重庆平阳县ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
1N5221B THRU 1N5272B
硅平面齐纳二极管
特点
●电压
范围： 2.7V至110V
“双
siug式建筑
DO-41
1.0(25.4)
分钟。
.205(5.2)
.166(4.2)
.034(0.9)
.028(0.7)
DIA 。
DIA 。
机械数据
·案例：
模压塑料
·环氧树脂：
UL94V- 0率阻燃
·导语：
MIL -STD- 202E ，方法208保证
·极性：颜色
频带端为负极
·安装
您的位置：
任何
·重量：
0.33克
.107(2.7)
.080(2.0)
1.0(25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电子特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
绝对最大额定值
(T
a
=25°C)
符号
价值
0.5
1)
150
单位
W
°C
齐纳电流见表
“ Characterstics ”
在T功耗
AMB
=25°C
结温
1)
P
合计
T
J
有效的提供，导致在距离为8mm格式的情况下被保持在环境温度。
特点在T
AMB
=25°C
符号
分钟。
--
典型值。
--
马克斯。
1.2
单位
V
在我正向电压
F
=250mA
V
F
有效的提供，导致在距离为8mm格式的情况下被保持在环境温度。
１
PDF
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重庆平阳县ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
硅平面功率齐纳二极管
齐纳电压范围
TYPE
V
znom4)
V
2.4
2.5
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
1)
动态
recsistance
3)
r
ZJT
Ω
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
I
ZT
对于V
ZT2)
mA
V
20
2.28
2.52
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9
8.5
7.8
7.4
7
6.6
6.2
5.6
5.2
5
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
2.38
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.70
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
2.63
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.30
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
R
ZJT
在我
zk
Ω
mA
1200
0.25
1250
1300
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
反向
泄漏
当前
2)
I
R
在V
R
A
V
100
1
100
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
2
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
3.5
4
5
6
6.5
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
温度
系数
齐纳电压
TK
VZ
%/K
-0.085…0
-0.085…0
-0.080…0
-0.075…0
-0.070…0
-0.065…0
-0.060…0
-0.055…+0.055
-0.030…+0.030
-0.030…+0.030
0…0.038
0…0.038
0…0.045
0…0.050
0…0.058
0…0.062
0…0.065
0…0.068
0…0.075
0…0.076
0…0.077
0…0.079
0…0.082
0…0.082
0…0.083
0…0.084
0…0.085
0…0.086
0…0.086
0…0.087
0…0.088
0…0.089
0…0.090
0…0.091
0…0.091
0…0.092
0…0.093
２
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重庆平阳县ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1)
2)
3)
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
110
3.2
3
2.7
2.5
2.2
2.1
2
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.1
99
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
57.00
58.90
64.60
71.25
77.90
82.65
86.45
95.00
104.50
121
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
63.00
65.10
71.40
78.75
86.10
91.35
95.55
105.00
115.50
121
80
93
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
500
750
750
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
2600
3000
3000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
30
33
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
76
84
84
0…0.094
0…0.095
0…0.095
0…0.096
0…0.096
0…0.097
0…0.097
0…0.097
0…0.098
0…0.098
0…0.099
0…0.099
0…0.110
0…0.110
0…0.110
测试了脉冲TP = 20毫秒。
有效的条件是引线保持在环境温度下为8mm格式情况下的距离。
齐纳阻抗（ ZZ ）来源：
