1N5345B ... 1N5388B （ 5 W ）
1N5345B ... 1N5388B （ 5 W ）
硅电源稳压二极管（非平面技术）
Silizium - Leistungs - 齐纳Dioden （ flchendiffundierte Dioden ）
版本2011-02-10
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
4.5
+0.1
-
0.3
5W
8.7...200 V
DO- 201
0.8 g
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
±0.5
TYPE
62.5
1.2
±0.05
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差为± 5 ％ ） 。其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung ± 5 ％ 。企业的其它Toleranzen奥德hhere
Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
2
7.5
±0.1
Grenz- UND Kennwerte
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THL
5 W
1
)
80 W
-50...+150°C
-50...+175°C
< 25 K / W
1
)
<8 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
1N5345B ... 1N5388B （ 5 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
Z
[V]
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
测试电流
乱七八糟 - 斯特罗姆
I
ZTEST
[马]
150
150
125
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8
8
8
8
5
5
5
2
2
2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3
3
3.5
3.5
4
5
6
8
10
11
14
20
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
330
350
380
430
450
480
动态电阻
差异。 Widerstand
I
Z
= I
ZTEST
I
Z
= 1毫安
r
zj
[Ω]
200
150
125
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
140
150
160
170
190
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
1500
1650
1750
1750
1850
1850
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 μA
V
R
[V]
> 6.6 （ 10μA ）
> 6.9 （ 7.5μA ）
> 7.6 （ 5μA ）
> 8.4 （ 5μA ）
> 9.1 （ 2μA ）
> 9.9 （ 1μA ）
> 10.6 （ 1μA ）
> 11.5 （ 1μA ）
> 12.2 （ 1μA ）
> 12.9
> 13.7
> 14.4
> 15.2
> 16.7
> 18.2
> 19.0
> 20.6
> 21.2
> 22.8
> 25.1
> 27.4
> 29.7
> 32.7
> 35.8
> 38.8
> 42.6
> 45.5
> 47.1
> 51.7
> 56.0
> 62.2
> 66.0
> 69.2
> 76.0
> 83.6
> 91.2
> 98.8
> 106
> 114
> 122
> 129
> 137
> 144
> 152
浪涌电流
Stostrom
t
p
= 8.3毫秒
I
ZS
[A]
9.5
9.2
8.6
8.0
7.5
7.0
6.7
6.3
6.0
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
3.7
3.5
3.3
3.1
2.8
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
1.1
1.0
1.0
0.9
0.9
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
546
522
475
432
396
365
339
317
297
279
264
250
238
216
198
190
176
170
158
144
132
122
110
101
93
85
79
77
70
63
58
55
52
48
43
40
37
34
32
30
28
26
25
24
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
1N5342B~1N5369B
硅稳压二极管
电压
特点
薄型封装
内置应变救灾
低电感
典型I
D
小于1.0μA 13V以上
.375(9.5)
.285(7.2)
1.0(25.4)MIN.
6.8 51伏特
当前
5.0瓦
DO-201AE
单位：英寸（毫米）
对于表面安装应用程序，以优化电路板空间。
.042(1.07)
.037(0.94)
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V -O
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
MECHANICALDATA
案例： JEDEC DO- 201AE模压塑料
终端：轴向引线，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：除双极色环表示阴极
安装位置：任意
重量： 0.0395盎司， 1.122克
1.0(25.4)MIN.
.210(5.3)
.188(4.8)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
直流功耗对T
L
=75
O
C，测量零引线长度
减免上述50
O
C（注1 ）
工作结storagetemperature范围
符号
价值
5.0
-55到+150
单位
瓦
O
P
D
T
J
, T
英镑
C
注意：
1.Mounted上8.0毫米
2
铜焊盘给各终端。
STAD-FEB.10.2009
1
PAGE 。 1
1N5342B~1N5369B
N}÷ M I纳升泽NE R诉 L T A G é
产品型号
无米。 V
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
1N5368B
1N5369B
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
V
Z
@ I
ZT
M | N 。 V
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.5
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
M A X 。 V
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
1
2
2
2
2
2
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
4
4
4
5
6
8
10
11
14
20
25
27
