1N5333B THRU 1N5388B
5W
硅稳压二极管
V
Z
： 3.3 - 200伏
P
D
： 5瓦
产品特点：
*完整的电压范围3.3到200伏
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
0.142 (3.6)
0.102 (2.6)
DO-15
1.00 (25.4)
分钟。
0.300 (7.6)
0.230 (5.8)
机械数据：
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
*案例： DO - 15模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.4克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
在T DC功耗
L
= 75
°
C（注1）
最大正向电压在我
F
= 1 A
结温范围
存储温度范围
注意：
(1) T
L
=铅温度从身体3/8 "设计（9.5mm ）
符号
P
D
V
F
T
J
Ts
价值
5.0
1.2
- 65至+ 200
- 65至+ 200
单位
W
V
°
C
°
C
图。 1功耗温度降额曲线
5
P
D
，最大耗散
（瓦特）
4
3
2
1
0
L = 8"分之3设计（9.5mm ）
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
L
，焊接温度（
°
C)
摩托罗拉
半导体
技术参数
5瓦Surmetic 40
硅稳压二极管
这与严格的限制和较好的经营全系列的5瓦齐纳二极管
反映硅 - 氧化物 - 钝化结的卓越功能特性。
这一切是在轴向引线，传递模塑塑料包，提供保护在所有的COM
周一环境条件。
规格特点：
高达180瓦的额定浪涌@ 8.3毫秒
最大限度的保证七电气参数
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
极性：
阴极指出的色带。当齐纳二极管模式操作时，阴极
将正相对于阳极
安装位置：
任何
重量：
0.7克（约）
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
汉城
1N5333B
通过
1N5388B
5 WATT
齐纳稳压器
二极管
3.3-200伏
CASE 17
塑料
最大额定值
等级
DC功率耗散@ TL = 75℃
引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
工作和存储结温范围
符号
PD
价值
5
40
TJ ， TSTG
- 65 + 200
单位
瓦
毫瓦/°C的
°C
P D，最大功耗（瓦）
8
L = 1/8″
6
L = 3/8″
4
L = 1″
2
L =导线长度
L =
到散热器
L =
（见图5）
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
TL ，焊接温度（ ° C）
图1.电源温度降额曲线
5瓦Surmetic 40数据表
6-1
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
1N5333B通过1N5388B
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明， VF = 1.2最大@ IF = 1 ，一种用于所有类型）
公称
齐纳
电压
VZ @ IZT
伏
（注2 ）
最大齐纳阻抗
TEST
当前
IZT
mA
ZZT @IZT
欧
（注2 ）
ZZK @ IZK = 1毫安
欧
（注2 ）
最大反向
漏电流
最大
浪涌
当前
IR，安培
（注3）
最大
调节器
当前
最大电压
IZM
规
mA
VZ ，伏
（注5 ）
（注4 ）
JEDEC
型号
（注1 ）
IR
A
@
VR
伏
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
3
2.5
2
2
2
1.5
1
1
1
1
1.5
1.5
2
2
2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
300
150
50
10
5
1
1
1
1
10
10
10
10
7.5
5
5
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
3
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
20
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
13.4
12.7
12.4
11.5
10.7
10
9.5
9.2
8.6
8
7.5
7
6.7
6.3
0.85
0.8
0.54
0.49
0.44
0.39
0.25
0.19
0.1
0.15
0.15
0.2
0.2
0.22
0.22
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1440
1320
1220
1100
1010
930
865
790
765
700
630
580
545
520
475
430
395
365
340
315
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
40
40
30
30
30
2.5
2.5
2.5
3
3
3.5
3.5
4
5
6
8
10
11
14
20
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
140
150
160
170
190
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
6
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
3.7
3.5
3.3
3.1
2.8
0.3
0.35
0.4
0.4
0.4
0.45
0.55
0.55
0.6
0.6
0.6
0.6
0.65
0.65
0.7
295
280
265
250
237
216
198
190
176
170
158
144
132
122
110
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
35.8
38.8
42.6
42.5
47.1
51.7
56
62.2
66
69.2
76
83.6
91.2
98.8
106
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
0.8
0.9
1
1.2
1.35
1.5
1.6
1.8
2
2.2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
100
93
86
79
76
70
63
58
54.5
52.5
47.5
43
39.5
36.6
34
（续）
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
5瓦Surmetic 40数据表
6-2
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
1N5333B通过1N5388B
电气特性 - 续
（ TA = 25 ° C除非另有说明， VF = 1.2最大@ IF = 1 ，一种用于所有类型）
公称
齐纳
电压
VZ @ IZT
伏
（注2 ）
最大齐纳阻抗
TEST
当前
IZT
mA
ZZT @IZT
欧
（注2 ）
ZZK @ IZK = 1毫安
欧
（注2 ）
最大反向
漏电流
最大
浪涌
当前
IR，安培
（注3）
最大
调节器
当前
最大电压
IZM
规
mA
VZ ，伏
（注5 ）
（注4 ）
JEDEC
型号
（注1 ）
IR
A
@
VR
伏
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
150
160
170
180
190
200
8
8
8
5
5
5
330
350
380
430
450
480
1500
1650
1750
1750
1850
1850
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
114
122
129
137
144
152
1.1
1.1
1
1
0.9
0.9
3
3
3
4
5
5
31.6
29.4
28
26.4
25
23.6
注： 1。耐性与TYPE号指定
所示的JEDEC型数字表示的宽容
±5%.
