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1N4678...1N4717
威世德律风根
硅外延平面的Z-二极管
特点
D
D
D
D
齐纳电压规定为50
m
A
最大增量V
Z
从给定的10
m
A至100
m
A
非常高的稳定性
低噪音
应用
94 9367
电压稳定
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
功耗
Z-电流
结温
存储温度范围
测试条件
L = 4毫米,T
L
=25
°
C
TYPE
符号
P
V
I
Z
T
j
T
英镑
价值
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
单位
mW
mA
°
C
°
C
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
L = 4毫米,T
L
=常数
符号
R
thJA
价值
300
单位
K / W
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
测试条件
I
F
=100mA
TYPE
符号
V
F
典型值
最大
1.5
单位
V
文档编号85586
第2版, 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
1N4678...1N4717
威世德律风根
TYPE
1)
齐纳电压V
Z
@ I
Z
= 50
m
A
典型值。
1)
V
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
马克斯。
反向
当前
I
R 3)
m
A
7.5
5.0
4.0
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10
10
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
0,05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
TEST
电压
V
R 3)
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.4
21.2
22.8
25.0
27.3
29.6
32.6
马克斯。
齐纳
当前
I
ZM 2 )
mA
120
110
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
35
31.8
29.0
27.4
26.2
24.8
21.6
20.4
19.0
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
6.6
6.1
5.5
马克斯。
电压
变化
D
V
Z 4)
V
0.70
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.90
0.75
0.50
0.10
0.08
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.20
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.30
0.33
0.36
0.39
0.43
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
1N4715
1N4716
1N4717
分钟。
V
1.710
1.900
2.090
2.280
2.565
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
9.500
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
马克斯。
V
1.890
2.100
2.310
2.520
2.835
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
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文档编号85586
第2版, 01 -APR- 99
1N4678...1N4717
威世德律风根
1 ) Toleranzing和电压标识(V
Z
).
所示类型的数字有一个标准的公差
±
5%的额定齐纳电压。
2 )最大齐纳额定电流(I
ZM
).
齐纳二极管的最大额定电流是根据个别单位的最大齐纳电压。
3 )反向漏电流(I
R
).
反向漏电流,并保证在V测
R
如在表中所示。
4 )最大电压变化(
D
V
Z
).
电压变化等于V之间的差
Z
在100
m
A和V
Z
在10
m
A.
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明)
600
P
合计
- 总功率耗散( mW)的
500
400
300
200
100
0
0
95 9602
1.3
V
ZTN
- 相对电压变化
V
ZTN
=V
Zt
/V
Z
(25°C)
1.2
TK
VZ
=10
10
–4
/K
8
6
10
–4
/K
10
–4
/K
10
–4
/K
10
–4
/K
1.1
4
2
1.0
0.9
0.8
–60
0
–2 10
–4
/K
–4
10
–4
/K
40
80
120
160
200
95 9599
0
60
120
180
240
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
T
j
- 结温(
°C
)
图1.总功耗对比
环境温度
1000
- 电压变化(MV )
工作电压与图3.典型的变化
结温
TK
VZ
- 温度V系数
Z
( 10
–4
/K )
15
T
j
= 25°C
100
10
5
I
Z
=5mA
0
I
Z
=5mA
10
D
V
Z
1
0
95 9598
–5
0
10
20
30
40
50
V
Z
- z - 电压(V)
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压(V)
95 9600
工作电压图2.典型的变化
根据工作条件在T
AMB
=25
°
C
图4.温度Vz的对比系数
Z-电压
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威世德律风根
200
C
D
- 二极管电容(pF )
50
P
合计
=500mW
T
AMB
=25°C
V
R
= 2V
100
T
j
= 25°C
I
Z
- Z-电流(mA )
25
95 9607
150
40
30
20
10
50
0
0
95 9601
0
5
10
15
20
15
20
25
30
35
V
Z
- z - 电压(V)
V
Z
- z - 电压(V)
