硅开关二极管
应用
1N4148
or
1N4148-1
DO- 35玻璃封装
适用于一般用途的应用,其中一个控制着
特性和快速开关速度是重要的。
特点
DO- 35玻璃封装
香格里拉DDA 。
e
i
0.1 - 。 2 "
0 80 0 2
0. 5 - . 5 m m
4 80 5 8
六西格玛质量
冶金结合
BKC的σ键电镀
1.0"
长
对于无故障的可焊性
25.4 mm
m m
(分)
LL -三十五分之三十四MELF SMD提供
密封玻璃管
提供多达JANTXV -1水平
"S"级筛选可用的源代码控制Drawings-
0.120-.200"
3.05-5.08-
DIA 。
0.06-0.09"
15 - . 8m m
. 322
i
最大额定值
峰值反向电压@ 5μA & 0.1μA @ -55
o
C
平均整流电流
连续正向电流
峰值浪涌电流(T
PEAK
= 1秒)。
BKC功率耗散T
L
=50
o
C,L = 8"分之3从主体
工作温度范围
存储温度范围
电气特性@ 25
o
C*
正向压降@我
F
= 10毫安
击穿电压@ I
R
= 5 A
击穿电压@ I
R
= 100A
符号
V
F
PIV
PIV
符号
PIV
IAVG
I
FDC
I
PEAK
P
合计
T
Op
T
St
最低
***
75
100
价值
100 (分钟)。
200
300
1.0
500
-65到+200
-65到+200
最大
1.00
单位
伏
毫安
毫安
AMP
毫瓦
o
C
o
C
单位
伏
伏
伏
反向漏电流@ V
R
= 75 V
电容@ V
R
= 0 V , F = 1mHz的
反向恢复时间(注1 )
I
R
C
T
t
rr
5 (100 @ 150
o
C)
4.0
4.0
A
pF
纳秒
注1 :每个方法4031 -A与我
F
= 10 mA时, Vr为6 V ,R
L
= 100欧姆。 *除非另有规定
6湖街 - 劳伦斯, MA 01841
电话: 978-681-0392 - 传真: 978-681-9135
F
EATURES
1N4148-1
1N4148-1
可在
JAN , JANTX ,和JANTXV
每MIL - PRF-
D
IODE
M
ETALLURGICALLY
B
ONDED
H
ERMETICALLY
S
EALED
D
OUBLE
P
耳
C
。施工
19500/116
S
魔力
M
AXIMUM
R
ATINGS AT
25
°C
工作温度:
存储温度:
浪涌电流A,正弦8.3ms的:
浪涌电流B,方8.3ms的:
总功耗:
工作电流:
-65 ° C到+ 200℃
-65 ° C到+ 200℃
2.0A
1.41A
500mW
200毫安,T
A
= +25°C
降额因子:
直流反向电压( VRWM ) :
1.14毫安/ ° C以上牛逼
A
= +25°C
75V
DC ê
LECTRICAL
C
极特
V
F
环境
(°C)
I
F
mA
最小最大环境
V
V
(°C)
I
R
V( DC )
民
A
最大
A
环境
(°C)
V
BR
I
R
A
最小最大
V
V
25
25
150
-55
10
100
10
100
-
-
-
-
0.8
1.2
0.8
1.3
25
25
150
150
20
75
20
75
-
-
-
-
0.025
0.500
35.0
75.0
25
100
100
-
D
ESIGN
D
ATA
案例:
每MIL-密封玻璃封装
PRF -一百一十六分之一万九千五DO- 35外形
导线材料:
铜包钢
铅表面处理:
锡/铅
热敏电阻(R
θJL
):
250 ° C / W最高
在L = .375 “
热阻抗(Z
θJX
):
70 ° C / W最高
标记:
字母数字。
极性:
阴极到底是带状。
AC ê
LECTRICAL
C
极特AT
25°C
符号
电容
@ 0V
电容
@ 1.5V
T
RR
@ I
F
=I
R
=10mA,
I
REC
=为1mA。
T
FR
@如果= 50毫安
V
FR
@如果= 50毫安
pF
pF
纳秒
纳秒
V( PK)
民
-
-
-
-
-
最大
4
2.8
5
20
5
I
雷兰 -
G
ORT
R
OAD
,
E
NNIS ,
C
O.
