【威伦硅Z-二极管特点DDDDPlannar模具构建适应和支持500mW的功耗非常适合于自动装配程序V】,IC型号1N5250B,1N5250B PDF资料,1N5250B经销商,ic,电子元器件-51电子网

威伦

硅Z-二极管

特点

D

Plannar模具构建适应和支持

500mW的功耗

非常适合于自动装配程序

V

Z

*公差

±

5%

1N5221B

THRU

1N5267B

单位：英寸（毫米）

DO-35

.022(0.55)

.018(0.45)

1.02(26.0)

分钟。

.153(3.6)

.132(3.0)

应用

电压稳定

.087(2.2)

.067(1.7)

1.02(26.0)

分钟。

机械数据

约。重量：

0.136克

绝对最大额定值

T

j

= 25

_

C

参数

功耗

Z-电流

结温

存储温度范围

测试条件

T

amb=25

°

C

TYPE

符号

P

合计

I

Z

T

j

T

英镑

价值

500

P

V

/V

Z

175

–65...+175

单位

mW

mA

°

C

°

C

最大热阻

T

j

= 25

_

C

参数

交界处的环境

测试条件

L = 9.5毫米（ 3/8“ ），T

L

=常数

符号

R

thJA

价值

300

单位

K / W

电气特性

T

j

= 25

_

C

参数

正向电压

测试条件

I

F

=200mA

TYPE

符号

V

F

民

典型值

最大

1.1

单位

V

2010.06

遗嘱电子股份有限公司。

威伦

500毫瓦齐纳二极管

额定齐纳电压

产品型号

NOM 。 V

1N5221B

1N5222B

1N5223B

1N5224B

1N5225B

1N5226B

1N5227B

1N5228B

1N5229B

1N5230B

1N5231B

1N5232B

1N5233B

1N5234B

1N5235B

1N5236B

1N5237B

1N5238B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

1N5250B

1N5251B

1N5252B

1N5253B

1N5254B

1N5255B

1N5256B

1N5257B

1N5258B

1N5259B

1N5260B

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10.0

11.0

12.0

13.0

14.0

15.0

16.0

17.0

18.0

19.0

20.0

22.0

24.0

25.0

27.0

28.0

30.0

33.0

36.0

39.0

43.0

1N5221B THRU 1N5267B

马克斯。齐纳阻抗

Z

ZT

@ I

ZT

Z

ZK

@ I

ZK

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

700

800

900

最大反向

漏电流

I

R

@ V

R

μA

100

75

50

25

15

10

5.0

3.0

2.0

1.0

0.5

0.1

TK

V

Z

V

Z

@ I

ZT

分钟。 V

2.28

2.38

2.57

2.66

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

4.85

5.32

5.70

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

13.30

14.25

15.20

16.15

17.10

18.05

19.00

20.90

22.80

23.75

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

记号

CODE

最大。 V

2.52

2.63

2.84

2.94

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

16.80

17.85

18.90

19.95

21.00

23.10

25.20

26.25

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

29

33

35

41

44

49

58

70

80

93

mA

20.0

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

mA

0.25

V

1.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.0

8.0

8.4

9.1

9.9

10.0

11.0

12.0

13.0

14.0

15.0

17.0

18.0

19.0

21.0

23.0

25.0

27.0

30.0

33.0

%/K

< -0.085

< -0.080

< -0.075

< -0.070

< -0.065

< -0.060

<+0.050

<+0.030

<+0.038

<+0.045

<+0.050

<+0.058

<+0.062

<+0.065

<+0.068

<+0.075

<+0.076

<+0.077

<+0.079

<+0.082

<+0.083

<+0.084

<+0.085

<+0.086

<+0.087

<+0.088

<+0.089

<+0.090

<+0.091

<+0.092

<+0.093

<+0.094

<+0.095

1N5221B

1N5222B

1N5223B

1N5224B

1N5225B

1N5226B

1N5227B

1N5228B

1N5229B

1N5230B

1N5231B

1N5232B

1N5233B

1N5234B

1N5235B

1N5236B

1N5237B

1N5238B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

1N5250B

1N5251B

1N5252B

1N5253B

1N5254B

1N5255B

1N5256B

1N5257B

1N5258B

1N5259B

1N5260B

2010.08

遗嘱电子股份有限公司。

威伦

500毫瓦齐纳二极管

额定齐纳电压

产品型号

NOM 。 V

1N5261B

1N5262B

1N5263B

1N5264B

1N5265B

1N5266B

1N5267B

47.0

51.0

56.0

60.0

62.0

68.0

75.0

1N5221B THRU 1N5267B

马克斯。齐纳阻抗

Z

ZT

@ I

ZT

Z

ZK

@ I

ZK

1000

1100

1300

1400

1600

1700

最大反向

漏电流

I

R

@ V

R

μA

0.1

TK

V

Z

V

Z

@ I

ZT

分钟。 V

44.65

48.45

53.20

57.00

58.90

64.60

71.25

记号

CODE

最大。 V

49.35

53.55

58.80

63.00

65.10

71.40

78.75

150

125

150

170

185

230

270

mA

2.7

2.5

2.2

2.1

2.0

1.8

1.7

mA

0.25

V

36.0

39.0

43.0

46.0

47.0

52.0

56.0

%/K

<+0.095

<+0.096

<+0.097

<+0.098

1N5261B

1N5262B

1N5263B

1N5264B

1N5265B

1N5266B

1N5267B

1)

基于直流测量的热平衡;导线长度= 9.5毫米（ 3/8“ ） ;散热器= 30K / W的热阻

额定值和特性曲线

功耗毫瓦

500

400

300

200

100

0

50

100

150

200

O

250

环境温度，C

图。 1功率降额曲线

Vz的（V）的

IZ （毫安）

50

40

30

20

10

0

5

10

15

20

25

30

测试电流

IZ = 20mA下

24

20

15

12

11

9.1

6.8

6.2

5.6

5.1

4.7

4.3

3.9

2.7

图2击穿特性

2010.08

遗嘱电子股份有限公司。

1N5223B通过1N5258B

硅外延平面稳压二极管的稳压

REJ03G1222-0300

（上一个： ADE- 208-137B ）

Rev.3.00

2005年8月22日

特点

玻璃封装DO- 35结构确保高可靠性。

从2.7 V至齐纳电压36 V宽范围提供灵活的应用。

订购信息

型号

1N5223B通过

1N5258B

阴极带

黑

标志

型号

包名称

DO-35

封装代码

（以前的代码）

GRZZ0002ZB-A

(DO-35)

管脚配置

1

型号

阴极带

2

1.阴极

2.阳极

Rev.3.00 2005年8月22日第1页5

1N5223B通过1N5258B

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

功耗

浪涌功耗

焊接温度

结温

储存温度

符号

Pd

钯（浪涌） *

2

T

L

*

TJ *

TSTG

3

1

评级

500

10

230

200

-65到+200

单位

mW

W

°C

注意事项： 1，非经常性的方波， PW = 8.3毫秒， TJ = 55 ° C， TJ是暴涨之前。

比16"分之1 2.少从10秒的情况下。

3.由标准印刷电路板，参见图2 。

电气特性

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

TEST

条件

型号

1N5223B

1N5224B

1N5225B

1N5226B

1N5227B

1N5228B

1N5229B

1N5230B

1N5231B

1N5232B

1N5233B

1N5234B

1N5235B

1N5236B

1N5237B

1N5238B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

1N5250B

V

Z

(V)

