1N5518B通1N5546B - 1 DO -35
低电压雪崩
500 mW的稳压二极管DO- 35
斯科茨代尔区划
描述
该1N5518 1N5546直通系列0.5瓦特齐纳稳压器
提供了从3.3至33伏的标准5％容限的选择以及
标识上的零件号不同的后缀字母更严格的公差。
这些玻璃轴向引线DO -35齐纳二极管也可与一个内部
通过添加一个“-1”后缀的冶金键选项。这种类型的保税齐纳二极管
封装结构是一月， JANTX ，并JANTXV军事可用
资格符合MIL -PRF-四百三十七分之一万九千五。 Microsemi的还提供了许多其他
齐纳产品，以满足更高和更低功耗的应用。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-35
(DO-204AH)
特点
JEDEC注册的直通1N5546 1N5518
可通过内部的冶金结合选项
添加一个“-1”的后缀
一月， JANTX ，并JANTXV也可
每MIL -PRF-四百三十七分之一万九千五资格加入的
JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀的部件号
用于筛选的期望水平以及-1“后缀;
（例如JANTX1N5518B -1， JANTXV1N5546D -1等）的
军事表面贴装在DO- 213AA可用
通过增加一个UR - 1的后缀除了封装外形
对JAN ， JANTX ，并JANTXV前缀;例如
JANTX1N5518BUR - 1 （参见单独的数据表）
商用表面贴装也可在
单独的数据表作为1N5518UR到1N5546BUR
在DO- 213AA封装（咨询工厂等）
DO- 7的玻璃体轴向引线齐纳同等学力
也可用
应用/优势
调节电压在很宽的工作
电流和温度范围
保证电压调节（ ΔV
Z
）从我
ZL
到我
ZT
电压选择3.3 33 V
标准电压容差的正/负5 ％
为“B ”后缀的
可在正负2 ％的容差
或1％的分别是C或D后缀
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD
最小电容（参见图3）
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
操作和储存温度： -65
C到
+175
C
热电阻： 250
C / W交界处领导在
3/8英寸（10毫米）的车身引线长度，或310
C / W
安装在FR4印刷电路板时，结点到环境
（ 1盎司铜）与4毫米
2
铜焊盘与走线宽度1
毫米，长度25毫米
稳定状态功率： 0.5瓦特在T
L
＆ LT ; 50
o
3/8英寸
从主体（10毫米）或在T 0.48 W
A
＆ LT ; 25
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
上方阻力（见图2降额）
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封轴向引线玻璃DO- 35
（DO- 204AH ）包
终端：信息，锡铅镀焊每
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：负极指示的带在哪里
二极管是要与带状端操作
相对于所述另一端为齐纳正
规
标记：部件号
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量： 0.2克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N5518B - 1N5546B - 1 ， DO- 35
版权
2003
2003年11月12日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5518B通1N5546B - 1 DO -35
低电压雪崩
500 mW的稳压二极管DO- 35
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
电气特性
JEDEC
TYPE
数
（注1 ）
公称
齐纳
电压
TEST
当前
马克斯。齐纳
阻抗
B-C -D后缀
(T
A
= 25
o
C除非另有说明。基于在DC测量
热平衡;
V
F
= 1.1最大@ IF = 200 mA时的所有类型。 ）
马克斯。反向漏
电流（注4 ）
V
Z
@ I
ZT
（注2 ）
伏
I
ZT
MADC
20
20
20
20
10
5.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
Z
ZT
@ I
ZT
（注3）
欧
26
24
22
18
22
26
30
30
30
35
40
45
60
80
90
90
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
I
R
μAdc
5.0
3.0
1.0
3.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
V
R
- 伏特
NON & A-
苏FFI X
0.90
0.90
0.90
1.0
1.5
2.0
3.0
4.5
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
9.0
9.5
10.5
11.5
12.5
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
20.0
21.0
23.0
24.0
28.0
B-C -D
苏FFI X
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
9.9
10.8
11.7
12.6
13.5
14.4
15.3
16.2
17.1
18.0
19.8
21.6
22.4
25.2
27.0
29.7
B-C -D
苏FFI X
最大
直流稳压
当前
（注5 ）
MADC
115
105
98
88
81
75
68
61
56
51
46
42
38
35
32
29
27
25
24
22
21
20
19
17
16
15
14
13
12
B-C -D后缀
马克斯。噪音
密度
在我
Z
= 250A
规
因素
（注6 ）
V
Z
低V
Z
当前
（注6 ）
I
ZL
I
ZM
N
D
μV / √Hz的
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
2.0
4.0
4.0
4.0
5.0
10
15
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
伏
0.90
0.90
0.85
0.75
0.60
0.65
0.30
0.20
0.10
0.05
0.05
0.05
0.10
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
MADC
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.25
0.25
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
1N5518
1N5519
1N5520
1N5521
1N5522
1N5523
1N5524
1N5525
1N5526
1N5527
1N5528
1N5529
1N5530
1N5531
1N5532
1N5533
1N5534
1N5535
1N5536
1N5537
1N5538
1N5539
1N5540
1N5541
1N5542
1N5543
1N5544
1N5545
1N5546
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
28.0
30.0
33.0
注意事项：
1.耐受性和电压名称 -
所示的JEDEC型数字+/- 20 ％有保证的限制只有V
Z
, I
R
和V
F
。单位后缀是+/- 10％
保证范围为V
Z
, I
R
和V
F
。单位担保限额为所有六个参数是由B后缀为+/- 5.0 ％的单位表示，
后缀为+/- 2.0 ％和D后缀为+/- 1.0 ％ 。
2.齐纳电压（V
Z
）测量 -
o
额定齐纳电压的测量与热平衡设备连接点与25℃的环境温度
3.齐纳阻抗（Z
Z
）测量 -
齐纳阻抗是从60赫兹的交流电压时，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（Ⅰ
ZT
）被叠加在我
ZT
.
