1N53系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 1.2 V最大@我
F
= 1.0为所有类型）
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
I
R
DV
Z
I
ZM
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
击穿电压
正向电流
正向电压@ I
F
最大浪涌电流@ T
A
= 25°C
反向齐纳电压变化
最大直流稳压电流
V
Z
V
R
V
I
R
V
F
I
ZT
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.2 V最大@我
F
= 1.0为所有类型）
齐纳电压
（注3）
设备
（注2 ）
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
设备
记号
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
V
Z
（伏）
民
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.70
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
喃
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
最大
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.30
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
@ I
ZT
mA
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
齐纳阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
W
3
2.5
2
2
2
1.5
1
1
1
1
1.5
1.5
2
2
2
Z
ZK
@ I
ZK
W
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
泄漏
当前
I
R
@ V
R
mA
最大
300
150
50
10
5
1
1
1
1
10
10
10
10
7.5
5
伏
1
1
1
1
1
1
2
3
3
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
I
R
（注4 ）
A
20
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
13.4
12.7
12.4
11.5
10.7
10
9.5
9.2
8.6
DV
Z
（注5 ）
伏
0.85
0.8
0.54
0.49
0.44
0.39
0.25
0.19
0.1
0.15
0.15
0.2
0.2
0.22
0.22
I
ZM
（注6 ）
mA
1440
1320
1220
1100
1010
930
865
790
765
700
630
580
545
520
475
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
2.
耐性与TYPE号指定：
所示的JEDEC型数字表示的宽容
±5%.
3.
齐纳电压（V
Z
）和阻抗（我
ZT
我
ZK
):
在测试条件为齐纳电压，阻抗为：我
Z
适用
40
±10
MS之前阅读。安装触头从安装夹的内侧边缘位于3/8“至1/2”到二极管的体
(T
A
= 25°C +8°C,
2°C).
4.
浪涌电流（I
R
):
浪涌电流被指定为允许的最大峰值，非经常性的方波电流的脉冲宽度，
8.3毫秒私服， 。在图5中给出的数据可以被用来找到最大浪涌电流的方波的任何脉冲宽度之间
1毫秒， 1000毫秒绘制在对数坐标纸上的适用点。这方面的例子，采用了3.3伏和200伏的齐纳示于
图6.安装触头位置在注2中指定（T
A
= 25°C +8°C,
2°C).
5.
稳压（ DV
Z
):
是用于电压调节的条件如下：V
Z
测量是在10 ％至50％，制成再
在我的
Z
在电气特性表中所列出的最大值。测试电流的持续时间各V
Z
测量40
±10
女士。安装
联系座落在注2中指定（T
A
= 25°C +8°C,
2°C).
6.
最大调节器电流（I
ZM
):
所示的最大电流是基于5％的式单元的最大电压，所以，
它仅适用于在B后缀的设备。实际我
ZM
对于任何设备可能不超过5瓦的实际的V除以值
Z
该装置。
T
L
= 25 ℃，在从装置主体3/8“最大。
的“G ”后缀表示无铅封装，或无铅封装可供选择。
http://onsemi.com
2
1N53系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.2 V最大@我
F
= 1.0为所有类型）
齐纳电压
（注8）
设备
（注7 ）
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5377B
1N5378B
1N5380B
1N5381B
1N5383B
1N5384B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
设备
记号
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5377B
1N5378B
1N5380B
1N5381B
1N5383B
1N5384B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
V
Z
（伏）
民
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
57
58.9
64.6
71.25
77.9
86.45
95
114
123.5
142.5
152
171
180.5
190
喃
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
91
100
120
130
150
160
180
190
200
最大
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
63
65.1
71.4
78.75
86.1
95.55
105
126
136.5
157.5
168
189
199.5
210
@ I
ZT
mA
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
20
15
15
12
10
10
8
8
5
5
5
齐纳阻抗
（注8）
Z
ZT
@ I
ZT
W
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3
3
3.5
3.5
4
5
6
8
10
11
14
20
25
27
35
40
42
44
45
65
75
90
170
190
330
350
430
450
480
Z
ZK
@ I
ZK
W
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
140
150
160
170
190
210
230
280
350
400
500
620
720
760
800
1150
1250
1500
1650
1750
1850
1850
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
泄漏
当前
I
R
@ V
R
mA
最大
5
2
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
伏
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
45.5
47.1
51.7
56
62.2
69.2
76
91.2
98.8
114
122
137
144
152
DV
Z
（注
10)
伏
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.3
0.35
0.4
0.4
0.4
0.45
0.55
0.55
0.6
0.6
0.6
0.6
0.65
0.65
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.35
1.52
1.6
1.8
2.2
2.5
2.5
2.5
3.0
3.0
4.0
5.0
5.0
I
R
（注9 ）
A
8.0
7.5
7.0
6.7
6.3
6.0
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
3.7
3.5
3.5
3.1
2.8
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.6
1.5
1.3
1.2
1.1
1.1
1.0
0.9
0.9
I
ZM
（注11 ）
mA
430
395
365
340
315
295
280
264
250
237
216
198
190
176
170
158
144
132
122
110
100
93
86
79
76
70
63
58
52.5
47.5
39.5
36.6
31.6
29.4
26.4
25
23.6
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
7.
