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1N4728 1N4764直通
齐纳二极管
产品概述
V
Z
范围: 3.3 100伏
功率耗散为1.0W
特点
硅平面功率齐纳二极管。
为稳定和高功率限幅电路中使用
投资评级。
标准的齐纳电压容差为± 10 % 。添加后缀"A"的
± 5 %的容差。其他的齐纳电压和公差
可根据要求提供。
这些二极管也可在MELF情况下与类型
指定1N4728 1N4764直通
对于双向的产品,请联系当地的技术销售办事处。
注意:
说明: “ -P ” TO ORDER模压塑料封装
说明: “ -G ” ,作为以模压玻璃封装
机械数据
案例: DO - 41玻璃或DO -41塑料外壳
重量:约。 0.35克
无铅;符合RoHS标准
最大额定值和热特性
(在25℃环境温度额定值除非另有规定。 )
参数
齐纳电流
在T功耗
AMB
=50
o
C
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
P
合计
R
θ
JA
T
j
T
S
符号
价值
请参阅下页
1.0
170
(1)
o
单位
W
o
(1)
C / W
o
175
-65到+175
C
C
o
注意事项:
1.有效的规定,在从壳体的距离为10mm电极被保持在环境温度下进行。
2008年2月15日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
1
1N4728 1N4764直通
电气特性
(T
A
=25
o
C除非另有说明)
最大V
F
=我在1.2V
F
=200mA
最大反向
漏电流
I
R
( UA)
100
100
50
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
在V
R
(伏)
1
1
1
1
1
1
2
3
4
5
6
7
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
浪涌
当前
at
T
A
=25
o
C
I
R
(MA )
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
最大
调节器
当前
(2)
at
T
A
=50
o
C
I
ZM
(MA )
276
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
25
23
22
19
18
16
14
13
12
11
10
9
TYPE
1N4728
1N4729
1N4730
1N4731
1N4732
1N4733
1N4734
1N4735
1N4736
1N4737
1N4738
1N4739
1N4740
1N4741
1N4742
1N4743
1N4744
1N4745
1N4746
1N4747
1N4748
1N4749
1N4750
1N4751
1N4752
1N4753
1N4754
1N4755
1N4756
1N4757
1N4758
1N4759
1N4760
1N4761
1N4762
1N4763
1N4764
公称
嗯嗯
电压
(3)
在我
ZT
V
Z
(伏)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
TEST
当前
最大的Z- ENER阻抗
Z
ZT
在我
ZT
()
10
10
9
9
8
7
5
2
3.5
4.0
4.5
5.0
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
Z
ZK
()
400
400
400
400
500
550
600
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
(1)
I
ZT
(MA )
76
69
64
58
53
49
45
41
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
at
I
ZK
(MA )
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
注意事项:
1.齐纳阻抗从1KHZ的交流电压从而导致来自当具有的RMS值等于该齐纳电流的10%的交流电流
(I
ZT
还是我
ZK
)被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在两个点,以确保锋利膝盖击穿曲线上,并消除
不稳定的单位
2.有效的规定,以10毫米的情况下的距离电极被保持在环境温度
根据热平衡和直流试验条件3.测量
2008年2月15日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
2
1N4728 1N4764直通
收视率和特性曲线
(T
A
= 25°C除非另有说明)
o
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而,硅标准公司不做任何
担保或保证,明示或暗示,作为对这些信息的可靠性,准确性,及时性或完整性不承担任何
其使用的责任,或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因,任何产品进行更改的权利,包括
无需在可靠性,功能或设计限制的增强。没有获发牌照,无论明示或暗示,就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品,任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
2008年2月15日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
3
C
特点
TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
1N4728 1N4764直通
1W的硅平面齐纳二极管
。硅平面功率齐纳二极管
为稳定并削减与高额定功率的电路中使用。
。 Standaards齐纳电压toerance是
添加suffix"A"的
请求
10%
5 %的公差可根据其他宽容
机械数据
.