2.7 ± 5 (%)

2.8 ± 5 (%)

3.0 ± 5 (%)

3.3 ± 5 (%)

3.6 ± 5 (%)

3.9 ± 5 (%)

4.3 ± 5 (%)

4.7 ± 5 (%)

5.1 ± 5 (%)

5.6 ± 5 (%)

6.0 ± 5 (%)

6.2 ± 5 (%)

6.8 ± 5 (%)

7.5 ± 5 (%)

8.2 ± 5 (%)

8.7 ± 5 (%)

9.1 ± 5 (%)

10 ± 5 (%)

11 ± 5 (%)

12 ± 5 (%)

13 ± 5 (%)

14 ± 5 (%)

15 ± 5 (%)

16 ± 5 (%)

17 ± 5 (%)

18 ± 5 (%)

19 ± 5 (%)

20 ± 5 (%)

I

Z

（MA ）

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

反向电流

I

R

(A)

最大

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

TEST

条件

V

R

(V)

1.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.5

8.0

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

Z

ZT

()

最大

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

动态电阻

TEST

条件

I

ZT

（MA ）

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

Z

ZK

()

最大

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

TEST

条件

I

ZK

（MA ）

0.25

γ

Z

(%/°C) *

1

最大

–0.08

–0.075

–0.07

–0.065

–0.06

±0.055

±0.03

+0.038

+0.045

+0.05

+0.058

+0.062

+0.065

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.084

+0.085

+0.086

V

F

*

2

(V)

最大

1.1

注：1. 1N5223 1N5242到：我

Z

= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我

Z

= I

Z,

TA = 25 ° C至125°C

2.测试用DC，我

F

= 200毫安

Rev.3.00 2005年8月22日第2页5

1N5223B通过1N5258B

电气特性

（续）

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

TEST

条件

型号

1N5251B

1N5252B

1N5253B

1N5254B

1N5255B

1N5256B

1N5257B

1N5258B

V

Z

(V)

22 ± 5 (%)

24 ± 5 (%)

25 ± 5 (%)

27 ± 5 (%)

28 ± 5 (%)

30 ± 5 (%)

33 ± 5 (%)

36 ± 5 (%)

I

Z

（MA ）

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

反向电流

I

R

(A)

最大

0.1

TEST

条件

V

R

(V)

17

18

19

21

23

25

27

Z

ZT

()

最大

29

33

35

41

44

49

58

70

动态电阻

TEST

条件

I

ZT

（MA ）

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

Z

ZK

()

最大

600

700

TEST

条件

I

ZK

（MA ）

0.25

γ

Z

(%/°C) *

1

最大

+0.087

+0.088

+0.089

+0.090

+0.091

+0.092

+0.093

V

F

*

2

(V)

最大

1.1

注：1. 1N5223 1N5242到：我

Z

= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我

Z

= I

Z,

TA = 25 ° C至125°C

2.测试用DC，我

F

= 200毫安

Rev.3.00 2005年8月22日第3页5

1N5223B通过1N5258B

主要特点

1N5225B

1N5227B

1N5229B

1N5231B

1N5233B

1N5235B

1N5237B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

25

1N525

20

齐纳电流I

Z

（MA ）

1N5250B

15

1N5223B

1N52

56 B

57B

1N52

B

1N5252

B

54 B

55B

3B

1N5251

1N52

5

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

1N 5

258

10

B

40

齐纳电压V

Z

(V)

图1齐纳电流与齐纳电压

500

功耗，Pd （MW ）

400

300

200

5mm

2.5mm

100

3mm

0

印刷电路板

100

×

180

×

1.6吨毫米

材质：酚醛纸

50

100

150

200

环境温度Ta （C ）

图2功耗与环境温度

Rev.3.00 2005年8月22日第4

1N5223B通过1N5258B

包装尺寸

JEITA封装代码

SC-40

瑞萨代码

GRZZ0002ZB-A

以前的代码

DO- 35 / DO- 35V

质量[典型值]

0.13g

L

E

L

φb

φD

参考

尺寸以毫米为单位

符号

φb

φD

E

L

民

-

26.0

喃

0.5

2.0

-

最大

-

4.2

-

Rev.3.00 2005年8月22日第5

1N5223B通过1N5258B

硅外延平面稳压二极管的稳压

REJ03G1222-0300

（上一个： ADE- 208-137B ）

Rev.3.00

2005年8月22日

特点

玻璃封装DO- 35结构确保高可靠性。

从2.7 V至齐纳电压36 V宽范围提供灵活的应用。

订购信息

型号

1N5223B通过

1N5258B

阴极带

黑

标志

型号

包名称

DO-35

封装代码

（以前的代码）

GRZZ0002ZB-A

(DO-35)

管脚配置

1

型号

阴极带

2

1.阴极

2.阳极

Rev.3.00 2005年8月22日第1页5

1N5223B通过1N5258B

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

功耗

浪涌功耗

焊接温度

结温

储存温度

符号

Pd

钯（浪涌） *

2

T

L

*

TJ *

TSTG

3

1

评级

500

10

230

200

-65到+200

单位

mW

W

°C

注意事项： 1，非经常性的方波， PW = 8.3毫秒， TJ = 55 ° C， TJ是暴涨之前。

比16"分之1 2.少从10秒的情况下。

3.由标准印刷电路板，参见图2 。

电气特性

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

TEST

条件

型号

1N5223B

1N5224B

1N5225B

1N5226B

1N5227B

1N5228B

1N5229B

1N5230B

1N5231B

1N5232B

1N5233B

1N5234B

1N5235B

1N5236B

1N5237B

1N5238B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

1N5250B

V

Z

(V)

2.7 ± 5 (%)

2.8 ± 5 (%)

3.0 ± 5 (%)

3.3 ± 5 (%)

3.6 ± 5 (%)

3.9 ± 5 (%)

4.3 ± 5 (%)

4.7 ± 5 (%)

5.1 ± 5 (%)

5.6 ± 5 (%)

6.0 ± 5 (%)

6.2 ± 5 (%)

6.8 ± 5 (%)

7.5 ± 5 (%)

8.2 ± 5 (%)

8.7 ± 5 (%)

9.1 ± 5 (%)

10 ± 5 (%)

11 ± 5 (%)

12 ± 5 (%)

13 ± 5 (%)

14 ± 5 (%)

15 ± 5 (%)

16 ± 5 (%)

17 ± 5 (%)

18 ± 5 (%)

19 ± 5 (%)

20 ± 5 (%)

I

Z

（MA ）

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

反向电流

I

R

(A)

最大

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

TEST

条件

V

R

(V)

1.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.5

8.0

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

Z

ZT

()

最大

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

动态电阻

TEST

条件

I

ZT

（MA ）

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

Z

ZK

()