M A X I M ü米简é 林P E D A N权证
Z
ZT
@ I
ZT
mA
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
140
150
160
170
190
210
230
Z
ZK
@ I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
最大
漏电流
I
R
A
10
10
10
10
7.5
5
5
2
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
V
R
V
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
STAD-FEB.10.2009
1
PAGE 。 2
证书： TH97 / 10561QM
证书：
TW00/17276EM
1N5333B - 1N5388B
V
Z
： 3.3 - 200伏
P
D
： 5瓦
产品特点：
*完整的电压范围3.3到200伏
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
*无铅/符合RoHS免费
硅稳压二极管
D2A
0.161 (4.1)
0.154 (3.9)
1.00 (25.4)
分钟。
0.284 (7.2)
0.268 (6.8)
机械数据
*案例： D2A模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.645克
0.040 (1.02)
0.0385 (0.98)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
在T DC功耗
L
= 75
°C
(Note1)
最大正向电压在我
F
= 1 A
结温范围
存储温度范围
注意：
(1) T
L
=铅温度从身体3/8 "设计（9.5mm ）
符号
P
D
V
F
T
J
Ts
价值
5.0
1.2
- 65至+ 200
- 65至+ 200
单位
W
V
°C
°C
图。 1功耗温度降额曲线
5
P
D
，最大耗散
（瓦特）
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
L = 8"分之3设计（9.5mm ）
T
L
，焊接温度（ ° C）
第1页3
启示录07 ： 2007年3月16日
证书： TH97 / 10561QM
证书：
TW00/17276EM
额定值和特性曲线（ 1N5333B - 1N5388B ）
图2.典型的热响应L，引线长度= 3/8英寸
θ
JL
（T ，D ） ，瞬态热阻
结到铅（ ° C / W）
20
10
5
2
1
D=0.5
D=0.2
D=0.1
占空比D = T
1
/t
2
单脉冲
Δ
T
JL
=θ
JL
（T ） P
PK
注意：下面0.1秒，热
响应曲线适用
对任何引线长度（ L）
重复脉冲
Δ
T
JL
=θ
JL
（T ， D） P
PK
P
PK
t
1
t
2
D=0.05
D=0.01
0.5
D=0
0.2
0.001
0.005 0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
T，时间（秒）
图3最大非重复性外科杂志电流
与额定齐纳电压
IR ，峰值浪涌电流（ AMPS ）
20
10
4
2
1
0.4
0.2
0.1
3
4
* SQURE WAVE
PW = 1毫秒*
PW = 8.3毫秒*
图。 4峰值外科杂志电流与
脉冲宽度
IR ，峰值浪涌电流（ AMPS ）
30
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
1
10
100
1000
VZ = 200 V
40
VZ = 3.3V
PW = 100毫秒*
PW = 1000毫秒*
6 8 10
20
30 40
80
100
200
公称VZ（ V）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
第3页3
启示录07 ： 2007年3月16日
1N5333B THRU 1N5388B
硅5瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
描述
轴向引线5.0瓦特的1N5333-5388B JEDEC注册的系列
齐纳二极管提供电压调节在3.3 200伏的选择与
不同的公差确定的零件号特定后缀字母。
这些塑料封装的齐纳二极管具有1级潮湿分类
而无需干燥包，也是在各种军事可用
等效的筛选水平通过添加前缀标识符中也描述
功能部分。他们可能会在较高的最大直流电流下工作
与它们相对低热阻足够的散热
设计。 Microsemi的还提供了许多其他稳压产品，以满足
较高和较低功率应用。
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
T-18
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
特点
JEDEC注册1N5333到1N5388B
齐纳电压提供3.3V至200V
标准电压容差的正/负5 ％
与B后缀和10％带有后缀标识
可在正负2 ％的容差或
分别为1 ％，与C或D后缀
按照MIL-筛选选项
PRF- 19500的JAN ， JANTX ， JANTXV和
JANS可通过加入MQ ，MX， MV，或
MSP前缀分别零件号。
表面可以作为坐骑当量
SMBJ5333到SMBJ5388B ，或SMBG5333B到
SMBG5388B
应用/优势
调节电压在很宽的工作电流和
温度范围
多种选择，从3.3到200 V
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD
可承受高浪涌讲
电压与电流为最小的变化
通过电压调节规定（ ΔV
Z
)
高规定的最大电流（I
ZM
）时，
充分热沉没
水分的分类是根据IPC / JEDEC J- 1级
STD- 020B ，无需干燥包
最大额定值
25功耗
C： 5.0瓦特（另见
降额于图1） 。
操作和储存温度： -65
C到
+150
C
热电阻： 25
C / W交界处领导在
3/8英寸（10毫米）的车身引线长度，或85
C / W
安装FR4 PC上时，结点到环境
板（ 1盎司铜）与4毫米
2
铜垫和
追踪宽1毫米，长25毫米
稳定状态功率： 5瓦特在T
L
＆ LT ; 25
o
C 3/8
寸（ 10mm）的自体，或1.47瓦特在T
A
=
安装FR4 PC上时， 25℃的描述
热阻（也参见图1）
正向电压@ 1.0 ： 1.2伏（最大）
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：无空洞转移成型热固性
环氧机构会议UL94V- 0
终端：信息，锡铅镀焊每
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管
可与带状端与正操作
相对于所述另一端。
标记：部件号
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量： 0.7克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N5333B THRU 1N5388B
版权
2003
2003年7月23日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5333B THRU 1N5388B
硅5瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
*电气特性@ 25
o
C
TYPE
数
调节器
电压
TEST
当前
最大
动态
阻抗
（ A&B后缀）
最大
反向
当前
I
R
TEST
电压
（无后缀&
后缀）
WWW .
