【乐山无线电公司， LTD 。1N521N52系列齐纳二极管1N52系列齐纳二极管1N5221B通过1】,IC型号1N5248C,1N5248C PDF资料,1N5248C经销商,ic,电子元器件-51电子网

乐山无线电公司， LTD 。

1N52

1N52系列齐纳二极管

1N52系列

齐纳二极管

1N5221B通过1N5272B电气特性

(T

A

= 25℃ ），除非另有noted.Based上直流测量在热equillibrium ;引线长度= 3 /8“ ;的热的耐热性

沉= 30 °C / W V

FMAX

= 1.1V @我

F

= 200毫安所有类型（T

A

= 25°C

V

FMAX

= 1.1V @我

F

=200mA

)

TYPE

公称

齐纳

电压

VZ @ L

ZT

伏

最大齐纳阻抗

TEST

只有A和B Sufflx

当前

I

ZT

Z

ZK

@I

ZK

Z

ZT

@I

ZT

mA

= 0.25毫安

欧

最大反向

漏电流

I

R

A

V

R

伏

B

最大齐纳Voltege

温度COFF

（只有A AMD Bsuffix ）

VZ（％/ ℃）

包

尺寸

1N5221B

1N5222B

1N5223B

1N5224B

1N5225B

1N5226B

1N5227B

1N5228B

1N5229B

1N5230B

1N5231B

1N5232B

1N5233B

1N5234B

1N5235B

1N5236B

1N5237B

1N5238B

1N5239B

1N5240B

1N5241B

1N5242B

1N5243B

1N5244B

1N5245B

1N5246B

1N5247B

1N5248B

1N5249B

1N5250B

1N5251B

1N5252B

1N5253B

1N5254B

1N5255B

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

22

24

25

27

28

20

Φ

0.5 ± 0.1

20

Φ

1.8 ± 0.2

20

3.0

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

600

2.0

1.0

0.5

0.1

DO-35

(mm)

600

0.1

600

0.1

注： V

Z

示值的中心值与公差代号

如下：

后缀B： V

Z

± 5%

后缀为C： V

Z

± 2%

后缀D： V

Z

± 1%

Vz

B

C

D

Vz

29 ± 1

3.8 ± 0.2

20

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7.0

5.0

6.0

8.0

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

29

33

35

41

44

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

100

75

50

25

15

10

5.0

3.0

1.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.0

8.0

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

17

18

19

21

-0.085

-0.08

-0.075

-0.07

-0.065

-0.06

±0.055

±0.03

+0.038

+0.045

+0.05

+0.058

+0.062

+0.065

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.084

+0.085

+0.086

+0.087

+0.088

+0.089

+0.090

+0.091

29 ± 1

± 5%

± 2%

± 1%

2B–1/2

乐山无线电公司， LTD 。

1N52

1N52系列齐纳二极管

1N5221B通过1N5272B电气特性

(T

A

= 25℃ ），除非另有noted.Based上直流测量在热equillibrium ;引线长度= 3 /8“ ;的热的耐热性

沉= 30 °C / W V

FMAX

= 1.1V @我

F

= 200毫安所有类型（T

A

= 25°C

V

FMAX

= 1.1V @我

F

=200mA

)

TYPE

公称

齐纳

电压

VZ @ L

ZT

伏

最大齐纳阻抗

TEST

只有A和B Sufflx

当前

I

ZT

Z

ZK

@I

ZK

Z

ZT

@I

ZT

mA

= 0.25毫安

欧

最大反向

漏电流

I

R

A

V

R

伏

B

最大齐纳Voltege

温度COFF

（只有A AMD Bsuffix ）

VZ（％/ ℃）

包

尺寸

1N5256B

1N5257B

1N5258B

1N5259B

1N5260B

1N5261B

1N5262B

1N5263B

1N5264B

1N5265B

1N5266B

1N5267B

1N5268B

1N5269B

1N5270B

1N5271B

1N5272B

30

33

36

39

43

47

51

56

60

62

68

75

82

87

91

100

110

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

2.7

2.5

2.2

2.1

2.0

1.8

1.7

1.5

1.4

1.3

1.1

49

58

70

80

93

105

125

150

170

185

230

270

330

370

400

500

750

600

700

800

900

1000

1100

1300

1400

1600

1700

2000

2200

2300

2600

3000

0.1

Φ

1.8 ± 0.2

0.1

DO-35

(mm)

