齐纳二极管（ 1N5221B - 1N5279B ）
齐纳二极管
1N5221B - 1N5279B
绝对最大额定值*
符号
P
D
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
参数
功耗
减免上述75℃
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10
秒）
价值
500
4.0
-65到+200
+ 200
+ 230
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
**
非经常性方波PW = 8.3毫秒， TA = 50 ℃。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
设备
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235BT
1N5236BT
1N5237BT
1N5238BT
1N5239BT
1N5240BT
1N5241BT
1N5242BT
1N5243BT
1N5244BT
1N5245BT
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
(V)
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
()
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
13
15
16
Z
Z
@
I
Z
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
Z
ZK
()
1,200
1,250
1,300
1,400
1,600
1,600
1,700
1,900
2,000
1,900
1,600
1,600
1,600
1,000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
@
I
ZK
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
(A)
100
100
75
75
50
25
15
10
5.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
@
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
(%/°C)
°
- 0.085
- 0.085
- 0.080
- 0.080
- 0.075
- 0.07
- 0.065
- 0.06
+/- 0.055
+/- 0.03
+/- 0.03
0.038
0.038
0.045
0.05
0.058
0.062
0.065
0.068
0.075
0.076
0.077
0.079
0.080
0.082
T
C
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N5221B - 1N5279B英文内容
齐纳二极管（ 1N5221B - 1N5279B ）
齐纳二极管（ 1N5221B - 1N5279B ）
（续）
电气特性
（续）
设备
1N5246BT
1N5247BT
1N5248BT
1N5249BT
1N5250BT
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
(V)
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
85
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
()
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
500
750
900
1100
1300
1500
1700
1900
2200
Z
Z
@
I
Z
（MA ）
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.90
0.85
0.80
0.74
0.68
Z
ZK
()
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
2600
3000
4000
4500
4500
5000
5500
5500
6000
@
I
ZK
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
V
R
(V)
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
76
84
91
99
106
114
122
129
137
@
(A)
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
(%/°C)
°
0.083
0.084
0.085
0.085
0.086
0.087
0.088
0.088
0.089
0.090
0.091
0.092
0.093
0.094
0.095
0.095
0.096
0.096
0.097
0.097
0.097
0.098
0.098
0.099
0.099
0.099
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
T
C
V
F
正向电压= 1.2 V最大。 @我
F
= 200毫安
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N5221B - 1N5279B英文内容
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
I3版本
齐纳二极管（ 1N5221B - 1N5279B ）
齐纳二极管
1N5221B - 1N5279B
绝对最大额定值*
符号
P
D
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
参数
功耗
减免上述75℃
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10
秒）
价值
500
4.0
-65到+200
+ 200
+ 230
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
**
非经常性方波PW = 8.3毫秒， TA = 50 ℃。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
设备
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235BT
1N5236BT
1N5237BT
1N5238BT
1N5239BT
1N5240BT
1N5241BT
1N5242BT
1N5243BT
1N5244BT
1N5245BT
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
(V)
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
()
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
13
15
16
Z
Z
@
I
Z
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
Z
ZK
()
1,200
1,250
1,300
1,400
1,600
1,600
1,700
1,900
2,000
1,900
1,600
1,600
1,600
1,000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
@
I
ZK
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
(A)
100
100
75
75
50
25
15
10
5.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
@
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
(%/°C)
°
- 0.085
- 0.085
- 0.080
- 0.080
- 0.075
- 0.07
- 0.065
- 0.06
+/- 0.055
+/- 0.03
+/- 0.03
0.038
0.038
0.045
0.05
0.058
0.062
0.065
0.068
0.075
0.076
0.077
0.079
0.080
0.082
T
C
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N5221B - 1N5279B英文内容
齐纳二极管（ 1N5221B - 1N5279B ）
齐纳二极管（ 1N5221B - 1N5279B ）
（续）
电气特性
（续）
设备
1N5246BT
1N5247BT
1N5248BT
1N5249BT
1N5250BT
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
(V)
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
85
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
()
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
500
750
900
1100
1300
1500
1700
1900
2200
Z
Z
@
I
Z
（MA ）
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.90
0.85
0.80
0.74
0.68
Z
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R
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(A)
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I
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(%/°C)
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0.083
0.084
0.085
0.085
0.086
0.087
0.088
0.088
0.089
0.090
0.091
0.092
0.093
0.094
0.095
0.095
0.096
0.096
0.097
0.097
0.097
0.098
0.098
0.099
0.099
0.099
0.11
0.11
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0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
T
C
V
F
正向电压= 1.2 V最大。 @我
F
= 200毫安
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N5221B - 1N5279B英文内容
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
I3版本
QQ：2881677436 复制
