145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110 传真： （ 631 ） 435-1824
145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国
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齐纳二极管（ 1N5221B - 1N5279B ）
齐纳二极管
1N5221B - 1N5279B
绝对最大额定值*
符号
P
D
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
参数
功耗
减免上述75℃
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10
秒）
价值
500
4.0
-65到+200
+ 200
+ 230
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
**
非经常性方波PW = 8.3毫秒， TA = 50 ℃。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
设备
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235BT
1N5236BT
1N5237BT
1N5238BT
1N5239BT
1N5240BT
1N5241BT
1N5242BT
1N5243BT
1N5244BT
1N5245BT
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
(V)
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
()
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
13
15
16
Z
Z
@
I
Z
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
Z
ZK
()
1,200
1,250
1,300
1,400
1,600
1,600
1,700
1,900
2,000
1,900
1,600
1,600
1,600
1,000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
@
I
ZK
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
(A)
100
100
75
75
50
25
15
10
5.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
@
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
(%/°C)
°
- 0.085
- 0.085
- 0.080
- 0.080
- 0.075
- 0.07
- 0.065
- 0.06
+/- 0.055
+/- 0.03
+/- 0.03
0.038
0.038
0.045
0.05
0.058
0.062
0.065
0.068
0.075
0.076
0.077
0.079
0.080
0.082
T
C
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N5221B - 1N5279B英文内容
齐纳二极管（ 1N5221B - 1N5279B ）
齐纳二极管（ 1N5221B - 1N5279B ）
（续）
电气特性
（续）
设备
1N5246BT
1N5247BT
1N5248BT
1N5249BT
1N5250BT
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
(V)
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
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62
68
75
85
87
91
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110
120
130
140
150
160
170
180
()
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
500
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900
1100
1300
1500
1700
1900
2200
Z
Z
@
I
Z
（MA ）
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.90
0.85
0.80
0.74
0.68
Z
ZK
()
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
2600
3000
4000
4500
4500
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5500
5500
6000
@
I
ZK
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
V
R
(V)
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
76
84
91
99
106
114
122
129
137
@
(A)
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
(%/°C)
°
0.083
0.084
0.085
0.085
0.086
0.087
0.088
0.088
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0.090
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0.095
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0.096
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0.097
0.097
0.098
0.098
0.099
0.099
0.099
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
T
C
V
F
正向电压= 1.2 V最大。 @我
F
= 200毫安
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N5221B - 1N5279B英文内容
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
I3版本
齐纳二极管（ 1N5221B - 1N5279B ）
齐纳二极管
1N5221B - 1N5279B
绝对最大额定值*
符号
P
D
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
参数
功耗
减免上述75℃
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10
秒）
价值
500
4.0
-65到+200
+ 200
+ 230
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
**
非经常性方波PW = 8.3毫秒， TA = 50 ℃。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
设备
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235BT
1N5236BT
1N5237BT
1N5238BT
1N5239BT
1N5240BT
1N5241BT
1N5242BT
1N5243BT
1N5244BT
1N5245BT
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
(V)
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
()
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
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8.0
8.0
10
17
22
30
13
15
16
Z
Z
@
I
Z
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
Z
ZK
()
1,200
1,250
1,300
1,400
1,600
1,600
1,700
1,900
2,000
1,900
1,600
1,600
1,600
1,000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
@
I
ZK
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
(A)
100
100
75
75
50
25
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10
5.0
2.0
2.0
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3.5
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5.0
