S-19500
快速开关的高效率
高温焊接保证：
350 ℃/ 10秒0.375"设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
P
A
T
E
N
T
E
D
*
1.0 (25.4)
分钟。
机械数据
案例：
JEDEC DO - 204AP实心玻璃体
终端：
焊接镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.02盎司， 0.56克
尺寸以英寸（毫米）
*
钎焊引线组件覆盖专利号3930306
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
1N5615
1N5617
1N5619
1N5621
1N5623
单位
*最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
*最大阻断电压DC
*在50最小反向击穿电压
A
*最大正向平均整流电流
0.375“设计（9.5mm ）导线长度
T
A
=55°C
*峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
*在1.0A最大正向电压
*最大直流反向电流
在额定阻断电压DC
*最大反向恢复时间
典型热阻
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=200°C
（注1 ）
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
（ BR ）
I
（AV）
200
140
200
220
400
280
400
440
600
420
600
660
1.0
800
560
800
880
1000
700
1000
1100
伏
伏
伏
伏
AMP
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJA
T
J
T
英镑
150
45
150
35
50.0
1.2
0.5
25.0
1500.0
250
25
55.0
-65到+175
-65到+200
300
20
500
15
安培
伏
A
ns
pF
° C / W
°C
°C
*最大结电容
（注2
)
（注3）
*工作结温范围
*存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ， IRR = 0.25A
（ 2 ）测得1.0 MH
Z
并施加12伏的反向电压
结（ 3 ）到环境的热阻为0.375“设计（9.5mm ）引线长度， PCBmounted
* JEDEC注册的价值观
4/98
额定值和特性曲线1N5615 THRU 1N5623
正向平均整流电流，
安培
图。 1 - 正向电流
降额曲线
瞬时浪涌电流，
安培
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
1.0
50
0.75
电阻或
感性负载
0.375"设计（9.5mm ）
导线长度
40
8.3ms单半
正弦波
（ JEDEC的方法）
T
J
=T
J
马克斯。
0.5
30
20
0.25
10
0
25
50
75
100 125 150 175
环境温度下，
°C
0
1
10
周期数的AT 60 H
Z
100
图。 3 - 典型瞬时
正向特性
10.0
瞬时正向电流，
安培
图。 4 - 典型的反向特性
20
10
1
T
J
=25°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
瞬时反向电流，
微安
T
J
=125°C
0.1
1
T
J
=75°C
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1
正向电压，
伏
T
J
=25°C
图。 5 - 典型结电容
30
结电容， pF的
T
J
=25°C
F = 1.0 MH
Z
VSIG = 50米Vp-p的
0.01
0
20
40
60
80
100
百分之额定峰值反向电压， ％
10
1
1
10
反向电压，伏
100
1N5615 1N5623直通
无空隙气密式
快恢复整流二极管玻璃
斯科茨代尔区划
描述
这种“快速恢复”整流二极管系列军用符合MIL -PRF-四百二十九分之一万九千五百
是理想的高可靠性应用中的故障是不能容许的。
这些行业公认的1.0安培额定整流器的工作峰值反向
从200至1000伏的电压被密封与无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。这些设备是
还加入了“美”表面贴装MELF封装配置
后缀（见通1N5623US单独的数据表1N5615US ） 。 Microsemi的还
提供了许多其他整流器产品，以满足更高和更低的电流额定值
与各种恢复时间速度的要求，包括快速和超快器件
在这两个通孔和表面贴装型封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5615 1N5623到系列
无空隙密封的玻璃封装
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
工作峰值反向电压200到1000伏。
JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-
PRF-19500/429
表面还可以在一个广场安装当量
端盖与“美”的后缀MELF配置（请参阅
单独的数据表1N5615US直通1N5623US ）
应用/优势
快速恢复1安培整流器200 1000 V
军事和其它高可靠性应用
一般整流应用，包括桥梁，半
桥梁，钳位二极管等。
高正向浪涌电流能力
极其坚固的结构
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结&存储温度： -65
o
C至+175
o
C
热电阻： 38
o
C / W交界处领导在3/8
英寸（10毫米）的车身长度铅
o
热阻抗： 4.5 C / W @ 10毫秒加热时间
正向平均整流电流（I
O
） ： 1.0安培@
T
A
= 55C
正向浪涌电流： 30安培@ 8.3 ms半正弦波
焊接温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬玻璃
钨蛞蝓（最后一页的封装尺寸）
终端负载：轴向引线铜
锡/铅（Sn / Pb）的表面。注：以前的库存
有实心银轴向引线，没有终点。
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极频带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
反向
当前
（ MAX 。 ）
I
R
@ V
RWM
μA
o
25 C 100 C
.5
25
.5
25
.5
25
.5
25
.5
25
o
电气特性
TYPE
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
200
400
600
800
1000
最低
击穿
电压
V
BR
@ 50μA
伏
220
440
660
880
1100
平均
纠正
当前
I
O
@ T
A
（注1 ）
安培
o
o
50 C 100 C
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
Forwar
D
电压
（ MAX 。 ）
V
F
@ 3A
伏
0.8 MIN 。
电容
（ MAX 。 ）
3. C @ V
R
=
12 V
F = 1 MHz的
pF
45
35
25
20
15
最大
浪涌
当前
I
FSM
（注2 ）
安培
25
25
25
25
25
反向
恢复
（ MAX 。 ）
（注3）
t
rr
ns
150
150
250
300
500
1N5615 – 1N5623
1N5615
1N5617
1N5619
1N5621
1N5623
1.6
马克斯。
注1 ：
从1安培在T
A
= 55
o
C，线性降额在5.56毫安/
o
C到0.75安培在T
A
= 100
o
C.从T
A
= 100
o
C,
线性降额7.5毫安/
o
C到0安培在T
A
= 200
o
C.这些环境的评级是用于PC板，其中热
o
从安装点到环境电阻被充分控制的，其中T
J（下最大）
不超过175 ℃。
注2 ：
T
A
= 100
o
C，F = 60Hz时，我
O
= 750 mA时10 8.3毫秒潮@ 1分钟的时间间隔
注3 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 1 A，I
R（ REC ）
= 0.250 A
版权
2007
2007年1月15日修订版D
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5615 1N5623直通
无空隙气密式
快恢复整流二极管玻璃
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在指定的电压和
温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
一个反向峰值后，从前进方向向相反的方向并指定衰退点改变
目前发生。
图的
图1
最大电流与焊接温度
图2
典型的反向电流与PIV
1N5615 – 1N5623
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2007
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1N5615 1N5623直通
无空隙气密式
快恢复整流二极管玻璃
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
科幻gure 3
最大功率与焊接温度
图4
典型正向电压Vs正向电流
包装尺寸
1N5615 – 1N5623
外形尺寸：英寸/ [MM ]
注：铅容差= + 0.003 / -0.004英寸
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