1N5221B到1N5267B
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威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
标准齐纳电压容差为± 5 ％
这些二极管还可以MiniMELF
案件的类型名称TZM5221到
TZM5267 SOT- 23的情况下与式
名称MMBZ5225到MMBZ5267和
SOD- 123案件的类型名称
MMSZ5225到MMSZ5267
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
单位
V
mA
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 75
1.7 20
热平衡
单身
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
应用
电压稳定
订购信息
设备名称
1N5221B到1N5267B
1N5221B到1N5267B
订购代码
1N5221B到1N5267B系列-TR
1N5221B到1N5267B系列-TAP
每卷胶带单位
每13"卷轴10000
10 000元ammopack
（52毫米磁带）
最小起订量
30 000 /盒
30 000 /盒
包
包名称
DO-35
重量
125毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
齐纳电流
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
正向电压（最大）
I
F
= 200毫安
I = 4毫米，T
L
=常数
测试条件
T
L
25 °C
符号
P
合计
I
Z
R
thJA
T
j
T
英镑
V
F
价值
500
P
合计
/V
Z
300
175
- 65 + 175
1.1
单位
mW
mA
K / W
°C
°C
V
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威世半导体
反向
泄漏
当前
I
R
在V
R
μA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
马克斯。
100
100
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
3.5
4
5
6
6.5
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
马克斯。
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
V
Z
在我
ZT1
V
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
喃。
2.4
2.5
2.7
2.8
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9
8.5
7.8
7.4
7
6.6
6.2
5.6
5.2
5
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3
2.7
2.5
2.2
2.1
2
1.8
1.7
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
动态电阻
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1 （1）
马克斯。
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
Z
ZK
在我
ZT2
温度
系数
VZ
%/K
典型值。
- 0.085
- 0.085
- 0.08
- 0.08
- 0.075
- 0.07
- 0.065
- 0.06
0.055
0.03
0.03
0.038
0.038
0.045
0.05
0.058
0.062
0.065
0.068
0.075
0.076
0.077
0.079
0.082
0.082
0.083
0.084
0.085
0.086
0.086
0.087
0.088
0.089
0.09
0.091
0.091
0.092
0.093
0.094
0.095
0.095
0.096
0.096
0.097
0.097
0.097
0.098
记
(1)
基于在热平衡的直流测量;导线长度= 9.5 （ 8"分之3 ） ;散热器热阻= 30 K / W
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
R
thJA
- 千卡。抗拒。交界处的环境（K / W）
500
400
300
l
200
100
T
L
=常数
0
0
5
10
15
20
95 9611
威世半导体
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
600
500
400
300
200
100
0
0
80
120
160 200
40
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
l
我 - 引线长度（mm ）
95 9602
图。 1 -
热敏电阻与导线长度
图。 4 -
总功率耗散与环境温度
1000
15
T
j
= 25 °C
100
TK
VZ
- 温度系数
of
V
Z
(10
-4
/K)
V
Z
-
电压
CHANGE （MV ）
10
5
I
Z
= 5毫安
0
I
Z
= 5毫安
10
1
0
95 9598
-5
5
10
15
20
25
95 9600
0
10
20
30
40
50
V
Z
- z - 电压（V）
V
Z
- z - 电压（V）
图。 2 -
工作电压下工作的典型变化
在T条件
AMB
= 25 °C
图。 5 -
V温度COEF网络cient
Z
与Z-电压
1.3
200
V
ZTN
- 相对电压变化
1.2
TK
VZ
= 10 x 10
-4
/K
8 x 10
-4
/K
6 x 10
-4
/K
4 x 10
-4
/K
2 x 10
-4
/K
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
ZTN
= V
Zt
/V
Z
(25 °C)
150
V
R
= 2
V
T
j
= 25 °C
100
1.1
1.0
0.9
0
- 2 x 10
-4
/K
- 4 x 10
-4
/K
50
0.8
- 60
95 9599
0
0
60
120
180
240
95 9601
0
5
10
15
20
25
T
j
- 结温（ ° C）
V
Z
- z - 电压（V）
图。 3 -
工作电压与典型的变化
结温
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图。 6 -
二极管电容与Z-电压
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3
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威世半导体
50
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
100
I
F
- 正向电流（mA ）
10
T
j
= 25 °C
40
1
I
Z
- Z-电流（mA ）
1.0
30
0.1
20
0.01
10
0.001
0
95 9605
0
15
95 9607
0.2
0.4
0.6
0.8
20
25
30
35
V
F
- 前进
电压
(V)
V
Z
- z - 电压（V）
图。 9 -
Z-电流与Z-电压
图。 7 -
正向电流与正向电压
100
1000
80
r
Z
- 微分Z-电阻（Ω ）
I
Z
- Z-电流（mA ）
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
60
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
10 10毫安
40
20
0
0
95 9604
1
4
6
8
12
20
95 9606
T
j
= 25 °C
0
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压（V）
V
Z
- z - 电压（V）
图。 8 -
Z-电流与Z-电压
图。 10 -
差分Z-电阻与Z-电压
Z
THP
- 脉冲电导率热阻。 （ KW ）
1000
t
p
/T = 0.5
100
t
p
/T = 0.2
单脉冲
R
thJA
= 300°K / W的
T = T
JMAX
- T
AMB
t
p
/T = 0.01
t
p
/T = 0.1
t
p
/T = 0.02
i
ZM
= (-
V
Z
+ (V
Z2
+ 4r
zj
x深/ Z
THP
)
1/2
)/(2r
zj
)
t
p
/T = 0.05
10
1
10
-1
10
0
10
1
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图。 11 -
热响应
10
2
95 9603
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包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO-35_1N52xx
阴极鉴定
威世半导体
0.55最大值。 [ 0.022 ]
0.4分钟。 [ 0.015 ]
1.7 [0.067]
26分钟。 [ 1.024 ]
3.9最大。 [ 0.154 ]
3.1分钟。 [ 0.120 ]
26分钟。 [ 1.024 ]
启1 - 日期： 2011年12月19
文件编号： S8 -V - 3906.04-031 （ 4 ）
94 12648
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