案例:
DO- 41玻璃柜
。重量:约。 0.35克
绝对最大额定值(极限值) (T
A
=25
符号
齐纳电流见表"Characteristics"
功率消耗在TA = 25
结温
存储温度范围
价值
)
单位
P
合计
T
J
T
英镑
1
1)
mW
175
-65到+175
1)有效的规定,从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
电子安全特性(T
A
=25
)
典型值
最大
170
1.2
1)
符号
热阻结到环境
正向电压在IF = 200毫安
单位
/W
V
R
THA
V
F
1 )有效的条件是,从壳体的距离在8毫米被保持在环境温度下
版权所有@ 2000 TIGER ELECTRONICS CO 。 , LTD。
第1页3
CE
TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
1N4728 1N4764直通
1W的硅平面齐纳二极管
1N4728 1N4764 ...硅平面齐纳二极管
公称
齐纳
TEST
当前
3)
最大齐纳阻抗
1)
最大
反向漏电流
浪涌
当前
at
T
A
=0.25
最大
调节器
TYPE
电压
at
当前
at
I
ZT
Z
ZK
at
I
ZK
at
V
R
IR
IZM
2)
I
ZT
V
Z
V
1N4728
1N4729
1N4730
1N4731
1N4732
1N4733
1N4734
1N4735
1N4736
1N4737
1N4738
1N4739
1N4740
1N4741
1N4742
1N4743
1N4744
1N4745
1N4746
1N4747
1N4748
1N4749
1N4750
1N4751
1N4752
1N4753
1N4754
1N4755
1N4756
1N4757
1N4758
1N4759
1N4760
1N4761
1N4762
1N4763
1N4764
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
I
ZT
mA
76
69
64
58
53
49
45
41
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
Z
ZT
10
10
9
9
8
7
5
2
3.5
4.0
4.5
5.0
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
3000
2000
1500
1000
750
700
500
550
600
400
mA
I
R
A
100
50
V
1.0
1.0
1.0
1.0
mA
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
mA
276
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
25
23
22
19
18
16
14
13
12
11
10
9
1.0
1.0
1.0
2.0
10
3.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
0.25
5
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
注:1)齐纳阻抗从1KHz的交流电压具有一个RMS calue等于齐纳的10%的交流电流时,其导致来自
电流( IZT或IZK )被叠加在IZT或IZK 。齐纳阻抗的测量是在两个点,以确保在一个锋利的膝
故障曲线,消除不稳定的单位。
2)有效的规定,在从壳体的距离为10mm电极被保持在环境温度
3)根据热equilibriun和直流试验条件下测得。
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分页: 1 2 3
CE
TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
1N4728 1N4764直通
1W的硅平面齐纳二极管
额定值和特性曲线1N4728 1N4764 THRI
受理的功耗与环境温度
(有效的规定,导致在从个案的距离为10mm
被保持在环境温度下)
版权所有@ 2000 TIGER ELECTRONICS CO 。 , LTD。
第3页3
证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
1N4728 - 1N4764
Z1110 - Z1200
V
Z
: 3.3 - 200伏
P
D
: 1瓦
产品特点:
*完整的电压范围3.3到200伏
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
*无铅/符合RoHS免费
硅稳压二极管
DO - 41
0.108 (2.74)
0.078 (1.99)
1.00 (25.4)
分钟。
0.205 (5.20)
0.161 (4.10)
机械数据
*案例: DO- 41模压塑料
*环氧: UL94V -O率阻燃
*铅:轴向引线每MIL -STD- 202焊接的,
方法208保证
*极性:颜色频带端为负极
*安装位置:任意
*重量: 0.335克
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
除非另有规定等级,在25℃的环境温度
