【WTE功率半导体1N4150W / 1N4151W表面装载快速开关二极管特点!!!高电导ASOD-1】,IC型号1N4150W-T3,1N4150W-T3 PDF资料,1N4150W-T3经销商,ic,电子元器件-51电子网

WTE

功率半导体

1N4150W / 1N4151W

表面装载快速开关二极管

特点

高电导

SOD-123

暗淡

民

3.6

2.5

1.4

0.5

—

0.4

0.95

—

最大

3.9

2.8

1.8

0.7

0.2

—

1.35

0.12

开关速度快

表面贴装型封装非常适合

自动插入

对于通用开关应用

塑料材料 - UL认证防火

分类94V -O

机械数据

案例： SOD- 123 ，模压塑料

终端：每焊镀信息

MIL- STD- 202方法208

极性：负极频带

重0.01克数（大约）

标记： 1N4150W A4

1N4151W

= 25 ° C除非另有说明

尺寸：mm

最大额定值

特征

非重复性峰值反向电压

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

阻断电压DC

RMS反向电压

正向连续电流（注1 ）

平均整流器ED输出电流（注1 ）

非重复峰值正向浪涌电流

功率耗散（注1 ）

典型热阻，结到环境空气（注1 ）

工作和存储温度范围

@ T =是1.0μs

@ T = 1.0S

符号

RRM

RWM

R（ RMS ）

FSM

θJA

, T

英镑

1N4150W

400

200

4.0

1.0

410

300

-65到+150

1N4151W

单位

300

150

2.0

0.5

500

K / W

°C

电气特性

特征

正向电压降（注4 ）

峰值反向漏电流

= 25 ° C除非另有说明

符号

@ V

= 50V

1N4150W

1.0

100

2.5

4.0

1N4151W

单位

2.0

典型结电容（V

= 0V DC ， F = 1.0MHz的）

反向恢复时间（注2,3）

注：1。有效的规定，终端被保持在环境温度下进行。

2. 1N4150W ：测量与我

= I

=的200mA，我

= 0.1 ×1

, R

= 100.

3. 1N4151W ：测量与我

= I

= 10毫安，我

= 1.0 ×1

, R

= 100.

4. 1N4150W ：测量与我

= 200mA的电流1N4151W ：测量与我

= 10毫安

1N4150W / 1N4151W

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2002韩元鼎好电子

订购信息

产品编号

1N4150W-T1

1N4150W-T3

1N4151W-T1

1N4151W-T3

套餐类型

SOD-123

送货数量

3000 /磁带&卷轴

10000 /磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

10000 /磁带&卷轴

产品上市

胆大

是WTE

首选

设备。

T1后缀是指一个7 “卷轴。 T3后缀是指一个13 “卷轴。

鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单

量，请咨询售楼部。

推荐足迹

0.04

(1.02)

0.055

(1.40)

0.094

(2.40)

英寸（毫米）

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