C
LARE
电话:
免费咨询电话:
传真:
+353 65 6840044
+186 62 702434
+353 65 6822298
www.Microsemi.com
U.S.A.
OMESTIC
S
ALES
C
防尘带
电话:
免费咨询电话:
(617) 926 0404
1 800 666 2999
1N4148-1 AVAILABLE IN
JAN , JANTX ,
和
JANTXV
每MIL -PRF-一百十六分之一万九千五
开关二极管
密封
冶金结合
双封堵施工
1N4148-1
最大额定值
工作温度: -65 ° C到+ 200℃
存储温度: -65 ° C到+ 200℃
工作电流:200mA @ TA = + 25°C
降额因子:1.14毫安/ ° C以上TA = + 25°C
浪涌电流A : 2A ,正弦波, PW = 8.3ms的
浪涌电流B: 1.41A ,方波, PW = 8.3ms的
电气特性
@ 25°C, unless otherwise speci½ed.
VF 1
VF 2
@I F = 10毫安@I F =百毫安
吨RR
VBR
@100A
V RWM
I0
伏
100
伏(峰)
75
mA
200
V DC
0.8
V DC
1.2
秒
5
图1
我R1
@ 20 V DC
我R2
@ 75 V DC
我R3
@ 20 V
TA = 150℃
我R4
@ 75 V
TA = 150℃
A
75
电容
@0V
电容
@ 1.5 V
设计数据
案例:
密封式
每MIL -S -一百十六分之一万九千五玻璃柜
D0-35大纲
导线材料:
铜包钢。
铅表面处理:
锡/铅
热阻:
( ROJL ) :
250℃ / W最大为L = .375
热阻抗: (Z
OJX ) : 70
C / W最高
极性:
阴极到底是带状。
安装位置:
任。
nA
25
A
0.5
A
35
pF
4.0
pF
2.8
6湖街,劳伦斯,马萨诸塞州01841
电话( 978 ) 620-2600
传真:(781 ) 689-0803
网址: http://www.microsemi.com
35
文档和流程转换
必要遵守这一措施
修订由2001年9月8日完成。
INCH POUND
MIL-PRF-19500/116L
2001年6月8日
取代
MIL-PRF-19500/116K
1997年2月28日
性能规格
半导体器件,二极管,硅开关
类型1N914 , 1N914UR , 1N4148-1 , 1N4148UR -1, 1N4148UB , 1N4148UB2 , 1N4148UB2R , 1N4148UBCA ,
1N4148UBCC , 1N4148UBCD , 1N4531 ,和1N4531UR , JAN , JANTX , JANTXV , JANHC ,和JANKC
JANS1N4148-1 (见6.4 ) 。设备类型1N914
和1N4531是不适用于新的设计。
本规范由所有部门批准使用
国防部和机构。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了硅,扩散,开关二极管的性能要求。三
提供给每个设备类型产品保证水平作为MIL -PRF- 19500规定。两个级别的产品
提供给每个未封装器件的保证。
1.2物理尺寸。参见图1 (类似于DO- 35) ,2,3 ,4和5 。
1.3最大额定值。
TYPE
V
( BR )
V
RWM
I
o
T
A
= 25
q
C
mA
75 (1)
125 (2)
200 (3)
200 (3)
I
FSM
t
p
=
1/120 s
A( PK)
1
1
2
2
T
英镑
T
op
Z
6
JX
R
6
JL
R
6
JC
V DC
1N914 , UR
1N4531 , UR
1N4148-1 , UR - 1
1N4148UB,
1N4148UB2,
1N4148UB2R,
1N4148UBCA,
1N4148UBCC
,
1N4148UBCD,
100
100
100
100
V( PK)
75
75
75
75
q
C
-65到+200
-65到+200
-65到+200
-65到+200
q
C
-65到+175
-65到+175
-65到+200
-65到+200
q
C / W
70
70
70
70
q
C / W
250
(含铅)
100(UR)
q
C / W
不适用
不适用
不适用
150
(1)减额以0.5毫安/
G
C以上牛逼
A
= 25
G
C.
