1N4727...1N4764
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并具有高削波电路用
额定功率。标准的齐纳电压容差
± 10％。添加后缀"A"为± 5 ％的容差和后缀"B"
为± 2 ％的误差。其它公差可根据
请求。
马克斯。 2.8
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
"ST"品牌
最大。 0.7
分钟。 25.4
XXX
ST
马克斯。 4.2
分钟。 25.4
玻璃外壳DO- 41
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
1
1)
单位
W
O
200
- 65至+ 200
C
C
O
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 200毫安
1)
符号
R
THA
V
F
马克斯。
170
1)
1.2
单位
K / W
V
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
1N4727...1N4764
齐纳电压
范围
3), 5)
V
ZNOM
l
ZT
V
mA
最大齐纳阻抗
1)
r
ZJT
r
张家口
在我
ZK
mA
最大反向
漏电流
I
R
在V
R
A
V
最大浪涌
当前
4)
在T
a
= 25
O
C
I
ZSM
（MA ）
最大
调节器
当前
2)
I
ZM
（MA ）
TYPE
1N4727
3
83
10
400
1
150
1
1375
275
1N4728
3.3
76
10
400
1
150
1
1375
275
1N4729
3.6
69
10
400
1
100
1
1260
252
1N4730
3.9
64
9
400
1
100
1
1190
234
1N4731
4.3
58
9
400
1
50
1
1070
217
1N4732
4.7
53
8
500
1
10
1
970
193
1N4733
5.1
49
7
550
1
10
1
890
178
1N4734
5.6
45
5
600
1
10
2
810
162
1N4735
6.2
41
2
700
1
10
3
730
146
1N4736
6.8
37
3.5
700
1
10
4
660
133
1N4737
7.5
34
4
700
0.5
10
5
605
121
1N4738
8.2
31
4.5
700
0.5
10
6
550
110
1N4739
9.1
28
5
700
0.5
10
7
500
100
1N4740
10
25
7
700
0.25
10
7.6
454
91
1N4741
11
23
8
700
0.25
5
8.4
414
83
1N4742
12
21
9
700
0.25
5
9.1
380
76
1N4743
13
19
10
700
0.25
5
9.9
344
69
1N4744
15
17
14
700
0.25
5
11.4
304
61
1N4745
16
15.5
16
700
0.25
5
12.2
285
57
1N4746
18
14
20
750
0.25
5
13.7
250
50
1N4747
20
12.5
22
750
0.25
5
15.2
225
45
1N4748
22
11.5
23
750
0.25
5
16.7
205
41
1N4749
24
10.5
25
750
0.25
5
18.2
190
38
1N4750
27
9.5
35
750
0.25
5
20.6
170
34
1N4751
30
8.5
40
1000
0.25
5
22.8
150
30
1N4752
33
7.5
45
1000
0.25
5
25.1
135
27
1N4753
36
7
50
1000
0.25
5
27.4
125
25
1N4754
39
6.5
60
1000
0.25
5
29.7
115
23
1N4755
43
6
70
1500
0.25
5
32.7
110
22
1N4756
47
5.5
80
1500
0.25
5
35.8
95
19
1N4757
51
5
95
1500
0.25
5
38.8
90
18
1N4758
56
4.5
110
2000
0.25
5
42.6
80
16
1N4759
62
4
125
2000
0.25
5
47.1
70
14
1N4760
68
3.7
150
2000
0.25
5
51.7
65
13
1N4761
75
3.3
175
2000
0.25
5
56
60
12
1N4762
82
3
200
3000
0.25
5
62.2
55
11
1N4763
91
2.8
250
3000
0.25
5
69.2
50
10
1N4764
100
2.5
350
3000
0.25
5
76
45
9
1)
该齐纳阻抗从60赫兹的交流电压的交流电流具有一个RMS值相等时，其导致来自
齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗测量在两个点上，以确保
在击穿曲线和锋利的膝盖，消除不稳定的单位。
2)
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
3)
根据热平衡和直流试验条件下测得。
4)
在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性的，反向的1/2平方浪涌电流
波或1/120秒的持续时间相等的正弦波脉冲叠加在测试电流I
ZT
.
5)
测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
1N4727...1N4764
Breakdowm特点
T
j
=常数（脉冲）
mA
100
IN4730
IN47
29
在...
T
j
=25
o
C
IN4727
IN4731
IN4732
IN4733
80
70
Iz
60
50
40
30
20
10
0
0
IN4728
IN4734
IN4735
IN4736
90
IN4737
IN4738
IN4739
IN4740
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
IN4741
11
12
Vz
IN4743
IN4744
mA
50
IN4742
IN4746
IN4747
IN4748
IN4749
在...