图5.二极管电容与Z-电压
100
r
Z
- 微分Z-电阻(
W
)
I
F
- 正向电流(mA )
图8. Z-电流与Z-电压
1000
10
T
j
= 25°C
1
I
Z
=1mA
100
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
5mA
10 10毫安
1
0
95 9606
T
j
= 25°C
5
10
15
20
25
95 9605
V
F
- 正向电压( V)
V
Z
- z - 电压(V)
图6.正向电流与正向电压
图9.差分Z-电阻与Z-电压
100
I
Z
- Z-电流(mA )
80
P
合计
=500mW
T
AMB
=25°C
60
40
20
0
0
4
8
12
16
20
95 9604
V
Z
- z - 电压(V)
图7. Z-电流与Z-电压
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威世德律风根
Z
THP
- 脉冲电导率热阻。 (K / W)
1000
t
p
/T=0.5
100
t
p
/T=0.2
单脉冲
10
t
p
/T=0.1
t
p
/T=0.05
1
10
–1
t
p
/T=0.02
i
ZM
=(–V
Z
+(V
Z2
+4r
zj
t
p
/T=0.01
D
T=T
JMAX
–T
AMB
R
thJA
=300K/W

D
T /
THP
)
1/2
)/(2r
zj
)
10
0
10
1
t
p
- 脉冲宽度(毫秒)
10
2
95 9603
图10.热响应
尺寸(mm)
阴极鉴定
0.55最大。
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
94 9366
1.7 MAX 。
标准玻璃柜
54 A 2 DIN 41880
JEDEC DO 35
重最大。 0.3克
26分钟。
3.9最大。
26分钟。
文档编号85586
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齐纳二极管
1N4678~1N4717
齐纳二极管
特点
500mW的功耗
高稳定性
齐纳电压从3.3V到39V
高温焊接保证265 ° C. / 10秒
/.037"设计(9.5mm )引线长度,
符合RoHS
机械数据
案例:
终端:
重量:
DO- 35 ,模压玻璃
轴向引线,焊每MIL -STD- 202方法208
0.125克
英制尺寸(mm)
最大额定值&电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明)
符号
P
D
VF
TJ
TSTG
描述
功耗在25℃以上
正向电压
最大。结温
存储温度范围
价值
500
1.5
175
-65到+175
单位
mW
V
°C
°C
条件
I
F = 0.1 A
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话: ( 800 ) -247-2232
传真: ( 800 ) -TAITFA
(800)-TAITRON
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本B / WW 2006-08-09
第1页4
齐纳二极管
1N4678~1N4717
正常的齐纳电压
P / N
V
Z
@ I
ZT=50A
NOM 。 V
分钟。 V
最大。 V
最大电压
变化
γVZ
(V )注1
最大齐纳
当前
mA
最大反向电流
I
R
@ V
R
A
V
R
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1.8
2
2.2
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
1.71
1.9
2.09
2.28
2.565
2.85
3.135
3.42
3.705
4.085
4.465
4.845
5.32
5.89
6.46
7.125
7.79
8.265
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
1.89
2.1
2.31
2.52
2.835
3.15
3.465
3.78
4.095
4.515
4.935
5.355
5.88
6.51
7.14
7.875
8.61
9.135
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
0.70
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.90
0.75
0.5
0.1
0.08
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
120
110
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
35
31.8
29
27.4
26.2
24.8
21.6
20.4
19
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
7.5
5
4
2
1
0.8
7.5
7.5
5
4
10
10
10
10
10
10
1
1
1
1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1
1
1
1
1
1
1.5
2
2
2
3
3
4
5
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
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齐纳二极管
1N4678~1N4717
P / N
正常的齐纳电压
V
Z
@ I
ZT=50A
NOM 。 V
分钟。 V
最大。 V
最大电压
变化
V
Z
(V )注1
最大齐纳
当前
mA
最大反向
当前
I
R
@ V
R
A
V
R
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
1N4715
1N4716
1N4717
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
0.2
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.3
0.33
0.36
0.39
0.43
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
6.6
6.1
5.5
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
15.2
16.7
18.2
19
20.4
21.2
22.8
25
27.3
29.6
32.6
Note1.