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6.5
7.0
8.0
8.4
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
@
V
R
(V)
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1.0
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1.0
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1.0
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1.0
1.0
1.0
2.0
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3.5
4.0
5.0
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6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
(%/°C)
°
- 0.085
- 0.085
- 0.080
- 0.080
- 0.075
- 0.07
- 0.065
- 0.06
+/- 0.055
+/- 0.03
+/- 0.03
0.038
0.038
0.045
0.05
0.058
0.062
0.065
0.068
0.075
0.076
0.077
0.079
0.080
0.082
T
C
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N5221B - 1N5279B英文内容
齐纳二极管（ 1N5221B - 1N5279B ）
齐纳二极管（ 1N5221B - 1N5279B ）
（续）
电气特性
（续）
设备
1N5246BT
1N5247BT
1N5248BT
1N5249BT
1N5250BT
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
(V)
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
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85
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100
110
120
130
140
150
160
170
180
()
17
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25
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35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
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330
370
400
500
750
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1100
1300
1500
1700
1900
2200
Z
Z
@
I
Z
（MA ）
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.90
0.85
0.80
0.74
0.68
Z
ZK
()
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
2600
3000
4000
4500
4500
5000
5500
5500
6000
@
I
ZK
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
V
R
(V)
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
76
84
91
99
106
114
122
129
137
@
(A)
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
(%/°C)
°
0.083
0.084
0.085
0.085
0.086
0.087
0.088
0.088
0.089
0.090
0.091
0.092
0.093
0.094
0.095
0.095
0.096
0.096
0.097
0.097
0.097
0.098
0.098
0.099
0.099
0.099
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
T
C
V
F
正向电压= 1.2 V最大。 @我
F
= 200毫安
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N5221B - 1N5279B英文内容
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
I3版本
德昌
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃齐纳电压
稳压器
轴向引线
DO35
最大额定值
（注1 ）
等级
最大稳态功耗
@TL≤75℃,
引线长度= 3/8 “
减免上述75 ℃
工作和存储
温度范围
T
J
, T
英镑
4.0
-65到+200
毫瓦/ °
°C
L
52xxB
符号
P
D
价值
500
单位
mW
L
52
xx
B
=标志
= 1N52xxB器件代码
注1 ：某些零件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
规格特点：
齐纳电压范围= 2.4V至200V
ESD等级3级（ >6 KV ）每人体模型
DO- 35封装（ DO- 204AH ）
双弹头式建筑
冶金结合建设
符合RoHS
焊接热浸锡（Sn ），铅完成
阴极
阳极
规格特点：
例
完
:
双塞型，密闭玻璃
:
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
极性：
阴极指示的极性带
安装：
任何
2006年11月/ C
第1页
1N5221B通过1N5281B系列
德昌
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有说明。 ）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
设备
记号
民
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
1N5280B
1N5281B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
1N5280B
1N5281B
44.65
48.45
53.20
57.00
58.90
64.60
71.25
77.90
82.65
86.45
95.0
104.5
114.0
123.5
133.0
142.5
152.0
161.5
171.0
180.5
190.0
V
Z
（伏）
喃
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
最大
49.35
53.55
58.80
63.00
65.10
71.40
78.75
86.10
91.35
95.55
105.0
115.5
126.0
136.5
147.0
157.5
168.0
178.5
189.0
199.5
210.0
@I
ZT
（MA ）
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.74
0.68
0.66
0.65
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
齐纳阻抗
（注3 ）
Z
ZT
@I
ZT
(Ω)
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
500
750
900
1100
1300
1500
1700
1900
2200
2400
2500
Z
ZK
@I
ZK
(Ω)
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
2600
3000
4000
4500
4500
5000
5500
5500
6000
6500
7000
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
（UA最大值）
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
（伏）
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
76
84
91
99
106
114
122
129
137
144
152
θ
VZ
（注4 ）
（MA ）
+0.095
+0.096
+0.096
+0.097
+0.097
+0.097
+0.098
+0.098
+0.099
+0.099
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
V
F
= 1.1V最大@I
F
= 200毫安为60V以下的类型，V
F
= 1.4V最大@I
F
= 200毫安为60V以上类型
2.宽容和TYPE号指定（V
Z
)
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±
5%.
