1N4728AP通1N4764AP ， E3 （塑料）
硅1瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
描述
流行1N4728AP通1N4764AP系列1.0瓦特齐纳二极管提供
电压调节在3.3 100伏特的选择，在5％的容差带
其他更小的公差也可作为确定不同的后缀字母
在器件型号。这些塑料封装的齐纳二极管的水分
分为1级，无需干燥包。它们也可用于提供
各种军用筛选水平通过如上述添加前缀标识符
特点如下。这些塑料模塑齐纳二极管有P后缀提供一
相比于玻璃主体（G后缀）的选择更低的热阻
这些相同的JEDEC零件号。这两种封装选项可通过
Microsemi的符合RoHS标准的设备与“E3”的后缀。 Microsemi的还
提供了许多其他稳压产品，以满足更高和更低的功耗和
测试电流的应用。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
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外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO- 41或
DO-204AL
（塑胶）
特点
JEDEC注册1N4728A到1N4764A
广泛的电压选择，从3.3到100 V
按照MIL- PRF-筛选选项
19500为JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS是
可通过加入MQ ，MX， MV，或MSP前缀
分别零件号。
表面贴装可作为SMAJ4728A以等值
SMAJ4764A和MLL4728A到MLL4764A （咨询
工厂等）
可通过添加“ E3 ”后缀符合RoHS设备
应用/优势
调节电压在很宽的工作电流和
温度范围
标准电压容差的正/负5 ％以
后缀和10％ ，无后缀标识
在加或减2％或1％的可用的紧密度容限
分别用C或D后缀
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD
水分的分类是根据IPC / JEDEC J- 1级
STD- 020B ，无需干燥包
最大额定值
25功耗
C： 1.0瓦特（另见
降额于图1） 。
操作和储存温度： -65
C到
+150
C
热电阻： 45℃ / W交界处领导在3/8
（ 10mm）的自体引线长度，或105
C / W结
安装在FR4印刷电路板时1盎司到环境（
铜）与4毫米
2
铜焊盘和轨道宽度为1毫米，
长25毫米
o
稳定状态功率： 1.0瓦特在T
L
< 105℃ 3/8
从主体或在T英寸（ 10mm）的
A
< 45℃时，
安装在FR4印刷电路板所描述的热
抵抗上述（也参见图1）
正向电压@ 200毫安： 1.2伏（最大）
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：无空洞转移成型热固性
环氧机构会议UL94V- 0
端子：锡铅（Sn / Pb计）或符合RoHS
退火雾锡每MIL -STD-镀焊
750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管是
与带状端相对于正操作
另一端为齐纳调节
标记：部件号
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量： 0.7克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N4728AP-1N4764AP,e3
版权
2005
2005年10月18日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N4728AP通1N4764AP ， E3 （塑料）
硅1瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
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Microsemi的
.C
OM
电气特性*
JEDEC
TYPE
数
（注1 ）
1N4728A
1N4729A
1N4730A
1N4731A
1N4732A
1N4733A
1N4734A
1N4735A
1N4736A
1N4737A
1N4738A
1N4739A
1N4740A
1N4741A
1N4742A
1N4743A
1N4744A
1N4745A
1N4746A
1N4747A
1N4748A
1N4749A
1N4750A
1N4751A
1N4752A
1N4753A
1N4754A
1N4755A
1N4756A
1N4757A
1N4758A
1N4759A
1N4760A
1N4761A
1N4762A
1N4763A
1N4764A
齐纳
电压
TEST
当前
（ VZ）的
（注4 ）
伏
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
(I
ZT
)
mA
76
69
64
58
53
49
45
41
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
最大
动态
阻抗
最大
反向
当前
TEST
电压
(V
R
)
伏
1
1
1
1
1
1
2
3
4
5
6
7
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
最大
调节器
当前
TA = 50
o
C
mA
276
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
25
23
22
19
18
16
14
13
12
11
10
9
最大
膝关节
阻抗
TEST
当前
(I
ZK
)
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大
（浪涌）
当前
(Z
ZT
@ I
ZT
)
（注2 ）
欧
10
10
9
9
8
7
5
2
3.5
4.0
4.5
5.0
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
(I
R
@ V
R
)
μA
100
100
50
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
(I
ZM
)
(Z
ZK
@ I
ZK
)
（注2 ）
欧
400
400
400
400
500
550
600
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
(I
SM
)
（注3）
mA
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
* JEDEC注册的数据
注意事项：
1.
带有后缀所示的JEDEC型数字对额定齐纳电压的5 ％的容差。无后缀表示10％的容差，
表示2 ％ ，和D表示1 ％的容差。还添加了P后缀指定塑料结构，如1N4764AP （G后缀
表示由单独的数据表中所述的玻璃体内选项） 。
齐纳阻抗是从60赫兹的交流电压导致具有有效值等于直流的10％的交流电流时，来自
齐纳电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在两个点，以确保在一个锋利的膝
击穿曲线，消除不稳定的单位。见MicroNote 202与不同的工作电流齐纳阻抗变化。
o
反向浪涌电流的测量是在25℃的环境使用＆ frac12 ;方波或等效的正弦波脉冲1/120秒的持续时间
叠加在我
ZT
.
齐纳电压（V
Z
）的测量是在T
L
= 25C （ +8 ， -2C ）和应用直流电流后90秒。
2.
1N4728AP-1N4764AP,e3
3.
4.
版权
2005
2005年10月18日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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1N4728AP通1N4764AP ， E3 （塑料）
硅1瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
图的
WWW .
Microsemi的
.C
OM
T
L
T
A
在FR4
PC板
T
L
，铅温度。 （三） 3/8“从身体
或T
A
在FR4 PC板
o
温度系数毫伏/℃
额定功耗 - W
额定齐纳电压（伏）
图1
功率降额曲线
图2
温度。 COEFF 。与齐纳电压
科幻gure 3
电容 - 电压为代表的类型
包装尺寸（ DO- 41或DO- 204AL ）
1N4728AP-1N4764AP,e3
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2005
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