Microsemi的
.C
OM
(V
Z
)
V
(I
ZT
)
直流毫安
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8.0
8.0
8.0
8.0
5.0
5.0
5.0
(Z
Z
)
(V
R
)
V
I
R
TEST
电压
（ B，C ，D后缀）
(I
R
)
A
300
150
50
10
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
10
10
10
10
7.5
5.0
5.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
(V
R
)
V
最大
调节器
当前
（ B，C ，D后缀）
(I
ZM
)
最大
膝关节动态
阻抗
Z
ZK
@ 1.0毫安
（A ， B，C ，D后缀）
最大
浪涌
当前
最大
电压
规
（A ， B，C ，D
后缀）
(I
ZSM
)
安培
20
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
13.4
12.7
12.4
11.5
10.7
10
9.5
9.2
8.6
8.0
7.5
7.0
6.7
6.3
6.0
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
3.7
3.5
3.3
3.1
2.8
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
1.1
1.0
1.0
0.9
0.9
(V
Z
)
欧
3.0
2.5
2.0
2.0
2.0
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3.0
3.0
3.5
3.5
4.0
5.0
6.0
8.0
10
11
14
20
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
330
350
380
430
450
480
mA
1440
1320
1220
1100
1010
930
865
790
765
700
630
580
545
520
475
430
395
365
340
315
295
280
264
250
237
216
198
190
176
170
158
144
132
122
110
100
93
86
79
76
70
63
58
54.5
52.5
47.5
43
39.5
36.6
34
31.6
29.4
28
26.4
25
23.6
欧
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
140
150
160
170
190
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
1500
1650
1750
1750
1850
1850
伏
0.85
0.80
0.54
0.49
0.44
0.39
0.25
0.19
0.10
0.15
0.15
0.20
0.20
0.22
0.22
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.30
0.35
0.40
0.40
0.40
0.45
0.55
0.55
0.60
0.60
0.60
0.60
0.65
0.65
0.70
0.80
0.90
1.00
1.20
1.35
1.50
1.60
1.80
2.00
2.20
2.30
2.50
2.50
2.50
2.50
3.00
3.00
3.00
4.00
5.00
5.00
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.0
4.9
5.4
5.9
6.25
6.6
7.2
8.0
8.6
9.4
10.1
10.8
11.5
12.2
13
13.7
14.4
15.8
17.3
18
19.4
20.1
21.6
23.8
25.9
28.1
31
33.8
36.7
40.3
43
44.6
49
54
59
63
65.5
72
79.2
86.4
93.6
101
108
115
122
130
137
144
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.0
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
45.5
47.1
51.7
56
62.2
66
69.2
76
83.6
91.2
98.8
106
114
122
129
137
144
152
1N5333B THRU 1N5388B
* JEDEC注册的数据。
注1 ：
与B后缀上面列出的设备具有± 5 ％的容差，后缀表示± 10 ％的容差，C后缀指定± 2 ％
宽容和D后缀指定± 1 ％的容差。无后缀表示±20％ 。
o
o
注2 ：
齐纳电压（ Vz的）的测量是在T
L
= 25℃ （ 8 ， -2 ℃） 。在40 ± 10毫秒的电压进行测量
应用直流电流之后。
注3 ：
齐纳阻抗是从1千赫兹的交流电压从交流电流调制得到的具有有效值衍生
等于DC齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）叠加在我
ZT
还是我
ZK
。见微注202齐纳阻抗
变化具有不同的工作电流。
注4 ：
的最大电流（I
ZM
）所示的是一个± 5 ％的容差的设备。在我
ZM
对于其它的公差可以通过计算
下式：我
ZM
= P / V
ZM
其中，V
ZM
是V
Z
在指定的电压容差的上限P是额定功率
用于安装的方法。
注5 ：
浪涌电流（I
ZSM
）被指定为一个非经常性的半正弦波的8.3毫秒的持续时间的最大峰值。
注6 ：
电压调节（ ΔV
Z
）为10％测得的电压和余50％之间的差
ZM
.
版权
2003
2003年7月23日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5333B THRU 1N5388B
硅5瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
概况与电路
WWW .