( 2 )减免0.83毫安/
G
C以上牛逼
A
= 25
G
C.
(3)减额1.14毫安/
G
C以上牛逼
A
= 25
G
C.
有益的意见(建议,添加,删除)和任何相关的数据,可能是使用的
提高这个文件应该给:国防供应中心,哥伦布,联系人: DSCC - VAC ,
P.O.盒3990 ,哥伦布,俄亥俄州43216-5000 ,通过标准化文档改进建议
( DD表格1426 )出现在本文的结尾,或通过信函。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5961
MIL-PRF-19500/116L
在T 1.4主要电气特性
A
= +25
G
C,除非另有说明。
TYPE
(1)
I
F
直流毫安
1N914
1N4148-1
1N4531
10
10
10
V
F1
V DC
0.8
0.8
0.8
I
F
直流毫安
50
100
100
V
F2
V DC
1.2
1.2
1.2
I
R1
at
V
R
= 20 V DC
I
R2
at
V
R
= 75 V DC
nA的DC
25
25
25
2
直流
0.5
0.5
0.5
TYPE
(1)
I
R3
at
V
R
= 20 V DC
T
A
= 150
G
C
2
直流
35
35
35
I
R4
at
V
R
= 75 V DC
T
A
= 150
G
C
2
直流
75
75
75
t
fr
at
V
fr
= 5.0 V直流( PK)和
I
F
= 50毫安DC
ns
20
20
20
t
rr
ns
5
5
5
1N914
1N4148-1
1N4531
(1)表面电气特性贴装器件的等效于相应的非表面贴装
的设备,除非另有说明。
2.适用文件
2.1一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。这
部不包括引用文件在本说明书中的其它部分的或推荐的附加
信息或作为例子。虽然已尽力确保本清单的完整性,文档
用户应注意,它们必须满足援引第3和第4的这一切规定要求的文件
说明书中,无论它们是否被列出。
2.2政府文件。
2.2.1规格,标准和手册。以下规范,标准,和手册形成
此文件在本文中所指定的范围的一部分。除非另有说明,这些文件的问题是
那些规范和标准( DoDISS )防御指数部的发行上市和
补充于此,举在招标(见6.2) 。
规范
国防部
MIL-PRF-19500
标准
国防部
MIL-STD-750
-
测试方法半导体器件。
-
半导体器件,一般规格。
(除非另有说明,都可以从上述规范,标准,和手册的副本
文档自动化和生产服务( DAPS ) ,大厦4D ( DPM - DODSSP ) , 700罗宾斯大道,
费城,宾夕法尼亚州19111-5094 )。
2
MIL-PRF-19500/116L
类型
LTR
1N4148-1
1N914
BL
BD
LL
LD
BL
BD
LL
LD
尺寸
英寸
民
最大
.140
.180
.056
.075
1.000
1.500
.018
.022
.080
.120
.050
.075
1.000
1.500
.018
.022
MILLIMETERS
民
最大
3.56
4.57
1.42
1.90
25.40
38.10
0.46
0.56
2.03
3.05
1.27
1.90
25.40
38.10
0.46
0.56
笔记
1, 2
3
4
5
4
5
1N4531
注意事项:
1.尺寸以英寸。
2.公制等值给出的只是一般信息。
3.套圈是可选的类型1N4148-1和1N4531的尺寸BL 。
4. BD的最小尺寸应当适用尺寸的BL以上至少0.075 (1.90毫米)。
5.指定引线直径适用于(1.27 MM) 0.050之间的区域为1N914和1N4148-1 ,
和0.010 ( 0.25毫米)为1N4531从二极管体到引线的末端。这个区域中的引线的外
不得超过BD 。
图1.半导体器件,二极管,型号1N914 , 1N4148-1和1N4531 。
3
MIL-PRF-19500/116L
符号
英寸
BD
ECT
BL
S
民
.063
.016
.130
尺寸
最大
.067
.022
.146
0.001分
MILLIMETERS