最大

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

TEST

条件

I

ZK

（MA ）

0.25

γ

Z

(%/°C) *

1

最大

–0.08

–0.075

–0.07

–0.065

–0.06

±0.055

±0.03

+0.038

+0.045

+0.05

+0.058

+0.062

+0.065

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.084

+0.085

+0.086

V

F

*

2

(V)

最大

1.1

注：1. 1N5223 1N5242到：我

Z

= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我

Z

= I

Z,

TA = 25 ° C至125°C

2.测试用DC，我

F

= 200毫安

Rev.3.00 2005年8月22日第2页5

1N5223B通过1N5258B

电气特性

（续）

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

TEST

条件

型号

1N5251B

1N5252B

1N5253B

1N5254B

1N5255B

1N5256B

1N5257B

1N5258B

V

Z

(V)

22 ± 5 (%)

24 ± 5 (%)

25 ± 5 (%)

27 ± 5 (%)

28 ± 5 (%)

30 ± 5 (%)

33 ± 5 (%)

36 ± 5 (%)

I

Z

（MA ）

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

反向电流

I

R

(A)

最大

0.1

TEST

条件

V

R

(V)

17

18

19

21

23

25

27

Z

ZT

()

最大

29

33

35

41

44

49

58

70

动态电阻

TEST

条件

I

ZT

（MA ）

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

Z

ZK

()

最大

600

700

TEST

条件

I

ZK

（MA ）

0.25

γ

Z

(%/°C) *

1

最大

+0.087

+0.088

+0.089

+0.090

+0.091

+0.092

+0.093

V

F

*

2

(V)

最大

1.1

注：1. 1N5223 1N5242到：我

Z

= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我

Z

= I

Z,

TA = 25 ° C至125°C

2.测试用DC，我

F

= 200毫安

Rev.3.00 2005年8月22日第3页5

1N5223B通过1N5258B

主要特点

1N5225B

1N5227B

1N5229B

1N5231B

1N5233B

1N5235B

1N5237B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

25

1N525

20

齐纳电流I

Z

（MA ）

1N5250B

15

1N5223B

1N52

56 B

57B

1N52

B

1N5252

B

54 B

55B

3B

1N5251

1N52

5

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

1N 5

258

10

B

40

齐纳电压V

Z

(V)

图1齐纳电流与齐纳电压

500

功耗，Pd （MW ）

400

300

200

5mm

2.5mm

100

3mm

0

印刷电路板

100

×

180

×

1.6吨毫米

材质：酚醛纸

50

100

150

200

环境温度Ta （C ）

图2功耗与环境温度

Rev.3.00 2005年8月22日第4

1N5223B通过1N5258B

包装尺寸

JEITA封装代码

SC-40

瑞萨代码

GRZZ0002ZB-A

以前的代码

DO- 35 / DO- 35V

质量[典型值]

0.13g

L

E

L

φb

φD

参考

尺寸以毫米为单位

符号

φb

φD

E

L

民

-

26.0

喃

0.5

2.0

-

最大

-

4.2

-

Rev.3.00 2005年8月22日第5

1N5223B通过1N5258B

硅外延平面稳压二极管的稳压

REJ03G1222-0300

（上一个： ADE- 208-137B ）

Rev.3.00

2005年8月22日

特点

玻璃封装DO- 35结构确保高可靠性。

从2.7 V至齐纳电压36 V宽范围提供灵活的应用。

订购信息

型号

1N5223B通过

1N5258B

阴极带

黑

标志

型号

包名称

DO-35

封装代码

（以前的代码）

GRZZ0002ZB-A

(DO-35)

管脚配置

1

型号

阴极带

2

1.阴极

2.阳极

Rev.3.00 2005年8月22日第1页5

1N5223B通过1N5258B

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

功耗

浪涌功耗

焊接温度

结温

储存温度

符号

Pd

钯（浪涌） *

2

T

L

*

TJ *

TSTG

3

1

评级

500

10

230

200

-65到+200

单位

mW

W

°C

注意事项： 1，非经常性的方波， PW = 8.3毫秒， TJ = 55 ° C， TJ是暴涨之前。

比16"分之1 2.少从10秒的情况下。

3.由标准印刷电路板，参见图2 。

电气特性

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

TEST

条件

型号

1N5223B

1N5224B

1N5225B

1N5226B

1N5227B

1N5228B

1N5229B

1N5230B

1N5231B

1N5232B

1N5233B

1N5234B

1N5235B

1N5236B

1N5237B

1N5238B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

1N5250B

V

Z

(V)

2.7 ± 5 (%)

2.8 ± 5 (%)

3.0 ± 5 (%)

3.3 ± 5 (%)

3.6 ± 5 (%)

3.9 ± 5 (%)

4.3 ± 5 (%)

4.7 ± 5 (%)

5.1 ± 5 (%)

5.6 ± 5 (%)

6.0 ± 5 (%)

6.2 ± 5 (%)

6.8 ± 5 (%)

7.5 ± 5 (%)

8.2 ± 5 (%)

8.7 ± 5 (%)

9.1 ± 5 (%)

10 ± 5 (%)

11 ± 5 (%)

12 ± 5 (%)

13 ± 5 (%)

14 ± 5 (%)

15 ± 5 (%)

16 ± 5 (%)

17 ± 5 (%)

18 ± 5 (%)

19 ± 5 (%)

20 ± 5 (%)

I

Z

（MA ）

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

反向电流

I

R

(A)

最大

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

TEST

条件

V

R

(V)

1.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.5

8.0

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

Z

ZT

()

最大

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

动态电阻

TEST

条件

I

ZT

（MA ）

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

Z

ZK

()

最大

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

TEST

条件

I

ZK

（MA ）

0.25

γ

Z

(%/°C) *

1

最大

–0.08

–0.075

–0.07

–0.065

–0.06

±0.055

±0.03

+0.038

+0.045

+0.05

+0.058

+0.062

+0.065

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.084

+0.085

+0.086

V

F

*

2

(V)

最大

1.1

注：1. 1N5223 1N5242到：我

Z

= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我

Z

= I

Z,

TA = 25 ° C至125°C

2.测试用DC，我

F

= 200毫安

Rev.3.00 2005年8月22日第2页5

1N5223B通过1N5258B

电气特性

（续）

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

TEST

条件

型号

1N5251B

1N5252B

1N5253B

1N5254B

1N5255B

1N5256B

1N5257B

1N5258B

V

Z

(V)

22 ± 5 (%)

24 ± 5 (%)

25 ± 5 (%)

27 ± 5 (%)

28 ± 5 (%)

30 ± 5 (%)

33 ± 5 (%)

36 ± 5 (%)

I

Z

（MA ）

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

反向电流

I

R

(A)

最大

0.1

TEST

条件

V

R

(V)

17

18

19

21

23

25

27

Z

ZT

()

最大

29

33

35

41

44

49

58

70

动态电阻

TEST

条件

I

ZT

（MA ）

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

Z

ZK

()

最大

600

700

TEST

条件

I

ZK

（MA ）

0.25

γ

Z

(%/°C) *

1

最大

+0.087

+0.088

+0.089

+0.090

+0.091

+0.092

+0.093

V

F

*

2

(V)

