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1N5333B系列
首选设备
5瓦Surmetict 40
齐纳稳压器
这与严格的限制和全系列5瓦齐纳二极管
反映的卓越性能更好的经营特色
硅氧化物钝化结。这在轴向引线全部,
传递模压塑料封装,提供保护,在所有常见的
环境条件。
特点
http://onsemi.com
阴极
阳极
齐纳电压范围 - 3.3 V至200 V
ESD等级3级( >16 KV )每人体模型
浪涌额定值高达180瓦@ 8.3毫秒
最大限度的保证多达六个电气参数
这些器件具有无铅外部引线制造
只有完成*
轴向引线
CASE 17
塑料
机械特性
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的:
230 ℃下,在1/16 。从10秒的情况下
极性:
阴极指示的极性带
安装位置:
任何
最大额定值
等级
马克斯。稳态功耗
@ T
L
= 75 ° C,引线长度= 3/8
减免上述75℃
工作和存储
温度范围
符号
P
D
价值
5
40
T
J
, T
英镑
-65
+200
单位
W
毫瓦/°C的
°C
标记图
L
1N
53xxB
YWW
L
1N53xxB
Y
WW
=大会地点
=器件代码
=
(见表下一页)
=年
=工作周
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
订购信息
设备
1N53xxB
1N53xxBRL
1N53xxBTA*
轴向引线
轴向引线
轴向引线
航运
1000单位/箱
4000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
* 1N5361B不可用2000 /弹药包
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年12月 - 第4版
出版订单号:
1N5333B/D
1N5333B系列
电气特性
(T
A
= 25°C ,除非
另有说明,V
F
= 1.2 V最大@我
F
= 1.0为所有类型)
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
I
R
DV
Z
I
ZM
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
击穿电压
正向电流
正向电压@ I
F
最大浪涌电流@ T
A
= 25°C
反向齐纳电压变化
最大直流稳压电流
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
1N5333B系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,V
F
= 1.2 V最大@我
F
= 1.0为所有类型)
齐纳电压
(注2 )
设备
(注1 )
设备
记号
V
Z
(伏)
最大
@ I
ZT
mA
齐纳阻抗
(注2 )
Z
ZT
@ I
ZT
W
Z
ZK
@ I
ZK
W
I
ZK
mA
泄漏
当前
I
R
@ V
R
mA
最大
I
R
(注3)
A
DV
Z
(注4 )
I
ZM
(注5 )
mA
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.70
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.30
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
3
2.5
2
2
2
1.5
1
1
1
1
1.5
1.5
2
2
2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
300
150
50
10
5
1
1
1
1
10
10
10
10
7.5
5
5
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
3
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
20
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
13.4
12.7
12.4
11.5
10.7
10
9.5
9.2
8.6
8.0
7.5
7.0
6.7
6.3
0.85
0.8
0.54
0.49
0.44
0.39
0.25
0.19
0.1
0.15
0.15
0.2
0.2
0.22
0.22
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1440
1320
1220
1100
1010
930
865
790
765
700
630
580
545
520
475
430
395
365
340
315
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B*
1N5362B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
2.5
2.5
2.5
3
3
3.5
3.5
4
5
6
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
6.0
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
0.3
0.35
0.4
0.4
0.4
0.45
0.55
0.55
0.6
0.6
295
280
264
250
237
216
198
190
176
170
设备上市
粗体,斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
1.
耐性与TYPE号指定
所示的JEDEC型数字表示的宽容
±5%.
2.
齐纳电压(V
Z
)和阻抗(我
ZT
ZK
)
在测试条件为齐纳电压,阻抗为:我
Z
加40
±10
MS之前阅读。安装触头位于3/8“
到1/2“从安装夹到二极管的主体的内侧边缘(T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
3.
浪涌电流(I
R
)
浪涌电流被指定为允许的最大峰值,非经常性的方波电流的脉冲宽度为8.3毫秒, PW 。数据
在图5中给出可用于找到最大浪涌电流的方波1毫秒和1000毫秒之间的任何脉冲宽度的绘制
在对数坐标纸上适用点。这方面的例子,采用了3.3伏和200伏的齐纳示于图6位于安装接触
附注2 (如指定的T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
4.
稳压( DV
Z
)
是用于电压调节的条件如下:V
Z
测量是在10%的予的50%制成,然后
Z
在上市最大值
电气特性表。测试电流的持续时间各V
Z
测量40
±10
女士。作为指定的安装位置接触
附注2 (T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
5.