ZZT和ZZK是通过将器件两端的交流电压降经测定
交流电流应用。在规定的限度是IZ （ AC） = 0.1 IZ （ DC）与交流频率= 60赫兹。
4)
齐纳电压（ VZ ）测量：
额定齐纳电压测量与热平衡器件的结
在30℃的焊接温度
±1°C
和3/8 ，引线长度。
３
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威伦
500毫瓦齐纳二极管
额定齐纳电压
产品型号
NOM 。 V
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
47.0
51.0
56.0
60.0
62.0
68.0
75.0
1N5221B THRU 1N5267B
马克斯。齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
μA
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TK
V
Z
V
Z
@ I
ZT
分钟。 V
44.65
48.45
53.20
57.00
58.90
64.60
71.25
记号
CODE
最大。 V
49.35
53.55
58.80
63.00
65.10
71.40
78.75
150
125
150
170
185
230
270
mA
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
V
36.0
39.0
43.0
46.0
47.0
52.0
56.0
%/K
<+0.095
<+0.096
<+0.096
<+0.097
<+0.097
<+0.097
<+0.098
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1)
基于直流测量的热平衡;导线长度= 9.5毫米（ 3/8“ ） ;散热器= 30K / W的热阻
额定值和特性曲线
功耗毫瓦
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
O
250
环境温度，C
图。 1功率降额曲线
Vz的（V）的
IZ （毫安）
50
40
30
20
10
0
5
10
15
20
25
30
测试电流
IZ = 20mA下
24
20
15
12
11
9.1
6.8
6.2
5.6
5.1
4.7
4.3
3.9
2.7
图2击穿特性
2010.08
遗嘱电子股份有限公司。
1N5221B到1N5267B
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
标准齐纳电压容差为± 5 ％
e2
这些二极管也是迷你型可
MELF情况与型号标识
TZM5221 ... TZM5267 ， SOT23壳体与类型
名称MMBZ5225 ... MMBZ5267和
SOD123情况下与指定类型
MMSZ5225 ... MMSZ5267
铅（Pb） -free组件
按照RoHS组件
2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
94 9367
应用
电压稳定
机械数据
案例：
DO35玻璃案例
重量：
约。 125毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每Ammopack TAP / 10千（52毫米磁带） ， 30 K /盒
每13"卷轴TR / 10 K， 30 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
功耗
Z-电流
测试条件
T
L
≤
25 °C
符号
P
合计
I
Z
价值
500
P
合计
/V
Z
单位
mW
mA
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结温
存储温度范围
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
300
175
- 65 + 175
单位
K / W
°C
°C
热阻结到环境空气L = 4毫米，T
L
=常数
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 200毫安
符号
V
F
民
典型值。
最大
1.1
单位
V
文档编号85588
修订版1.7 ， 23 -MAR -07
www.vishay.com
1
1N5221B到1N5267B
威世半导体
部分号码
额定齐纳
电压
1)
测试电流
最大
动态
阻抗
1)
Z
ZT
在我
ZT
Ω
185
230
270
最大
动态
阻抗
Z
ZK
在我
ZK
=
0.25毫安
Ω
1400
1600
1700
典型
温度
Coeffizient
在我
ZT
α
(%/K)
+ 0.097
+ 0.097
+ 0.098
最大反向漏
当前
I
R
A
0.1
0.1
0.1
V
R
V
47
52
56
在我
ZT
, V
Z
V
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1)
I
ZT
mA
2
1.8
1.7
62
68
75
基于直流测量的热平衡;导线长度= 9.5 （ 3/8 " ） ;散热器热阻= 30 K / W
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
R
thJA
- 千卡。抗拒。交界处的环境（K / W）
V
ZTN
- 相对
电压
变化
500
400
300
l
200
100
T
L
=常数
0
0
5
10
15
20
95 9611
1.3
V
ZTN
=
V
Zt
/V
Z
(25 °C)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
- 60
95 9599
TK
VZ
= 10 x 10
-4
/K
8
x 10
-4
/K
6 x 10
-4
/K
4 x 10
-4
/K
2 x 10
-4
/K
l
0
- 2 x 10
-4
/K
- 4 x 10
-4
/K
0
60
120
180
240
我 - 引线长度（mm ）
T
j
- 结温（ ° C）
图1.热敏电阻与导线长度
工作电压与图3.典型的变化
结温
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
1000
V
Z
-
电压
CHANGE （MV ）
600
500
400
300
200
100
0
0
T
j
= 25 °C
100
I
Z
= 5毫安
10
1
0
95 9598
5
10
15
20
25
40
80
120
160
200
V
Z
