1N5333B系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.2 V最大@我
F
= 1.0为所有类型）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
1N5333B ，G
1N5334B ，G
1N5335B ，G
1N5336B ，G
1N5337B ，G
1N5338B ，G
1N5339B ，G
1N5340B ，G
1N5341B ，G
1N5342B ，G
1N5343B ，G
1N5344B ，G
1N5345B ，G
1N5346B ，G
1N5347B ，G
1N5348B ，G
1N5349B ，G
1N5350B ，G
1N5351B ，G
1N5352B ，G
1N5353B ，G
1N5354B ，G
1N5355B ，G
1N5356B ，G
1N5357B ，G
1N5358B ，G
1N5359B ，G
1N5360B ，G
1N5361B ，G
1N5362B ，G
设备
记号
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
V
Z
（伏）
民
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.70
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
喃
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
最大
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.30
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
@ I
ZT
mA
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
齐纳阻抗
（注2 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
3
2.5
2
2
2
1.5
1
1
1
1
1.5
1.5
2
2
2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3
3
3.5
3.5
4
5
6
Z
ZK
@ I
ZK
W
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
泄漏
当前
I
R
@ V
R
mA
最大
300
150
50
10
5
1
1
1
1
10
10
10
10
7.5
5
5
2
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
伏
1
1
1
1
1
1
2
3
3
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
I
R
（注3）
A
20
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
13.4
12.7
12.4
11.5
10.7
10
9.5
9.2
8.6
8.0
7.5
7.0
6.7
6.3
6.0
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
DV
Z
（注4 ）
伏
0.85
0.8
0.54
0.49
0.44
0.39
0.25
0.19
0.1
0.15
0.15
0.2
0.2
0.22
0.22
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.3
0.35
0.4
0.4
0.4
0.45
0.55
0.55
0.6
0.6
I
ZM
（注5 ）
mA
1440
1320
1220
1100
1010
930
865
790
765
700
630
580
545
520
475
430
395
365
340
315
295
280
264
250
237
216
198
190
176
170
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
1.
耐性与TYPE号指定
所示的JEDEC型数字表示的宽容
±5%.
2.
齐纳电压（V
Z
）和阻抗（我
ZT
我
ZK
)
在测试条件为齐纳电压，阻抗为：我
Z
加40
±10
MS之前阅读。安装触头位于3/8“
到1/2“从安装夹到二极管的主体的内侧边缘（T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
3.
浪涌电流（I
R
)
浪涌电流被指定为允许的最大峰值，非经常性的方波电流的脉冲宽度为8.3毫秒， PW 。数据
在图5中给出可用于找到最大浪涌电流的方波1毫秒和1000毫秒之间的任何脉冲宽度的绘制
在对数坐标纸上适用点。这方面的例子，采用了3.3伏和200伏的齐纳示于图6位于安装接触
附注2 （如指定的T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
4.
稳压（ DV
Z
)
是用于电压调节的条件如下：V
Z
测量是在10％的予的50％制成，然后
Z
在上市最大值
电气特性表。测试电流的持续时间各V
Z
测量40
±10
女士。作为指定的安装位置接触
附注2 （T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
5.