注4.电压调节（ ΔVZ ）
是测试条件为电压调节如下： VZ测量均在10％制成并
然后，在电气特性表中列出的IZ最大值的50 ％ 。测试电流
的持续时间为每VZ测量是40
±
10毫秒。 （ TA = 25℃ 8 ， -2 ℃） 。安装触头
坐落在注2中指定。
注2：齐纳电压（ VZ ）和阻抗（Z ZT & ZZK ）
在测试条件为齐纳电压，阻抗为： IZ适用40
±
前10毫秒
阅读。安装触头从安装夹的内侧边缘位于3/8“到1/2”
到二极管的主体。 （ TA = 25℃ 8 ， -2 ℃） 。
注5.最大稳压器电流（ IZM ）
所示的最大电流是基于5％的式单元的最大电压，所以，
它仅适用于在B后缀的设备。实际IZM任何设备不得超过该值
5瓦的设备的实际VZ划分。 TL = 75 ℃，从设备3/8“最大
体。
注3.浪涌电流（ I R ）
浪涌电流被指定为允许的最大峰值，非经常性的方波电流
租一个脉冲宽度为8.3毫秒， PW 。在图6中给出的数据可以被用来查找
最大浪涌电流为方波1毫秒和1000毫秒之间的脉冲宽度由
绘制在对数坐标纸上的适用点。这方面的例子，采用了3.3伏和
如附注3 （ TA指定的200 V齐纳二极管，如图7安装触头位置=
25°C +8, –2°C.)
注6.特价设施包括：
所示的电压和更严格的电压容差，如与额定齐纳电压
±1%
和
±2%.
向厂家咨询。
温度系数
θV
Z，温度系数
（毫伏/ ° C） @ I ZT
8
6
4
2
范围
0
–2
3
4
7
5
6
8
VZ ，齐纳电压@ IZT （伏）
9
10
θV
Z，温度系数
（毫伏/ ° C） @ I ZT
10
300
200
100
50
30
20
10
5
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180
VZ ，齐纳电压@ IZT （伏）
200 220
范围
图2.温度系数，范围
为单位3到10伏
图3.温度系数，范围
为单位10至220伏特
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
5瓦Surmetic 40数据表
6-3
1N5345B ... 1N5388B （ 5 W ）
1N5345B ... 1N5388B （ 5 W ）
硅电源稳压二极管（非平面技术）
Silizium - Leistungs - 齐纳Dioden （ flchendiffundierte Dioden ）
版本2011-02-10
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
4.5
+0.1
-
0.3
5W
8.7...200 V
DO- 201
0.8 g
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
±0.5
TYPE
62.5
1.2
±0.05
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差为± 5 ％ ） 。其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung ± 5 ％ 。企业的其它Toleranzen奥德hhere
Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
2
7.5
±0.1
Grenz- UND Kennwerte
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THL
5 W
1
)
80 W
-50...+150°C
-50...+175°C
< 25 K / W
1
)
<8 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
1N5345B ... 1N5388B （ 5 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
Z
[V]
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
测试电流
乱七八糟 - 斯特罗姆
I
ZTEST
[马]
150
150
125
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8
8
8
8
5
5
5
2
2
2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3
3
3.5
3.5
4
5
6
8
10
11
14
20
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
330
350
380
430
450
480
动态电阻
差异。 Widerstand
I
Z
= I
ZTEST
I
Z
= 1毫安
r
zj
[Ω]
200
150
125
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
140
150
160
170
190
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
1500
1650
1750
1750
1850
1850
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 μA
V
R
[V]
> 6.6 （ 10μA ）
> 6.9 （ 7.5μA ）
> 7.6 （ 5μA ）
> 8.4 （ 5μA ）
> 9.1 （ 2μA ）
> 9.9 （ 1μA ）
> 10.6 （ 1μA ）
> 11.5 （ 1μA ）
> 12.2 （ 1μA ）
> 12.9
> 13.7
> 14.4
> 15.2
> 16.7
> 18.2
> 19.0
> 20.6
> 21.2
> 22.8
> 25.1
> 27.4
> 29.7
> 32.7
> 35.8
> 38.8
> 42.6
> 45.5
> 47.1
> 51.7
> 56.0
> 62.2
> 66.0
> 69.2
> 76.0
> 83.6
> 91.2
> 98.8
> 106
> 114
> 122
> 129
> 137
> 144
> 152
浪涌电流
Stostrom
t
p
= 8.3毫秒
I
ZS
[A]
9.5
9.2
8.6
8.0
7.5
7.0
6.7
6.3
6.0
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
3.7
3.5
3.3
3.1
2.8
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
1.1
1.0
1.0
0.9
0.9
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
546
522
475
432
396
365
339
317
297
279
264
250
238
216
198
190
176
170
158
144
132
122
110
101
93
85
79
77
70
63
58
55
52
48
43
40
37
34
32