V
Z
(Ⅴ)为V之间的差
Z
在100mA和10mA时
版本B / WW 2006-08-09
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第3页4
齐纳二极管
1N4678~1N4717
如何联系我们:
美国总部
28040西哈里森PARKAWAY ,瓦伦西亚,CA 91355-4162
联系电话: ( 800 ) TAITRON ( 800 ) 247-2232 ( 661 ) 257-6060
传真: ( 800 ) TAITFAX ( 800 ) 824-8329 ( 661 ) 257-6415
电子邮件:
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TAITRON组件墨西哥, S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ,伊达尔戈CP
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传真: + 52-55-5560-2190
TAITRON COMPONETS Incorporated电子REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS , 2777 , 2.ANDAR , SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL
电话: + 55-11-5574-7949
传真: + 55-11-5572-0052
TAITRON COMPONETS INCORPORATED上海代表处
飞洲国际广场, 899零陵路, SUITE 18C ,上海, 200030 ,中国
电话: + 86-21-5424-9942
传真: + 86-21-5424-9931
版本B / WW 2006-08-09
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第4页4
LOW LEVEL齐纳二极管
超低电流: 50 μA - 低漏
1N4678 - 1N4714
部分
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
喃齐纳
电压
VZ @ 50 μA
(伏)
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
27.0
28.0
30.0
33.0
包装样式
VZ公差: ± 5 % 。
最大反向
漏电流
Ir
@
Vr
( μAdc )
( VDC)的
7.5
1.0
5.0
1.0
4.0
1.0
2.0
1.0
1.0
1.0
0.8
1.0
7.5
1.5
7.5
2.0
5.0
2.0
4.0
2.0
10.0
3.0
10.0
3.0
10.0
4.0
10.0
5.0
10.0
5.1
10.0
5.7
1.0
6.2
1.0
6.6
1.0
6.9
1.0
7.6
0.05
8.4
0.05
9.1
0.05
9.8
0.05
10.6
0.05
11.4
0.05
12.1
0.05
12.9
0.05
13.6
0.05
14.4
0.01
15.2
0.01
16.7
0.01
18.2
0.01
19.0
0.01
20.4
0.01
21.2
0.01
22.8
0.01
25.0
DO-7
MAX调节
FACTOR 100 μAdc
至10 μAdc
Vz的(伏)
0.70
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.90
0.75
0.50
0.10
0.08
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.20
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.30
0.33
最大调节器
电流IZM
( MADC )
120.0
110.0
100.0
95.0
90.0
85.0
80.0
75.0
70.0
65.0
60.0
55.0
50.0
45.0
35.0
31.8
29.0
27.4
26.2
24.8
21.6
20.4
19.0
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
P.O. BOX 609
ROCKPORT ,缅因州04856
207-236-6076
FAX 207-236-9558
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威世德律风根
硅外延平面的Z-二极管
特点
D
D
D
D
齐纳电压规定为50
m
A
最大增量V
Z
从给定的10
m
A至100
m
A
非常高的稳定性
低噪音
应用
94 9367
电压稳定
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
功耗
Z-电流
结温
存储温度范围
测试条件
L = 4毫米,T
L
=25
°
C
TYPE
符号
P
V
I
Z
T
j
T
英镑
价值
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
单位
mW
mA
°
C
°
C
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
L = 4毫米,T
L
=常数
符号
R
thJA
价值
300
单位
K / W
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
测试条件
I
F
=100mA
TYPE
符号
V
F
典型值
最大
1.5
单位
V
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威世德律风根
TYPE
1)
齐纳电压V
Z
@ I
Z
= 50
m
A
典型值。
1)
V
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
马克斯。
反向
当前
I
R 3)
m
A
7.5
5.0
4.0
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10
10
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
0,05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
TEST
电压
V
R 3)
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.4
21.2
22.8
25.0
27.3
29.6
32.6
马克斯。
齐纳
当前
I
ZM 2 )
mA
120
110
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
35
31.8
29.0
27.4
26.2
24.8
21.6
20.4
19.0
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
6.6
6.1
5.5
马克斯。
电压
变化
D
V
Z 4)
V
0.70
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.90
0.75
0.50
0.10
0.08
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.20
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.30
0.33
0.36
0.39
0.43
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
1N4715
1N4716
1N4717
分钟。
V
1.710
1.900
2.090
2.280
2.565
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
9.500
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
马克斯。
V
1.890
2.100
2.310
2.520
2.835
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
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威世德律风根
1 ) Toleranzing和电压标识(V
Z
).