Microsemi的
.C
OM
PD时，最大功率
功耗（瓦）
T
L
T
A
在FR4
PC板
T
L
铅温度（ ℃） 3/8“的身体。或
T
A
在FR4 PC板环境温度的
o
图1
功率降额曲线
图2
典型的电容比。
反向电压为5瓦齐纳二极管
包装尺寸
1N5333B THRU 1N5388B
科幻gure 3
典型的电容比。
反向电压为5瓦齐纳二极管
版权
2003
2003年7月23日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
1N5335B THRU 1N5388B
5 W硅稳压二极管
特点
高反向峰值功耗
高可靠性
低漏电流
说明
标准情况下是DO - 15 ， D2A情况下，可
根据要求提供。例如： 1N5335B （ D2A ）方式
在D2A的情况。
机械数据
环氧： UL94V- 0率阻燃
铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
极性：颜色频带端为负极
安装位置：任意
绝对最大额定值
（评分25
O
C环境温度，除非另有规定）
参数
符号
价值
单位
DC功率耗散@ T
L
= 75
O
C
1)
1)
P
D
T
j
, T
S
5
- 65至+ 200
W
O
结温和存储温度范围
C
T
L
=从体内铅温度8"分之3毫米（9.5毫米）
特点在T
a
= 25
O
C
参数
正向电压
在我
F
= 1 A
符号
V
F
马克斯。
1.2
单位
V
电气特性
（评分25
O
C环境温度，除非另有规定）
齐纳电压
1)
TYPE
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
V
ZNOM
V
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6
6.2
V
Z
(V)
分钟。
马克斯。
3.71
4.09
4.09
4.51
4.47
4.93
4.85
5.35
5.32
5.88
5.7
6.3
5.89
6.51
在我
ZT
mA
320
290
260
240
220
200
200
最大齐纳阻抗
Z
ZT
2
2
2
1.5
1
1
1
在我
ZT
mA
320
290
260
240
220
200
200
Z
ZK
500
500
450
400
400
300
200
在我
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
最大反向
漏电流
I
R
在V
R
A
V
50
1
10
1
5
1
1
1
1
2
1
3
1
3
最大直流
齐纳电流
I
ZM
mA
1220
1100
1010
930
856
790
765
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 19/07/2008 é
1N5335B THRU 1N5388B
电气特性
（评分25
O
C环境温度，除非另有规定）
齐纳电压
1)
TYPE
最大齐纳阻抗
在我
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
最大反向
漏电流
I
R
在V
R
A
V
10
5.2
10
5.7
10
6.2
10
6.6
7.5
6.9
5
7.6
5
8.4
2
9.1
1
9.9
1
10.6
1
11.5
1
12.2
0.5
12.9
0.5
13.7
0.5
14.4
0.5
15.2
0.5
16.7
0.5
18.2
0.5
19
0.5
20.6
0.5
21.2
0.5
22.8
0.5
25.1
0.5
27.4
0.5
29.7
0.5
32.7
0.5
35.8
0.5
38.8
0.5
42.6
0.5
45.5
0.5
47.1
0.5
51.7
0.5
56
0.5
62.2
0.5
66
0.5
69.2
0.5
76
0.5
83.6
0.5
91.2
0.5
98.8
0.5
106
0.5
114
0.5
122
0.5
129
0.5
137
0.5
144
0.5
152
最大直流
齐纳电流
I
ZM
mA
700
630
580
545
520
475
430
395
365
340
315
295
280
265
250
237
216
198
190
176
170
158
144
132
122
110
100
93
86
79
76
70
63
58
54.5
52.5
47.5
43
39.5
36.6
34
31.6
29.4
28
26.4
25
23.6
V
ZNOM
V
Z
(V)
在我
ZT
Z
ZT
在我
ZT
Z
ZK
V
分钟。
马克斯。
mA
mA
1N5342B
6.8
6.46
7.14
175
1
175
200
1N5343B
7.5
7.13
7.87
175
1.5
175
200
1N5344B
8.2
7.79
8.61
150
1.5
150
200
1N5345B
8.7
8.27
9.13
150
2
150
200
1N5346B
9.1
8.65
9.55
150
2
150
150
1N5347B
10
9.5
10.5
125
2
125
125
1N5348B
11
10.45
11.55
125
2.5
125
125
1N5349B
12
11.4
12.6
100
2.5
100
125
1N5350B
13
12.35
13.65
100
2.5
100
100
1N5351B
14
13.3
14.7
100
2.5
100
75
1N5352B
15
14.25
15.75
75
2.5
75
75
1N5353B
16
15.2
16.8
75
2.5
75
75
1N5354B
17
16.15
17.85
70
2.5
70
75
1N5355B
18
17.1
18.9
65
2.5
65
75
1N5356B
19
18.05
19.95
65
3
65
75
1N5357B
20
19
21
65
3
65
75
1N5358B
22
20.9
23.1
50
3.5
50
75
1N5359B
24
22.8
25.2
50
3.5
50
100
1N5360B
25
23.75
26.25
50
4
50
110
1N5361B
27
25.65
28.35
50
5
50
120
1N5362B
28
26.6
29.4
50
6
50
130
1N5363B
30
28.5
31.5
40
8
40
140
1N5364B
33
31.35
34.65
40
10
40
150
1N5365B
36
34.2
37.8
30
11
30
160
1N5366B
39
37.05
40.95
30
14
30
170
1N5367B
43
40.85
45.15
30
20
30
190
1N5368B
47
44.65
49.35
25
25
25
210
1N5369B
51
48.45
53.55
25
27
25
230
1N5370B
56
53.2
58.8
20
35
20
280
1N5371B
60
57
63
20
40
20