30
28
26
25
24
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
证书： TH97 / 10561QM
证书：
TW00/17276EM
1N5333B - 1N5388B
V
Z
： 3.3 - 200伏
P
D
： 5瓦
产品特点：
*完整的电压范围3.3到200伏
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
*无铅/符合RoHS免费
硅稳压二极管
D2A
0.161 (4.1)
0.154 (3.9)
1.00 (25.4)
分钟。
0.284 (7.2)
0.268 (6.8)
机械数据
*案例： D2A模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.645克
0.040 (1.02)
0.0385 (0.98)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
在T DC功耗
L
= 75
°C
(Note1)
最大正向电压在我
F
= 1 A
结温范围
存储温度范围
注意：
(1) T
L
=铅温度从身体3/8 "设计（9.5mm ）
符号
P
D
V
F
T
J
Ts
价值
5.0
1.2
- 65至+ 200
- 65至+ 200
单位
W
V
°C
°C
图。 1功耗温度降额曲线
5
P
D
，最大耗散
（瓦特）
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
L = 8"分之3设计（9.5mm ）
T
L
，焊接温度（ ° C）
第1页3
启示录07 ： 2007年3月16日
证书： TH97 / 10561QM
证书：
TW00/17276EM
额定值和特性曲线（ 1N5333B - 1N5388B ）
图2.典型的热响应L，引线长度= 3/8英寸
θ
JL
（T ，D ） ，瞬态热阻
结到铅（ ° C / W）
20
10
5
2
1
D=0.5
D=0.2
D=0.1
占空比D = T
1
/t
2
单脉冲
Δ
T
JL
=θ
JL
（T ） P
PK
注意：下面0.1秒，热
响应曲线适用
对任何引线长度（ L）
重复脉冲
Δ
T
JL
=θ
JL
（T ， D） P
PK
P
PK
t
1
t
2
D=0.05
D=0.01
0.5
D=0
0.2
0.001
0.005 0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
T，时间（秒）
图3最大非重复性外科杂志电流
与额定齐纳电压
IR ，峰值浪涌电流（ AMPS ）
20
10
4
2
1
0.4
0.2
0.1
3
4
* SQURE WAVE
PW = 1毫秒*
PW = 8.3毫秒*
图。 4峰值外科杂志电流与
脉冲宽度
IR ，峰值浪涌电流（ AMPS ）
30
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
1
10
100
1000
VZ = 200 V
40
VZ = 3.3V
PW = 100毫秒*
PW = 1000毫秒*
6 8 10
20
30 40
80
100
200
公称VZ（ V）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
第3页3
启示录07 ： 2007年3月16日
1N5333B THRU 1N5388B
硅5瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
描述
轴向引线5.0瓦特的1N5333-5388B JEDEC注册的系列
齐纳二极管提供电压调节在3.3 200伏的选择与
不同的公差确定的零件号特定后缀字母。
这些塑料封装的齐纳二极管具有1级潮湿分类
而无需干燥包，也是在各种军事可用
等效的筛选水平通过添加前缀标识符中也描述
功能部分。他们可能会在较高的最大直流电流下工作
与它们相对低热阻足够的散热
设计。 Microsemi的还提供了许多其他稳压产品，以满足
较高和较低功率应用。
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
T-18
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
特点
JEDEC注册1N5333到1N5388B
齐纳电压提供3.3V至200V
标准电压容差的正/负5 ％
与B后缀和10％带有后缀标识
可在正负2 ％的容差或
分别为1 ％，与C或D后缀
按照MIL-筛选选项
PRF- 19500的JAN ， JANTX ， JANTXV和
JANS可通过加入MQ ，MX， MV，或
MSP前缀分别零件号。
表面可以作为坐骑当量
SMBJ5333到SMBJ5388B ，或SMBG5333B到
SMBG5388B
应用/优势
调节电压在很宽的工作电流和
温度范围
多种选择，从3.3到200 V
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD
可承受高浪涌讲
电压与电流为最小的变化
通过电压调节规定（ ΔV
Z
)
高规定的最大电流（I
ZM
）时，
充分热沉没
水分的分类是根据IPC / JEDEC J- 1级
STD- 020B ，无需干燥包
最大额定值
25功耗
C： 5.0瓦特（另见
降额于图1） 。
操作和储存温度： -65
C到
+150
C
热电阻： 25
C / W交界处领导在
3/8英寸（10毫米）的车身引线长度，或85
C / W
安装FR4 PC上时，结点到环境
板（ 1盎司铜）与4毫米
2
铜垫和
追踪宽1毫米，长25毫米
稳定状态功率： 5瓦特在T
L
＆ LT ; 25
o
C 3/8
寸（ 10mm）的自体，或1.47瓦特在T
A
=
安装FR4 PC上时， 25℃的描述
热阻（也参见图1）
正向电压@ 1.0 ： 1.2伏（最大）
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：无空洞转移成型热固性
环氧机构会议UL94V- 0
终端：信息，锡铅镀焊每
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管
可与带状端与正操作
相对于所述另一端。
标记：部件号
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量： 0.7克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N5333B THRU 1N5388B
版权
2003
2003年7月23日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5333B THRU 1N5388B
硅5瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
*电气特性@ 25
o
C
TYPE
数
调节器
电压
TEST
当前
最大
动态
阻抗
（ A&B后缀）
最大
反向
当前
I
R
TEST
电压
（无后缀&
后缀）
WWW .