所示类型的数字有一个标准的公差
±
5%的额定齐纳电压。
2 )最大齐纳额定电流(I
ZM
).
齐纳二极管的最大额定电流是根据个别单位的最大齐纳电压。
3 )反向漏电流(I
R
).
反向漏电流,并保证在V测
R
如在表中所示。
4 )最大电压变化(
D
V
Z
).
电压变化等于V之间的差
Z
在100
m
A和V
Z
在10
m
A.
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明)
600
P
合计
- 总功率耗散( mW)的
500
400
300
200
100
0
0
95 9602
1.3
V
ZTN
- 相对电压变化
V
ZTN
=V
Zt
/V
Z
(25°C)
1.2
TK
VZ
=10
10
–4
/K
8
6
10
–4
/K
10
–4
/K
10
–4
/K
10
–4
/K
1.1
4
2
1.0
0.9
0.8
–60
0
–2 10
–4
/K
–4
10
–4
/K
40
80
120
160
200
95 9599
0
60
120
180
240
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
T
j
- 结温(
°C
)
图1.总功耗对比
环境温度
1000
- 电压变化(MV )
工作电压与图3.典型的变化
结温
TK
VZ
- 温度V系数
Z
( 10
–4
/K )
15
T
j
= 25°C
100
10
5
I
Z
=5mA
0
I
Z
=5mA
10
D
V
Z
1
0
95 9598
–5
0
10
20
30
40
50
V
Z
- z - 电压(V)
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压(V)
95 9600
工作电压图2.典型的变化
根据工作条件在T
AMB
=25
°
C
图4.温度Vz的对比系数
Z-电压
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威世德律风根
200
C
D
- 二极管电容(pF )
50
P
合计
=500mW
T
AMB
=25°C
V
R
= 2V
100
T
j
= 25°C
I
Z
- Z-电流(mA )
25
95 9607
150
40
30
20
10
50
0
0
95 9601
0
5
10
15
20
15
20
25
30
35
V
Z
- z - 电压(V)
V
Z
- z - 电压(V)
图5.二极管电容与Z-电压
100
r
Z
- 微分Z-电阻(
W
)
I
F
- 正向电流(mA )
图8. Z-电流与Z-电压
1000
10
T
j
= 25°C
1
I
Z
=1mA
100
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
5mA
10 10毫安
1
0
95 9606
T
j
= 25°C
5
10
15
20
25
95 9605
V
F
- 正向电压( V)
V
Z
- z - 电压(V)
图6.正向电流与正向电压
图9.差分Z-电阻与Z-电压
100
I
Z
- Z-电流(mA )
80
P
合计
=500mW
T
AMB
=25°C
60
40
20
0
0
4
8
12
16
20
95 9604
V
Z
- z - 电压(V)
图7. Z-电流与Z-电压
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Z
THP
- 脉冲电导率热阻。 (K / W)
1000
t
p
/T=0.5
100
t
p
/T=0.2
单脉冲
10
t
p
/T=0.1
t
p
/T=0.05
1
10
–1
t
p
/T=0.02
i
ZM
=(–V
Z
+(V
Z2
+4r
zj
t
p
/T=0.01
D
T=T
JMAX
–T
AMB
R
thJA
=300K/W

D
T /
THP
)
1/2
)/(2r
zj
)
10
0
10
1
t
p
- 脉冲宽度(毫秒)
10
2
95 9603
图10.热响应
尺寸(mm)
阴极鉴定
0.55最大。
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
94 9366
1.7 MAX 。
标准玻璃柜
54 A 2 DIN 41880
JEDEC DO 35
重最大。 0.3克
26分钟。
3.9最大。
26分钟。
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先进的信息
1N4681 THRU 1N4717
齐纳二极管
特点
DO-35
分钟。 1.083 ( 27.5 )
硅平面齐纳二极管
标准的齐纳电压容差为± 5 % 。
其它公差可
根据要求提供。
马克斯。
.079 (2.0)
最大。 0.150 (3.8)
高温焊接保证:
250 ℃/ 10秒0.375“设计(9.5mm )引线长度。
这些二极管也可在SOD- 123案例
同类型指定MMSZ4681 ... MMSZ4717
和SOT -23的情况下与指定类型
MMBZ4681...MMBZ4717.