T
j
=25
o
C
IN4750
IN4751
IN4752
40
IN4745
Iz
30
IN4753
IN4754
IN4755
IN4756
IN4757
IN4758
IN4761
20
IN4759
IN4760
IN4762
IN4763
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
Vz
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
IN4764
1N4727...1N4764
1.0
250
P
d
。总功耗（ W）
0.8
0.6
热阻结
为环境温度（ ° C / W）
R
JA
200
150
0.4
100
0.2
50
0
0
0
100
200
0
5
10
15
20
25
30
T
A
，环境温度
图。 1功耗与环境温度
我，引线长度（mm ）
图。 2典型热阻与引线长度
1000
f=1MHz
T
A
=25°C
1000
差分阻抗齐纳（ ）
C
j
，二极管电容（PF ）
Ω
Iz=1mA
2mA
5mA
10mA
20mA
1
100
V
R
=0V
V
R
=2V
V
R
=5V
V
R
=20V
V
R
=30V
100
10
10
1
0
10
20
30
40
50
60
1
10
100
VZ ，齐纳电压（V ）
图。 3结电容VS齐纳电压
VZ ，齐纳电压（V ）
图。 4典型的齐纳阻抗与齐纳电压
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
1N4727...1N4764
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并具有高削波电路用
额定功率。标准的齐纳电压容差
± 10％。添加后缀"A"为± 5 ％的容差和后缀"B"
为± 2 ％的误差。其它公差可根据
请求。
马克斯。 2.8
黑
阴极带
黑
产品型号
最大。 0.7
分钟。 25.4
XXX
马克斯。 4.2
分钟。 25.4
玻璃外壳DO- 41
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
1
1)
单位
W
O
200
- 65至+ 200
C
C
O
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 200毫安
1)
符号
R
THA
V
F
马克斯。
170
1)
1.2
单位
K / W
V
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
1N4727...1N4764
齐纳电压
范围
3), 5)
V
ZNOM
l
ZT
V
mA
最大齐纳阻抗
1)
r
ZJT
r
张家口
在我
ZK
mA
最大反向
漏电流
I
R
在V
R
A
V
最大浪涌
当前
4)
在T
a
= 25
O
C
I
ZSM
（MA ）
最大
调节器
当前
2)
I
ZM
（MA ）
TYPE
1N4727
3
83
10
400
1
150
1
1375
275
1N4728
3.3
76
10
400
1
150
1
1375
275
1N4729
3.6
69
10
400
1
100
1
1260
252
1N4730
3.9
64
9
400
1
100
1
1190
234
1N4731
4.3
58
9
400
1
50
1
1070
217
1N4732
4.7
53
8
500
1
10
1
970
193
1N4733
5.1
49
7
550
1
10
1
890
178
1N4734
5.6
45
5
600
1
10
2
810
162
1N4735
6.2
41
2
700
1
10
3
730
146
1N4736
6.8
37
3.5
700
1
10
4
660
133
1N4737
7.5
34
4
700
0.5
10
5
605
121
1N4738
8.2
31
4.5
700
0.5
10
6
550
110
1N4739
9.1
28
5
700
0.5
10
7
500
100
1N4740
10
25
7
700
0.25
10
7.6
454
91
1N4741
11
23
8
700
0.25
5
8.4
414
83
1N4742
12
21
9
700
0.25
5
9.1
380
76
1N4743
13
19
10
700
0.25
5
9.9
344
69
1N4744
15
17
14
700
0.25
5
11.4
304
61
1N4745
16
15.5
16
700
0.25
5
12.2
285
57
1N4746
18
14
20
750
0.25
5
13.7
250
50
1N4747
20
12.5
22
750
0.25
5
15.2
225
45
1N4748
22
11.5
23
750
0.25
5
16.7
205
41
1N4749
24
10.5
25
750
0.25
5
18.2
190
38
1N4750
27
9.5
35
750
0.25
5
20.6
170
34
1N4751
30
8.5
40
1000
0.25
5
22.8
150
30
1N4752
33
7.5
45
1000
0.25
5
25.1
135
27
1N4753
36
7
50
1000
0.25
5
27.4
125
25
1N4754
39
6.5
60
1000
0.25
5
29.7
115
23
1N4755
43
6
70
1500
0.25
5
32.7
110
22
1N4756
47
5.5
80
1500
0.25
5
35.8
95
19
1N4757
51
5
95
1500
0.25
5
38.8
90
18
1N4758
56
4.5
110
2000
0.25
5
42.6
80
16
1N4759
62
4
125
2000
0.25
5
47.1
70
14
1N4760
68
3.7
150
2000
0.25
5
51.7
65
13
1N4761
75
3.3
175
2000
0.25
5
56
60
12
1N4762
82
3
200
3000
0.25
5
62.2
55
11
1N4763
91
2.8
250
3000
0.25
5
69.2
50
10
1N4764
100
2.5
350
3000
0.25
5
76
45
9
1)
该齐纳阻抗从60赫兹的交流电压的交流电流具有一个RMS值相等时，其导致来自
齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗测量在两个点上，以确保
在击穿曲线和锋利的膝盖，消除不稳定的单位。
2)
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
3)
根据热平衡和直流试验条件下测得。
4)
在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性的，反向的1/2平方浪涌电流
波或1/120秒的持续时间相等的正弦波脉冲叠加在测试电流I
ZT
.