4.反向漏电流（I
R
) –
反向漏电流，并保证在V测量
R
如在表中所示。
5.最大稳压电流（I
ZM
) –
所示的最大电流是如图MIL-PRF-四百三十七分之一万九千五。
6.最大调整率（ ΔV
Z
) –
V
Z
为V之间的最大差
Z
在我
ZT
和V
Z
在我
ZL
在热平衡器件的结点进行测量。
1N5518B - 1N5546B - 1 ， DO- 35
版权
2003
2003年11月12日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5518B通1N5546B - 1 DO -35
低电压雪崩
500 mW的稳压二极管DO- 35
斯科茨代尔区划
电路和图形
噪声密度，（N-
D
）在每个微伏均方根指定
平方根赫兹（ μV /
√Hz的） 。
实际测量
用1kHz到3kHz的频率的带通进行
o
有一个恒定的齐纳测试电流滤波器（我
ZT
）在25℃下
环境温度。
典型电容皮法
WWW .
Microsemi的
.C
OM
在零伏
额定功耗（MW ）
在-2伏（ VR）的
图1
噪声密度测量电路
T
L
- 引脚温度（ C） 3/8“从身体
或T
A
在FR4 PC板
o
齐纳电压V
Z
图2
- 功率降额曲线
科幻gure 3
电容与齐纳电压
（典型值）
包装尺寸
1N5518B - 1N5546B - 1 ， DO- 35
图4
齐纳二极管的特性和符号识别
版权
2003
2003年11月12日REV B
INCH ：在所有尺寸
mm
Microsemi的
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第3页
低电压雪崩齐纳二极管
高性能：低噪音，低泄漏
1N5518 - 1N5546
公称
TEST
齐纳MAX最大反向漏电流最大噪音MAX调控
最大
.
部分
齐纳
阻抗
当前
密度
因素
调节器
数电压
（注2 ）
（注3）
（注4 ）
当前
（注1 ） Vz的@ IZT
IZT
ZZT @ IZT
Ir
Vr1
Vr2
IZ = 250 μA
Vz
Iz
L
IZM
（伏）
（MA ）
（欧姆）
（ μAdc ）
（伏）
（ ND μV /
√
赫兹）（伏）
（ MADC ）
（ MADC ）
1N5518
1N5519
1N5520
1N5521
1N5522
1N5523
1N5524
1N5525
1N5526
1N5527
1N5528
1N5529
1N5530
1N5531
1N5532
1N5533
1N5534
1N5535
1N5536
1N5537
1N5538
1N5539
1N5540
1N5541
1N5542
1N5543
1N5544
1N5545
1N5546
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
28.0
30.0
33.0
20
20
20
20
10
5
3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
26
24
22
18
22
26
30
30
30
35
40
45
60
80
90
90
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
5.0
3.0
1.0
3.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.9
0.9
0.9
1.0
1.5
2.0
3.0
4.5
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
9.0
9.5
10.5
11.5
12.5
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
20.0
21.0
23.0
24.0
28.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
9.9
10.8
11.7
12.6
13.5
14.4
15.3
16.2
17.1
18.0
19.8
21.6
22.4
25.2
27.0
29.7
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
2.0
4.0
4.0
4.0
5.0
10.0
15.0
20.0
20.0
20.0
20.0
20.0
20.0
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
45.0
50.0
0.90
0.90
0.85
0.75
0.60
0.65
0.30
0.20
0.10
0.05
0.05
0.05
0.10
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.25
0.25
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
115
105
98
88
81
75
68
61
56
51
46
42
38
35
32
29
27
25
24
22
21
20
19
17
16
15
14
13
12
1.封装形式
DO-7
2.后缀表示Vz的耐受性：无后缀
±
20 ％ ，后缀
±
10％ ：铱@ Vr1上， Vz的+ Vf的唯一。
后缀B
±
5 ％ ：红外@ Vr2的， VZ。
VZ ，音频， ND 。
3.测得10 ％，60赫兹交流叠加上IZT 。
4.测量从1000到3000赫兹。
Vz的5之间的差异在IZT和IZ
L
.
