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1N5221B到1N5267B
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
标准齐纳电压容差为± 5 ％
e2
这些二极管也是迷你型可
MELF情况与型号标识
TZM5221 ... TZM5267 ， SOT23壳体与类型
名称MMBZ5225 ... MMBZ5267和
SOD123情况下与指定类型
MMSZ5225 ... MMSZ5267
铅（Pb） -free组件
按照RoHS组件
2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
94 9367
应用
电压稳定
机械数据
案例：
DO35玻璃案例
重量：
约。 125毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每Ammopack TAP / 10千（52毫米磁带） ， 30 K /盒
每13"卷轴TR / 10 K， 30 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
功耗
Z-电流
测试条件
T
L
≤
25 °C
符号
P
合计
I
Z
价值
500
P
合计
/V
Z
单位
mW
mA
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结温
存储温度范围
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
300
175
- 65 + 175
单位
K / W
°C
°C
热阻结到环境空气L = 4毫米，T
L
=常数
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 200毫安
符号
V
F
民
典型值。
最大
1.1
单位
V
1
1N5221B到1N5267B
威世半导体
电气特性
1N5221B...1N5267B
部分号码
额定齐纳
电压
1)
测试电流
最大
动态
阻抗
1)
Z
ZT
在我
ZT
Ω
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
最大
动态
阻抗
Z
ZK
在我
ZK
=
0.25毫安
Ω
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
典型
温度
Coeffizient
在我
ZT
α
(%/K)
- 0.085
- 0.085
- 0.080
- 0.080
- 0.075
- 0.070
- 0.065
- 0.060
+ 0.055
+ 0.030
+ 0.030
+ 0.038
+ 0.038
+ 0.045
+ 0.050
+ 0.058
+ 0.062
+ 0.065
+ 0.068
+ 0.075
+ 0.076
+ 0.077
+ 0.079
+ 0.082
+ 0.082
+ 0.083
+ 0.084
+ 0.085
+ 0.086
+ 0.086
+ 0.087
+ 0.088
+ 0.089
+ 0.090
+ 0.091
+ 0.091
+ 0.092
+ 0.093
+ 0.094
+ 0.095
+ 0.095
+ 0.096
+ 0.096
+ 0.097
最大反向漏
当前
I
R
A
100
100
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
3.5
4
5
6
6.5
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
在我
ZT
, V
Z
V
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
2.4
2.5
2.7
2.8
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9
8.5
7.8
7.4
7
6.6
6.2
5.6
5.2
5
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3
2.7
2.5
2.2
2.1
2
1N5221B到1N5267B
威世半导体
Z
THP
- 脉冲电导率热阻。 （ KW ）
1000
t
P
/T = 0.5
100
t
P
/T = 0.2
单脉冲
10
t
P
/T = 0.1
t
P
/T = 0.02
i
ZM
= (- V
Z
+ (V
Z2
+ 4r
zj
x深/ Z
THP
)
1/2
)/(2r
zj
)
10
0
10
1
t
P
- 脉冲宽度（毫秒）
10
2
t
P
/T = 0.01
t
P
/T = 0.05
1
10
-1
95 9603
R
thJA
= 300°K / W的
T = T
JMAX
- T
AMB
图11.热响应
包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO35
阴极鉴定
0.55最大。 （ 0.022 ）
1.7 (0.067)
1.5 (0.059)
26分钟。 （ 1.024 ）
3.9最大。 （ 0.154 ）
26分钟。 （ 1.024 ）
5
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1N5251D
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1N5252A
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