- z - 电压（V）
95 9602
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
工作电压下运行图2.典型的变化
在T条件
AMB
= 25 °C
图4.总功率耗散与环境温度
文档编号85588
修订版1.7 ， 23 -MAR -07
www.vishay.com
3
德昌
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃齐纳电压
稳压器
轴向引线
DO35
最大额定值
（注1 ）
等级
最大稳态功耗
@TL≤75℃,
引线长度= 3/8 “
减免上述75 ℃
工作和存储
温度范围
T
J
, T
英镑
4.0
-65到+200
毫瓦/ °
°C
L
52xxB
符号
P
D
价值
500
单位
mW
L
52
xx
B
=标志
= 1N52xxB器件代码
注1 ：某些零件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
规格特点：
齐纳电压范围= 2.4V至200V
ESD等级3级（ >6 KV ）每人体模型
DO- 35封装（ DO- 204AH ）
双弹头式建筑
冶金结合建设
符合RoHS
焊接热浸锡（Sn ），铅完成
阴极
阳极
规格特点：
例
完
:
双塞型，密闭玻璃
:
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
极性：
阴极指示的极性带
安装：
任何
2006年11月/ C
第1页
1N5221B通过1N5281B系列
德昌
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有说明。 ）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
设备
记号
民
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
1N5280B
1N5281B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
1N5280B
1N5281B
44.65
48.45
53.20
57.00
58.90
64.60
71.25
77.90
82.65
86.45
95.0
104.5
114.0
123.5
133.0
142.5
152.0
161.5
171.0
180.5
190.0
V
Z
（伏）
喃
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
最大
49.35
53.55
58.80
63.00
65.10
71.40
78.75
86.10
91.35
95.55
105.0
115.5
126.0
136.5
147.0
157.5
168.0
178.5
189.0
199.5
210.0
@I
ZT
（MA ）
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.74
0.68
0.66
0.65
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
齐纳阻抗
（注3 ）
Z
ZT
@I
ZT
(Ω)
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
500
750
900
1100
1300
1500
1700
1900
2200
2400
2500
Z
ZK
@I
ZK
(Ω)
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
2600
3000
4000
4500
4500
5000
5500
5500
6000
6500
7000
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
（UA最大值）
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
（伏）
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
76
84
91
99
106
114
122
129
137
144
152
θ
VZ
（注4 ）
（MA ）
+0.095
+0.096
+0.096
+0.097
+0.097
+0.097
+0.098
+0.098
+0.099
+0.099
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
V
F
= 1.1V最大@I
F
= 200毫安为60V以下的类型，V
F
= 1.4V最大@I
F
= 200毫安为60V以上类型
2.宽容和TYPE号指定（V
Z
)
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±
5%.
3.齐纳电压（V
Z
）测量
齐纳电压（V
Z
）是脉冲条件下进行测试。测得的
V
Z
被保证是在规定范围内用设备
结在热平衡。
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和
Z
Zk
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。规定限值
对于我
Z（ AC）
= 0.1
I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
5.温度系数（ θ
VZ ）
是测试条件为温度系数，如下所示：
一。我
ZT
= 7.5毫安， T1 = 25 ℃ ， T2 = 125 ℃ （ 1N5221B通过1N5242B ）
B.
I
ZT
=额定
I
ZT
， T1 = 25 ℃ ， T2 = 125 ℃ （ 1N5243B通过1N5281B ）
器件进行温度稳定的与当前读出的击穿电压在规定的环境温度之前施加。
2006年11月/ C
第3页
德昌
包装外形
案例外形
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
DO-35
暗淡
民
MILLIMETERS
最大
民
英寸
最大
A
B
C
D
0.46
3.05
25.40
1.52
0.56
5.08
38.10
2.29
0.018
0.120
1.000
0.060
0.022
0.200
1.500
0.090
注意：
所有尺寸JEDEC标准之内。
该数据表呈现德昌的齐纳二极管的技术数据。规格齐全，适合各个设备
在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务