最大

1.1

注：1. 1N5223 1N5242到：我

Z

= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我

Z

= I

Z,

TA = 25 ° C至125°C

2.测试用DC，我

F

= 200毫安

Rev.3.00 2005年8月22日第3页5

1N5223B通过1N5258B

主要特点

1N5225B

1N5227B

1N5229B

1N5231B

1N5233B

1N5235B

1N5237B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

25

1N525

20

齐纳电流I

Z

（MA ）

1N5250B

15

1N5223B

1N52

56 B

57B

1N52

B

1N5252

B

54 B

55B

3B

1N5251

1N52

5

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

1N 5

258

10

B

40

齐纳电压V

Z

(V)

图1齐纳电流与齐纳电压

500

功耗，Pd （MW ）

400

300

200

5mm

2.5mm

100

3mm

0

印刷电路板

100

×

180

×

1.6吨毫米

材质：酚醛纸

50

100

150

200

环境温度Ta （C ）

图2功耗与环境温度

Rev.3.00 2005年8月22日第4

1N5223B通过1N5258B

包装尺寸

JEITA封装代码

SC-40

瑞萨代码

GRZZ0002ZB-A

以前的代码

DO- 35 / DO- 35V

质量[典型值]

0.13g

L

E

L

φb

φD

参考

尺寸以毫米为单位

符号

φb

φD

E

L

民

-

26.0

喃

0.5

2.0

-

最大

-

4.2

-

Rev.3.00 2005年8月22日第5

1N5223B通过1N5258B

硅外延平面稳压二极管的稳压

REJ03G1222-0300

（上一个： ADE- 208-137B ）

Rev.3.00

2005年8月22日

特点

玻璃封装DO- 35结构确保高可靠性。

从2.7 V至齐纳电压36 V宽范围提供灵活的应用。

订购信息

型号

1N5223B通过

1N5258B

阴极带

黑

标志

型号

包名称

DO-35

封装代码

（以前的代码）

GRZZ0002ZB-A

(DO-35)

管脚配置

1

型号

阴极带

2

1.阴极

2.阳极

Rev.3.00 2005年8月22日第1页5

1N5223B通过1N5258B

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

功耗

浪涌功耗

焊接温度

结温

储存温度

符号

Pd

钯（浪涌） *

2

T

L

*

TJ *

TSTG

3

1

评级

500

10

230

200

-65到+200

单位

mW

W

°C

注意事项： 1，非经常性的方波， PW = 8.3毫秒， TJ = 55 ° C， TJ是暴涨之前。

比16"分之1 2.少从10秒的情况下。

3.由标准印刷电路板，参见图2 。

电气特性

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

TEST

条件

型号

1N5223B

1N5224B

1N5225B

1N5226B

1N5227B

1N5228B

1N5229B

1N5230B

1N5231B

1N5232B

1N5233B

1N5234B

1N5235B

1N5236B

1N5237B

1N5238B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

1N5250B

V

Z

(V)

2.7 ± 5 (%)

2.8 ± 5 (%)

3.0 ± 5 (%)

3.3 ± 5 (%)

3.6 ± 5 (%)

3.9 ± 5 (%)

4.3 ± 5 (%)

4.7 ± 5 (%)

5.1 ± 5 (%)

5.6 ± 5 (%)

6.0 ± 5 (%)

6.2 ± 5 (%)

6.8 ± 5 (%)

7.5 ± 5 (%)

8.2 ± 5 (%)

8.7 ± 5 (%)

9.1 ± 5 (%)

10 ± 5 (%)

11 ± 5 (%)

12 ± 5 (%)

13 ± 5 (%)

14 ± 5 (%)

15 ± 5 (%)

16 ± 5 (%)

17 ± 5 (%)

18 ± 5 (%)

19 ± 5 (%)

20 ± 5 (%)

I

Z

（MA ）

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

反向电流

I

R

(A)

最大

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

TEST

条件

V

R

(V)

1.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.5

8.0

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

Z

ZT

()

最大

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

动态电阻

TEST

条件

I

ZT

（MA ）

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

Z

ZK

()

最大

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

TEST

条件

I

ZK

（MA ）

0.25

γ

Z

(%/°C) *

1

最大

–0.08

–0.075

–0.07

–0.065

–0.06

±0.055

±0.03

+0.038

+0.045

+0.05

+0.058

+0.062

+0.065

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.084

+0.085

+0.086

V

F

*

2

(V)

最大

1.1

注：1. 1N5223 1N5242到：我

Z

= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我

Z

= I

Z,

TA = 25 ° C至125°C

2.测试用DC，我

F

= 200毫安

Rev.3.00 2005年8月22日第2页5

1N5223B通过1N5258B

电气特性

（续）

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

TEST

条件

型号

1N5251B

1N5252B

1N5253B

1N5254B

1N5255B

1N5256B

1N5257B

1N5258B

V

Z

(V)

22 ± 5 (%)

24 ± 5 (%)

25 ± 5 (%)

27 ± 5 (%)

28 ± 5 (%)

30 ± 5 (%)

33 ± 5 (%)

36 ± 5 (%)

I

Z

（MA ）

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

反向电流

I

R

(A)

最大

0.1

TEST

条件

V

R

(V)

17

18

19

21

23

25

27

Z

ZT

()

最大

29

33

35

41

44

49

58

70

动态电阻

TEST

条件

I

ZT

（MA ）

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

Z

ZK

()

最大

600

700

TEST

条件

I

ZK

（MA ）

0.25

γ

Z

(%/°C) *

1

最大

+0.087

+0.088

+0.089

+0.090

+0.091

+0.092

+0.093

V

F

*

2

(V)

最大

1.1

注：1. 1N5223 1N5242到：我

Z

= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我

Z

= I

Z,

TA = 25 ° C至125°C

2.测试用DC，我

F

= 200毫安

Rev.3.00 2005年8月22日第3页5

1N5223B通过1N5258B

主要特点

1N5225B

1N5227B

1N5229B

1N5231B

1N5233B

1N5235B

1N5237B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

25

1N525

20

齐纳电流I

Z

（MA ）

1N5250B

15

1N5223B

1N52

56 B

57B

1N52

B

1N5252

B

54 B

55B

3B

1N5251

1N52

5

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

1N 5

258

10

B

40

齐纳电压V

Z

(V)

图1齐纳电流与齐纳电压

500

功耗，Pd （MW ）

400

300

200

5mm

2.5mm

100

3mm

0

印刷电路板

100

×

180

×

1.6吨毫米

材质：酚醛纸

50

100

150

200

环境温度Ta （C ）

图2功耗与环境温度

Rev.3.00 2005年8月22日第4

1N5223B通过1N5258B

包装尺寸

JEITA封装代码

SC-40

瑞萨代码

GRZZ0002ZB-A

以前的代码

DO- 35 / DO- 35V

质量[典型值]

0.13g

L

E

L

φb

φD

参考

尺寸以毫米为单位

符号

φb

φD

E

L

民

-

26.0

喃

0.5

2.0

-

最大

-

4.2

-

Rev.3.00 2005年8月22日第5

1N5221B THRU 1N5267B

500mW的外延稳压二极管

特点

。标准齐纳电压容差为20 ％。添加后缀"A" 10 ％

宽容和后缀"B" 5 ％的容差其他宽容，不

标准和要求更高的击穿电压。

DO-35

Φ

0.5 ±

0.1

机械数据

.

