WTE
功率半导体
1N4933 – 1N4937
1.0A快速恢复整流
特点
!
!
!
!
!
扩散结
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
A
B
A
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：负极频带
重量：0.55克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
D
DO-41
暗淡
民
最大
A
25.4
—
B
4.06
5.21
C
0.71
0.864
D
2.00
2.72
尺寸：mm
C
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@T
A
= 55°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
1N4933
1N4934
1N4935
1N4936
1N4937
单位
50
35
100
70
200
140
1.0
400
280
600
420
V
V
A
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
反向恢复时间（注2 ）
典型结电容（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
T
j
T
英镑
30
1.2
5.0
100
200
15
-65到+125
-65到+150
A
V
A
nS
pF
°C
°C
*玻璃钝化形式可根据要求提供
注意：保持在环境温度下1信息，在从所述壳体的距离9.5毫米
2.测量与IF = 0.5A ， IR = 1.0A ， IRR = 0.25A 。见图5 。
3.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
1N4933 – 1N4937
1作者：
3
2002
韩元鼎好电子
I
（AV）
，平均正向整流电流（A）
1.0
10
0.8
I
F
瞬时正向电流（A）
1.0
0.6
0.4
0.1
0.2
单相半波
60赫兹电阻或电感性负载
T
j
= 25°C
脉冲宽度= 300微秒
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1正向降额曲线
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
100
脉宽8.3ms的
单半正弦波
（ JEDEC的方法）
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
30
T
j
= 25°C
F = 1MHz的
20
C
j
，电容（pF ）
10
10
0
1
10
循环次数在60赫兹
图。 3峰值正向浪涌电流
100
1
1
10
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型结电容
t
rr
+0.5A
50
NI （无感）
10
NI
100
设备
下
TEST
(-)
脉冲
发电机
（注2 ）
0A
(+)
50V DC
约
-0.25A
(-)
1.0
NI
示波器
（注1 ）
(+)
注意事项：
1.上升时间= 7.0ns最大。输入阻抗= 1.0M
， 22pF的。
2.上升时间= 10ns的最大值。输入阻抗= 50
.
-1.0A
5 / 10ns的/厘米设定时基
图。 5反向恢复时间特性和测试电路
1N4933 – 1N4937
2
of
3
2002
韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
!
1N4933-T3
1N4933-TB
1N4933
1N4934-T3
1N4934-TB
1N4934
1N4935-T3
1N4935-TB
1N4935
1N4936-T3
1N4936-TB
1N4936
1N4937-T3
1N4937-TB
1N4937
套餐类型
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
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5000 /磁带盒&
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胆大
是WTE
首选
设备。
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T3后缀是指一个13 “卷轴。 TB后缀是指弹药包。
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