所需的特定的应用程序组件。有关更多信息，请访问我们的网站
http://www.takcheong.com 。
虽然此数据表中的信息已经过仔细核对，对错误的责任可以承担德
畅。详情请咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
德昌保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，进一步提高可靠性的权利，
功能和设计方面，成本和生产率。
德昌
和
注册德昌电子（集团）有限公司的商标。
2006年11月/ C
第4页
1N5223B通过1N5258B
硅外延平面稳压二极管的稳压
REJ03G1222-0300
（上一个： ADE- 208-137B ）
Rev.3.00
2005年8月22日
特点
玻璃封装DO- 35结构确保高可靠性。
从2.7 V至齐纳电压36 V宽范围提供灵活的应用。
订购信息
型号
1N5223B通过
1N5258B
阴极带
黑
标志
型号
包名称
DO-35
封装代码
（以前的代码）
GRZZ0002ZB-A
(DO-35)
管脚配置
1
型号
阴极带
2
1.阴极
2.阳极
Rev.3.00 2005年8月22日第1页5
1N5223B通过1N5258B
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
功耗
浪涌功耗
焊接温度
结温
储存温度
符号
Pd
钯（浪涌） *
2
T
L
*
TJ *
TSTG
3
1
评级
500
10
230
200
-65到+200
单位
mW
W
°C
°C
°C
注意事项： 1，非经常性的方波， PW = 8.3毫秒， TJ = 55 ° C， TJ是暴涨之前。
比16"分之1 2.少从10秒的情况下。
3.由标准印刷电路板，参见图2 。
电气特性
（ TA = 25°C ）
齐纳电压
TEST
条件
型号
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
V
Z
(V)
2.7 ± 5 (%)
2.8 ± 5 (%)
3.0 ± 5 (%)
3.3 ± 5 (%)
3.6 ± 5 (%)
3.9 ± 5 (%)
4.3 ± 5 (%)
4.7 ± 5 (%)
5.1 ± 5 (%)
5.6 ± 5 (%)
6.0 ± 5 (%)
6.2 ± 5 (%)
6.8 ± 5 (%)
7.5 ± 5 (%)
8.2 ± 5 (%)
8.7 ± 5 (%)
9.1 ± 5 (%)
10 ± 5 (%)
11 ± 5 (%)
12 ± 5 (%)
13 ± 5 (%)
14 ± 5 (%)
15 ± 5 (%)
16 ± 5 (%)
17 ± 5 (%)
18 ± 5 (%)
19 ± 5 (%)
20 ± 5 (%)
I
Z
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
反向电流
I
R
(A)
最大
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TEST
条件
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.5
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
Z
ZT
()
最大
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
动态电阻
TEST
条件
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
Z
ZK
()
最大
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
TEST
条件
I
ZK
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
γ
Z
(%/°C) *
1
最大
–0.08
–0.08
–0.075
–0.07
–0.065
–0.06
±0.055
±0.03
±0.03
+0.038
+0.038
+0.045
+0.05
+0.058
+0.062
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.082
+0.083
+0.084
+0.085
+0.086
+0.086
V
F
*
2
(V)
最大
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
注：1. 1N5223 1N5242到：我
Z
= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我
Z
= I
Z,
TA = 25 ° C至125°C
2.测试用DC，我
F
= 200毫安
Rev.3.00 2005年8月22日第2页5
1N5223B通过1N5258B
硅外延平面稳压二极管的稳压
REJ03G1222-0300
（上一个： ADE- 208-137B ）
Rev.3.00
2005年8月22日
特点
玻璃封装DO- 35结构确保高可靠性。
从2.7 V至齐纳电压36 V宽范围提供灵活的应用。
订购信息
型号
1N5223B通过
1N5258B
阴极带
黑
标志
型号
包名称
DO-35
封装代码
（以前的代码）
GRZZ0002ZB-A
(DO-35)
管脚配置
1
型号
阴极带
2
1.阴极
2.阳极
Rev.3.00 2005年8月22日第1页5
1N5223B通过1N5258B
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
功耗
浪涌功耗
焊接温度
结温
储存温度
符号
Pd
钯（浪涌） *
2
T
L
*
TJ *
TSTG
3
1
评级
500
10
230
200
-65到+200
单位
mW
W
°C
°C
°C
注意事项： 1，非经常性的方波， PW = 8.3毫秒， TJ = 55 ° C， TJ是暴涨之前。
比16"分之1 2.少从10秒的情况下。
3.由标准印刷电路板，参见图2 。
电气特性
（ TA = 25°C ）
齐纳电压
TEST
条件
型号
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
V
Z
(V)
2.7 ± 5 (%)
2.8 ± 5 (%)
3.0 ± 5 (%)
3.3 ± 5 (%)
3.6 ± 5 (%)
3.9 ± 5 (%)
4.3 ± 5 (%)
4.7 ± 5 (%)
5.1 ± 5 (%)
5.6 ± 5 (%)
6.0 ± 5 (%)
6.2 ± 5 (%)
6.8 ± 5 (%)