Microsemi的
.C
OM
(V
Z
)
V
(I
ZT
)
直流毫安
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8.0
8.0
8.0
8.0
5.0
5.0
5.0
(Z
Z
)
(V
R
)
V
I
R
TEST
电压
（ B，C ，D后缀）
(I
R
)
A
300
150
50
10
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
10
10
10
10
7.5
5.0
5.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
(V
R
)
V
最大
调节器
当前
（ B，C ，D后缀）
(I
ZM
)
最大
膝关节动态
阻抗
Z
ZK
@ 1.0毫安
（A ， B，C ，D后缀）
最大
浪涌
当前
最大
电压
规
（A ， B，C ，D
后缀）
(I
ZSM
)
安培
20
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
13.4
12.7
12.4
11.5
10.7
10
9.5
9.2
8.6
8.0
7.5
7.0
6.7
6.3
6.0
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
3.7
3.5
3.3
3.1
2.8
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
1.1
1.0
1.0
0.9
0.9
(V
Z
)
欧
3.0
2.5
2.0
2.0
2.0
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3.0
3.0
3.5
3.5
4.0
5.0
6.0
8.0
10
11
14
20
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
330
350
380
430
450
480
mA
1440
1320
1220
1100
1010
930
865
790
765
700
630
580
545
520
475
430
395
365
340
315
295
280
264
250
237
216
198
190
176
170
158
144
132
122
110
100
93
86
79
76
70
63
58
54.5
52.5
47.5
43
39.5
36.6
34
31.6
29.4
28
26.4
25
23.6
欧
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
140
150
160
170
190
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
1500
1650
1750
1750
1850
1850
伏
0.85
0.80
0.54
0.49
0.44
0.39
0.25
0.19
0.10
0.15
0.15
0.20
0.20
0.22
0.22
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.30
0.35
0.40
0.40
0.40
0.45
0.55
0.55
0.60
0.60
0.60
0.60
0.65
0.65
0.70
0.80
0.90
1.00
1.20
1.35
1.50
1.60
1.80
2.00
2.20
2.30
2.50
2.50
2.50
2.50
3.00
3.00
3.00
4.00
5.00
5.00
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.0
4.9
5.4
5.9
6.25
6.6
7.2
8.0
8.6
9.4
10.1
10.8
11.5
12.2
13
13.7
14.4
15.8
17.3
18
19.4
20.1
21.6
23.8
25.9
28.1
31
33.8
36.7
40.3
43
44.6
49
54
59
63
65.5
72
79.2
86.4
93.6
101
108
115
122
130
137
144
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.0
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
45.5
47.1
51.7
56
62.2
66
69.2
76
83.6
91.2
98.8
106
114
122
129
137
144
152
1N5333B THRU 1N5388B
* JEDEC注册的数据。
注1 ：
与B后缀上面列出的设备具有± 5 ％的容差，后缀表示± 10 ％的容差，C后缀指定± 2 ％
宽容和D后缀指定± 1 ％的容差。无后缀表示±20％ 。
o
o
注2 ：
齐纳电压（ Vz的）的测量是在T
L
= 25℃ （ 8 ， -2 ℃） 。在40 ± 10毫秒的电压进行测量
应用直流电流之后。
注3 ：
齐纳阻抗是从1千赫兹的交流电压从交流电流调制得到的具有有效值衍生
等于DC齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）叠加在我
ZT
还是我
ZK
。见微注202齐纳阻抗
变化具有不同的工作电流。
注4 ：
的最大电流（I
ZM
）所示的是一个± 5 ％的容差的设备。在我
ZM
对于其它的公差可以通过计算
下式：我
ZM
= P / V
ZM
其中，V
ZM
是V
Z
在指定的电压容差的上限P是额定功率
用于安装的方法。
注5 ：
浪涌电流（I
ZSM
）被指定为一个非经常性的半正弦波的8.3毫秒的持续时间的最大峰值。
注6 ：
电压调节（ ΔV
Z
）为10％测得的电压和余50％之间的差
ZM
.
版权
2003
2003年7月23日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5333B THRU 1N5388B
硅5瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
概况与电路
WWW .