阴极
标志
分钟。 1.083 ( 27.5 )
马克斯。
.020 (0.52)
机械数据
尺寸单位:英寸(毫米)
案例:
DO- 35玻璃柜
重量:
约。 0.13克
终端:
可焊接,每MIL -STD- 750 ,方法2026 。
最大额定值
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
价值
单位
齐纳电流(见表“特性” )
在T功耗
L
= 75 ° C, 3/8“从案例
最高结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
500
175
- 65 +175
mW
°C
°C
符号
分钟。
马克斯。
单位
热阻
结到环境空气
正向电压
在我
F
= 100毫安
R
θJA
300
(1)
° C / W
V
F
1.5
注意事项:
(1)有效的规定,导致在从情况下的距离的3/8“毫米被保持在环境温度。
12/2/98
1N4681 THRU 1N4717
电气特性
(T
A
= 25℃ ,除非另有说明)。
齐纳电压
(1)
V
Z
@ l
z
= 50μA (伏特)
最大反向
电流I
R
(A)
7.5
5.0
4.0
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
测试电压
V
R
(伏)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.4
21.2
22.8
25.0
27.3
29.6
32.6
最大齐纳
当前
I
ZM
(MA )
TYPE
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
1N4715
1N4716
1N4717
公称
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
1.71
1.90
2.09
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.5
11.4
12.4
13.3
14.3
15.2
16.2
17.1
18.1
19.0
20.9
22.8
23.8
25.7
26.6
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
最大
1.89
2.10
2.31
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.6
12.6
13.7
14.7
15.8
16.8
17.9
18.9
20.0
21.0
23.1
25.2
26.3
28.4
29.4
31.5
34.7
37.8
41.0
45.2
最大电压变化
V
Z
(伏)
(2)
0.70
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.90
0.75
0.50
0.10
0.08
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.20
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.30
0.33
0.36
0.39
0.43
120
110
100
95.0
90.0
85.0
80.0
75.0
70.0
65.0
60.0
55.0
50.0
45.0
35.0
31.8
29.0
27.4
26.2
24.8
21.6
20.4
19.0
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
6.6
6.1
5.5
注意事项:
( 1 )测试用的脉冲,T
p
= 5ms的
(2)
V
Z
为V之间的差
Z
在100μA和10μA 。
50
A,低工作电流,稳压二极管
双封堵施工
冶金结合
1N4678
THRU
1N4717
最大额定值
工作温度: -65 ° C到+ 175℃
存储温度: -65 °C至+ 175℃
功耗: 500毫瓦@ + 50°C
DC功率降额: 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
正向电压:最大1.1伏@ 200毫安
电气特性
@ 25 ° C,除非另有规定ED 。
CDI
TYPE
(注1 )
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
1N4715
1N4716
1N4717
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
27.0
28.0
30.0
33.0
36.0
39.0
43.0
公称
齐纳
电压
VZ
齐纳
TEST
当前
LZT
最大
电压
V
Z
(注2 )
0.70
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.90
0.75
0.50
0.10
0.08
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.20
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.30
0.33
0.36
0.39
0.43
最大反向
泄漏
当前
LR @ VR
最大
直流稳压
当前
LZM
mA
120.0
110.0
100.0
95.0
90.0
85.0
80.0
75.0
70.0
65.0
60.0
55.0
50.0
45.0
35.0
31.8
29.0
27.4
26.2
24.8
21.6
20.4
19.0
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
6.6
6.1
5.5
A
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
A
7.5
5.0
4.0
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.4
21.2
22.8
25.0
27.3
29.6
32.6
图1
设计数据
案例:
密封的玻璃
情况。 DO - 35的轮廓。
导线材料:
铜包钢。
铅表面处理:
锡/铅
热阻(R
OJEC ) :
250℃ / W最大为L = .375英寸
热阻抗: (Z
OJX ) : 35
C / W最高
极性:
二极管与操作
带状(阴极)端阳性。
安装位置:
任。
注1
上面显示的JEDEC型数字具有的+ 5 %的标准耐性的
标称稳压量。 VZ的测量条件,在热平衡的二极管
25°C + 3°C.