350
1N5372B
62
58.9
65.1
20
42
20
400
1N5373B
68
64.6
71.4
20
44
20
500
1N5374B
75
71.25
78.75
20
45
20
620
1N5375B
82
77.9
86.1
15
65
15
720
1N5376B
87
82.65
91.35
15
75
15
760
1N5377B
91
86.45
95.55
15
75
15
760
1N5378B
100
95
105
12
90
12
800
1N5379B
110
104.5
115.5
12
125
12
1000
1N5380B
120
114
126
10
170
10
1150
1N5381B
130
123.5
136.5
10
190
10
1250
1N5382B
140
133
147
8
230
8
1500
1N5383B
150
142.5
157.5
8
330
8
1500
1N5384B
160
152
168
8
350
8
1650
1N5385B
170
161.5
178.5
8
380
8
1750
1N5386B
180
171
189
5
430
5
1750
1N5387B
190
180.5
199.5
5
450
5
1850
1N5388B
200
190
210
5
480
5
1850
1)
后缀"A"表示± 10 ％的容差，后缀"B"表示± 5 ％的容差
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 19/07/2008 é
1N5335B THRU 1N5388B
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 19/07/2008 é
1N5333B THRU 1N5388B
5W
硅稳压二极管
V
Z
： 3.3 - 200伏
P
D
： 5瓦
产品特点：
*完整的电压范围3.3到200伏
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
0.142 (3.6)
0.102 (2.6)
DO-15
1.00 (25.4)
分钟。
0.300 (7.6)
0.230 (5.8)
机械数据：
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
*案例： DO - 15模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.4克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
在T DC功耗
L
= 75
°
C（注1）
最大正向电压在我
F
= 1 A
结温范围
存储温度范围
注意：
(1) T
L
=铅温度从身体3/8 "设计（9.5mm ）
符号
P
D
V
F
T
J
Ts
价值
5.0
1.2
- 65至+ 200
- 65至+ 200
单位
W
V
°
C
°
C
图。 1功耗温度降额曲线
5
P
D
，最大耗散
（瓦特）
4
3
2
1
0
L = 8"分之3设计（9.5mm ）
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
L
，焊接温度（
°
C)
1N5333B THRU 1N5388B
硅5瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
描述
轴向引线5.0瓦特的1N5333-5388B JEDEC注册的系列
齐纳二极管提供电压调节在3.3 200伏的选择与
不同的公差确定的零件号特定后缀字母。
这些塑料封装的齐纳二极管具有1级潮湿分类
而无需干燥包，也是在各种军事可用
等效的筛选水平通过添加前缀标识符中也描述
功能部分。他们可能会在较高的最大直流电流下工作
与它们相对低热阻足够的散热
设计。 Microsemi的还提供了许多其他稳压产品，以满足
较高和较低功率应用。
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
T-18
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
特点
JEDEC注册1N5333到1N5388B
齐纳电压提供3.3V至200V
标准电压容差的正/负5 ％
与B后缀和10％带有后缀标识
可在正负2 ％的容差或
分别为1 ％，与C或D后缀
按照MIL-筛选选项
PRF- 19500的JAN ， JANTX ， JANTXV和
JANS可通过加入MQ ，MX， MV，或
MSP前缀分别零件号。
表面可以作为坐骑当量
SMBJ5333到SMBJ5388B ，或SMBG5333B到
SMBG5388B
应用/优势
调节电压在很宽的工作电流和
温度范围
多种选择，从3.3到200 V
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD
可承受高浪涌讲
电压与电流为最小的变化
通过电压调节规定（ ΔV
Z
)
高规定的最大电流（I
ZM
）时，
充分热沉没
水分的分类是根据IPC / JEDEC J- 1级
STD- 020B ，无需干燥包
最大额定值
25功耗
C： 5.0瓦特（另见
降额于图1） 。
操作和储存温度： -65
C到
+150
C
热电阻： 25
C / W交界处领导在
3/8英寸（10毫米）的车身引线长度，或85
C / W
安装FR4 PC上时，结点到环境
板（ 1盎司铜）与4毫米
2
铜垫和
追踪宽1毫米，长25毫米
稳定状态功率： 5瓦特在T
L
＆ LT ; 25
o
C 3/8
寸（ 10mm）的自体，或1.47瓦特在T
A
=
安装FR4 PC上时， 25℃的描述
热阻（也参见图1）
正向电压@ 1.0 ： 1.2伏（最大）
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：无空洞转移成型热固性
环氧机构会议UL94V- 0
终端：信息，锡铅镀焊每
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管
可与带状端与正操作
相对于所述另一端。
标记：部件号
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量： 0.7克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N5333B THRU 1N5388B
版权
2003
2003年7月23日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5333B THRU 1N5388B
硅5瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
*电气特性@ 25
o
C
TYPE
数
调节器
电压
TEST
当前
最大
动态
阻抗
（ A&B后缀）
最大
反向
当前
I
R
TEST
电压
（无后缀&
后缀）
WWW .