3.齐纳电压（V
Z
）测量
齐纳电压（V
Z
）是脉冲条件下进行测试。测得的
V
Z
被保证是在规定范围内用设备
结在热平衡。
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和
Z
Zk
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。规定限值
对于我
Z（ AC）
= 0.1
I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
5.温度系数（ θ
VZ ）
是测试条件为温度系数，如下所示：
一。我
ZT
= 7.5毫安， T1 = 25 ℃ ， T2 = 125 ℃ （ 1N5221B通过1N5242B ）
B.
I
ZT
=额定
I
ZT
， T1 = 25 ℃ ， T2 = 125 ℃ （ 1N5243B通过1N5281B ）
器件进行温度稳定的与当前读出的击穿电压在规定的环境温度之前施加。
2006年11月/ C
第3页
德昌
包装外形
案例外形
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
DO-35
暗淡
民
MILLIMETERS
最大
民
英寸
最大
A
B
C
D
0.46
3.05
25.40
1.52
0.56
5.08
38.10
2.29
0.018
0.120
1.000
0.060
0.022
0.200
1.500
0.090
注意：
所有尺寸JEDEC标准之内。
该数据表呈现德昌的齐纳二极管的技术数据。规格齐全，适合各个设备
在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务
所需的特定的应用程序组件。有关更多信息，请访问我们的网站
http://www.takcheong.com 。
虽然此数据表中的信息已经过仔细核对，对错误的责任可以承担德
畅。详情请咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
德昌保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，进一步提高可靠性的权利，
功能和设计方面，成本和生产率。
德昌
和
注册德昌电子（集团）有限公司的商标。
2006年11月/ C
第4页
1N5221B THRU 1N5281B
硅稳压二极管
2.4伏THRU 200伏
500mW的， 5 ％的容差
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体1N5221B系列
硅齐纳二极管是一种高品质的电压调节器
专为工业，商业，娱乐使用
和计算机应用。
DO- 35为例
最大额定值：
(TL=75°C)
功耗
工作和存储结温
VZ公差：以“B”后缀的部件号
VZ公差：以“C”后缀的部件号
VZ公差：以“ D”后缀的部件号
符号
PD
TJ ， TSTG
500
-65到+200
±5
±2
±1
单位
mW
°C
%
%
%
电气特性：
（ TA = 25 ℃） VF = 1.1V MAX @ IF = 200毫安（所有类型）
齐纳
电压
TYPE
民
V
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
2.280
2.375
2.565
2.660
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.700
5.890
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
9.500
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
VZ @ IZT
喃
V
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
最大
V
2.520
2.625
2.835
2.940
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.300
6.510
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
TEST
当前
IZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
最大齐纳
阻抗
ZZT @ IZT
Ω
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
13
15
16
17
ZZK @ IZK
Ω
mA
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大
反向
当前
IR
μA
100
100
75
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
@ VR
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
最大
温度
系数
ΘV
Z
%/°C
-0.085
-0.085
-0.080
-0.080
-0.075
-0.070
-0.065
-0.060
±0.055
±0.030
±0.030
+0.038
+0.038
+0.045
+0.050
+0.058
+0.062
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.082
+0.083
R2 （ 2011年20月）
1N5221B THRU 1N5281B
硅稳压二极管
2.4伏THRU 200伏
500mW的， 5 ％的容差
电气特性 - 续：
（ TA = 25 ℃） VF = 1.1V MAX @ IF = 200毫安（所有类型）
齐纳
电压
TYPE
民
V
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
1N5280B
1N5281B
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
57.00
58.90
64.60
71.25
77.90
82.65
86.45
95.00
104.5
114.0
123.5
133.0
142.5
152.0
161.5
171.0
180.5
190.0
VZ @ IZT
喃
V
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
最大
V
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
63.00
65.10
71.40
78.75
86.10
91.35
95.55
105.0
115.5
126.0
136.5
147.0