Microsemi的
.C
OM
PD时，最大功率
功耗（瓦）
T
L
T
A
在FR4
PC板
T
L
铅温度（ ℃） 3/8“的身体。或
T
A
在FR4 PC板环境温度的
o
图1
功率降额曲线
图2
典型的电容比。
反向电压为5瓦齐纳二极管
包装尺寸
1N5333B THRU 1N5388B
科幻gure 3
典型的电容比。
反向电压为5瓦齐纳二极管
版权
2003
2003年7月23日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
1N5333B系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.2 V最大@我
F
= 1.0为所有类型）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
设备
记号
V
Z
（伏）
民
喃
最大
@ I
ZT
mA
齐纳阻抗
（注2 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
Z
ZK
@ I
ZK
W
I
ZK
mA
泄漏
当前
I
R
@ V
R
mA
最大
伏
I
R
（注3）
A
DV
Z
（注4 ）
伏
I
ZM
（注5 ）
mA
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.70
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.30
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
3
2.5
2
2
2
1.5
1
1
1
1
1.5
1.5
2
2
2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
300
150
50
10
5
1
1
1
1
10
10
10
10
7.5
5
5
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
3
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
20
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
13.4
12.7
12.4
11.5
10.7
10
9.5
9.2
8.6
8.0
7.5
7.0
6.7
6.3
0.85
0.8
0.54
0.49
0.44
0.39
0.25
0.19
0.1
0.15
0.15
0.2
0.2
0.22
0.22
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1440
1320
1220
1100
1010
930
865
790
765
700
630
580
545
520
475
430
395
365
340
315
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B*
1N5362B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
2.5
2.5
2.5
3
3
3.5
3.5
4
5
6
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
6.0
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
0.3
0.35
0.4
0.4
0.4
0.45
0.55
0.55
0.6
0.6
295
280
264
250
237
216
198
190
176
170
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
1.
耐性与TYPE号指定
所示的JEDEC型数字表示的宽容
±5%.
2.
齐纳电压（V
Z
）和阻抗（我
ZT
我
ZK
)
在测试条件为齐纳电压，阻抗为：我
Z
加40
±10
MS之前阅读。安装触头位于3/8“
到1/2“从安装夹到二极管的主体的内侧边缘（T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
3.
浪涌电流（I
R
)
浪涌电流被指定为允许的最大峰值，非经常性的方波电流的脉冲宽度为8.3毫秒， PW 。数据
在图5中给出可用于找到最大浪涌电流的方波1毫秒和1000毫秒之间的任何脉冲宽度的绘制
在对数坐标纸上适用点。这方面的例子，采用了3.3伏和200伏的齐纳示于图6位于安装接触
附注2 （如指定的T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
4.
稳压（ DV
Z
)
是用于电压调节的条件如下：V
Z
测量是在10％的予的50％制成，然后
Z
在上市最大值
电气特性表。测试电流的持续时间各V
Z
测量40
±10
女士。作为指定的安装位置接触
附注2 （T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
5.
最大调节器电流（I
ZM
)
所示的最大电流是基于5％的式单元的最大电压，因此，它仅适用于在B后缀的设备。实际
I
ZM
对于任何设备可能不超过5瓦的实际的V除以值
Z
该装置。牛逼
L
= 75 ℃，从设备3/8“最大
体。
*不适在2000 /弹药包。
http://onsemi.com
3
1N5333B系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.2 V最大@我
F
= 1.0为所有类型）
齐纳电压
（注7 ）
设备
（注6 ）
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
设备
记号
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
V
Z
（伏）
民
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
喃
30
33
36
39
43
最大
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
@ I
ZT
mA
40
40
30
30
30
齐纳阻抗
（注7 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
8
10
11
14
20
Z
ZK
@ I
ZK
W
140
150
160
170
190
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
泄漏
当前
I
R
@ V
R
mA
最大
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
伏
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
I
R
（注8）
A
3.7
3.5
3.5
3.1
2.8
DV
Z
（注9 ）
伏
0.6
0.6
0.65
0.65
0.7
I
ZM
（注10 ）
mA
158
144
132
122
110
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
44.65
48.45
53.2
57
58.9
64.6
71.25
77.9
82.65
86.45
95
104.5
114
123.5
133
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
49.35
53.55
58.8
63
65.1
71.4
78.75
86.1
91.35
95.55
105
115.5
126
136.5
147
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
35.8
38.8
42.6
45.5
47.1
51.7
56
62.2
66
69.2
76
83.6
91.2
98.8
106
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
0.8
0.9
1.0
1.2
1.35
1.52
1.6
1.8
2.0
2.2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
100
93
86
79
76
70
63
58
54.5
52.5
47.5
43
39.5
36.6
34
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
142.5
152
161.5
171
180.5
190
150
160
170
180
190
200
157.5
168
178.5
189
199.5
210
8
8
8
5
5
5
330
350
380
430
450
480
1500
1650
1750
1750
1850
1850
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
114
122
129
137
144
152
1.1
1.1
1.0
1.0
0.9
0.9
3.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.0
31.6
29.4
28
26.4
25
23.6
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
6.