Microsemi的
.C
OM
(V
Z
)
V
(I
ZT
)
直流毫安
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8.0
8.0
8.0
8.0
5.0
5.0
5.0
(Z
Z
)
(V
R
)
V
I
R
TEST
电压
（ B，C ，D后缀）
(I
R
)
A
300
150
50
10
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
10
10
10
10
7.5
5.0
5.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
(V
R
)
V
最大
调节器
当前
（ B，C ，D后缀）
(I
ZM
)
最大
膝关节动态
阻抗
Z
ZK
@ 1.0毫安
（A ， B，C ，D后缀）
最大
浪涌
当前
最大
电压
规
（A ， B，C ，D
后缀）
(I
ZSM
)
安培
20
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
13.4
12.7
12.4
11.5
10.7
10
9.5
9.2
8.6
8.0
7.5
7.0
6.7
6.3
6.0
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
3.7
3.5
3.3
3.1
2.8
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
1.1
1.0
1.0
0.9
0.9
(V
Z
)
欧
3.0
2.5
2.0
2.0
2.0
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3.0
3.0
3.5
3.5
4.0
5.0
6.0
8.0
10
11
14
20
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
330
350
380
430
450
480
mA
1440
1320
1220
1100
1010
930
865
790
765
700
630
580
545
520
475
430
395
365
340
315
295
280
264
250
237
216
198
190
176
170
158
144
132
122
110
100
93
86
79
76
70
63
58
54.5
52.5
47.5
43
39.5
36.6
34
31.6
29.4
28
26.4
25
23.6
欧
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
140
150
160
170
190
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
1500
1650
1750
1750
1850
1850
伏
0.85
0.80
0.54
0.49
0.44
0.39
0.25
0.19
0.10
0.15
0.15
0.20
0.20
0.22
0.22
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.30
0.35
0.40
0.40
0.40
0.45
0.55
0.55
0.60
0.60
0.60
0.60
0.65
0.65
0.70
0.80
0.90
1.00
1.20
1.35
1.50
1.60
1.80
2.00
2.20
2.30
2.50
2.50
2.50
2.50
3.00
3.00
3.00
4.00
5.00
5.00
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.0
4.9
5.4
5.9
6.25
6.6
7.2
8.0
8.6
9.4
10.1
10.8
11.5
12.2
13
13.7
14.4
15.8
17.3
18
19.4
20.1
21.6
23.8
25.9
28.1
31
33.8
36.7
40.3
43
44.6
49
54
59
63
65.5
72
79.2
86.4
93.6
101
108
115
122
130
137
144
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.0
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
45.5
47.1
51.7
56
62.2
66
69.2
76
83.6
91.2
98.8
106
114
122
129
137
144
152
1N5333B THRU 1N5388B
* JEDEC注册的数据。
注1 ：
与B后缀上面列出的设备具有± 5 ％的容差，后缀表示± 10 ％的容差，C后缀指定± 2 ％
宽容和D后缀指定± 1 ％的容差。无后缀表示±20％ 。
o
o
注2 ：
齐纳电压（ Vz的）的测量是在T
L
= 25℃ （ 8 ， -2 ℃） 。在40 ± 10毫秒的电压进行测量
应用直流电流之后。
注3 ：
齐纳阻抗是从1千赫兹的交流电压从交流电流调制得到的具有有效值衍生
等于DC齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）叠加在我
ZT
还是我
ZK
。见微注202齐纳阻抗
变化具有不同的工作电流。
注4 ：
的最大电流（I
ZM
）所示的是一个± 5 ％的容差的设备。在我
ZM
对于其它的公差可以通过计算
下式：我
ZM
= P / V
ZM
其中，V
ZM
是V
Z
在指定的电压容差的上限P是额定功率
用于安装的方法。
注5 ：
浪涌电流（I
ZSM
）被指定为一个非经常性的半正弦波的8.3毫秒的持续时间的最大峰值。
注6 ：
电压调节（ ΔV
Z
）为10％测得的电压和余50％之间的差
ZM
.
版权
2003
2003年7月23日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5333B THRU 1N5388B
硅5瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
概况与电路
WWW .
Microsemi的
.C
OM
PD时，最大功率
功耗（瓦）
T
L
T
A
在FR4
PC板
T
L
铅温度（ ℃） 3/8“的身体。或
T
A
在FR4 PC板环境温度的
o
图1
功率降额曲线
图2
典型的电容比。
反向电压为5瓦齐纳二极管
包装尺寸
1N5333B THRU 1N5388B
科幻gure 3
典型的电容比。
反向电压为5瓦齐纳二极管
版权
2003
2003年7月23日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
1N5333B系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.2 V最大@我
F
= 1.0为所有类型）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
1N5333B ，G
1N5334B ，G
1N5335B ，G
1N5336B ，G
1N5337B ，G
1N5338B ，G
1N5339B ，G
1N5340B ，G
1N5341B ，G
1N5342B ，G
1N5343B ，G
1N5344B ，G
1N5345B ，G
1N5346B ，G
1N5347B ，G
1N5348B ，G
1N5349B ，G
1N5350B ，G
1N5351B ，G
1N5352B ，G
1N5353B ，G
1N5354B ，G
1N5355B ，G
1N5356B ，G
1N5357B ，G
1N5358B ，G
1N5359B ，G
1N5360B ，G
1N5361B ，G
1N5362B ，G
设备
记号
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
V
Z
（伏）
民
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.70
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
喃
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
最大
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.30
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
@ I
ZT
mA
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
齐纳阻抗
（注2 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
3
2.5
2
2
2
1.5
1
1
1
1
1.5
1.5
2
2
2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3
3
3.5
3.5
4
5
6
Z
ZK
@ I
ZK
W
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
泄漏
当前
I
R
@ V
R
mA
最大
300
150
50
10
5
1
1
1
1
10
10
10
10
7.5
5
5
2
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
伏
1
1
1
1
1
1
2
3
3
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
I
R
（注3）
A
20
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
13.4
12.7
12.4
11.5
10.7
10
9.5
9.2
8.6
8.0
7.5
7.0
6.7
6.3
6.0
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
DV
Z
（注4 ）
伏
0.85
0.8
0.54
0.49
0.44
0.39
0.25
0.19
0.1
0.15
0.15
0.2
0.2
0.22
0.22
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.3
0.35
0.4
0.4
0.4
0.45
0.55
0.55
0.6
0.6
I
ZM
（注5 ）
mA
1440
1320
1220
1100
1010
930
865
790
765
700
630
580
545
520
475
430
395
365
340
315
295
280
264
250
237
216
198
190
176
170
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
1.