5)
测试了脉冲TP = 20毫秒。
星合电子
ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ
1N4727
THRU
1N4764
特性：
◆小电流下的＆ frac12 ;纳阻抗＆ frac12 ;
◆ 高可靠性
◆ 耐焊接热
250℃ / 10S，
机械性＆ frac12 ;：
◆ 封
◆端
◆ 极
装: 玻璃封装
子：电镀可焊性符合
MIL-STD-202E,
方法
208C
性：色环表示阴极
◆安装＆ frac12 ;＆ frac12 ;：任意
最大额定值及特性
( 测量环境温度 25℃，除非另有规定 ).
参 数 名 称
½纳电流
耗散功率@TL=75℃
(
注释
1 )
最大正向压降@IF=200mA
热阻抗
(
结至周围环境
,注释 1)
½用及储存温度范围
符 号
I
Z
最大
Pt
VF
R
θ （ JA ）
T
J
,
T
英镑
数 值
见表
1.0
1.5
32
-55½+200
单＆ frac12 ;
mA
W
V
℃/W
℃
1
ＧＡＯＭＩ ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＯ．，ＬＴＤ． ＷＷＷ．ＳＤＤＺＧ．ＣＯＭ ＴＥＬ：０５３６－２２１０３５９ ＱＱ：４６４７６８０１７
星合电子
ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ
1N4727
THRU
1N4764
电特性
(
测量环境温度为
25℃，除非另有规定 )
½纳电压
型 号
(
注释
1)
V @ IZT
V
1N4727
1N4728
1N4729
1N4730
1N4731
1N4732
1N4733
1N4734
1N4735
1N4736
1N4737
1N4738
1N4739
1N4740
1N4741
1N4742
1N4743
1N4744
1N4745
1N4746
1N4747
1N4748
1N4749
1N4750
1N4751
1N4752
1N4753
1N4754
1N4755
1N4756
1N4757
1N4758
注
释
:
测量电流
IZT
mA
83
76
69
64
58
53
49
45
41
37
31
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
ZT
@Izt
(
注释
2 )
Ω
10
10
10
9
9
8
7
5
2
3.5
4.0
4.5
5.0
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
最大½纳阻抗
ZK
@Izk
(注释 3 )
Ω
400
400
400
400
400
500
550
600
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
我ZK
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大反向
漏 电 流
IR @ VR
μA
150
100
100
50
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
VR
V
1
1
1
1
1
1
1
2
3
4
5
6
7
76
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
最大直流
½纳电流
我ZM
＠50℃
(
注释
4)
mA
275
275
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
25
23
22
19
18
16
3.3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
1.
标准型的½纳电压值偏差为
10%；附加标“A”的特选型，其偏差为 5%
。
2.
3.
4.
对于½纳阻抗，
我（交流有效值） = 10％ IZT
对于½纳拐点阻抗，I
（交流有效值） = 10％ Izk
这里的最大½纳电流值并非是绝对的，在实际稳态应用中，应保证电压和电流的乘积不超过额定功率值。
2
ＧＡＯＭＩ ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＯ．，ＬＴＤ． ＷＷＷ．ＳＤＤＺＧ．ＣＯＭ ＴＥＬ：０５３６－２２１０３５９ ＱＱ：４６４７６８０１７
星合电子
ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ
1N4727
THRU
1N4764
电特性
(
测量环境温度为
25℃，除非另有规定 )
½纳电压
型 号
(
注释
1)
V @ IZT
V
1N4759
1N4760
1N4761
1N4762
1N4763
1N4764
注
释
:
测量电流
IZT
mA
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
ZT
@Izt
(
注释
2 )
Ω
125
150
175
200
250
350
最大½纳阻抗
ZK
@Izk
(注释 3 )
Ω
2000
2000
2000
3000
3000
3000
我ZK
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大反向
漏 电 流
IR @ VR
μA
5
5
5
5
5
5
VR
V
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
最大直流
½纳电流
我ZM
＠50℃
(
注释
4 )
mA
14
13
12
11
10
9
62
68
75
82
91
100
1.
标准型的½纳电压值偏差为
10%；附加标“A”的特选型，其偏差为 5%
。
2.
3.
4.
对于½纳阻抗，
我（交流有效值） = 10％ IZT
对于½纳拐点阻抗，I
（交流有效值） = 10％ Izk
这里的最大½纳电流值并非是绝对的，在实际稳态应用中，应保证电压和电流的乘积不超过额定功率值。
3
ＧＡＯＭＩ ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＯ．，ＬＴＤ． ＷＷＷ．ＳＤＤＺＧ．ＣＯＭ ＴＥＬ：０５３６－２２１０３５９ ＱＱ：４６４７６８０１７
星合电子
ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ
1N4727
THRU
1N4764
4
ＧＡＯＭＩ ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＯ．，ＬＴＤ． ＷＷＷ．ＳＤＤＺＧ．ＣＯＭ ＴＥＬ：０５３６－２２１０３５９ ＱＱ：４６４７６８０１７
星合电子
ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ
1N4727
THRU
1N4764
5
ＧＡＯＭＩ ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＯ．，ＬＴＤ． ＷＷＷ．ＳＤＤＺＧ．ＣＯＭ ＴＥＬ：０５３６－２２１０３５９ ＱＱ：４６４７６８０１７
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