157.5
168.0
178.5
189.0
199.5
210.0
TEST
当前
IZT
mA
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.90
0.85
0.80
0.74
0.68
0.66
0.65
最大齐纳
阻抗
ZZT @ IZT
Ω
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
500
750
900
1100
1300
1500
1700
1900
2200
2400
2500
ZZK @ IZK
Ω
mA
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
2600
3000
4000
4500
4500
5000
5500
5500
6000
6500
7000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大
反向
当前
IR
μA
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
@ VR
V
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
76
84
91
99
106
114
122
129
137
144
152
最大
温度
系数
ΘV
Z
%/°C
+0.084
+0.085
+0.086
+0.086
+0.087
+0.088
+0.089
+0.090
+0.091
+0.091
+0.092
+0.093
+0.094
+0.095
+0.095
+0.096
+0.096
+0.097
+0.097
+0.097
+0.098
+0.098
+0.099
+0.099
+0.110
+0.110
+0.110
+0.110
+0.110
+0.110
+0.110
+0.110
+0.110
+0.110
+0.110
DO- 35案例 - 机械外形
C
B
A
D
D
R2 （ 2011年20月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
1N5221B-1N5279B
齐纳二极管
功耗： 500毫瓦
DO-35(GLASS)
特点
硅平面功率齐纳二极管
标准的齐纳电压容差为± 5 ％ 。随着"B"
后缀。其它公差可根据要求提供。
机械数据
案例： DO - 35 ，玻璃柜
码头：每MIL -STD- 202方法208
极性：负极频带
标记：型号数量
约。重量0.13克。
单位：毫米
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
符号
齐纳电流（见表"Characteristics" ）
价值
单位
POW ER功耗在T
AMB
=25
P
合计
T
J
T
s
500
1)
175
-55---+175
mW
结温
储存温度
范围
符号
热阻结到环境
民
典型值
最大
300
1)
1.2
单位
/W
R
θ
JA
V
F
FORW在我ARD电压
F
=200mA
V
注意事项：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离为10毫米被保持在环境温度。
http://www.luguang.cn
邮箱： lge@luguang.cn
1N5221B-1N5279B
齐纳二极管
电气特性
额定齐纳
电压
1)
TYPE
V
Z
V
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
1)
(T
A
=25℃)
TEST
当前
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
10
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.90
0.95
0.80
0.74
0.68
最大动态
阻抗
1)
Z
ZT
@I
ZT
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
500
750
900
1100
1300
1500
1700
1900
2200
典型
温度
Coeffizient的
αV
Z
@I
ZT
%/℃
-0.085
-0.085
-0.080
-0.080
-0.075
-0.070
-0.065
-0.060
-0.055
﹢0.030
﹢0.030
﹢0.038
﹢0.038
﹢0.045
﹢0.050
﹢0.058
﹢0.062
﹢0.065
﹢0.068
﹢0.075
﹢0.076
﹢0.077
﹢0.079
﹢0.082
﹢0.082
﹢0.083
﹢0.084
﹢0.085
﹢0.086
﹢0.086
﹢0.087
﹢0.087
﹢0.089
﹢0.090
﹢0.091
﹢0.091
﹢0.092
﹢0.093
﹢0.094
﹢0.095
﹢0.095
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.097
﹢0.097
﹢0.097
﹢0.098
﹢0.098
﹢0.099
﹢0.099
﹢0.099
﹢0.11
﹢0.11
﹢0.11
﹢0.11
﹢0.11
﹢0.11
﹢0.11
﹢0.11
最大反向
漏电流
I
RM
A
100
100
75
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
Z
ZK
@
I
ZK
=0.25mA
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
2600
3000
4000
4500
4500
5000
5500
5500
6000
V
R
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
76
84
91
99
106
114
122
129
137
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
85
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
基于直流测量的热平衡;导线长度= 9.5 （ 8"分之3 ） ;散热器= 30K / W的热阻
数据表
半导体
1N5221B~1N5281B
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃齐纳电压
稳压器
最大额定值
（注1 ）
等级
最大稳态功耗
@ T
L
≤75°C,
引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
工作和存储
温度范围
符号
P
D
价值
500
单位
mW
轴向引线