极性

：颜色频带端为负极

.

重量

：约。 0.13克

Φ

1.8 ±

尺寸：mm

绝对最大额定值（极限值）

(T

A

=25℃ )

符号

齐纳电流见表"Characteristics"

在T功耗

A

=75℃

结温

存储温度范围

P

合计

T

J

T

英镑

26 ± 1

3.8 ± 0.2

0.2

.

例

： DO - 35玻璃柜

26 ± 1

价值

单位

mW

500

1)

175

-65到+ 200

℃

1）有效的规定，在从壳体的距离为8mm被保持在环境温度

电气特性

（ TA = 25℃）

符号

热阻结到环境

正向电压

在我

F

=200mA

R

THA

V

F

分钟。

典型值。

马克斯。

0.3

1)

1.1

单位

K

/ MW

V

1）有效的规定，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度

1N5221B THRU 1N5267B

500mW的外延稳压二极管

电气特性

TYPE

数

喃（ V）

1N5221B

1N5222B

1N5223B

1N5224B

1N5225B

1N5226B

1N5227B

1N5228B

1N5229B

1N5230B

1N5231B

1N5232B

1N5233B

1N5234B

1N5235B

1N5236B

1N5237B

1N5238B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

1N5250B

1N5251B

1N5252B

1N5253B

1N5254B

1N5255B

1N5256B

1N5257B

1N5258B

1N5259B

1N5260B

1N5261B

1N5262B

1N5263B

1N5264B

1N5265B

1N5266B

1N5267B

注意事项：

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

22

24

25

27

28

30

33

36

39

43

47

51

56

60

62

68

75

@ T

A

= 25

除非另有规定

TEST

当前

I

ZT

MAX（ V）

2.52

2.63

2.84

2.94

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

16.80

17.85

18.90

19.95

21.00

23.10

25.20

26.25

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

49.35

53.55

58.80

63.00

65.10

71.40

78.75

mA

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

2.7

2.5

2.2

2.1

2.0

1.8

1.7

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7.0

5.0

6.0

8.0

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

29

33

35

41

44

49

58

70

80

93

105

125

150

170

185

230

270

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

700

800

900

1000

1100

1300

1400

1600

1700

最大齐纳

阻抗

Z

ZT

@ I

ZT

Z

ZK

@ I

ZK

=

0.25mA

最大反向

当前

I

R

A

100

75

50

25

15

10

5.0

3.0

2.0

1.0

0.5

0.1

@V

R

V

1.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.0

8.0

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

17

18

19

21

23

25

27

30

33

36

39

43

46

47

52

56

最大

温度

系数

@ I

ZT

%/ C

-0.085

-0.080

-0.075

-0.070

-0.065

-0.060

+0.055

+0.030

+0.038

+0.045

+0.050

+0.058

+0.062

+0.065

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.084

+0.085

+0.086

+0.087

+0.089

+0.090

+0.091

+0.092

+0.093

+0.094

+0.095

+0.096

+0.097

+0.098

齐纳电压范围

（注2 ）

V

Z

@ I

ZT

敏（ V）

2.28

2.38

2.57

2.66

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

4.85

5.32

5.70

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

13.30

14.25

15.20

16.15

17.10

18.05

19.00

20.90

22.80

23.75

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

44.65

48.45

53.20

57.00

58.90

64.60

71.25

2.基于DC测量的热平衡;导线长度= 9.5毫米（ 3/8“ ） ;散热器的热阻= 30℃ / W 。

1N5221B THRU 1N5267B

收视率和特性曲线

击穿特性

50

IZ ，测试电流， MILLIAMPERS

mA

5

10

15

20

25

30

V

40

30

测试电流

Iz=20mA

20

10

0

P

TOT ，

功耗毫瓦

1N5224

1N5242

1N5241

1N5245

1N5250

1N5252

1N5228

1N5235

1N5234

1N5232

1N5231

1N5230

1N5229

受理的功耗与环境温度

在从情况下的距离为10mm有效条件是引线被保持在环境温度

500

400

300

200

100

0

1N5239

0

VZ ，齐纳电压，电压

50

100

150

200

250

环境温度，C

1N5221B到1N5267B

威世半导体

小信号齐纳二极管

特点

硅平面功率齐纳二极管

标准齐纳电压容差为± 5 ％

e2

这些二极管也是迷你型可

MELF情况与型号标识

TZM5221 ... TZM5267 ， SOT23壳体与类型

名称MMBZ5225 ... MMBZ5267和

SOD123情况下与指定类型

MMSZ5225 ... MMSZ5267

铅（Pb） -free组件

按照RoHS组件

2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC

94 9367

应用

电压稳定

机械数据

案例：

DO35玻璃案例

重量：

约。 125毫克

阴极带颜色：

黑

包装代码/选项：

每Ammopack TAP / 10千（52毫米磁带）， 30 K /盒

每13"卷轴TR / 10 K， 30 K /盒

绝对最大额定值

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

功耗

Z-电流

测试条件

T

L

≤

25 °C

符号

P

合计

I

Z

价值

500

P

合计

/V

Z

单位

mW

mA

热特性

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

结温

存储温度范围

测试条件

符号

R

thJA

T

j

T

英镑

价值

300

175

- 65 + 175

单位

K / W

°C

热阻结到环境空气L = 4毫米，T

L

=常数

电气特性

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

正向电压

测试条件

I

F

= 200毫安

符号

V

F

民

典型值。

最大

1.1

单位

V

文档编号85588

修订版1.7 ， 23 -MAR -07

www.vishay.com

1

1N5221B到1N5267B

威世半导体

电气特性

1N5221B...1N5267B

部分号码

额定齐纳

电压

1)

测试电流

最大

动态

阻抗

1)

Z

ZT

在我

ZT

Ω

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

29

33

35

41

44

49

58

70

80

93

105

125

150

170

最大

动态

阻抗

Z

ZK

在我

ZK

=

0.25毫安

Ω

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

700

800

900

1000

1100

1300

1400

典型

温度

Coeffizient

在我

ZT

α

(%/K)

