1N458A
1N458A
DO-35
颜色频带为负极
小信号二极管
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结温
价值
150
500
1.0
4.0
-65到+200
175
单位
V
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些评级是基于200度C的最高结温
2 ）这些都是稳定极限。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
参数
价值
500
300
单位
mW
° C / W
电气特性
符号
V
R
V
F
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
击穿电压
正向电压
反向漏
测试条件
I
R
= 100A
I
F
= 100毫安
V
R
= 125V
V
R
= 125V ，T
A
= 150°C
分钟。
150
马克斯。
1.0
25
5
单位
V
V
A
A
2004仙童半导体公司
1N458A修订版A1
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
2.关键部件是在生命支持任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
设备或系统，其未能履行可
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
如果使用得当按照使用说明
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2004仙童半导体公司
修订版I13
1N458A
1N458A
DO-35
颜色频带为负极
小信号二极管
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结温
价值
150
500
1.0
4.0
-65到+200
175
单位
V
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些评级是基于200度C的最高结温
2 ）这些都是稳定极限。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
参数
价值
500
300
单位
mW
° C / W
电气特性
符号
V
R
V
F
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
击穿电压
正向电压
反向漏
测试条件
I
R
= 100A
I
F
= 100毫安
V
R
= 125V
V
R
= 125V ，T
A
= 150°C
分钟。
150
马克斯。
1.0
25
5
单位
V
V
A
A
2004仙童半导体公司
1N458A修订版A1
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
2.关键部件是在生命支持任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
设备或系统，其未能履行可
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
如果使用得当按照使用说明
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2004仙童半导体公司
修订版I13
1N / FDLL 456 / A / 457 / A / 458 / A / 459 / A
分立功率&信号
技术
N
1N / FDLL 456 / A - 1N / FDLL 459 / A
色带标记
设备
FDLL456
FDLL456A
FDLL457
FDLL457A
FDLL458
FDLL458A
FDLL459
FDLL459A
1ST 2ND BAND BAND
棕色
棕色
红
红
红
红
红
红
白
白
黑
黑
棕色
棕色
红
红
LL-34
DO-35
伸缩缝的放置
HAS没有关系的位置
阴极端子
高电导率低漏二极管
从过程1M来源。
绝对最大额定值*
符号
W
IV
工作电压逆
TA = 25° C除非另有说明
参数
456/A
457/A
458/A
459/A
价值
25
60
125
175
200
500
600
1.0
4.0
-65到+200
175
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
A
A
°C
°C
I
O
I
F
i
f
i
F（浪涌）
平均整流电流
直流正向电流
经常性峰值正向电流
峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结温
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θ
JA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
最大
1N / FDLL 456 / A - 459 / A
500
3.33
300
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1N / FDLL 456 / A / 457 / A / 458 / A / 459 / A
高电导率低漏二极管
（续）
电气特性
符号
B
V
TA = 25° C除非另有说明
参数
击穿电压
456/A
457/A
458/A
459/A
456/A
457/A
458/A
459/A
测试条件
I
R
= 100
A
I
R
= 100
A
I
R
= 100
A
I
R
= 100
A
V
R
= 25 V
V
R
= 25 V ，T
A
= 150°C
V
R
= 60 V
V
R
= 60 V ，T
A
= 150°C
V
R
= 125 V
V
R
= 125 V ，T
A
= 150°C
V
R
= 175 V
V
R
= 175 V，T
A
= 150°C
I
F
= 40毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 7.0毫安
I
F
= 3.0毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
民
30
70
150
200
最大
单位
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
A
nA
A
V
V
V
V
V
pF
I
R
反向电流
V
F
正向电压
456
457
458
459
456/A-459/A
C
O
二极管电容
25
5.0
25
5.0
25
5.0
25
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
6.0
QQ：2880707522 复制