最大调节器电流(I
ZM
)
所示的最大电流是基于5%的式单元的最大电压,因此,它仅适用于在B后缀的设备。实际
I
ZM
对于任何设备可能不超过5瓦的实际的V除以值
Z
该装置。牛逼
L
= 75 ℃,从设备3/8“最大
体。
*不适在2000 /弹药包。
http://onsemi.com
3
1N5333B系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,V
F
= 1.2 V最大@我
F
= 1.0为所有类型)
齐纳电压
(注7 )
设备
(注6 )
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
设备
记号
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
V
Z
(伏)
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
30
33
36
39
43
最大
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
@ I
ZT
mA
40
40
30
30
30
齐纳阻抗
(注7 )
Z
ZT
@ I
ZT
W
8
10
11
14
20
Z
ZK
@ I
ZK
W
140
150
160
170
190
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
泄漏
当前
I
R
@ V
R
mA
最大
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
I
R
(注8)
A
3.7
3.5
3.5
3.1
2.8
DV
Z
(注9 )
0.6
0.6
0.65
0.65
0.7
I
ZM
(注10 )
mA
158
144
132
122
110
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
44.65
48.45
53.2
57
58.9
64.6
71.25
77.9
82.65
86.45
95
104.5
114
123.5
133
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
49.35
53.55
58.8
63
65.1
71.4
78.75
86.1
91.35
95.55
105
115.5
126
136.5
147
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
35.8
38.8
42.6
45.5
47.1
51.7
56
62.2
66
69.2
76
83.6
91.2
98.8
106
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
0.8
0.9
1.0
1.2
1.35
1.52
1.6
1.8
2.0
2.2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
100
93
86
79
76
70
63
58
54.5
52.5
47.5
43
39.5
36.6
34
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
142.5
152
161.5
171
180.5
190
150
160
170
180
190
200
157.5
168
178.5
189
199.5
210
8
8
8
5
5
5
330
350
380
430
450
480
1500
1650
1750
1750
1850
1850
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
114
122
129
137
144
152
1.1
1.1
1.0
1.0
0.9
0.9
3.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.0
31.6
29.4
28
26.4
25
23.6
设备上市
粗体,斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
6.
耐性与TYPE号指定
所示的JEDEC型数字表示的宽容
±5%.
7.
齐纳电压(V
Z
)和阻抗(我
ZT
ZK
)
在测试条件为齐纳电压,阻抗为:我
Z
加40
±10
MS之前阅读。安装触头位于3/8“
到1/2“从安装夹到二极管的主体的内侧边缘(T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
8.
浪涌电流(I
R
)
浪涌电流被指定为允许的最大峰值,非经常性的方波电流的脉冲宽度为8.3毫秒, PW 。数据
在图5中给出可用于找到最大浪涌电流的方波1毫秒和1000毫秒之间的任何脉冲宽度的绘制
在对数坐标纸上适用点。这方面的例子,采用了3.3伏和200伏的齐纳示于图6位于安装接触
附注7 (如指定的T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
9.
稳压( DV
Z
)
是用于电压调节的条件如下:V
Z
测量是在10%的予的50%制成,然后
Z
在上市最大值
电气特性表。测试电流的持续时间各V
Z
测量40
±10
女士。作为指定的安装位置接触
附注7 (T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
10.
最大调节器电流(I
ZM
)
所示的最大电流是基于5%的式单元的最大电压,因此,它仅适用于在B后缀的设备。实际
I
ZM
对于任何设备可能不超过5瓦的实际的V除以值
Z
该装置。牛逼
L
= 75 ℃,从设备3/8“最大
体。
http://onsemi.com
4
1N5333B系列
θ
JL ,结到铅热阻(
° C / W)
40
30
20
L
10
L
0
的主路径
传导是通过
阴极引线
0
0.2
0.4
0.6
0.8
L,引线长度到散热器( INCH )
1
图1.典型热阻
温度系数
θV
Z,温度系数
(毫伏/ ° C) @ I ZT
θV
Z,温度系数
(毫伏/ ° C) @ I ZT
10
8
6
4
2
0
2
3
4
7
5
6
8
V
Z
,齐纳电压@ I
ZT
(伏)
9
10
范围
300
200
100
50
30
20
10
5
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180
V
Z
,齐纳电压@ I
ZT
(伏)
200 220
范围
图2.温度系数,范围
为单位3到10伏
图3.温度系数,范围
为单位10至220伏特
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