等级
在T DC功耗
L
= 50 ° C(注1)
最大正向电压在我
F
= 200毫安
最大热阻结到环境空气(注2 )
结温范围
存储温度范围
符号
P
D
V
F
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
1.0
1.2
170
- 55 + 175
- 55 + 175
单位
K / W
°C
°C
注意事项:
(1) T
L
=铅温度从身体3/8 "设计(9.5mm )
(2)有效的规定,引线被保持在环境温度下,以10mm的情况下的距离。
图。 1功耗温度降额曲线
P
D
,最大耗散
(瓦特)
1.25
L = 8"分之3设计(9.5mm )
1.00
0.75
0.50
0.25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
L,
焊接温度(
°
C)
第1页2
启示录07 : 2007年11月5日
证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
电气特性
(评分在25 ° C环境温度,除非另有规定)
额定齐纳
最大齐纳
阻抗
I
ZT
(MA )
Z
ZT
@ I
ZT
()
Z
ZK
@ I
ZK
()
I
ZK
(MA )
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
(
A)
(V)
最大直流
齐纳电流
I
ZM
(MA )
最大
浪涌电流
I
RM(2)
(MAPK)
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
305
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
40
37
34
30
28
25
22
型号
电压
V
Z(1)
@ I
ZT
(V)
1N4728
3.3
76.0
10
400
1.0
100
1.0
276
1N4729
3.6
69.0
10
400
1.0
100
1.0
252
1N4730
3.9
64.0
9.0
400
1.0
50
1.0
234
1N4731
4.3
58.0
9.0
400
1.0
10
1.0
217
1N4732
4.7
53.0
8.0
500
1.0
10
1.0
193
1N4733
5.1
49.0
7.0
550
1.0
10
1.0
178
1N4734
5.6
45.0
5.0
600
1.0
10
2.0
162
1N4735
6.2
41.0
2.0
700
1.0
10
3.0
146
1N4736
6.8
37.0
3.5
700
1.0
10
4.0
133
1N4737
7.5
34.0
4.0
700
0.5
10
5.0
121
1N4738
8.2
31.0
4.5
700
0.5
10
6.0
110
1N4739
9.1
28.0
5.0
700
0.5
10
7.0
100
1N4740
10
25.0
7.0
700
0.25
10
7.6
91
1N4741
11
23.0
8.0
700
0.25
5.0
8.4
83
1N4742
12
21.0
9.0
700
0.25
5.0
9.1
76
1N4743
13
19.0
10
700
0.25
5.0
9.9
69
1N4744
15
17.0
14
700
0.25
5.0
11.4
61
1N4745
16
15.5
16
700
0.25
5.0
12.2
57
1N4746
18
14.0
20
750
0.25
5.0
13.7
50
1N4747
20
12.5
22
750
0.25
5.0
15.2
45
1N4748
22
11.5
23
750
0.25
5.0
16.7
41
1N4749
24
10.5
25
750
0.25
5.0
18.2
38
1N4750
27
9.5
35
750
0.25
5.0
20.6
34
1N4751
30
8.5
40
1000
0.25
5.0
22.8
30
1N4752
33
7.5
45
1000
0.25
5.0
25.1
27
1N4753
36
7.0
50
1000
0.25
5.0
27.4
25
1N4754
39
6.5
60
1000
0.25
5.0
29.7
23
1N4755
43
6.0
70
1500
0.25
5.0
32.7
22
1N4756
47
5.5
80
1500
0.25
5.0
35.8
19
1N4757
51
5.0
95
1500
0.25
5.0
38.8
18
1N4758
56
4.5
110
2000
0.25
5.0
42.6
16
1N4759
62
4.0
125
2000
0.25
5.0
47.1
14
1N4760
68
3.7
150
2000
0.25
5.0
51.7
13
1N4761
75
3.3
175
2000
0.25
5.0
56.0
12
1N4762
82
3.0
200
3000
0.25
5.0
62.2
11
1N4763
91
2.8
250
3000
0.25
5.0
69.2
10
1N4764
100
2.5
350
3000
0.25
5.0
76.0
9.0
Z1110
110
2.3
450
4000
0.25
5.0
83.6
8.6
Z1120
120
2.0
550
4500
0.25
5.0