耐性与TYPE号指定：
所示的JEDEC型数字表示的宽容
±5%.
8.
齐纳电压（V
Z
）和阻抗（我
ZT
我
ZK
):
在测试条件为齐纳电压，阻抗为：我
Z
适用
40
±10
MS之前阅读。安装触头从安装夹的内侧边缘位于3/8“至1/2”到二极管的体
(T
A
= 25°C +8°C,
2°C).
9.
浪涌电流（I
R
):
浪涌电流被指定为允许的最大峰值，非经常性的方波电流的脉冲宽度，
8.3毫秒私服， 。在图5中给出的数据可以被用来找到最大浪涌电流的方波的任何脉冲宽度之间
1毫秒， 1000毫秒绘制在对数坐标纸上的适用点。这方面的例子，采用了3.3伏和200伏的齐纳示于
图6.安装触头位置在附注七中指定（T
A
= 25°C +8°C,
2°C).
10.
稳压（ DV
Z
):
是用于电压调节的条件如下：V
Z
测量是在10 ％至50％，制成再
在我的
Z
在电气特性表中所列出的最大值。测试电流的持续时间各V
Z
测量40
±10
女士。安装
联系座落在附注七中指定（T
A
= 25°C +8°C,
2°C).
11.
最大调节器电流（I
ZM
):
所示的最大电流是基于5％的式单元的最大电压，所以，
它仅适用于在B后缀的设备。实际我
ZM
对于任何设备可能不超过5瓦的实际的V除以值
Z
该装置。
T
L
= 25 ℃，在从装置主体3/8“最大。
的“G ”后缀表示无铅封装，或无铅封装可供选择。
http://onsemi.com
3
1N53系列
θ
JL ，结到铅热阻（
° C / W）
40
30
20
L
10
EQUAL传导
通过每个LEAD
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
L，引线长度到散热器（ INCH ）
1
L
图1.典型热阻
温度系数
θV
Z，温度系数
（毫伏/ ° C） @ I ZT
10
8
6
4
2
范围
0
-2
3
4
7
5
6
8
V
Z
，齐纳电压@ I
ZT
（伏）
9
10
图2.温度系数，范围为单位3至10伏特
θV
Z，温度系数
（毫伏/ ° C） @ I ZT
300
200
100
50
30
20
10
5
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180
V
Z
，齐纳电压@ I
ZT
（伏）
200 220
范围
图3.温度系数，范围为10台至220伏
http://onsemi.com
4
1N53系列
100
θ
JL （T ，D ） ，瞬态热阻
结到铅（
°
C / W ）
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
PK
D=0
0.0000001 0.000001 0.00001
0.0001
0.001
T，时间（秒）
占空比D = T
1
/t
2
单脉冲
D
T
JL
=
q
JL
（T ） P
PK
重复脉冲
D
T
JL
=
q
JL
（T ， D） P
PK
q
JL
（T ， D） = D *
q
JL
(∞)+(1D) *
q
JL
(t)
[在哪里
q
JL
（t）是D = 0曲线]
0.01
0.1
1
10
100
10
1
0.1
t
1
t
2
0.01
图4.典型的热响应
L，引线长度= 3/8英寸
40
我R，峰值浪涌电流（ AMPS ）
20
PW = 1毫秒*
10
PW = 8.3毫秒*
4
2
1
0.4
0.2
0.1
3
4
6
8 10
20
30
*方波
PW = 100毫秒*
PW = 1000毫秒*
40
60 80 100
200
标称V
Z
(V)
我R，峰值浪涌电流（ AMPS ）
30
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
绘制从信息
图5中给出
V
Z
= 200 V
V
Z
= 3.3 V
图5.最大非重复浪涌电流
与额定齐纳电压
（见注4 ）
图6.峰值浪涌电流与脉冲宽度
（见注4 ）
1000
中T = 25℃
I Z ，齐纳电流（mA）
1000
I Z ，齐纳电流（mA）
T
C
= 25°C
100
中T = 25℃
100
10
10
1
1
0.1
1
2
3
4
5
6
7
8
V
Z
，齐纳电压（伏）
9
10
0.1
10
20
30
40
50
60
V
Z
，齐纳电压（伏）
70
80
图7.齐纳电压与稳压电流
V
Z
= 3.3通10伏
图8.齐纳电压与稳压电流
V
Z
= 11通75伏
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