DO35
4.0
T
J
, T
英镑
-65到+200
毫瓦/°C的
°C
1.有些部件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
规格特点
齐纳电压范围从2.4 V到200 V
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
DO- 35封装（ DO- 204AH ）
双弹头式建筑
冶金结合
阴极
阳极
机械特性
例
:
双塞型，密闭玻璃
完
:
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊。
极性：
阴极指示的极性带
安装：
任何
最大的铅焊接温度的目的
230_C ， 1/16“从10秒的情况下
标记图
1N
52
XXB
1N52xxB
=器件代码
http://www.yeashin.com
1
REV.03 20121003
1N5221B~1N5281B
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明。基于在热直流测量
平衡;导线长度= 3/8 “ ;散热器热阻=
30℃/ W，V
F
= 1.1 V最大@我
F
= 200毫安所有类型）
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
Zk
I
R
V
R
I
F
V
F
θ
VZ
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向齐纳电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向齐纳电流
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳电压温度系数
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.1 V最大@我
F
= 200毫安所有类型）
齐纳电压
（注3 ）
设备
（注2 ）
齐纳阻抗
（注4 ）
@ I
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
()
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
Z
ZK
@ I
ZK
()
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
(A)
100
100
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
（伏）
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
3.5
4
5
θ
VZ
（注5 ）
设备
记号
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
V
Z
（伏）
民
2.28
2.375
2.565
2.66
2.85
3.135
3.42
3.705
4.085
4.465
4.845
5.32
5.7
5.89
6.46
喃
2.4
2.5
2.7
2.8
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6
6.2
6.8
最大
2.52
2.625
2.835
2.94
3.15
3.465
3.78
4.095
4.515
4.935
5.355
5.88
6.3
6.51
7.14
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
(%/C)
-0.085
-0.085
-0.08
-0.08
-0.075
-0.07
-0.065
-0.06
±0.055
±0.03
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
±
0.03
+0.038
+0.038
+0.045
+0.05
2.宽容和TYPE号指定（V
Z
)
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
3.齐纳电压（V
Z
）测量
额定齐纳电压测量中的铅温度的热平衡器件结（T
L
）在30℃下
±1°C
和3/8 “引线长度。
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。指定限制
是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
5.温度系数（ θ
VZ
)
是测试条件为温度系数，如下所示：
一。我
ZT
= 7.5毫安，T
1
= 25 ° C，T
2
= 125°C （ 1N5221B通过1N5242B ）
B 。我
ZT
=额定我
ZT
, T
1
= 25 ° C，T
2
= 125°C （ 1N5243B通过1N5281B ）
器件进行温度稳定的与施加电流之前，读取击穿电压在规定的环境
温度。
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2
REV.03 20121003
1N5221B~1N5281B
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.1 V最大@我
F
= 200毫安所有类型）
齐纳电压
（注7 ）
设备
（注6 ）
齐纳阻抗
（注8 ）
@ I
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
()
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
Z
ZK
@ I
ZK
()
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
(A)
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
（伏）
6
6.5
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
θ
VZ
（注9 ）
设备
记号
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
V
Z
（伏）
民
7.125
7.79
8.265
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
57
58.9
喃
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
最大
7.875
8.61
9.135
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