民
最大
1.60
1.70
0.41
0.55
3.30
3.70
0.03分钟
注意事项:
1.尺寸以英寸。
2.公制等值给出的只是一般信息。
图2物理尺寸1N914UR , 1N4148UR -1,与1N4531UR 。
4
硅开关二极管
应用
1N4148
or
1N4148-1
DO- 35玻璃封装
适用于一般用途的应用,其中一个控制着
特性和快速开关速度是重要的。
特点
DO- 35玻璃封装
香格里拉DDA 。
e
i
0.1 - 。 2 "
0 80 0 2
0. 5 - . 5 m m
4 80 5 8
六西格玛质量
冶金结合
BKC的σ键电镀
1.0"
长
对于无故障的可焊性
25.4 mm
m m
(分)
LL -三十五分之三十四MELF SMD提供
密封玻璃管
提供多达JANTXV -1水平
"S"级筛选可用的源代码控制Drawings-
0.120-.200"
3.05-5.08-
DIA 。
0.06-0.09"
15 - . 8m m
. 322
i
最大额定值
峰值反向电压@ 5μA & 0.1μA @ -55
o
C
平均整流电流
连续正向电流
峰值浪涌电流(T
PEAK
= 1秒)。
BKC功率耗散T
L
=50
o
C,L = 8"分之3从主体
工作温度范围
存储温度范围
电气特性@ 25
o
C*
正向压降@我
F
= 10毫安
击穿电压@ I
R
= 5 A
击穿电压@ I
R
= 100A
符号
V
F
PIV
PIV
符号
PIV
IAVG
I
FDC
I
PEAK
P
合计
T
Op
T
St
最低
***
75
100
价值
100 (分钟)。
200
300
1.0
500
-65到+200
-65到+200
最大
1.00
单位
伏
毫安
毫安
AMP
毫瓦
o
C
o
C
单位
伏
伏
伏
反向漏电流@ V
R
= 75 V
电容@ V
R
= 0 V , F = 1mHz的
反向恢复时间(注1 )
I
R
C
T
t
rr
5 (100 @ 150
o
C)
4.0
4.0
A
pF
纳秒
注1 :每个方法4031 -A与我
F
= 10 mA时, Vr为6 V ,R
L
= 100欧姆。 *除非另有规定
6湖街 - 劳伦斯, MA 01841
电话: 978-681-0392 - 传真: 978-681-9135
1N4148-1
轴向玻璃开关二极管
每个合格的MIL -PRF-一百十六分之一万九千五
资质等级:
JAN , JANTX ,并
JANTXV
可在
广告
版本
描述
这种流行的1N4148-1 JEDEC注册的开关/信号二极管具有内部
冶金结合建设每MIL -PRF-一百一十六分之一万九千五百军工级产品。这
小的低电容二极管,具有非常快的开关速度,密封并
粘结成一个双插头DO- 35封装。它可以以各种非常高速的用于
应用,包括切换器,检测器,瞬时或运算,逻辑阵列,阻塞,以及
低电容控向二极管等的Microsemi还提供了多种其他的开关/信号
二极管。
重要提示:
有关最新信息,请访问我们的网站:
http://www.microsemi.com 。
特点
热门JEDEC注册1N4148数量。
密封玻璃结构。
冶金结合。
双插头建设。
非常低的电容。
非常快的开关速度以最小的反向恢复时间。
JAN , JANTX ,并JANTXV资格提供符合MIL -PRF-一百一十六分之一万九千五百。
MSP筛查也是参照MIL -PRF- 19500 ( JANS )提供。
(见
PART NOMENCLATURE
所有可用的选项。 )
提供RoHS兼容的版本(仅商业级) 。
DO-35
(DO-204AH)
包
也可用于:
DO- 213AA封装
(表面贴装)
1N4148UR-1
UB包
(表面贴装)
1N4148UB
UB2包
( 2 - pin表面贴装)
1N4148UB2
应用/优势
高频数据线等。
小尺寸高密度使用灵活的通孔引线安装(见包装图示) 。
的RS-232 & RS-422接口的网络。
以太网10 BASE T。
低电容转向或阻塞。
局域网。
计算机。
UBC包
(陶瓷盖表面贴装)
1N4148UBC
最大额定值
@ 25 C ,除非另有说明
参数/测试条件
结温和存储温度
(1)
热阻结到铅
(2)