耐性与TYPE号指定
所示的JEDEC型数字表示的宽容
±5%.
7.
齐纳电压（V
Z
）和阻抗（我
ZT
我
ZK
)
在测试条件为齐纳电压，阻抗为：我
Z
加40
±10
MS之前阅读。安装触头位于3/8“
到1/2“从安装夹到二极管的主体的内侧边缘（T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
8.
浪涌电流（I
R
)
浪涌电流被指定为允许的最大峰值，非经常性的方波电流的脉冲宽度为8.3毫秒， PW 。数据
在图5中给出可用于找到最大浪涌电流的方波1毫秒和1000毫秒之间的任何脉冲宽度的绘制
在对数坐标纸上适用点。这方面的例子，采用了3.3伏和200伏的齐纳示于图6位于安装接触
附注7 （如指定的T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
9.
稳压（ DV
Z
)
是用于电压调节的条件如下：V
Z
测量是在10％的予的50％制成，然后
Z
在上市最大值
电气特性表。测试电流的持续时间各V
Z
测量40
±10
女士。作为指定的安装位置接触
附注7 （T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
10.
最大调节器电流（I
ZM
)
所示的最大电流是基于5％的式单元的最大电压，因此，它仅适用于在B后缀的设备。实际
I
ZM
对于任何设备可能不超过5瓦的实际的V除以值
Z
该装置。牛逼
L
= 75 ℃，从设备3/8“最大
体。
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4
1N5333B系列
θ
JL ，结到铅热阻（
° C / W）
40
30
20
L
10
L
0
的主路径
传导是通过
阴极引线
0
0.2
0.4
0.6
0.8
L，引线长度到散热器（ INCH ）
1
图1.典型热阻
温度系数
θV
Z，温度系数
（毫伏/ ° C） @ I ZT
θV
Z，温度系数
（毫伏/ ° C） @ I ZT
10
8
6
4
2
0
2
3
4
7
5
6
8
V
Z
，齐纳电压@ I
ZT
（伏）
9
10
范围
300
200
100
50
30
20
10
5
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180
V
Z
，齐纳电压@ I
ZT
（伏）
200 220
范围
图2.温度系数，范围
为单位3到10伏
图3.温度系数，范围
为单位10至220伏特
http://onsemi.com
5
1N5333B THRU 1N5388B
硅5瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
描述
轴向引线5.0瓦特的1N5333-5388B JEDEC注册的系列
齐纳二极管提供电压调节在3.3 200伏的选择与
不同的公差确定的零件号特定后缀字母。
这些塑料封装的齐纳二极管具有1级潮湿分类
而无需干燥包，也是在各种军事可用
等效的筛选水平通过添加前缀标识符中也描述
功能部分。他们可能会在较高的最大直流电流下工作
与它们相对低热阻足够的散热
设计。 Microsemi的还提供了许多其他稳压产品，以满足
较高和较低功率应用。
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
T-18
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
特点
JEDEC注册1N5333到1N5388B
齐纳电压提供3.3V至200V
标准电压容差的正/负5 ％
与B后缀和10％带有后缀标识
可在正负2 ％的容差或
分别为1 ％，与C或D后缀
按照MIL-筛选选项
PRF- 19500的JAN ， JANTX ， JANTXV和
JANS可通过加入MQ ，MX， MV，或
MSP前缀分别零件号。
表面可以作为坐骑当量
SMBJ5333到SMBJ5388B ，或SMBG5333B到
SMBG5388B
应用/优势
调节电压在很宽的工作电流和
温度范围
多种选择，从3.3到200 V
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD
可承受高浪涌讲
电压与电流为最小的变化
通过电压调节规定（ ΔV
Z
)
高规定的最大电流（I
ZM
）时，
充分热沉没
水分的分类是根据IPC / JEDEC J- 1级
STD- 020B ，无需干燥包
最大额定值
25功耗
C： 5.0瓦特（另见
降额于图1） 。
操作和储存温度： -65
C到
+150
C
热电阻： 25
C / W交界处领导在
3/8英寸（10毫米）的车身引线长度，或85
C / W
安装FR4 PC上时，结点到环境
板（ 1盎司铜）与4毫米
2
铜垫和
追踪宽1毫米，长25毫米
稳定状态功率： 5瓦特在T
L
＆ LT ; 25
o
C 3/8
寸（ 10mm）的自体，或1.47瓦特在T
A
=
安装FR4 PC上时， 25℃的描述
热阻（也参见图1）
正向电压@ 1.0 ： 1.2伏（最大）
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：无空洞转移成型热固性
环氧机构会议UL94V- 0
终端：信息，锡铅镀焊每
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管
可与带状端与正操作
相对于所述另一端。
标记：部件号
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量： 0.7克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N5333B THRU 1N5388B
版权
2003
2003年7月23日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5333B THRU 1N5388B
硅5瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
*电气特性@ 25
o
C
TYPE
数
调节器
电压
TEST
当前
最大
动态
阻抗
（ A&B后缀）
最大
反向
当前
I
R
TEST
电压
（无后缀&
后缀）
WWW .