- 0.085

- 0.080

- 0.075

- 0.070

- 0.065

- 0.060

+ 0.055

+ 0.030

+ 0.038

+ 0.045

+ 0.050

+ 0.058

+ 0.062

+ 0.065

+ 0.068

+ 0.075

+ 0.076

+ 0.077

+ 0.079

+ 0.082

+ 0.083

+ 0.084

+ 0.085

+ 0.086

+ 0.087

+ 0.088

+ 0.089

+ 0.090

+ 0.091

+ 0.092

+ 0.093

+ 0.094

+ 0.095

+ 0.096

+ 0.097

最大反向漏

当前

I

R

A

100

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

V

R

V

1

2

3

3.5

4

5

6

6.5

7

8

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

17

18

19

21

23

25

27

30

33

36

39

43

46

在我

ZT

, V

Z

V

1N5221B

1N5222B

1N5223B

1N5224B

1N5225B

1N5226B

1N5227B

1N5228B

1N5229B

1N5230B

1N5231B

1N5232B

1N5233B

1N5234B

1N5235B

1N5236B

1N5237B

1N5238B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

1N5250B

1N5251B

1N5252B

1N5253B

1N5254B

1N5255B

1N5256B

1N5257B

1N5258B

1N5259B

1N5260B

1N5261B

1N5262B

1N5263B

1N5264B

2.4

2.5

2.7

2.8

3

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

22

24

25

27

28

30

33

36

39

43

47

51

56

60

I

ZT

mA

20

9.5

9

8.5

7.8

7.4

7

6.6

6.2

5.6

5.2

5

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3

2.7

2.5

2.2

2.1

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2

文档编号85588

修订版1.7 ， 23 -MAR -07

1N5221B到1N5267B

威世半导体

部分号码

额定齐纳

电压

1)

测试电流

最大

动态

阻抗

1)

Z

ZT

在我

ZT

Ω

185

230

270

最大

动态

阻抗

Z

ZK

在我

ZK

=

0.25毫安

Ω

1400

1600

1700

典型

温度

Coeffizient

在我

ZT

α

(%/K)

+ 0.097

+ 0.098

最大反向漏

当前

I

R

A

0.1

V

R

V

47

52

56

在我

ZT

, V

Z

V

1N5265B

1N5266B

1N5267B

1)

I

ZT

mA

2

1.8

1.7

62

68

75

基于直流测量的热平衡;导线长度= 9.5 （ 3/8 " ） ;散热器热阻= 30 K / W

典型特征

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

R

thJA

- 千卡。抗拒。交界处的环境（K / W）

V

ZTN

- 相对

电压

变化

500

400

300

l

200

100

T

L

=常数

0

5

10

15

20

95 9611

1.3

V

ZTN

=

V

Zt

/V

Z

(25 °C)

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

- 60

95 9599

TK

VZ

= 10 x 10

-4

/K

8

x 10

-4

/K

6 x 10

-4

/K

4 x 10

-4

/K

2 x 10

-4

/K

l

0

- 2 x 10

-4

/K

- 4 x 10

-4

/K

0

60

120

180

240

我 - 引线长度（mm ）

T

j

- 结温（ ° C）

图1.热敏电阻与导线长度

工作电压与图3.典型的变化

结温

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

1000

V

Z

-

电压

CHANGE （MV ）

600

500

400

300

200

100

0

T

j

= 25 °C

100

I

Z

= 5毫安

10

1

0

95 9598

5

10

15

20

25

40

80

120

160

200

V

Z

- z - 电压（V）

95 9602

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

工作电压下运行图2.典型的变化

在T条件

AMB

= 25 °C

图4.总功率耗散与环境温度

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3

1N5221B到1N5267B

威世半导体

TK

VZ

- 温度系数

V

Z

(10

-4

/K)

15

100

80

I

Z

- Z-电流（mA ）

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C

10

60

40

20

0

5

I

Z

= 5毫安

0

-5

0

95 9600

10

20

40

30

V

Z

- z - 电压（V）

50

0

95 9604

4

6

8

12

20

V

Z

- z - 电压（V）

Vz的图5.温度系数与Z-电压

图8. Z-电流与Z-电压

200

C

D

- 二极管电容（pF ）

50

40

30

20

10

0

15

95 9607

150

V

R

= 2

V

T

j

= 25 °C

100

50

0

95 9601

5

10

15

20

25

I

Z

- Z-电流（mA ）

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C

20

25

30

35

V

Z

- z - 电压（V）

V

Z

- z - 电压（V）

图6.二极管电容与Z-电压

图9. Z-电流与Z-电压

10

T

j

= 25 °C

r

Z

- 微分Z-电阻（Ω ）

100

1000

I

F

- 正向电流（mA ）

I

Z

= 1毫安

100

5毫安

1

0.1

0.01

0.001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

10

10毫安

1

TJ = 25 C

0

95 9606

5

10

15

20

25

95 9605

V

F

- 前进

电压

(V)

V

Z

- z - 电压（V）

图7.正向电流与正向电压

图10.差分Z-电阻与Z-电压

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4

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修订版1.7 ， 23 -MAR -07

1N5221B到1N5267B

威世半导体

Z

THP

- 脉冲电导率热阻。（ KW ）

1000

t

P

/T = 0.5

100

t

P

/T = 0.2

单脉冲

10

t

P

/T = 0.1

t

P

/T = 0.02

i

ZM

= (- V

Z

+ (V

Z2

+ 4r

zj

x深/ Z

THP

)

1/2

)/(2r

zj

)

10

0

10

1

t

P

- 脉冲宽度（毫秒）

10

2

t

P

/T = 0.01

t

P

/T = 0.05

1

10

-1

95 9603

R

thJA

= 300°K / W的

T = T

JMAX

- T

AMB

图11.热响应

包装尺寸

以毫米（英寸）：

DO35

阴极鉴定

0.55最大。（ 0.022 ）

启示录6 - 日期： 2007年29月

文件编号： 6.560-5004.02-4

94 9366

文档编号85588

修订版1.7 ， 23 -MAR -07

1.7 (0.067)

1.5 (0.059)

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5

26分钟。（ 1.024 ）

3.9最大。（ 0.154 ）

26分钟。（ 1.024 ）

1N5223B通过1N5258B

硅外延平面稳压二极管的稳压

REJ03G1222-0300

（上一个： ADE- 208-137B ）

Rev.3.00

2005年8月22日

特点

玻璃封装DO- 35结构确保高可靠性。

从2.7 V至齐纳电压36 V宽范围提供灵活的应用。

订购信息

型号

1N5223B通过

1N5258B

阴极带

黑

标志

型号

包名称

DO-35

封装代码

（以前的代码）

GRZZ0002ZB-A

(DO-35)

管脚配置

1

型号

阴极带

2

1.阴极

2.阳极

Rev.3.00 2005年8月22日第1页5

1N5223B通过1N5258B

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

功耗

浪涌功耗

焊接温度

结温

储存温度

符号

Pd

钯（浪涌） *

2

T

L

*

TJ *

TSTG

3

1

评级

500

10

230

200

-65到+200

单位

mW

W

°C

注意事项： 1，非经常性的方波， PW = 8.3毫秒， TJ = 55 ° C， TJ是暴涨之前。

比16"分之1 2.少从10秒的情况下。

3.由标准印刷电路板，参见图2 。

电气特性

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

TEST

条件

型号

1N5223B

1N5224B

1N5225B

1N5226B

1N5227B

1N5228B

1N5229B

1N5230B

1N5231B

1N5232B

1N5233B

1N5234B

1N5235B

1N5236B

1N5237B

1N5238B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

1N5250B

V

Z

(V)

2.7 ± 5 (%)

2.8 ± 5 (%)

3.0 ± 5 (%)

3.3 ± 5 (%)

3.6 ± 5 (%)