热阻结到环境
最大击穿电压
工作峰值反向电压
(3)
平均整流电流@ T
A
= 75 C
非正弦重复浪涌电流( TP = 8.3毫秒)
符号
T
J
&放大器;牛逼
英镑
R
θJL
R
θJA
V
(
BR )
V
RWM
I
O
I
FSM
价值
-65到+175
250
325
100
75
200
2
单位
o
C
o
C / W
o
C / W
V
V
mA
A( PK)
MSC - 劳伦斯
6湖街,
劳伦斯, MA 01841
电话: 1-800-446-1158或
(978) 620-2600
传真: ( 978 ) 689-0803
MSC - 爱尔兰
戈特路商业园,
恩尼斯有限公司克莱尔,爱尔兰
联系电话: +353 ( 0 ) 65 6840044
传真: +353 ( 0 ) 65 6822298
网址:
www.Microsemi.com
注意事项:
1.引线长度= 0.375英寸( 9.35毫米) 。看
图2
热阻抗曲线。
2. T
A
= + 75°C的印刷电路板(PCB) ,印刷电路板FR4 = - 0.0625英寸( 1.59毫米) 1层1盎司铜,
水平,在静止空气中;垫轴向= 0.092英寸(2.34毫米)的,带材= 0.030英寸(0.76公厘)x 1英寸
(25.4毫米)长,导线长度L ≤ 0.187英寸( ≤ 4.75毫米) ;
θJA
与定义的印刷电路板的耐热性
包含的条件,测定在我
O
= 200毫安。
3.请参阅
图1
为降额。
T4 - LDS- 0281 ,修订版1( 121567 )
2012 Microsemi的公司
第1页4
1N4148-1
机械及包装
案例:全密封玻璃封装。
端子:锡/铅电镀或符合RoHS标准雾锡(仅商业级)以上的铜包钢。每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
极性:负极由乐队表示。
标记:产品编号。
TAPE & REEL选项:按照EIA -296标准。对于批量向厂家咨询。
重量:0.2克。
SEE
包装尺寸
在最后一页。
PART NOMENCLATURE
JAN
可靠性水平
JAN = JAN水平
JANTX = JANTX级别
JANTXV = JANTXV水平
MSP (参考JANS )
见1N6642的水平JANS
1N4148 -1
(e3)
符合RoHS标准
E3 =符合RoHS标准(上
商业级只)
空白=不符合RoHS标准
冶金结合
空白=商业级
JEDEC型号
(见
电气特性
表)
符号
I
R
I
O
t
rr
V
F
V
R
V
RWM
符号定义&
德网络nition
反向电流:最大反向(漏)电流将流在规定的电压和温度。
正向平均整流电流:输出电流平均一个周期, 50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角。
从改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时:反向恢复时间
向前的方向到相反的方向,并在指定的衰减点的峰值反向电流后发生。
正向电压的正向电压的器件将呈现在指定的电流(通常表示为最大
值)。
反向电压反向直流电压值,没有交流分量。
工作峰值反向电压:可应用在工作温度范围内的最大峰值电压
不包括所有的瞬态电压(编号JESD282 -B ) 。有时也被称为PIV 。
电气特性
@ 25 C ,除非另有说明
正向正向反向正向
高压电压恢复恢复
V
F2
@
时间
V
F1
@
时间
t
rr
t
fr
I
F
= 10毫安我
F
-100毫安
(注1 )
(注2 )
V
V
ns
ns
反向
当前
I
R1
@ 20 V
反向
当前
I
R2
@ 75 V
A
反转反转
电流电流
I
R3
I
R4
@ 20 V
@ 75 V
T
A
=150
o
(C T)
A
=150
o
C
A
A
电容
tance
C
(注3)
pF
电容
tance
C
(注4 )
pF
nA
0.8
1.2
5
20
25
0.5
35
75
4.0
2.8
注1 :
I
F
= I
R
= 10毫安,R
L
= 100欧姆。
注2 :
I
F
= 50 mA的电流。
注3 :
V
R
= 0 V , F = 1兆赫,V