91.2
7.8
Z1130
130
1.9
700
5000
0.25
5.0
98.8
7.0
Z1150
150
1.7
1000
6000
0.25
5.0
114.0
6.4
Z1160
160
1.6
1100
6500
0.25
5.0
121.6
5.8
Z1180
180
1.4
1200
7000
0.25
5.0
136.8
5.2
Z1200
200
1.2
1900
9990
0.25
5.0
152.0
4.7
注意事项:
(1)中列出的类型数目有±10%的额定齐纳电压的标准容差。
后缀"A"表示± 5 %的容差,后缀"C"表示± 2 %的误差。
(2) revese浪涌电流是不重复的, 8.3ms的脉冲宽度的方波或等效正弦波叠加
关于我
ZT
根据JEDEC的方法
第2页2
启示录07 : 2007年11月5日
1N4728A通1N4764A
1W外延稳压二极管
特点
低廓包
内置应变消除
低电感
高温焊接: 260℃ / 10秒码头
玻璃包装有保险商实验室可燃性
分类
符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
DO-41(GLASS)
Φ
0.8± 0.1
案例:模压玻璃DO- 41G
终端:轴向引线,每MIL -STD -750焊接的,
方法2026保障
极性:色环表示正端
安装位置:任意
重量: 0.012盎司, 0.336克
Φ
2.5 ± 0.2
尺寸:mm
绝对最大额定值(极限值) (T
A
=25℃)
符号
齐纳电流见表"Characteristics"
功率消耗在TA = 50 ℃
结温
存储温度范围
价值
单位
P
合计
T
J
T
英镑
1
25.4 ± 1
4.5 ± 0.2
机械数据
25.4 ± 1
1)
W
175
-65到+175
1)有效的规定,从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
电子安全特性(T
A
=25℃)
符号
热阻结到环境
正向电压在IF = 200毫安
典型值
最大
170
1.2
1)
单位
R
THA
V
F
/W
V
1 )有效的条件是,从壳体的距离在8毫米被保持在环境温度下
1N4728A通1N4764A
1W外延稳压二极管
公称
齐纳
TEST
当前
3)
最大齐纳阻抗
at
I
ZT
Z
ZK
1)
TYPE
电压
at
最大
反向漏电流
浪涌
当前
at
T
A
=0.25
最大
调节器
当前
IR
IZM
2)
at
I
ZK
at
V
R
I
ZT
V
Z
V
1N4728
1N4729
1N4730
1N4731
1N4732
1N4733
1N4734
1N4735
1N4736
1N4737
1N4738
1N4739
1N4740
1N4741
1N4742
1N4743
1N4744
1N4745
1N4746
1N4747
1N4748
1N4749
1N4750
1N4751
1N4752
1N4753
1N4754
1N4755
1N4756
1N4757
1N4758
1N4759
1N4760
1N4761
1N4762
1N4763
1N4764
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
I
ZT
mA
76
69
64
58
53
49
45
41
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
Z
ZT
10
10
9
9
8
7
5
2
3.5
4.0
4.5
5.0
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
3000
2000
1500
1000
750
700
500
550
600
400
mA
I
R
A
100
50
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
mA
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
mA
276
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
25
23
22
19
18
16
14
13
12
11
10
9
1.0
10
5.0
0.25
5
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
注:1)齐纳阻抗从1KHz的交流电压具有一个RMS calue等于齐纳的10%的交流电流时,其导致来自
电流( IZT或IZK )被叠加在IZT或IZK 。齐纳阻抗的测量是在两个点,以确保在一个锋利的膝
故障曲线,消除不稳定的单位。
2)有效的规定,在从壳体的距离为10mm电极被保持在环境温度
3)根据热equilibriun和直流试验条件下测得。
1N4728A通1N4764A
收视率和特性曲线
图1 - 击穿特性
100
mA
5
10
15
20
25
30 V
I
Z
80
60
40
20
0
图2 - 容许功耗与环境温度
W
1.0
1N4728
1N4733
1N4735
1N4742
1N4744
1N4747
1N4731
1N4732
1N4739
1N4741
1N4748
1N4749
1N4750
V
Z
0.8
P
合计
0.6
0.4
0.2
0
0
100
T
AMB
200℃
R