7.5 ± 5 (%)
8.2 ± 5 (%)
8.7 ± 5 (%)
9.1 ± 5 (%)
10 ± 5 (%)
11 ± 5 (%)
12 ± 5 (%)
13 ± 5 (%)
14 ± 5 (%)
15 ± 5 (%)
16 ± 5 (%)
17 ± 5 (%)
18 ± 5 (%)
19 ± 5 (%)
20 ± 5 (%)
I
Z
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
反向电流
I
R
(A)
最大
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TEST
条件
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.5
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
Z
ZT
()
最大
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
动态电阻
TEST
条件
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
Z
ZK
()
最大
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
TEST
条件
I
ZK
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
γ
Z
(%/°C) *
1
最大
–0.08
–0.08
–0.075
–0.07
–0.065
–0.06
±0.055
±0.03
±0.03
+0.038
+0.038
+0.045
+0.05
+0.058
+0.062
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.082
+0.083
+0.084
+0.085
+0.086
+0.086
V
F
*
2
(V)
最大
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
注：1. 1N5223 1N5242到：我
Z
= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我
Z
= I
Z,
TA = 25 ° C至125°C
2.测试用DC，我
F
= 200毫安
Rev.3.00 2005年8月22日第2页5
1N5223B通过1N5258B
硅外延平面稳压二极管的稳压
REJ03G1222-0300
（上一个： ADE- 208-137B ）
Rev.3.00
2005年8月22日
特点
玻璃封装DO- 35结构确保高可靠性。
从2.7 V至齐纳电压36 V宽范围提供灵活的应用。
订购信息
型号
1N5223B通过
1N5258B
阴极带
黑
标志
型号
包名称
DO-35
封装代码
（以前的代码）
GRZZ0002ZB-A
(DO-35)
管脚配置
1
型号
阴极带
2
1.阴极
2.阳极
Rev.3.00 2005年8月22日第1页5
1N5223B通过1N5258B
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
功耗
浪涌功耗
焊接温度
结温
储存温度
符号
Pd
钯（浪涌） *
2
T
L
*
TJ *
TSTG
3
1
评级
500
10
230
200
-65到+200
单位
mW
W
°C
°C
°C
注意事项： 1，非经常性的方波， PW = 8.3毫秒， TJ = 55 ° C， TJ是暴涨之前。
比16"分之1 2.少从10秒的情况下。
3.由标准印刷电路板，参见图2 。
电气特性
（ TA = 25°C ）
齐纳电压
TEST
条件
型号
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
V
Z
(V)
2.7 ± 5 (%)
2.8 ± 5 (%)
3.0 ± 5 (%)
3.3 ± 5 (%)
3.6 ± 5 (%)
3.9 ± 5 (%)
4.3 ± 5 (%)
4.7 ± 5 (%)
5.1 ± 5 (%)
5.6 ± 5 (%)
6.0 ± 5 (%)
6.2 ± 5 (%)
6.8 ± 5 (%)
7.5 ± 5 (%)
8.2 ± 5 (%)
8.7 ± 5 (%)
9.1 ± 5 (%)
10 ± 5 (%)
11 ± 5 (%)
12 ± 5 (%)
13 ± 5 (%)
14 ± 5 (%)
15 ± 5 (%)
16 ± 5 (%)
17 ± 5 (%)
18 ± 5 (%)
19 ± 5 (%)
20 ± 5 (%)
I
Z
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
反向电流
I
R
(A)
最大
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TEST
条件
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.5
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
Z
ZT
()
最大
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
动态电阻
TEST
条件
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
Z
ZK
()
最大
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
TEST
条件
I
ZK
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
γ
Z
(%/°C) *
1
最大
–0.08
–0.08
–0.075
–0.07
–0.065
–0.06
±0.055
±0.03
±0.03
+0.038
+0.038
+0.045
+0.05
+0.058
+0.062
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.082
+0.083
+0.084
+0.085
+0.086
+0.086
V
F
*
2
(V)
最大
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
注：1. 1N5223 1N5242到：我
Z
= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我
Z
= I
Z,