最大调节器电流（I
ZM
)
所示的最大电流是基于5％的式单元的最大电压，因此，它仅适用于在B后缀的设备。实际
I
ZM
对于任何设备可能不超过5瓦的实际的V除以值
Z
该装置。牛逼
L
= 75 ℃，从设备3/8“最大
体。
的“G ”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
1N5333B系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.2 V最大@我
F
= 1.0为所有类型）
齐纳电压
（注7 ）
设备
（注6 ）
1N5363B ，G
1N5364B ，G
1N5365B ，G
1N5366B ，G
1N5367B ，G
1N5368B ，G
1N5369B ，G
1N5370B ，G
1N5371B ，G
1N5372B ，G
1N5373B ，G
1N5374B ，G
1N5375B ，G
1N5376B ，G
1N5377B ，G
1N5378B ，G
1N5379B ，G
1N5380B ，G
1N5381B ，G
1N5382B ，G
1N5383B ，G
1N5384B ，G
1N5385B ，G
1N5386B ，G
1N5387B ，G
1N5388B ，G
设备
记号
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
V
Z
（伏）
民
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
57
58.9
64.6
71.25
77.9
82.65
86.45
95
104.5
114
123.5
133
142.5
152
161.5
171
180.5
190
喃
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
最大
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
63
65.1
71.4
78.75
86.1
91.35
95.55
105
115.5
126
136.5
147
157.5
168
178.5
189
199.5
210
@ I
ZT
mA
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8
8
8
8
5
5
5
齐纳阻抗
（注7 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
8
10
11
14
20
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
330
350
380
430
450
480
Z
ZK
@ I
ZK
W
140
150
160
170
190
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
1500
1650
1750
1750
1850
1850
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
泄漏
当前
I
R
@ V
R
mA
最大
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
伏
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
45.5
47.1
51.7
56
62.2
66
69.2
76
83.6
91.2
98.8
106
114
122
129
137
144
152
I
R
（注8）
A
3.7
3.5
3.5
3.1
2.8
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
1.1
1.0
1.0
0.9
0.9
DV
Z
（注9 ）
伏
0.6
0.6
0.65
0.65
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.35
1.52
1.6
1.8
2.0
2.2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.0
I
ZM
（注10 ）
mA
158
144
132
122
110
100
93
86
79
76
70
63
58
54.5
52.5
47.5
43
39.5
36.6
34
31.6
29.4
28
26.4
25
23.6
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
6.
耐性与TYPE号指定
所示的JEDEC型数字表示的宽容
±5%.
7.
齐纳电压（V
Z
）和阻抗（我
ZT
我
ZK
)
在测试条件为齐纳电压，阻抗为：我
Z
加40
±10
MS之前阅读。安装触头位于3/8“
到1/2“从安装夹到二极管的主体的内侧边缘（T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
8.
浪涌电流（I
R
)
浪涌电流被指定为允许的最大峰值，非经常性的方波电流的脉冲宽度为8.3毫秒， PW 。数据
在图5中给出可用于找到最大浪涌电流的方波1毫秒和1000毫秒之间的任何脉冲宽度的绘制
在对数坐标纸上适用点。这方面的例子，采用了3.3伏和200伏的齐纳示于图6位于安装接触
附注7 （如指定的T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
9.
稳压（ DV
Z
)
是用于电压调节的条件如下：V
Z
测量是在10％的予的50％制成，然后
Z
在上市最大值
电气特性表。测试电流的持续时间各V
Z
测量40
±10
女士。作为指定的安装位置接触
附注7 （T
A
= 25°C +8°C, 2°C).
10.
最大调节器电流（I
ZM
)
所示的最大电流是基于5％的式单元的最大电压，因此，它仅适用于在B后缀的设备。实际
I
ZM
对于任何设备可能不超过5瓦的实际的V除以值
Z
该装置。牛逼
L
= 75 ℃，从设备3/8“最大
体。
的“G ”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
4
1N5333B系列
,
(
θ
JL结到铅热阻
° C / W）
40
30
20
L
10
L
0
的主路径
传导是通过
阴极引线
0
0.2
0.4
0.6
0.8
L，引线长度到散热器（ INCH ）
1
图1.典型热阻
温度系数
θV
Z，温度系数
（毫伏/ ° C） @ I ZT
θV
Z，温度系数
（毫伏/ ° C） @ I ZT
10
8
6
4
2
0
2
3
4
7
5
6
8
V
Z
，齐纳电压@ I
ZT
（伏）
9
10
范围
300
200
100
50
30
20
10
5
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180
V
Z
，齐纳电压@ I
ZT
（伏）
200 220
范围
图2.温度系数，范围
为单位3到10伏
图3.温度系数，范围
为单位10至220伏特
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5
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