0.1

注： V

Z

示值的中心值与公差代号

如下：

后缀B： V

Z

± 5%

后缀为C： V

Z

± 2%

后缀D： V

Z

± 1%

Vz

B

C

D

Vz

29 ± 1

3.8 ± 0.2

29 ± 1

0.1

23

25

27

30

33

36

39

43

46

47

52

56

62

68

69

76

84

+0.091

+0.092

+0.093

+0.094

+0.095

+0.096

+0.097

+0.098

+0.099

+0.110

Φ

0.5 ± 0.1

± 5%

± 2%

± 1%

2B–2/2

1N5221直通1N5281B ， e3中的DO -35

500毫瓦玻璃轴向引线

齐纳二极管

斯科茨代尔区划

描述

流行1N5221通1N5281B系列0.5瓦特齐纳稳压器

提供了从2.4到200伏特的标准5 ％或10％的公差为选择

以及确定不同的型号不同的后缀字母更严格的公差。

这些玻璃轴向引线DO -35齐纳二极管也是各种军事可用

通过如在特征描述添加前缀标识符筛选水平

部分。 Microsemi的还提供了许多其他稳压产品，以满足更高的

和低功率的应用。

重要提示：

有关最新资料，请咨询

Microsemi的

网址：

http://www.microsemi.com

外形

WWW .

Microsemi的

.C

OM

DO-35

(DO-204AH

)

特点

JEDEC注册1N5221到1N5281B

可选配内置债券“-1 ”后缀

按照MIL- PRF-筛选选项

19500为JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS是

可通过加入MQ ，MX， MV，或MSP前缀

分别零件号为“ 1”的后缀。

表面贴装可作为MLL5221以等值

MLL5281B在DO- 213AA MELF风格的包

其中“ -1 ”后缀选项（咨询工厂等）

可通过添加“ E3 ”后缀符合RoHS设备

DO- 7的玻璃体轴向引线齐纳同等学力

可用的

应用/优势

调节电压在很宽的工作电流

和温度范围

丰富的选择，从2.4到200 V

标准电压容差的正/负5 ％

与B后缀， 10 ％带有后缀标识

可在正负2 ％的容差或

分别为1 ％，与C或D后缀

灵活的轴向引线安装端子

不敏感的静电放电（ MIL - STD- 750方法1020 ）

最小电容（参见图2）

天生辐射每MicroNote 050硬

最大额定值

25功耗

C： 0.5瓦特（参见降额

在图1）。

操作和储存温度： -65

C至+175

C

热电阻： 250

C / W交界处领导在3/8

（10毫米）的车身引线长度，或310

C / W结到

周围安装在FR4印刷电路板时（ 1盎司铜）

为4 mm

2

铜焊盘和轨道宽度为1毫米，长

25 mm

稳定状态功率： 0.5瓦特在T

L

＆ LT ; 50

o

3/8英寸

从主体（10毫米）或在T 0.48 W

A

＆ LT ; 25

C下

安装在FR4印刷电路板所描述的热

上方阻力（参见图1 ）

正向电压@ 200毫安： 1.5伏特（最大值）

焊接温度： 260

下进行10秒（最大）

最大齐纳阻抗

一& B后缀只有

注2

Z

ZT

@ I

ZK

欧

30

29

28

24

23

22

19

Z

ZK

@ I

ZK

= 0.25

mA

欧

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

机械及包装

案例：全密封轴向引线玻璃DO-

35 （DO- 204AH ）包

表面处理：锡铅或符合RoHS退火

每MIL -STD -750雾锡镀焊，

方法2026

极性：负极由乐队表示。二极管

可与带状端与正操作

相对于相对的端部为齐纳调节

标记：部件号

TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加

“ TR ”后缀的部件号）

重量： 0.2克

请参阅最后一页的封装尺寸

1N5221-1N5281B ， e3中的DO -35

电气特性@ 25°C

最大反向电流

A， B，C & 只有后缀

I

R

μA

@

A

100

75

50

25

15

10

5.0

50

0.95

1.9

V

R

伏

B，C &

1.0

2.0

非后缀

I

R

@ V

R

二手

为后缀

μA

200

150

100

75

50

JEDEC

型号

注1

公称

齐纳

电压

V

Z

@ I

ZT

伏

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

TEST

当前

I

ZT

mA

20

最大齐纳

电压温度。

COEFF 。

（A & B后缀

只）

α

VZ

(% /

o

C)