TA = 25 ° C至125°C
2.测试用DC，我
F
= 200毫安
Rev.3.00 2005年8月22日第2页5
1N5223B通过1N5258B
硅外延平面稳压二极管的稳压
REJ03G1222-0300
（上一个： ADE- 208-137B ）
Rev.3.00
2005年8月22日
特点
玻璃封装DO- 35结构确保高可靠性。
从2.7 V至齐纳电压36 V宽范围提供灵活的应用。
订购信息
型号
1N5223B通过
1N5258B
阴极带
黑
标志
型号
包名称
DO-35
封装代码
（以前的代码）
GRZZ0002ZB-A
(DO-35)
管脚配置
1
型号
阴极带
2
1.阴极
2.阳极
Rev.3.00 2005年8月22日第1页5
1N5223B通过1N5258B
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
功耗
浪涌功耗
焊接温度
结温
储存温度
符号
Pd
钯（浪涌） *
2
T
L
*
TJ *
TSTG
3
1
评级
500
10
230
200
-65到+200
单位
mW
W
°C
°C
°C
注意事项： 1，非经常性的方波， PW = 8.3毫秒， TJ = 55 ° C， TJ是暴涨之前。
比16"分之1 2.少从10秒的情况下。
3.由标准印刷电路板，参见图2 。
电气特性
（ TA = 25°C ）
齐纳电压
TEST
条件
型号
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
V
Z
(V)
2.7 ± 5 (%)
2.8 ± 5 (%)
3.0 ± 5 (%)
3.3 ± 5 (%)
3.6 ± 5 (%)
3.9 ± 5 (%)
4.3 ± 5 (%)
4.7 ± 5 (%)
5.1 ± 5 (%)
5.6 ± 5 (%)
6.0 ± 5 (%)
6.2 ± 5 (%)
6.8 ± 5 (%)
7.5 ± 5 (%)
8.2 ± 5 (%)
8.7 ± 5 (%)
9.1 ± 5 (%)
10 ± 5 (%)
11 ± 5 (%)
12 ± 5 (%)
13 ± 5 (%)
14 ± 5 (%)
15 ± 5 (%)
16 ± 5 (%)
17 ± 5 (%)
18 ± 5 (%)
19 ± 5 (%)
20 ± 5 (%)
I
Z
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
反向电流
I
R
(A)
最大
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TEST
条件
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.5
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
Z
ZT
()
最大
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
动态电阻
TEST
条件
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
Z
ZK
()
最大
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
TEST
条件
I
ZK
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
γ
Z
(%/°C) *
1
最大
–0.08
–0.08
–0.075
–0.07
–0.065
–0.06
±0.055
±0.03
±0.03
+0.038
+0.038
+0.045
+0.05
+0.058
+0.062
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.082
+0.083
+0.084
+0.085
+0.086
+0.086
V
F
*
2
(V)
最大
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
注：1. 1N5223 1N5242到：我
Z
= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我
Z
= I
Z,
TA = 25 ° C至125°C
2.测试用DC，我
F
= 200毫安
Rev.3.00 2005年8月22日第2页5
乐山无线电公司， LTD 。
1N52
1N52系列齐纳二极管
1N52系列
齐纳二极管
1N5221B通过1N5272B电气特性
(T
A
= 25℃ ），除非另有noted.Based上直流测量在热equillibrium ;引线长度= 3 /8“ ;的热的耐热性
沉= 30 °C / W V
FMAX
= 1.1V @我
F
= 200毫安所有类型（T
A
= 25°C
V
FMAX
= 1.1V @我
F
=200mA
)
TYPE
公称
齐纳
电压
VZ @ L
ZT
伏
最大齐纳阻抗
TEST
只有A和B Sufflx
当前
I
ZT
Z
ZK
@I
ZK
Z
ZT
@I
ZT
mA
= 0.25毫安
欧
欧
最大反向
漏电流
I
R
A
V
R
伏
B
最大齐纳Voltege
温度COFF
（只有A AMD Bsuffix ）
VZ（ ％/ ℃）
包
尺寸
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
20
Φ
0.5 ± 0.1
20
Φ
1.8 ± 0.2
20
3.0
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
600
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
DO-35
(mm)
600
0.1
600
0.1
注： V
Z
示值的中心值与公差代号
如下：
后缀B： V
Z
± 5%
后缀为C： V
Z
± 2%
后缀D： V
Z
± 1%
Vz
B
C
D
Vz
Vz
Vz
29 ± 1
3.8 ± 0.2
20
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
100
100
75
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
-0.085
-0.085
-0.08
-0.08
-0.075
-0.07
-0.065
-0.06
±0.055
±0.03
±0.03
+0.038
+0.038
+0.045
+0.05
+0.058
+0.062
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.082