3.9 ± 5 (%)

4.3 ± 5 (%)

4.7 ± 5 (%)

5.1 ± 5 (%)

5.6 ± 5 (%)

6.0 ± 5 (%)

6.2 ± 5 (%)

6.8 ± 5 (%)

7.5 ± 5 (%)

8.2 ± 5 (%)

8.7 ± 5 (%)

9.1 ± 5 (%)

10 ± 5 (%)

11 ± 5 (%)

12 ± 5 (%)

13 ± 5 (%)

14 ± 5 (%)

15 ± 5 (%)

16 ± 5 (%)

17 ± 5 (%)

18 ± 5 (%)

19 ± 5 (%)

20 ± 5 (%)

I

Z

（MA ）

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

反向电流

I

R

(A)

最大

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

TEST

条件

V

R

(V)

1.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.5

8.0

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

Z

ZT

()

最大

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

动态电阻

TEST

条件

I

ZT

（MA ）

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

Z

ZK

()

最大

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

TEST

条件

I

ZK

（MA ）

0.25

γ

Z

(%/°C) *

1

最大

–0.08

–0.075

–0.07

–0.065

–0.06

±0.055

±0.03

+0.038

+0.045

+0.05

+0.058

+0.062

+0.065

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.084

+0.085

+0.086

V

F

*

2

(V)

最大

1.1

注：1. 1N5223 1N5242到：我

Z

= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我

Z

= I

Z,

TA = 25 ° C至125°C

2.测试用DC，我

F

= 200毫安

Rev.3.00 2005年8月22日第2页5

1N5223B通过1N5258B

电气特性

（续）

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

TEST

条件

型号

1N5251B

1N5252B

1N5253B

1N5254B

1N5255B

1N5256B

1N5257B

1N5258B

V

Z

(V)

22 ± 5 (%)

24 ± 5 (%)

25 ± 5 (%)

27 ± 5 (%)

28 ± 5 (%)

30 ± 5 (%)

33 ± 5 (%)

36 ± 5 (%)

I

Z

（MA ）

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

反向电流

I

R

(A)

最大

0.1

TEST

条件

V

R

(V)

17

18

19

21

23

25

27

Z

ZT

()

最大

29

33

35

41

44

49

58

70

动态电阻

TEST

条件

I

ZT

（MA ）

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

Z

ZK

()

最大

600

700

TEST

条件

I

ZK

（MA ）

0.25

γ

Z

(%/°C) *

1

最大

+0.087

+0.088

+0.089

+0.090

+0.091

+0.092

+0.093

V

F

*

2

(V)

最大

1.1

注：1. 1N5223 1N5242到：我

Z

= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我

Z

= I

Z,

TA = 25 ° C至125°C

2.测试用DC，我

F

= 200毫安

Rev.3.00 2005年8月22日第3页5

1N5223B通过1N5258B

主要特点

1N5225B

1N5227B

1N5229B

1N5231B

1N5233B

1N5235B

1N5237B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

25

1N525

20

齐纳电流I

Z

（MA ）

1N5250B

15

1N5223B

1N52

56 B

57B

1N52

B

1N5252

B

54 B

55B

3B

1N5251

1N52

5

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

1N 5

258

10

B

40

齐纳电压V

Z

(V)

图1齐纳电流与齐纳电压

500

功耗，Pd （MW ）

400

300

200

5mm

2.5mm

100

3mm

0

印刷电路板

100

×

180

×

1.6吨毫米

材质：酚醛纸

50

100

150

200

环境温度Ta （C ）

图2功耗与环境温度

Rev.3.00 2005年8月22日第4

1N5223B通过1N5258B

包装尺寸

JEITA封装代码

SC-40

瑞萨代码

GRZZ0002ZB-A

以前的代码

DO- 35 / DO- 35V

质量[典型值]

0.13g

L

E

L

φb

φD

参考

尺寸以毫米为单位

符号

φb

φD

E

L

民

-

26.0

喃

0.5

2.0

-

最大

-

4.2

-

Rev.3.00 2005年8月22日第5

乐山无线电公司， LTD 。

1N52

1N52系列齐纳二极管

1N52系列

齐纳二极管

1N5221B通过1N5272B电气特性

(T

A

= 25℃ ），除非另有noted.Based上直流测量在热equillibrium ;引线长度= 3 /8“ ;的热的耐热性

沉= 30 °C / W V

FMAX

= 1.1V @我

F

= 200毫安所有类型（T

A

= 25°C

V

FMAX

= 1.1V @我

F

=200mA

)

TYPE

公称

齐纳

电压

VZ @ L

ZT

伏

最大齐纳阻抗

TEST

只有A和B Sufflx

当前

I

ZT

Z

ZK

@I

ZK

Z

ZT

@I

ZT

mA

= 0.25毫安

欧

最大反向

漏电流

I

R

A

V

R

伏

B

最大齐纳Voltege

温度COFF

（只有A AMD Bsuffix ）

VZ（％/ ℃）

包

尺寸

1N5221B

1N5222B

1N5223B

1N5224B

1N5225B

1N5226B

1N5227B

1N5228B

1N5229B

1N5230B

1N5231B

1N5232B

1N5233B

1N5234B

1N5235B

1N5236B

1N5237B

1N5238B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

1N5250B

1N5251B

1N5252B

1N5253B

1N5254B

1N5255B

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

22

24

25

27

28

20

Φ

0.5 ± 0.1

20

Φ

1.8 ± 0.2

20

3.0

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

600

2.0

1.0

0.5

0.1

DO-35

(mm)

600

0.1

600

0.1

注： V

Z

示值的中心值与公差代号

如下：

后缀B： V

Z

± 5%

后缀为C： V

Z

± 2%

后缀D： V

Z

± 1%

Vz

B

C

D

Vz

29 ± 1

3.8 ± 0.2

20

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7.0

5.0

6.0

8.0

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

29

33

35

41

44

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

100

75

50

25

15

10

5.0

3.0

1.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.0

8.0

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

17

18

19

21

-0.085

-0.08

-0.075

-0.07

-0.065

-0.06

±0.055

±0.03

+0.038

+0.045

+0.05

+0.058

+0.062

+0.065

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.084

+0.085

+0.086

+0.087

+0.088

+0.089

+0.090

+0.091

29 ± 1

± 5%

± 2%

± 1%

2B–1/2

乐山无线电公司， LTD 。

1N52

1N52系列齐纳二极管

1N5221B通过1N5272B电气特性

(T

A

= 25℃ ），除非另有noted.Based上直流测量在热equillibrium ;引线长度= 3 /8“ ;的热的耐热性

沉= 30 °C / W V

FMAX

= 1.1V @我

F

= 200毫安所有类型（T

A

= 25°C

V

FMAX

= 1.1V @我

F

=200mA

)