Microsemi的
.C
OM
(V
Z
)
V
(I
ZT
)
直流毫安
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8.0
8.0
8.0
8.0
5.0
5.0
5.0
(Z
Z
)
(V
R
)
V
I
R
TEST
电压
（ B，C ，D后缀）
(I
R
)
A
300
150
50
10
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
10
10
10
10
7.5
5.0
5.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
(V
R
)
V
最大
调节器
当前
（ B，C ，D后缀）
(I
ZM
)
最大
膝关节动态
阻抗
Z
ZK
@ 1.0毫安
（A ， B，C ，D后缀）
最大
浪涌
当前
最大
电压
规
（A ， B，C ，D
后缀）
(I
ZSM
)
安培
20
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
13.4
12.7
12.4
11.5
10.7
10
9.5
9.2
8.6
8.0
7.5
7.0
6.7
6.3
6.0
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
3.7
3.5
3.3
3.1
2.8
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
1.1
1.0
1.0
0.9
0.9
(V
Z
)
欧
3.0
2.5
2.0
2.0
2.0
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3.0
3.0
3.5
3.5
4.0
5.0
6.0
8.0
10
11
14
20
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
330
350
380
430
450
480
mA
1440
1320
1220
1100
1010
930
865
790
765
700
630
580
545
520
475
430
395
365
340
315
295
280
264
250
237
216
198
190
176
170
158
144
132
122
110
100
93
86
79
76
70
63
58
54.5
52.5
47.5
43
39.5
36.6
34
31.6
29.4
28
26.4
25
23.6
欧
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
140
150
160
170
190
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
1500
1650
1750
1750
1850
1850
伏
0.85
0.80
0.54
0.49
0.44
0.39
0.25
0.19
0.10
0.15
0.15
0.20
0.20
0.22
0.22
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.30
0.35
0.40
0.40
0.40
0.45
0.55
0.55
0.60
0.60
0.60
0.60
0.65
0.65
0.70
0.80
0.90
1.00
1.20
1.35
1.50
1.60
1.80
2.00
2.20
2.30
2.50
2.50
2.50
2.50
3.00
3.00
3.00
4.00
5.00
5.00
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.0
4.9
5.4
5.9
6.25
6.6
7.2
8.0
8.6
9.4
10.1
10.8
11.5
12.2
13
13.7
14.4
15.8
17.3
18
19.4
20.1
21.6
23.8
25.9
28.1
31
33.8
36.7
40.3
43
44.6
49
54
59
63
65.5
72
79.2
86.4
93.6
101
108
115
122
130
137
144
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.0
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
45.5
47.1
51.7
56
62.2
66
69.2
76
83.6
91.2
98.8
106
114
122
129
137
144
152
1N5333B THRU 1N5388B
* JEDEC注册的数据。
注1 ：
与B后缀上面列出的设备具有± 5 ％的容差，后缀表示± 10 ％的容差，C后缀指定± 2 ％
宽容和D后缀指定± 1 ％的容差。无后缀表示±20％ 。
o
o
注2 ：
齐纳电压（ Vz的）的测量是在T
L
= 25℃ （ 8 ， -2 ℃） 。在40 ± 10毫秒的电压进行测量
应用直流电流之后。
注3 ：
齐纳阻抗是从1千赫兹的交流电压从交流电流调制得到的具有有效值衍生
等于DC齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）叠加在我
ZT
还是我
ZK
。见微注202齐纳阻抗
变化具有不同的工作电流。
注4 ：
的最大电流（I
ZM
）所示的是一个± 5 ％的容差的设备。在我
ZM
对于其它的公差可以通过计算
下式：我
ZM
= P / V
ZM
其中，V
ZM
是V
Z
在指定的电压容差的上限P是额定功率
用于安装的方法。
注5 ：
浪涌电流（I
ZSM
）被指定为一个非经常性的半正弦波的8.3毫秒的持续时间的最大峰值。
注6 ：
电压调节（ ΔV
Z
）为10％测得的电压和余50％之间的差
ZM
.
版权
2003
2003年7月23日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5333B THRU 1N5388B
硅5瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
概况与电路
WWW .