性S E M I C 0 N D ü (C T)
1W的硅平面齐纳二极管
DO-41(GLASS)
特点
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并削减与高额定功率的电路中使用。
标准齐纳电压容差为10 % 。
添加后缀"A"的
请求
5 %的公差可根据其他宽容
0.102(2.6)
最大
迪亚
1.102(28)
0.161(4.1)
最大
机械数据
:
DO-41
玻璃柜
重量
:
约。 0.35克
0.034(0.86)
最大
迪亚
1.102(28)
尺寸以英寸(毫米)
绝对最大额定值(极限值)
(T
A
=25 C)
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
A
=25 C
结温
存储温度范围
P
合计
T
J
T
英镑
1
1)
175
-65到+ 175
mW
C
C
1)有效的规定,从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
电气特性
(T
A
=25 C)
热阻结到环境空气
在我正向电压
F
=200mA
R
THA
V
F
170
1)
1.2
C / W
V
1)有效的规定,从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
公称
齐纳
3)
电压
TEST
当前
1)
浪涌
当前
最大
调节器
当前
2)
1N4728
1N4729
1N4730
1N4731
1N4732
1N4733
1N4734
1N4735
1N4736
1N4737
1N4738
1N4739
1N4740
1N4741
1N4742
1N4743
1N4744
1N4745
1N4746
1N4747
1N4748
1N4749
1N4750
1N4751
1N4752
1N4753
1N4754
1N4755
1N4756
1N4757
1N4758
1N4759
1N4760
1N4761
1N4762
1N4763
1N4764
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
76
69
64
58
53
49
45
41
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
10
10
9
9
8
7
5
2
3.5
4.0
4.5
5.0
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
3000
1500
1000
0.25
750
700
0.5
500
550
600
1.0
400
100
50
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
276
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
25
23
22
19
18
16
14
13
12
11
10
9
10
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
5
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
注:1)齐纳阻抗从1KHz的交流电压具有的RMS值等于该齐纳电流的10% (Ⅰ的交流电流时,其导致来自
ZT
还是我
ZK
)是
叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在两个点,以保证击穿曲线上的尖锐膝盖和消除不稳定的单元。
2)有效的规定,在从壳体的距离为10mm电极被保持在环境温度
3)根据热平衡和直流试验条件下测得。
受理的功耗与环境温度
(有效的规定,导致在从个案的距离为10mm
被保持在环境温度下)
W
1.0
1N4728...1N4764
P
合计
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
100
T
AMB
200 C
BL
特点
额定功率。
银河电子
齐纳二极管
1N4728 --- 1N4764
功率耗散为1.0W
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并具有高削波电路用
DO-41(GLASS)
标准的齐纳电压容差为± 10 % 。添加
后缀"A"为± 5 %的容差。等齐纳电压
和公差可根据要求提供。
机械数据
案例: DO - 41 ,玻璃柜
码头:每MIL -STD- 202方法208
极性:负极频带
标记:型号数量
约。重量0.35克。
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度,除非另有规定。
符号
齐纳电流(见表"Characteristics" )
价值
单位
POW ER耗散@ T
AMB
50
P
DISS
I
Z
T
J
T
s
R
thJA
1.0
1)
P
V
/V
Z
200
-55---+200
100
W
Z-电流
mA
结温
存储温度范围
交界处的环境I = 9.5毫米( 3/8 ) ,T
L
=常数
K / W
符号
FORW在我ARD电压
F
=200mA
典型值
最大
1.2
单位
V
V
F
www.galaxycn.com
文档编号0284004
BL
银河电子
1.