63
65.1
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9
8.5
7.8
7.4
7
6.6
6.2
5.6
5.2
5
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3
2.7
2.5
2.2
2.1
2
(%/C)
+0.058
+0.062
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.082
+0.083
+0.084
+0.085
+0.086
+0.086
+0.087
+0.088
+0.089
+0.09
+0.091
+0.091
+0.092
+0.093
+0.094
+0.095
+0.095
+0.096
+0.096
+0.097
+0.097
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
6.耐性与TYPE号指定（V
Z
)
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
7.齐纳电压（V
Z
）测量
额定齐纳电压测量中的铅温度的热平衡器件结（T
L
）在30℃下
±1°C
和3/8 “引线长度。
8.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。指定限制
是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
9.温度系数（ θ
VZ
)
是测试条件为温度系数，如下所示：
一。我
ZT
= 7.5毫安，T
1
= 25 ° C，T
2
= 125°C （ 1N5221B通过1N5242B ）
B 。我
ZT
=额定我
ZT
, T
1
= 25 ° C，T
2
= 125°C （ 1N5243B通过1N5281B ）
器件进行温度稳定的与施加电流之前，读取击穿电压在规定的环境
温度。
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3
REV.03 20121003
1N5221B~1N5281B
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.1 V最大@我
F
= 200毫安所有类型）
齐纳电压
（注11 ）
设备
（注10 ）
齐纳阻抗
（注12 ）
@ I
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
()
230
270
330
370
400
500
750
900
1100
1300
1500
1700
1900
2200
2400
2500
Z
ZK
@ I
ZK
()
1600
1700
2000
2200
2300
2600
3000
4000
4500
4500
5000
5500
5500
6000
6500
7000
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
(A)
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
（伏）
52
56
62
68
69
76
84
91
99
106
114
122
129
137
144
152
θ
VZ
（注13 ）
设备
记号
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
1N5280B
1N5281B
V
Z
（伏）
民
64.6
71.25
77.9
82.65
86.45
95
104.5
114
123.5
133
142.5
152
161.5
171
180.5
190
喃
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
最大
71.4
78.75
86.1
91.35
95.55
105
115.5
126
136.5
147
157.5
168
178.5
189
199.5
210
（MA ）
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.1
1
0.95
0.9
0.85
0.8
0.74
0.68
0.66
0.65
(%/C)
+0.097
+0.098
+0.098
+0.099
+0.099
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
1N5280B
1N5281B
10.耐性与TYPE号指定（V
Z
)
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
11.齐纳电压（V
Z
）测量
额定齐纳电压测量中的铅温度的热平衡器件结（T
L
）在30℃下
±1°C
和3/8 “引线长度。
12.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。指定限制
是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
13.温度系数（ θ
VZ
)
是测试条件为温度系数，如下所示：
一。我
ZT
= 7.5毫安，T
1
= 25 ° C，T
2
= 125°C （ 1N5221B通过1N5242B ）
B 。我
ZT
=额定我
ZT
, T
1
= 25 ° C，T
2
= 125°C （ 1N5243B通过1N5281B ）
器件进行温度稳定的与施加电流之前，读取击穿电压在规定的环境
温度。
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REV.03 20121003
大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
硅平面齐纳二极管
1N5223B到1N5279B
2.7V至180V
DO- 35
轴向玻璃封装
特点
与玻璃的齐纳二极管与双螺柱钝化在密封的玻璃封装结
提供优良的稳定性，可靠性和更好的功率耗散。
绝对最大额定值
描述
DC功耗
功率降额75℃以上
工作和存储温度
符号
P
D
T
英镑
价值
500
4.0
- 65 + 200
单位
mW
毫瓦/℃
C
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
在我正向电压
F
=200mA
V
F
<1.1 V
没有后缀+ 20 ％的公差，后缀“A” + 10 ％容差和后缀'B' + 5 ％容差
设备
（注1 ）
公称
电压
V
Z
在我
ZT
TEST
当前
I
ZT
最大齐纳
阻抗
一& B后缀只有
（注2 ）
Z
ZT
at
Z
ZK
at
I
ZT
I
ZK
=0.25mA
30
1300
30
1400