VZ @ 100
A减Vz的@ 10
A.
注2
COREY街22号, MELROSE ,马萨诸塞州02176
电话:(781 ) 665-1071
传真:(781 ) 665-7379
网站: http://www.cdi-diodes.com
电子信箱: mail@cdi-diodes.com
1N4678
钯,额定功率
耗散( mW)的
500
400
300
200
100
0
0
25
50
THRU
图2
1N4717
75
100
125
150
175
TL ,铅温度( C° ) 3/8“从身体
功率降额曲线
1000
500
400
300
200
齐纳阻抗ZZT (欧姆)
3.
3
VO
LT
27
100
VO
LT
1
5.
LT
VO
50
40
30
20
11
VO
LT
10
5
4
3
2
6.2
VO
LT
1
.1
.2 .3 .4 .5
1
2 5
10
20
工作电流LZT (毫安)
30 40
50
100
科幻gure 3
齐纳阻抗VS.工作电流
证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
1N4678 - 1N4717
V
Z
:
1.8 - 43 V
P
D
:
500毫瓦
产品特点:
*在50 μA指定的齐纳电压
*最大增量V
Z
从10 μA给予100 μA
*非常高的稳定性
*低噪音
*无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
DO - 35玻璃
(DO-204AH)
0.079 (2.0)最大。
1.00 (25.4)
分钟。
阴极
标志
0.150 (3.8)
马克斯。
0.020 (0.52)最大。
1.00 (25.4)
分钟。
机械数据:
案例:
DO- 35玻璃柜
重量:
约。 0.13克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和热特性
评分在25 ° C环境温度,除非另有specifie
参数
功耗
在T
L
50 ° C(注1)
最大正向电压在我
F
= 200毫安
热阻结到环境
热电阻交界处领导
工作和存储温度范围
注意:
符号
P
D
V
F
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
价值
500
1.1
310
250
-65到+ 175
单位
mW
V
° C / W
° C / W
°C
(1)在从主体8"分之3 ( 10mm)的引线长度,在FR4印刷电路板时所描述的耐热性。
第1页3
启示录01 : 2006年8月16日
证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
电气特性
(评分在25 ° C环境温度,除非另有规定)
型号
(注1 )
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
1N4715
1N4716
1N4717
公称
齐纳
电压
(3)
V
Z
@ I
ZT
(V)
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
齐纳
TEST
当前
I
ZT
A
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
马克斯。电压
ΔV
Z
(V)
(2, 3)
马克斯。反向
漏电流
I
R
(μA)
7.5
5.0
4.0
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10
10
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
马克斯。齐纳
当前
I
ZM
(MA )
240
220
200
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
90
70
63.6
58.0
54.8
52.4
49.6
43.2
40.8
38.0
35.0
32.6
30.8
29.0
26.4
25.0
23.8
21.6
19.8
19.0
17.6
17.0
15.8
14.4
13.2
12.2
11.0
(2)
@
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.4
21.2
22.8
25.0
27.3
29.6
32.6
0.70
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.90
0.75
0.50
0.10
0.08
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.20
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.30
0.33
0.36
0.39
0.43
注意事项:
(1)中所示的类型的数字具有±5%的额定齐纳电压的标准容差。
(2)
ΔV
Z
@ 100 μA减去V
Z
@ 10 A
(3)电气特性允许器件20秒稳定地安装在后测得
与来自基8"分之3最小的引线长度。
分页: 1 2 3
启示录01 : 2006年8月16日
证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
额定值和特性曲线( 1N4678 - 1N4717 )
图1 - 功率降额曲线
图2 - 齐纳电压的温度
系数与齐纳电压
500
0.10
温度系数( % / ° C)
0
50
100
150
200
额定功耗(MW )
400
0.08
300
0.06
200
0.04
100
0.02
0
0
0
10
20
30
40
50
焊接温度( ° C)
额定齐纳电压( V)
图3 - 电容与V
Z
曲线
1000
典型电容(PF )
100
在零伏
10
在 - 2伏特(V
R
)
1
0
10
20
30
40
50
齐纳电压( V)
第3页3
启示录01 : 2006年8月16日
德昌
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业, LLC的
齐纳科技
制品
.