SIG
= 50毫伏(峰到峰) 。
注4 :
V
R
= 1.5V , F = 1兆赫,V
SIG
= 50毫伏(峰到峰) 。
T4 - LDS- 0281 ,修订版1( 121567 )
2012 Microsemi的公司
第2页4
1N4148-1
图的
DC操作木卫一最大额定值(毫安)
T
A
(℃ ) (环境)
图1 -
温度 - 电流降额
西塔( ° C / W)
时间(s)
图2 -
热阻抗
T4 - LDS- 0281 ,修订版1( 121567 )
2012 Microsemi的公司
第3页4
1N4148-1
包装尺寸
LTR
BD
BL
LD
LL
LL
1
尺寸
寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.056
.075
1.42
1.91
.140
.180
3.56
4.57
.018
.022
0.46
0.56
1.000
1.500
25.40
38.10
.050
1.27
笔记
3
3
4
注意事项:
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.封装轮廓内BD和长度BL可选。热蛞蝓,如果有的话,应包括该气缸内
但不应受到BD的最低限额。在BL尺寸应包括整个身体,包括
蛞蝓。
4.在这个区域领先,直径可能会发生变化,使铅表面处理和违规行为较热蛞蝓等。
5.根据ASME Y14.5M ,直径相当于
Φx
符号。
T4 - LDS- 0281 ,修订版1( 121567 )
2012 Microsemi的公司
第4页4
1N4148-1
轴向玻璃开关二极管
每个合格的MIL -PRF-一百十六分之一万九千五
资质等级:
JAN , JANTX ,并
JANTXV
可在
广告
版本
描述
这种流行的1N4148-1 JEDEC注册的开关/信号二极管具有内部
冶金结合建设每MIL -PRF-一百一十六分之一万九千五百军工级产品。这
小的低电容二极管,具有非常快的开关速度,密封并
粘结成一个双插头DO- 35封装。它可以以各种非常高速的用于
应用,包括切换器,检测器,瞬时或运算,逻辑阵列,阻塞,以及
低电容控向二极管等的Microsemi还提供了多种其他的开关/信号
二极管。
重要提示:
有关最新信息,请访问我们的网站:
http://www.microsemi.com 。
特点
热门JEDEC注册1N4148数量。
密封玻璃结构。
冶金结合。
双插头建设。
非常低的电容。
非常快的开关速度以最小的反向恢复时间。
JAN , JANTX ,并JANTXV资格提供符合MIL -PRF-一百一十六分之一万九千五百。
MSP筛查也是参照MIL -PRF- 19500 ( JANS )提供。
(见
PART NOMENCLATURE
所有可用的选项。 )
提供RoHS兼容的版本(仅商业级) 。
DO-35
(DO-204AH)
包
也可用于:
DO- 213AA封装
(表面贴装)
1N4148UR-1
UB包
(表面贴装)
1N4148UB
UB2包
( 2 - pin表面贴装)
1N4148UB2
应用/优势
高频数据线等。
小尺寸高密度使用灵活的通孔引线安装(见包装图示) 。
的RS-232 & RS-422接口的网络。
以太网10 BASE T。
低电容转向或阻塞。
局域网。
计算机。
UBC包
(陶瓷盖表面贴装)
1N4148UBC
最大额定值
@ 25 C ,除非另有说明
参数/测试条件
结温和存储温度
(1)
热阻结到铅
(2)
热阻结到环境
最大击穿电压
工作峰值反向电压
(3)
平均整流电流@ T
A
= 75 C
非正弦重复浪涌电流( TP = 8.3毫秒)
符号
T
J
&放大器;牛逼
英镑
R
θJL
R
θJA
V
(
BR )
V
RWM
I
O
I
FSM
价值
-65到+175
250
325
100
75
200
2
单位
o
C
o
C / W
o
C / W
V
V
mA
A( PK)
MSC - 劳伦斯
6湖街,
劳伦斯, MA 01841
电话: 1-800-446-1158或
(978) 620-2600
传真: ( 978 ) 689-0803
MSC - 爱尔兰
戈特路商业园,