注3

-0.085

-0.080

-0.075

-0.070

-0.065

-0.060

+/-0.055

+/-0.030

1N5221

1N5222

1N5223

1N5224

1N5225

1N5226

1N5227

1N5228

1N5229

1N5230

版权

2005

2005年8月9日修订版D

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第1页

1N5221直通1N5281B ， e3中的DO -35

500毫瓦玻璃轴向引线

齐纳二极管

斯科茨代尔区划

JEDEC

型号

注1

公称

齐纳

电压

V

Z

@ I

ZT

伏

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

22

24

25

27

28

30

33

36

39

43

47

51

56

60

62

68

75

82

87

91

100

110

120

130

140

150

160

170

180

190

200

TEST

当前

I

ZT

mA

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

2.7

2.5

2.2

2.1

2.0

1.8

1.7

1.5

1.4

1.3

1.1

1.0

0.95

0.90

0.85

0.80

0.74

0.68

0.66

0.65

最大齐纳阻抗

一& B后缀只有

注2

Z

ZT

@ I

ZK

欧

17

11

7.0

5.0

6.0

8.0

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

29

33

35

41

44

49

58

70

80

93

105

125

150

170

185

230

270

330

370

400

500

750

900

1100

1300

1500

1700

1900

2200

2400

2500

Z

ZK

@ I

ZK

= 0.25

mA

欧

1600

1000

750

500

600

700

800

900

1000

1100

1300

1400

1600

1700

2000

2200

2300

2600

3000

4000

4500

5000

5500

6000

6500

7000

最大反向电流

A， B，C & 只有后缀

I

R

μA

@

A

5.0

3.0

2.0

1.0

0.5

0.1

1.9

2.9

3.3

3.8

4.8

5.7

6.2

6.7

7.6

8.0

8.7

9.4

9.5

10.5

11.4

12.4

13.3

14.3

16.2

17.1

18.1

20

22

24

26

29

31

34

37

41

44

45

49

53

59

65

66

72

80

86

94

101

108

116

123

130

137

144

V

R

伏

B，C &

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.0

8.0

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

17

18

19

21

23

25

27

30

33

36

39

43

46

47

52

56

62

68

69

76

84

91

99

106

114

122

129

137

144

152

非后缀

I

R

@ V

R

二手

为后缀

μA

50

30

10

1N5231

1N5232

1N5233

1N5234

1N5235

1N5236

1N5237

1N5238

1N5239

1N5240

1N5241

1N5242

1N5243

1N5244

1N5245

1N5246

1N5247

1N5248

1N5249

1N5250

1N5251

1N5252

1N5253

1N5254

1N5255

1N5256

1N5257

1N5258

1N5259

1N5260

1N5261

1N5262

1N5263

1N5264

1N5265

1N5266

1N5267

1N5268

1N5269

1N5270

1N5271

1N5272

1N5273

1N5274

1N5275

1N5276

1N5277

1N5278

1N5279

1N5280

1N5281

最大齐纳

电压温度。

COEFF 。

（A & B后缀

只）

α

VZ

(% /

o

C)

注3

+/-0.030

+0.038

+0.045

+0.050

+0.058

+0.062

+0.065

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.084

+0.085

+0.086

+0.087

+0.088

+0.089

+0.090

+0.091

+0.092

+0.093

+0.094

+0.095

+0.096

+0.097

+0.098

+0.099

+0.110

WWW .

Microsemi的

.C

OM

1N5221-1N5281B ， e3中的DO -35

* JEDEC注册的数据。上市JEDEC型数字表示的+/- 20 ％的公差带仅V保障范围

Z

, I

R

和V

F

。与设备

在所有六个参数保证的限制由后缀A表示为±5 ％的容差+/- 10 ％的容差和后缀B 。也可与后缀

或D表示分别为2％和1 ％的容差。

注意事项：

1.电气特性允许设备安装有一个3/8“ （ 10mm）的最小时20秒稳定后测定

从案件的引线长度。

2.

齐纳阻抗是从60赫兹的交流电压导致具有有效值等于直流稳压的10％的交流电流时，来自

电流（I

ZT

还是我

ZK

）被叠加在我

ZT

还是我

ZK

。齐纳阻抗的测量是在两个点，以保证击穿曲线上的尖锐膝，

从而消除了不稳定的单位。也见MicroNote 202为变化具有不同的工作电流的动态阻抗。

3.温度系数（ α

VZ

）。是测试条件为温度系数，如下所示：

o

一。我

ZT

= 7.5毫安，T

1

= 25℃ ，T

2

= 125℃ （ 1N5221A ，B通1N5242A ， B）。

o

B 。我

ZT

=额定我

ZT

, T

1

= 25℃ ，T

2

= 125℃ （ 1N5243A ，B通1N5281A ， B）。

（设备进行温度稳定的与当前读出的击穿电压在规定的环境温度之前施加。）

版权

2005

2005年8月9日修订版D

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第2页

1N5221直通1N5281B ， e3中的DO -35

500毫瓦玻璃轴向引线

齐纳二极管

斯科茨代尔区划

图的

WWW .

Microsemi的

.C

OM

钯，额定功耗（MW ）

T

L

焊接温度为3/8 “从身体

或T

A

在FR4 PC板

图1

功率降额曲线

图2

电容与齐纳电压

（典型值）

包装尺寸

1N5221-1N5281B ， e3中的DO -35

以英寸所有尺寸

mm

版权

2005

2005年8月9日修订版D

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

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