+0.083
+0.084
+0.085
+0.086
+0.086
+0.087
+0.088
+0.089
+0.090
+0.091
29 ± 1
± 5%
± 2%
± 1%
2B–1/2
乐山无线电公司， LTD 。
1N52
1N52系列齐纳二极管
1N5221B通过1N5272B电气特性
(T
A
= 25℃ ），除非另有noted.Based上直流测量在热equillibrium ;引线长度= 3 /8“ ;的热的耐热性
沉= 30 °C / W V
FMAX
= 1.1V @我
F
= 200毫安所有类型（T
A
= 25°C
V
FMAX
= 1.1V @我
F
=200mA
)
TYPE
公称
齐纳
电压
VZ @ L
ZT
伏
最大齐纳阻抗
TEST
只有A和B Sufflx
当前
I
ZT
Z
ZK
@I
ZK
Z
ZT
@I
ZT
mA
= 0.25毫安
欧
欧
最大反向
漏电流
I
R
A
V
R
伏
B
最大齐纳Voltege
温度COFF
（只有A AMD Bsuffix ）
VZ（ ％/ ℃）
包
尺寸
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.1
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
500
750
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
2600
3000
0.1
Φ
1.8 ± 0.2
0.1
DO-35
(mm)
0.1
注： V
Z
示值的中心值与公差代号
如下：
后缀B： V
Z
± 5%
后缀为C： V
Z
± 2%
后缀D： V
Z
± 1%
Vz
B
C
D
Vz
Vz
Vz
29 ± 1
3.8 ± 0.2
29 ± 1
0.1
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
76
84
+0.091
+0.092
+0.093
+0.094
+0.095
+0.095
+0.096
+0.096
+0.097
+0.097
+0.097
+0.098
+0.098
+0.099
+0.099
+0.110
+0.110
Φ
0.5 ± 0.1
± 5%
± 2%
± 1%
2B–2/2
1N5223B通过1N5258B
硅外延平面稳压二极管的稳压
REJ03G1222-0300
（上一个： ADE- 208-137B ）
Rev.3.00
2005年8月22日
特点
玻璃封装DO- 35结构确保高可靠性。
从2.7 V至齐纳电压36 V宽范围提供灵活的应用。
订购信息
型号
1N5223B通过
1N5258B
阴极带
黑
标志
型号
包名称
DO-35
封装代码
（以前的代码）
GRZZ0002ZB-A
(DO-35)
管脚配置
1
型号
阴极带
2
1.阴极
2.阳极
Rev.3.00 2005年8月22日第1页5
1N5223B通过1N5258B
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
功耗
浪涌功耗
焊接温度
结温
储存温度
符号
Pd
钯（浪涌） *
2
T
L
*
TJ *
TSTG
3
1
评级
500
10
230
200
-65到+200
单位
mW
W
°C
°C
°C
注意事项： 1，非经常性的方波， PW = 8.3毫秒， TJ = 55 ° C， TJ是暴涨之前。
比16"分之1 2.少从10秒的情况下。
3.由标准印刷电路板，参见图2 。
电气特性
（ TA = 25°C ）
齐纳电压
TEST
条件
型号
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
V
Z
(V)
2.7 ± 5 (%)
2.8 ± 5 (%)
3.0 ± 5 (%)
3.3 ± 5 (%)
3.6 ± 5 (%)
3.9 ± 5 (%)
4.3 ± 5 (%)
4.7 ± 5 (%)
5.1 ± 5 (%)
5.6 ± 5 (%)
6.0 ± 5 (%)
6.2 ± 5 (%)
6.8 ± 5 (%)
7.5 ± 5 (%)
8.2 ± 5 (%)
8.7 ± 5 (%)
9.1 ± 5 (%)
10 ± 5 (%)
11 ± 5 (%)
12 ± 5 (%)
13 ± 5 (%)
14 ± 5 (%)
15 ± 5 (%)
16 ± 5 (%)
17 ± 5 (%)
18 ± 5 (%)
19 ± 5 (%)
20 ± 5 (%)
I
Z
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
反向电流
I
R
(A)
最大
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TEST
条件
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.5
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
Z
ZT
()
最大
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
动态电阻
TEST
条件
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
Z
ZK
()
最大
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
TEST
条件
I
ZK
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
γ
Z
(%/°C) *
1
最大
–0.08
–0.08
–0.075
–0.07
–0.065
–0.06
±0.055
±0.03
±0.03
+0.038
+0.038
+0.045
+0.05
+0.058
+0.062
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.082
+0.083
+0.084
+0.085
+0.086
+0.086
V
F
*
2
(V)
最大
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
注：1. 1N5223 1N5242到：我
Z
= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我
Z
= I
Z,
TA = 25 ° C至125°C
2.测试用DC，我
F
= 200毫安
Rev.3.00 2005年8月22日第2页5
QQ：2880707522 复制