Microsemi的
.C
OM
PD时，最大功率
功耗（瓦）
T
L
T
A
在FR4
PC板
T
L
铅温度（ ℃） 3/8“的身体。或
T
A
在FR4 PC板环境温度的
o
图1
功率降额曲线
图2
典型的电容比。
反向电压为5瓦齐纳二极管
包装尺寸
1N5333B THRU 1N5388B
科幻gure 3
典型的电容比。
反向电压为5瓦齐纳二极管
版权
2003
2003年7月23日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
摩托罗拉
半导体
技术参数
500毫瓦的DO - 35玻
齐纳稳压二极管
综合参数适用于所有系列中
本组
一般
数据
500毫瓦
DO- 35玻
玻璃齐纳二极管
500毫瓦
1.8-200伏
500毫瓦
密封式
玻璃硅稳压二极管
规格特点：
完整的电压范围 - 1.8 200伏
DO- 204AH包 - 比传统的DO - 204AA封装小
双弹头式建筑
冶金结合建设
机械特性：
案例：
双塞型，密闭玻璃
最大的铅焊接温度的目的：
230 ℃下，为1/16 “，从
情况下，10秒
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀易与焊引线
极性：
阴极指出的色带。当齐纳二极管模式操作时，阴极
将正相对于阳极
安装位置：
任何
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
汉城
最大额定值
（摩托罗拉设备） *
等级
DC功耗和TL
≤
75°C
引线长度= 3/8 “
减免上述TL = 75℃
工作和存储温度范围
*有些部件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
CASE 299
DO-204AH
玻璃
符号
PD
价值
500
4
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
TJ ， TSTG
- 65 + 200
PD ，最大功耗（瓦）
0.7
0.6
0.5
0.4
3/8”
3/8”
热
洗涤盆
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
TL ，焊接温度（ ° C）
图1.稳态功率降额
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-97
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
使用注意事项 - 齐纳电压
因为从一个给定的齐纳二极管可用的实际电压
是依赖于温度的，它确定junc-是必要
在为了任何组操作条件化温度
计算出其值。下面的过程是中建议
谁料：
铅温度， TL ，应该从确定：
TL =
θ
LAPD + TA 。
θ
洛杉矶是引入到环境的热阻（ ° C / W）和PD是
功耗。对于价值
θ
LA会有所不同，取决于
在装置的安装方法。
θ
LA通常30是40℃ / W的
在普通使用和各种剪辑和连接点
印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶置于铅尽可能接近的领带
点。连接到所述连接点的热质量通常
足够大，使得它不会显著响应以加热
在二极管的浪涌产生的脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。使用测
TL的sured值，结温度可以阻止 -
开采方式：
TJ = TL +
T
JL 。
T
JL是上述引线的增加，结温
温度，并且可以发现，从图2中的直流功率：
T
JL =
θ
JLPD 。
对于最坏情况设计，采用预期IZ的极限，极限
PD和TJ的极端（ ΔTJ ）可以被估计。变化
电压， VZ ，然后可以得到：
V
=
θ
VZTJ 。
θ
VZ时，齐纳电压的温度系数，可由下式求得
图4和图5 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持目前的短途旅行
尽可能低。
浪涌限制是在图7中给出它们比低
将通过仅考虑结温度可以预期，
由于电流拥挤效应引起的温度是EX-
tremely高的小斑点，导致器件退化
应的图7的限制被超过。
θ
JL ，结到铅热阻（
°
C / W ）
500
400
L
L
300
2.4–60 V
200
100
0
62–200 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
L，引线长度到散热器（ INCH ）
图2.典型热阻
1000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
+25°C
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
I R ，漏电流（
A)
+125°C
VZ ，额定齐纳电压（伏）
图3.典型漏电流
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-98
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
温度系数
（ -55 ° C至+ 150 ° C的温度范围内; 90 ％的单位都在指定的范围）
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
+12
+10
+8
+6
+4
+2
范围
0
–2
–4
2
3
4
5
6
7
8
9
VZ ，齐纳电压（伏）
10
11
12
VZ @ IZT
（注2 ）
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
范围
VZ @ IZ （注2 ）
20
30
50
VZ ，齐纳电压（伏）
70
100
图4a。范围为单位，以12伏
图4b。范围内单位12 100伏特
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
200
180
160
+6
+4
+2
20毫安
0
0.01毫安
–2
–4
3
4
1毫安
注：低于3千伏及以上8伏
注意：
在齐纳电流的变化不会
注意：
AFFECT温度系数
5
6
7
8
VZ @ IZ
TA = 25°C
140
VZ @ IZT
（注2 ）
120
100
120
130
140
150
160
170
180
190
200
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图4c 。范围单位120至200伏特
齐纳电流图5.影响
1000
500
0 V BIAS
200
C，电容（pF ）
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
的50 ％
VZ BIAS
TA = 25°C
100
70
50
C，电容（pF ）
30
20
TA = 25°C
0 BIAS
1 V BIAS
1伏偏置
10
7
5
3
2
1
VZ BIAS的50 ％
50
100
120
140
160
180
190
200
220
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图6a 。典型电容2.4-100伏
图6b 。典型电容120-200伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-99
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
20
10
TA = 25°
I Z ，齐纳电流（mA）
1
0.1
0.01
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
VZ ，齐纳电压（伏）
图11.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 1通16伏
10
TA = 25°
I Z ，齐纳电流（mA）
1
0.1
0.01
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
VZ ，齐纳电压（伏）
图12.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 15通30伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-101
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