29
1600
28
1600
24
1700
23
1900
22
2000
19
1900
17
1600
11
1600
7
1600
7
1000
5
750
6
500
8
500
8
600
10
600
17
600
22
600
30
600
最大反向漏电流
I
R
在V
R
最大齐纳
电压
TEMP 。 COEFF 。
θ
Vz的（注3）
（仅A&B后缀）
α
V
Z
(% /C)
-0.080
-0.080
-0.075
-0.070
-0.065
-0.060
+/-0.055
+/-0.030
+/-0.030
0.038
0.038
0.045
0.050
0.058
0.062
0.065
0.068
0.075
0.076
0.077
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
V
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
A
75
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
1N5223B_5279B Rev_2 080605E
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页5
硅平面齐纳二极管
1N5223B到1N5279B
2.7V至180V
DO- 35
轴向玻璃封装
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
在我正向电压
F
=200mA
V
F
<1.1 V
没有后缀+ 20 ％的公差，后缀“A” + 10 ％容差和后缀'B' + 5 ％容差
设备
（注1 ）
公称
电压
V
Z
在我
ZT
TEST
当前
I
ZT
最大齐纳
阻抗
一& B后缀只有
（注2 ）
Z
ZT
at
Z
ZK
at
I
ZK
=0.25mA
I
ZT
13
600
15
600
16
600
17
600
19
600
21
600
23
600
25
600
29
600
33
600
35
600
41
600
44
600
49
600
58
700
70
700
80
800
93
900
105
1000
125
1100
150
1300
170
1400
185
1400
230
1600
270
1700
330
2000
370
2200
最大反向漏电流
I
R
在V
R
最大齐纳
电压
TEMP 。 COEFF 。
θ
Vz的（注3）
（仅A&B后缀）
α
V
Z
(% /C)
0.079
0.082
0.082
0.083
0.084
0.085
0.086
0.086
0.087
0.088
0.089
0.090
0.091
0.091
0.092
0.093
0.094
0.095
0.095
0.096
0.096
0.097
0.097
0.097
0.098
0.098
0.099
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
V
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
mA
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
A
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
62
68
1N5223B_5279B Rev_2 080605E
大陆设备印度有限公司
数据表
页2的5
硅平面齐纳二极管
1N5223B到1N5279B
2.7V至180V
DO- 35
轴向玻璃封装
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
在我正向电压
F
=200mA
V
F
<1.1 V
没有后缀+ 20 ％的公差，后缀“A” + 10 ％容差和后缀'B' + 5 ％容差
设备
（注1 ）
公称
电压
V
Z
@ I
ZT
TEST
当前
I
ZT
最大齐纳
阻抗
一& B后缀只有
（注2 ）
Z
ZT
@
Z
ZK
@
I
ZT
I
ZK
=0.25mA
400
2300
500
2600
750
3000
900
4000
1100
4500
1300
4500
1500
5000
1700
5500
1900
5500
2200
6000
最大反向漏电流
I
R
在V
R
最大齐纳
电压
TEMP 。 COEFF 。
θ
Vz的（注3）
（仅A&B后缀）
α
V
Z
(% /C)
0.099
0.099
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
注1 ：
注2 ：
V
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
mA
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.90
0.85
0.80
0.74
0.68
A
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
69
76
84
91
99
106
114
122
129
137
使器件能够用于稳定后的电气特性进行测量
20秒搭载有从外壳一个9.525毫米（ 8"分之3 ）最小引线长度时。
齐纳阻抗是从50赫兹的交流电压，这会导致当交流电流而得
具有有效值等于直流齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）叠加
关于我
ZT
还是我
ZK
齐纳阻抗的测量是在两个点，以确保在一个锋利的膝
击穿曲线，由此，消除了不稳定的单元。
温度系数（ θV
z
).
θ
在测试条件为温度系数如下。
一。我
ZT
= 7.5毫安，T
j
=25C
T2 = 125℃ （ 1N5223A ，B通1N5242A ， B）
B 。我
ZT
=额定我
ZT
, T
J
=25C
T2 = 125℃ （ 1N5243A ，B通1N5279A ， B）
器件进行温度读数brekdown电压稳定化之前施加的电流
在规定的环境Rwmerature
注3 ：
1N5223B_5279B Rev_2 080605E
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数据表
第3 5
客户注意事项
1N5223B到1N5279B
2.7V至180V
DO- 35
轴向玻璃封装
放弃
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适合应用在产品中（ S）按您的要求。我们建议你彻底审查我们的数据
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