TYPE

公称

齐纳

电压

VZ @ L

ZT

伏

最大齐纳阻抗

TEST

只有A和B Sufflx

当前

I

ZT

Z

ZK

@I

ZK

Z

ZT

@I

ZT

mA

= 0.25毫安

欧

最大反向

漏电流

I

R

A

V

R

伏

B

最大齐纳Voltege

温度COFF

（只有A AMD Bsuffix ）

VZ（％/ ℃）

包

尺寸

1N5256B

1N5257B

1N5258B

1N5259B

1N5260B

1N5261B

1N5262B

1N5263B

1N5264B

1N5265B

1N5266B

1N5267B

1N5268B

1N5269B

1N5270B

1N5271B

1N5272B

30

33

36

39

43

47

51

56

60

62

68

75

82

87

91

100

110

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

2.7

2.5

2.2

2.1

2.0

1.8

1.7

1.5

1.4

1.3

1.1

49

58

70

80

93

105

125

150

170

185

230

270

330

370

400

500

750

600

700

800

900

1000

1100

1300

1400

1600

1700

2000

2200

2300

2600

3000

0.1

Φ

1.8 ± 0.2

0.1

DO-35

(mm)

0.1

注： V

Z

示值的中心值与公差代号

如下：

后缀B： V

Z

± 5%

后缀为C： V

Z

± 2%

后缀D： V

Z

± 1%

Vz

B

C

D

Vz

29 ± 1

3.8 ± 0.2

29 ± 1

0.1

23

25

27

30

33

36

39

43

46

47

52

56

62

68

69

76

84

+0.091

+0.092

+0.093

+0.094

+0.095

+0.096

+0.097

+0.098

+0.099

+0.110

Φ

0.5 ± 0.1

± 5%

± 2%

± 1%

2B–2/2

1N5223B通过1N5258B

硅外延平面稳压二极管的稳压

REJ03G1222-0300

（上一个： ADE- 208-137B ）

Rev.3.00

2005年8月22日

特点

玻璃封装DO- 35结构确保高可靠性。

从2.7 V至齐纳电压36 V宽范围提供灵活的应用。

订购信息

型号

1N5223B通过

1N5258B

阴极带

黑

标志

型号

包名称

DO-35

封装代码

（以前的代码）

GRZZ0002ZB-A

(DO-35)

管脚配置

1

型号

阴极带

2

1.阴极

2.阳极

Rev.3.00 2005年8月22日第1页5

1N5223B通过1N5258B

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

功耗

浪涌功耗

焊接温度

结温

储存温度

符号

Pd

钯（浪涌） *

2

T

L

*

TJ *

TSTG

3

1

评级

500

10

230

200

-65到+200

单位

mW

W

°C

注意事项： 1，非经常性的方波， PW = 8.3毫秒， TJ = 55 ° C， TJ是暴涨之前。

比16"分之1 2.少从10秒的情况下。

3.由标准印刷电路板，参见图2 。

电气特性

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

TEST

条件

型号

1N5223B

1N5224B

1N5225B

1N5226B

1N5227B

1N5228B

1N5229B

1N5230B

1N5231B

1N5232B

1N5233B

1N5234B

1N5235B

1N5236B

1N5237B

1N5238B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

1N5250B

V

Z

(V)

2.7 ± 5 (%)

2.8 ± 5 (%)

3.0 ± 5 (%)

3.3 ± 5 (%)

3.6 ± 5 (%)

3.9 ± 5 (%)

4.3 ± 5 (%)

4.7 ± 5 (%)

5.1 ± 5 (%)

5.6 ± 5 (%)

6.0 ± 5 (%)

6.2 ± 5 (%)

6.8 ± 5 (%)

7.5 ± 5 (%)

8.2 ± 5 (%)

8.7 ± 5 (%)

9.1 ± 5 (%)

10 ± 5 (%)

11 ± 5 (%)

12 ± 5 (%)

13 ± 5 (%)

14 ± 5 (%)

15 ± 5 (%)

16 ± 5 (%)

17 ± 5 (%)

18 ± 5 (%)

19 ± 5 (%)

20 ± 5 (%)

I

Z

（MA ）

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

反向电流

I

R

(A)

最大

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

TEST

条件

V

R

(V)

1.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.5

8.0

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

Z

ZT

()

最大

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

动态电阻

TEST

条件

I

ZT

（MA ）

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

Z

ZK

()

最大

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

TEST

条件

I

ZK

（MA ）

0.25

γ

Z

(%/°C) *

1

最大

–0.08

–0.075

–0.07

–0.065

–0.06

±0.055

±0.03

+0.038

+0.045

+0.05

+0.058

+0.062

+0.065

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.084

+0.085

+0.086

V

F

*

2

(V)

最大

1.1

注：1. 1N5223 1N5242到：我

Z

= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我

Z

= I

Z,

TA = 25 ° C至125°C

2.测试用DC，我

F

= 200毫安

Rev.3.00 2005年8月22日第2页5

1N5223B通过1N5258B

电气特性

（续）

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

TEST

条件

型号

1N5251B

1N5252B

1N5253B

1N5254B

1N5255B

1N5256B

1N5257B

1N5258B

V

Z

(V)

22 ± 5 (%)

24 ± 5 (%)

25 ± 5 (%)

27 ± 5 (%)

28 ± 5 (%)

30 ± 5 (%)

33 ± 5 (%)

36 ± 5 (%)

I

Z

（MA ）

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

反向电流

I

R

(A)

最大

0.1

TEST

条件

V

R

(V)

17

18

19

21

23

25

27

Z

ZT

()

最大

29

33

35

41

44

49

58

70

动态电阻

TEST

条件

I

ZT

（MA ）

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

Z

ZK

()

最大

600

700

TEST

条件

I

ZK

（MA ）

0.25

γ

Z

(%/°C) *

1

最大

+0.087

+0.088

+0.089

+0.090

+0.091

+0.092

+0.093

V

F

*

2

(V)

最大

1.1

注：1. 1N5223 1N5242到：我

Z

= 7.5毫安， 1N5243 1N5258到我

Z

= I

Z,

TA = 25 ° C至125°C

2.测试用DC，我

F

= 200毫安

Rev.3.00 2005年8月22日第3页5

1N5223B通过1N5258B

主要特点

1N5225B

1N5227B

1N5229B

1N5231B

1N5233B

1N5235B

1N5237B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

25

1N525

20

齐纳电流I

Z

（MA ）

1N5250B

15

1N5223B

1N52

56 B

57B

1N52

B

1N5252

B

54 B

55B

3B

1N5251

1N52

5

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

1N 5

258

10

B

40

齐纳电压V

Z

(V)

图1齐纳电流与齐纳电压

500

功耗，Pd （MW ）

400

300

200

5mm

2.5mm

100

3mm

0

印刷电路板

100

×

180

×

1.6吨毫米

材质：酚醛纸

50

100

150

200

环境温度Ta （C ）

图2功耗与环境温度

Rev.3.00 2005年8月22日第4

1N5223B通过1N5258B

包装尺寸

JEITA封装代码

SC-40

瑞萨代码

GRZZ0002ZB-A

以前的代码

DO- 35 / DO- 35V

质量[典型值]

0.13g

L

E

L

φb

φD

参考

尺寸以毫米为单位

符号

φb

φD

E

L

民

-

26.0

喃

0.5

2.0

-

最大

-

4.2

-

Rev.3.00 2005年8月22日第5