耐性与TYPE号指定
所示的JEDEC型数字表示的宽容
±5%.
2.
齐纳电压（V
Z
）和阻抗（我
ZT
我
ZK
)
在测试条件为齐纳电压，阻抗为：我
Z
加40
±10
MS之前阅读。安装触头位于3/8“
到1/2“从安装夹到二极管的主体的内侧边缘（T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
3.
浪涌电流（I
R
)
浪涌电流被指定为允许的最大峰值，非经常性的方波电流的脉冲宽度为8.3毫秒， PW 。数据
在图5中给出可用于找到最大浪涌电流的方波1毫秒和1000毫秒之间的任何脉冲宽度的绘制
在对数坐标纸上适用点。这方面的例子，采用了3.3伏和200伏的齐纳示于图6位于安装接触
附注2 （如指定的T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
4.
稳压（ DV
Z
)
是用于电压调节的条件如下：V
Z
测量是在10％的予的50％制成，然后
Z
在上市最大值
电气特性表。测试电流的持续时间各V
Z
测量40
±10
女士。作为指定的安装位置接触
附注2 （T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
5.
最大调节器电流（I
ZM
)
所示的最大电流是基于5％的式单元的最大电压，因此，它仅适用于在B后缀的设备。实际
I
ZM
对于任何设备可能不超过5瓦的实际的V除以值
Z
该装置。牛逼
L
= 75 ℃，从设备3/8“最大
体。
的“G ”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
1N5333B系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.2 V最大@我
F
= 1.0为所有类型）
齐纳电压
（注7 ）
设备
（注6 ）
1N5363B ，G
1N5364B ，G
1N5365B ，G
1N5366B ，G
1N5367B ，G
1N5368B ，G
1N5369B ，G
1N5370B ，G
1N5371B ，G
1N5372B ，G
1N5373B ，G
1N5374B ，G
1N5375B ，G
1N5376B ，G
1N5377B ，G
1N5378B ，G
1N5379B ，G
1N5380B ，G
1N5381B ，G
1N5382B ，G
1N5383B ，G
1N5384B ，G
1N5385B ，G
1N5386B ，G
1N5387B ，G
1N5388B ，G
设备
记号
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
V
Z
（伏）
民
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
57
58.9
64.6
71.25
77.9
82.65
86.45
95
104.5
114
123.5
133
142.5
152
161.5
171
180.5
190
喃
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
最大
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
63
65.1
71.4
78.75
86.1
91.35
95.55
105
115.5
126
136.5
147
157.5
168
178.5
189
199.5
210
@ I
ZT
mA
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8
8
8
8
5
5
5
齐纳阻抗
（注7 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
8
10
11
14
20
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
330
350
380
430
450
480
Z
ZK
@ I
ZK
W
140
150
160
170
190
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
1500
1650
1750
1750
1850
1850
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
泄漏
当前
I
R
@ V
R
mA
最大
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
伏
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
45.5
47.1
51.7
56
62.2
66
69.2
76
83.6
91.2
98.8
106
114
122
129
137
144
152
I
R
（注8）
A
3.7
3.5
3.5
3.1
2.8
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
1.1
1.0
1.0
0.9
0.9
DV
Z
（注9 ）
伏
0.6
0.6
0.65
0.65
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.35
1.52
1.6
1.8
2.0
2.2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.0
I
ZM
（注10 ）
mA
158
144
132
122
110
100
93
86
79
76
70
63
58
54.5
52.5
47.5
43
39.5
36.6
34
31.6
29.4
28
26.4
25
23.6
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
6.
耐性与TYPE号指定
所示的JEDEC型数字表示的宽容
±5%.
7.
齐纳电压（V
Z
）和阻抗（我
ZT
我
ZK
)
在测试条件为齐纳电压，阻抗为：我
Z
加40
±10
MS之前阅读。安装触头位于3/8“
到1/2“从安装夹到二极管的主体的内侧边缘（T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
8.
浪涌电流（I
R
)
浪涌电流被指定为允许的最大峰值，非经常性的方波电流的脉冲宽度为8.3毫秒， PW 。数据
在图5中给出可用于找到最大浪涌电流的方波1毫秒和1000毫秒之间的任何脉冲宽度的绘制
在对数坐标纸上适用点。这方面的例子，采用了3.3伏和200伏的齐纳示于图6位于安装接触
附注7 （如指定的T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
9.