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃齐纳电压
稳压器
轴向引线
DO35
最大额定值
(注1 )
等级
最大稳态功耗
@TL≤75℃,
引线长度= 3/8 “
减免上述75 ℃
工作和存储
温度范围
T
J
, T
英镑
4.0
-65到+200
毫瓦/ °
°C
L
4x
xx
符号
P
D
价值
500
单位
mW
注1 :某些零件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
规格特点:
齐纳电压范围= 1.8V至43V
ESD等级3级( >6 KV )每人体模型
DO- 35封装( DO- 204AH )
双弹头式建筑
冶金结合建设
符合RoHS
焊接热浸锡(Sn ),铅完成
L
43xxA
=标志
= 1N43xxA器件代码
规格特点:
:
双塞型,密闭玻璃
:
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
阴极
阳极
极性:
阴极指示的极性带
安装:
任何
2006年11月/ C
第1页
1N4678 1N4717通过系列
德昌
电气特性
(
T
A
= 25 ° C除非另有说明)
齐纳电压
(注3 )
设备
(注2 )
设备
记号
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
1N4715
1N4716
1N4717
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
1N4715
1N4716
1N4717
1.710
1.900
2.090
2.280
2.565
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
9.500
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
V
Z
(伏)
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
最大
1.890
2.100
2.310
2.520
2.835
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
10.500
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
@I
ZT
( UA)
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业, LLC的
齐纳科技
制品
.
漏电流
IR @VR = 1V
(UA最大值)
7.5
5
4
2
1
0.8
7.5
7.5
5
4
10
10
10
10
10
1
1
1
1
1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
(伏)
1
1
1
1
1
1
1.5
2
2
2
3
3
4
5
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.4
21.2
22.8
25.0
27.3
29.6
32.6
I
ZM
(注4 )
(MA )
120
110
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
35
31.8
29.0
27.4
26.2
24.8
21.6
20.4
19.0
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
6.6
6.1
5.5
ΔV
Z
(注5 )
0.70
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.90
0.75
0.50
0.10
0.08
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.20
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.30
0.33
0.36
0.39
0.43
VF正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 100mA的电流来所有类型
2006年11月/ C
第2页
德昌
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业, LLC的
齐纳科技
制品
.
2.公差和电压DESIGNATION
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
3.齐纳电压(V
Z
)测量
齐纳电压(V
Z
)是脉冲条件下进行测试。测得的
V
Z
被保证是在规定范围内用设备
结在热平衡。
4.最大齐纳电流额定值(我
ZM
)
最大齐纳电流额定值是根据各个单元和JEDEC等级为250mW的最大齐纳电压。
5.最大电压变化( ΔV
Z
)
电压变化等于V之间的差
Z
在为100uA和10uA的。
包装外形
案例外形
DO-35
暗淡
MILLIMETERS
最大
英寸
最大
A
B
C
D
0.46
3.05
25.40
1.52
0.56
5.08
38.10
2.29
0.018
0.120
1.000
0.060
0.022
0.200
1.500
0.090
注意:
所有尺寸JEDEC标准之内。
该数据表呈现德昌的齐纳二极管的技术数据。规格齐全,适合各个设备
在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务
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虽然此数据表中的信息已经过仔细核对,对错误的责任可以承担德
畅。详情请咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
德昌保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品,进一步提高可靠性的权利,
功能和设计方面,成本和生产率。
德昌
2006年11月/ C
注册德昌电子(集团)有限公司的商标。
第3页
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