1N5415US通1N5420US
无空隙气密式
表面装载快速恢复
玻璃整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“快速恢复”整流二极管系列军用符合MIL -PRF-四百十一分之一万九千五百
是理想的高可靠性应用中的故障是不能容许的。
这些行业公认的3.0安培额定整流器的工作峰值反向
从50到600伏的电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。这些设备是
也可在轴向引线封装的通孔安装，删除“美”
后缀（见直通1N5420单独的数据表为1N5415 ） 。 Microsemi的还提供
许多其他整流器产品，以满足更高和更低的额定电流与
不同的恢复时间速度的要求，包括快速和超快的设备类型
在这两个通孔和表面安装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
包“ E”
或D -5B
特点
表面贴装型封装系列等同于
JEDEC注册1N5415 1N5420到系列
无空隙密封的玻璃封装
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
工作峰值反向电压50至600伏。
JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-
PRF-19500/411
轴向引线当量也可（参见单独的
数据表1N5415 1N5420直通）
应用/优势
快速恢复3安培整流器50到600 V
军事和其它高可靠性应用
一般整流应用，包括桥梁，半
桥梁，钳位二极管等。
高正向浪涌电流能力
极其坚固的结构
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
热电阻： 10
o
C / W结到封端
热阻抗： 1.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向平均整流电流（I
O
） ： 3安培@
T
A
= 55℃和2安培@ T
A
= 100℃ （见注1 ）
正向浪涌电流（ 8.3 ms半正弦） ： 80安培
焊接温度： 260
o
下10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬玻璃
钨蛞蝓
端子：端盖固与银
锡/铅（Sn / Pb）的光洁度
只有阴极乐队：标记
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
重量： 539毫克
请参阅封装尺寸，并建议垫
最后一页布局
最大
反向
当前
I
R
@ V
RWM
o
o
100 C
25 C
A
A
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
最大
反向
恢复
时间T
rr
（注2 ）
ns
150
150
150
150
250
400
平均
纠正
电流I
O
（注1 ）
o
o
100 C
55 C
安培
安培
3.0
2.0
3.0
2.0
3.0
2.0
3.0
2.0
3.0
2.0
3.0
2.0
电气特性
最低
击穿
电压
V
BR
@ 50A
伏
1N5415US
1N5416US
1N5417US
1N5418US
1N5419US
1N5420US
50V
100V
200V
400V
500V
600V
55V
110V
220V
440V
550V
660V
前锋
电压
V
F
@ 9 A
分钟。
伏
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
马克斯。
伏
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1N5415 1N5420直通
TYPE
V
RWM
o
o
o
o
注1 ：
从3.0安培在T
A
= 55℃ ，线性降额在22毫安/ C至2.0安培在T
A
= 100℃以上牛逼
A
= 100℃ ，减免
线性为零在T
A
= 175
o
C.这些环境的评级是用于PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175
o
C.
注2 ：
I
F
= 0.5A ，我
RM
= 1A ，我
R（ REC ）
= 0.250A
版权
2004
2004年11月22日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5415US通1N5420US
无空隙气密式
表面装载快速恢复
玻璃整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围不包括所有的瞬态电压（参见JESD282 -B ） 。
平均整流输出电流：输出电流平均一个周期， 50 Hz或60 Hz的正弦
波输入和180度的导通角。
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。
最大反向电流：最大反向（漏）电流将流在指定的电压和
温度。
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
一个反向峰值后，从前进方向向相反的方向并指定衰退点改变
目前发生。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
图1
- 典型的反向电流与PIV
图2
- 典型正向电流与
正向电压
1N5415 1N5420直通
版权
2004
2004年11月22日REV A
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斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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1N5415US通1N5420US
无空隙气密式
表面装载快速恢复
玻璃整流器
斯科茨代尔区划
包装尺寸和布局
WWW .
Microsemi的
.C
OM
注：此封装外形也有以前
被确定为“D -5B ”
英寸
民
BL
BD
ECT
S
.205
.137
.019
.003
最大
.225
.142
.028
---
民
5.21
3.48
0.48
0.08
mm
最大
5.72
3.61
0.711
---
A
B
C
焊盘布局
英寸
0.288
0.070
0.155
mm
7.32
1.78
3.94
注意：如果需要安装胶粘剂
从焊料中分离出来，一个附加
0.080英寸直径的接触可以是
放置在焊盘之间的中心
作为水泥的可选点。
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2004
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Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
SENSITRON
___
半导体
技术参数
数据表125 ，修订版D
1N5415,US
1N5416,US
1N5417,US
1N5418,US
1N5419,US
1N5420,US
JAN
JANTX
JANTXV
SJ
SX
SV
HIGH CURRENT轴向引线/表面贴装整流二极管
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
制造&屏JANS符合MIL -PRF-四百一十一分之一万九千五使用Sensitron规范， 7700-409X
外形尺寸：轴向引线相似， DO- 35表面贴装类似于D- 5
说明： 400伏， 3.0 AMP ， 150纳秒整流器
MAX 。额定值/电气特性
等级
峰值反向电压（ PIV ）
1N5415,US
1N5416,US
1N5417,US
1N5418,US
1N5419,US
1N5420,US
平均直流输出电流（I
o
)
峰值单周期浪涌
电流（I
FSM
)
条件
-
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
民
-
典型值
-
最大
50
100
200
400
500
600
3.0
80
单位
VDC
T
A
= +55
o
C
t
p
= 8.3 ms单半
周期的正弦波，
叠加
额定负荷
-
I
f
= 9.0A (300
微秒
脉冲，占空比< 2％）
-
-
-
-
安培
安培（ PK）
操作和储存温度。
(T
op
＆放大器;牛逼
英镑
)
最大正向电压（V
f
)
1N5415 / US ， 1N5416 ，美国
1N5417 ，美国， 1N5418 ，美国
1N5419 / US ， 1N5420 ，美国
最大瞬时
反向电流在额定（ PIV ）
反向恢复时间（t
rr
)
1N5415 / US ， 1N5416 ，美国
1N5417 ，美国， 1N5418 ，美国
1N5419/US,
1N5420,US
热阻（ θ
JL
)
热阻（ θ
JC
)
-65
-
-
-
+175
°C
伏
1.6
1.7
1.8
-
-
1.0
20
-
-
150
150
250
400
-
-
-
-
22
6.5
°
C / W
°
C / W
纳秒
μAMPS
T
A
= 25° C
T
A
= 100° C
I
f
= 0.5A ，我
r
= 1.0A ，我
rr
=
0.25A
d = 0.375”
L = 0为美国版本
2001 Sensitron半导体
221西工业苑鹿园，NY 11729
（ 631 ） 586 7600 ，传真631 242 9798
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sales@sensitron.com
SENSITRON
___
半导体
技术参数
数据表125 ，修订版D
外形尺寸（英寸） / （毫米） ，最小/最大。
0.042 (1.07
0.037 0.94)
1N5415,US
1N5416,US
1N5417,US
1N5418,US
1N5419,US
1N5420,US
.028 (.72
.019 .48)
0.020 R最大
(5.08)
0.003 MIN
(.076)
.128 (3.8
.091 3.4)
.180 (4.57
.115 2.92)
.260 (6.60
.130 3.30)
1.30 (33.0
0.90 22.9)
.225 (5.8
.200 5.0)
.148 (3.8
.137 3.4 )
PKG 。 301
MELF -B
注意：
在阴极侧上的二极管体的一侧标有深色条带。
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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