稳压（ DV
Z
)
是用于电压调节的条件如下：V
Z
测量是在10％的予的50％制成，然后
Z
在上市最大值
电气特性表。测试电流的持续时间各V
Z
测量40
±10
女士。作为指定的安装位置接触
附注7 （T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
10.
最大调节器电流（I
ZM
)
所示的最大电流是基于5％的式单元的最大电压，因此，它仅适用于在B后缀的设备。实际
I
ZM
对于任何设备可能不超过5瓦的实际的V除以值
Z
该装置。牛逼
L
= 75 ℃，从设备3/8“最大
体。
的“G ”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
4
1N5333B系列
,
(
θ
JL结到铅热阻
° C / W）
40
30
20
L
10
L
0
的主路径
传导是通过
阴极引线
0
0.2
0.4
0.6
0.8
L，引线长度到散热器（ INCH ）
1
图1.典型热阻
温度系数
θV
Z，温度系数
（毫伏/ ° C） @ I ZT
θV
Z，温度系数
（毫伏/ ° C） @ I ZT
10
8
6
4
2
0
2
3
4
7
5
6
8
V
Z
，齐纳电压@ I
ZT
（伏）
9
10
范围
300
200
100
50
30
20
10
5
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180
V
Z
，齐纳电压@ I
ZT
（伏）
200 220
范围
图2.温度系数，范围
为单位3到10伏
图3.温度系数，范围
为单位10至220伏特
http://onsemi.com
5
数据表
5 WATT
齐纳二极管（ 3.3V到200V ）
JEDEC
D0-201AE
.330
.350
.130
.145
1.00分钟。
0.040 TYP 。
特点
n
宽电压范围
n
符合UL规格94V- 0
最大额定值
DC功率耗散为T
L
= > = 75
o
... P
D
引线长度= .375英寸
减免上述75
o
C
工作&储存温度范围牛逼...
J
, T
STRG
1N5333 ... 5382系列
............................................. 5.0 ...............................................
............................................. 4 0 ...............................................
......................................... -65 200 ..... .....................................
毫瓦/
°C
°C
稳态功率降额
最大功率耗散（ W）
铅温度（ ℃）
°
12-17页
1N5333 ... 5382系列
单位
W
描述
机械尺寸
数据表
1N5333 ... 5388系列5瓦
齐纳二极管（ 3.3V到200V ）
注意事项：
1所示的JEDEC部分数字表示5 ％的容差。
2. I
Z
被施加了40 + 10毫秒之前的读数。安装触点
位于.375 ?? 0.500 ？从安装夹的内侧边缘
二极管的身体。牛逼
A
= 25
o
C, +8, -2
o
C.
电气特性@ 25
O
C.
产品编号
JEDEC类型＃
额定齐纳
电压（2）
V
Z
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
40
40
30
30
30
马克斯。齐纳阻抗（ 2 ）
Z
ZT
@ I
ZT
()
3.0
2.5
2.0
2.0
2.0
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3.0
3.0
3.5
3.5
4.0
5.0
6.0
8.0
10
11
14
20
Z
ZK
@ I
ZK
= 1.0毫安
()
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
140
150
160
170
190
马克斯。反向
漏泄电流
V
R
I
R
(A)
300
150
50
10
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
10
10
10
10
7.5
5.0
5.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
2
3
3
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
MAX 。 SURGE
电流（ 3）
I
r
(A)
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
20
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
13.4
12.7
12.4
11.5
10.7
10
9.5
9.2
8.6
8.0
7.5
7.0
6.7
6.3
6.0
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
3.7
3.5
3.3
3.1
2.8
12-18页
数据表
1N5333 ... 5388系列5瓦
齐纳二极管（ 3.3V到200V ）
注意事项：
1所示的JEDEC部分数字表示5 ％的容差。
2. I
Z
被施加了40 + 10毫秒之前的读数。安装触点
位于.375 ?? 0.500 ？从安装夹的内侧边缘
二极管的身体。牛逼
A
= 25
o
C, +8, -2
o
C.
电气特性@ 25
O
C.
产品编号
JEDEC类型＃
(1)
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
额定齐纳
电压（2）
V
Z
(V)
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8.0
8.0
8.0
8.0
5.0
5.0
5.0
马克斯。齐纳阻抗（ 2 ）
Z
ZT
@ I
ZT
()
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
330
350
380
430
450
480
Z
ZK
@ I
ZK
= 1.0毫安
()
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
1500
1650
1750
1750
1850
1850
马克斯。反向
漏泄电流
V
R
I
R
(A)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
V
R
(V)
MAX 。 SURGE
电流（ 3）
I
r
(A)
35.8
38.8
42.6
42.5
47.1
51.7
56
62.2
66
69.2
76
83.6
91.2
98.8
106
114
122
129
137
144
152
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
1.1
1.0
1.0
0.9
0.9
12-19页
QQ：2881677436 复制