6.正向电压（Vf ） ：如果=的200mA， TA = 25 ° C，最大值= 1.1伏。
°
军用屏蔽可用
P.O. BOX 609
ROCKPORT ，缅因州04856
207-236-6076
FAX 207-236-9558
1N5518BUR - 1 THRU 1N5546BUR - 1适用车型
JAN ， JANTX和JANTXV
每MIL -PRF- 437分之19500
齐纳二极管500mW的
无铅封装用于表面安装
低反向漏电流特性
冶金结合
1N5518BUR-1
THRU
1N5546BUR-1
和
CDLL5518通CDLL5546D
最大额定值
结存储温度： -65 ° C至+ 125°C
DC功耗： 500毫瓦@ TEC = + 125°C
功率降额： 10毫瓦/ ° C以上TEC = + 125°C
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特最大
电气特性
@ 25 ° C，除非另有规定ED 。
B-C -D
苏FFI X
最大
直流稳压
CDI
TYPE
数
公称
齐纳
齐纳
TEST
电压电流
VZ @ 1ZT
1ZT
马克斯。齐纳
阻抗
B-C -D后缀
ZZT @ 1ZT
（注3）
欧
最大反向
漏电流
规
因素
当前
V
Z
（注5 ）
伏
低
VZ
当前
1ZL
（注1 ）
（注2 ）
伏
mA
lR
（注4 ）
VR - 伏特
NON & A-
苏FFI X
B-C -D-
苏FFI X
1ZM
ADC
5.0
3.0
1.0
3.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
mA
mA
CDLL5518B
CDLL5519B
CDLL5520B
CDLL5521B
CDLL5522B
CDLL5523B
CDLL5524B
CDLL5525B
CDLL5526B
CDLL5527B
CDLL5528B
CDLL5529B
CDLL5530B
CDLL5531B
CDLL5532B
CDLL5533B
CDLL5534B
CDLL5535B
CDLL5536B
CDLL5537B
CDLL5538B
CDLL5539B
CDLL5540B
CDLL5541B
CDLL5542B
CDLL5543B
CDLL5544B
CDLL5545B
CDLL5546B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
28.0
30.0
33.0
20
20
20
20
10
5.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
26
24
22
18
22
26
30
30
30
35
40
45
60
80
90
90
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
0.90
0.90
0.90
1.0
1.5
2.0
3.0
4.5
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
9.0
9.5
10.5
11.5
12.5
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
20.0
21.0
23.0
24.0
28.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
9.9
10.8
11.7
12.6
13.5
14.4
15.3
16.2
17.1
18.0
19.8
21.6
22.4
25.2
27.0
29.7
115
105
98
88
81
75
68
61
56
51
46
42
38
35
32
29
27
25
24
22
21
20
19
17
16
15
14
13
12
0.90
0.90
0.85
0.75
0.60
0.65
0.30
0.20
0.10
0.05
0.05
0.05
0.10
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.25
0.25
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
暗淡
D
F
G
G1
S
MILLIMETERS
英寸
最小值最大值最小值最大值
1.60
1.70 0.063 0.067
0.41
0.55 0.016 0.022
3.30
3.70 .130 .146
2.54 REF 。
.100 REF 。
0.03 MIN 。
0.001 MIN 。
图1
设计数据
案例：
DO- 213AA ，完全密封
玻璃柜。 （ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）
铅表面处理：
锡/铅
热阻（R
OJEC ） ：
100℃ / W最大为L = 0英寸
热阻抗： （Z
OJX ） ： 35
C / W最高
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装面选择：
扩展的轴向系数
（ COE ）这个装置大约是
+ 6PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
注1
没有后缀类型号码+ 20 ％有保证的限制仅VZ ，LR和VF 。
单位以“A”后缀是+ 10％保限制VZ ，LR和VF 。单位
保证范围为所有六个参数由“B ”后缀表示为+ 5.0 ％为单位，
“C”的后缀为+ 2.0 ％和“D ”后缀为+ 1.0 ％ 。
齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结
温度为25℃ + 3 ℃。
齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于
10 ％ of1ZT 。
注2
注3
注4
注5
反向漏电流是在VR所示测量在桌子上。
V
Z是VZ之间的LZT和VZ在LZL测得的最大区别
在热平衡器件的结点。
6湖街，劳伦斯，马萨诸塞州01841
电话（ 978 ） 620-2600
传真（ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
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