电气特性
公称
齐纳
电压1 )
TYPE
V @我
ZT
(V )
1N4728
1N4729
1N4730
1N4731
1N4732
1N4733
1N4734
1N4735
1N4736
1N4737
1N4738
1N4739
1N4740
1N4741
1N4742
1N4743
1N4744
1N4745
1N4746
1N4747
1N4748
1N4749
1N4750
1N4751
1N4752
1N4753
1N4754
1N4755
1N4756
1N4757
1N4758
1N4759
1N4760
1N4761
1N4762
1N4763
1N4764
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
I
ZT
(MA )
76
69
64
58
53
49
45
41
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
I
ZT
@Z
ZT
(Ω)
10
10
9
9
8
7
5
2
3.5
4.0
4.5
5.0
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
Z
ZK
@I
ZK
(Ω)
400
400
400
400
500
550
600
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
I
ZK
(M A)
(TA=25
)
最大浪涌
当前
8.3ms
I
R
@T
AMB
=25
(MA )
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
最大
调节器
目前2 )
I
ZM
@T
AMB
=50
(MA )
276
252
234
217
193
178
462
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
25
23
22
19
18
16
14
13
12
11
10
9
TEST
当前
最大动态阻抗
最大反向
漏电流
I
R
(μA )
100
100
50
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
+1
@V
R
(V )
1
1
1
1
1
1
2
3
4
5
6
7
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
79.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1)基于dc_m测量的同时,米aitaining领先tem温度theral平衡(T
L
) 30
2 )有效的省ided ,在10 MMF ORM的情况下,电极的距离保持在上午bient tem温度。
* )其它附加测量诉oltage gruup 9V 1到75的95 %V ENT
ZMIN
35nA在T
J
25
, 9.5米米( 8"分之3 )F ROM为D IODE的身体。
www.galaxycn.com
文档编号0284004
BL
银河电子
2.
收视率和特性曲线
图1 - 击穿特性
1N4728 -- 1N4764
mA
100
5
10
15
20
25
30 V
80
I
Z
60
40
20
0
图2 - 容许功耗与环境温度
W
1.0
1N4728
1N4733
1N4735
1N4742
1N4744
1N4747
1N4731
1N4732
1N4739
1N4741
1N4748
1N4749
1N4750
V
Z
0.8
P
合计
0.6
0.4
0.2
0
0
100
T
AMB
200
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BL
银河电子
3.
BL
特点
额定功率。
银河电子
齐纳二极管
1N4728 --- 1N4764
功率耗散为1.0W
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并具有高削波电路用
DO-41(GLASS)
标准的齐纳电压容差为± 10 % 。添加
后缀"A"为± 5 %的容差。等齐纳电压
和公差可根据要求提供。
机械数据
案例: DO - 41 ,玻璃柜
码头:每MIL -STD- 202方法208
极性:负极频带
标记:型号数量
约。重量0.35克。
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度,除非另有规定。
符号
齐纳电流(见表"Characteristics" )
价值
单位
POW ER耗散@ T
AMB
50
P
DISS
I
Z
T
J
T
s
R
thJA
1.0
1)
P
V
/V
Z
200
-55---+200
100
W
Z-电流
mA
结温
存储温度范围
交界处的环境I = 9.5毫米( 3/8 ) ,T
L
=常数
K / W
符号
FORW在我ARD电压
F
=200mA
典型值
最大
1.2
单位
V
V
F
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BL
银河电子
1.
电气特性
公称
齐纳
电压1 )
TYPE
V @我
ZT
(V )
1N4728
1N4729
1N4730
1N4731
1N4732
1N4733
1N4734
1N4735
1N4736
1N4737
1N4738
1N4739
1N4740
1N4741
1N4742
1N4743
1N4744
1N4745
1N4746
1N4747
1N4748
1N4749
1N4750
1N4751
1N4752
1N4753
1N4754
1N4755
1N4756
1N4757
1N4758
1N4759
1N4760
1N4761
1N4762
1N4763
1N4764
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
I
ZT
(MA )
76
69
64
58
53
49
45
41
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
I
ZT
@Z
ZT
(Ω)
10
10
9
9
8
7
5
2
3.5
4.0
4.5
5.0
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
Z
ZK
@I
ZK
(Ω)
400
400
400
400
500
550
600
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
I
ZK
(M A)
(TA=25
)
最大浪涌
当前
8.3ms
I
R
@T
AMB
=25
(MA )
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
最大
调节器
目前2 )
I
ZM
@T
AMB
=50
(MA )
276
252
234
217
193
178
462
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
25
23
22
19
18
16
14
13
12
11
10
9
TEST
当前
最大动态阻抗
最大反向
漏电流
I
R
(μA )
100
100
50
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
+1
@V
R
(V )
1
1
1
1
1
1
2
3
4
5
6
7
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
79.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1)基于dc_m测量的同时,米aitaining领先tem温度theral平衡(T
L
) 30
2 )有效的省ided ,在10 MMF ORM的情况下,电极的距离保持在上午bient tem温度。
* )其它附加测量诉oltage gruup 9V 1到75的95 %V ENT
ZMIN
35nA在T
J
25
, 9.5米米( 8"分之3 )F ROM为D IODE的身体。
www.galaxycn.com
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BL
银河电子
2.
收视率和特性曲线
图1 - 击穿特性
1N4728 -- 1N4764
mA
100
5
10
15
20
25
30 V
80
I
Z
60
40
20
0
图2 - 容许功耗与环境温度
W
1.0
1N4728
1N4733
1N4735
1N4742
1N4744
1N4747
1N4731
1N4732
1N4739
1N4741
1N4748
1N4749
1N4750
V
Z
0.8
P
合计
0.6
0.4
0.2
0
0
100
T
AMB
200
www.galaxycn.com
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BL
银河电子
3.
CE
陈毅电子
特点
1N4728 1N4764直通
1W的硅平面齐纳二极管
。硅平面功率齐纳二极管
为稳定并削减与高额定功率的电路中使用。
。 Standaards齐纳电压toerance是
添加suffix"A"的
请求
10%
5 %的公差可根据其他宽容
机械数据
.
案例:
DO- 41玻璃柜
。重量:约。 0.35克
绝对最大额定值(极限值) (T
A
=25
符号
齐纳电流见表"Characteristics"
功率消耗在TA = 25
结温
存储温度范围
价值
)
单位
P
合计
T
J
T
英镑
1
1)
mW
175
-65到+175
1)有效的规定,从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
电子安全特性(T
A
=25
)
典型值
最大
170
1.2
1)
符号
热阻结到环境
正向电压在IF = 200毫安
单位
/W
V
R
THA
V
F
1 )有效的条件是,从壳体的距离在8毫米被保持在环境温度下
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 , LTD。
第1页3
CE
陈毅电子
1N4728 1N4764直通
1W的硅平面齐纳二极管
1N4728 1N4764 ...硅平面齐纳二极管
公称
齐纳
TEST
当前
3)
最大齐纳阻抗
1)
最大
反向漏电流
浪涌
当前
at
T
A
=0.25
最大
调节器
TYPE
电压
at
当前
at
I
ZT
Z
ZK
at
I
ZK
at
V
R
IR
IZM
2)
I
ZT
V
Z
V
1N4728
1N4729
1N4730
1N4731
1N4732
1N4733
1N4734
1N4735
1N4736
1N4737
1N4738
1N4739
1N4740
1N4741
1N4742
1N4743
1N4744
1N4745
1N4746
1N4747
1N4748
1N4749
1N4750
1N4751
1N4752
1N4753
1N4754
1N4755
1N4756
1N4757
1N4758
1N4759
1N4760
1N4761
1N4762
1N4763
1N4764
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
I
ZT
mA
76
69
64
58
53
49
45
41
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
Z
ZT
10
10
9
9
8
7
5
2
3.5
4.0
4.5
5.0
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
3000
2000
1500
1000
750
700
500
550
600
400
mA
I
R
A
100
50
V
1.0
1.0
1.0
1.0
mA
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
mA
276
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
25
23
22
19
18
16
14
13
12
11
10
9
1.0
1.0
1.0
2.0
10
3.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
0.25
5
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
注:1)齐纳阻抗从1KHz的交流电压具有一个RMS calue等于齐纳的10%的交流电流时,其导致来自
电流( IZT或IZK )被叠加在IZT或IZK 。齐纳阻抗的测量是在两个点,以确保在一个锋利的膝
故障曲线,消除不稳定的单位。
2)有效的规定,在从壳体的距离为10mm电极被保持在环境温度
3)根据热equilibriun和直流试验条件下测得。
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1W的硅平面齐纳二极管
额定值和特性曲线1N4728 1N4764 THRI
受理的功耗与环境温度
(有效的规定,导致在从个案的距离为10mm
被保持在环境温度下)
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