恩尼斯有限公司克莱尔,爱尔兰
联系电话: +353 ( 0 ) 65 6840044
传真: +353 ( 0 ) 65 6822298
网址:
www.Microsemi.com
注意事项:
1.引线长度= 0.375英寸( 9.35毫米) 。看
图2
热阻抗曲线。
2. T
A
= + 75°C的印刷电路板(PCB) ,印刷电路板FR4 = - 0.0625英寸( 1.59毫米) 1层1盎司铜,
水平,在静止空气中;垫轴向= 0.092英寸(2.34毫米)的,带材= 0.030英寸(0.76公厘)x 1英寸
(25.4毫米)长,导线长度L ≤ 0.187英寸( ≤ 4.75毫米) ;
θJA
与定义的印刷电路板的耐热性
包含的条件,测定在我
O
= 200毫安。
3.请参阅
图1
为降额。
T4 - LDS- 0281 ,修订版1( 121567 )
2012 Microsemi的公司
第1页4
1N4148-1
机械及包装
案例:全密封玻璃封装。
端子:锡/铅电镀或符合RoHS标准雾锡(仅商业级)以上的铜包钢。每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
极性:负极由乐队表示。
标记:产品编号。
TAPE & REEL选项:按照EIA -296标准。对于批量向厂家咨询。
重量:0.2克。
SEE
包装尺寸
在最后一页。
PART NOMENCLATURE
JAN
可靠性水平
JAN = JAN水平
JANTX = JANTX级别
JANTXV = JANTXV水平
MSP (参考JANS )
见1N6642的水平JANS
1N4148 -1
(e3)
符合RoHS标准
E3 =符合RoHS标准(上
商业级只)
空白=不符合RoHS标准
冶金结合
空白=商业级
JEDEC型号
(见
电气特性
表)
符号
I
R
I
O
t
rr
V
F
V
R
V
RWM
符号定义&
德网络nition
反向电流:最大反向(漏)电流将流在规定的电压和温度。
正向平均整流电流:输出电流平均一个周期, 50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角。
从改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时:反向恢复时间
向前的方向到相反的方向,并在指定的衰减点的峰值反向电流后发生。
正向电压的正向电压的器件将呈现在指定的电流(通常表示为最大
值)。
反向电压反向直流电压值,没有交流分量。
工作峰值反向电压:可应用在工作温度范围内的最大峰值电压
不包括所有的瞬态电压(编号JESD282 -B ) 。有时也被称为PIV 。
电气特性
@ 25 C ,除非另有说明
正向正向反向正向
高压电压恢复恢复
V
F2
@
时间
V
F1
@
时间
t
rr
t
fr
I
F
= 10毫安我
F
-100毫安
(注1 )
(注2 )
V
V
ns
ns
反向
当前
I
R1
@ 20 V
反向
当前
I
R2
@ 75 V
A
反转反转
电流电流
I
R3
I
R4
@ 20 V
@ 75 V
T
A
=150
o
(C T)
A
=150
o
C
A
A
电容
tance
C
(注3)
pF
电容
tance
C
(注4 )
pF
nA
0.8
1.2
5
20
25
0.5
35
75
4.0
2.8
注1 :
I
F
= I
R
= 10毫安,R
L
= 100欧姆。
注2 :
I
F
= 50 mA的电流。
注3 :
V
R
= 0 V , F = 1兆赫,V
SIG
= 50毫伏(峰到峰) 。
注4 :
V
R
= 1.5V , F = 1兆赫,V
SIG
= 50毫伏(峰到峰) 。
T4 - LDS- 0281 ,修订版1( 121567 )
2012 Microsemi的公司
第2页4
1N4148-1
图的
DC操作木卫一最大额定值(毫安)
T
A
(℃ ) (环境)
图1 -
温度 - 电流降额
西塔( ° C / W)
时间(s)
图2 -
热阻抗
T4 - LDS- 0281 ,修订版1( 121567 )
2012 Microsemi的公司
第3页4
1N4148-1
包装尺寸
LTR
BD
BL
LD
LL
LL
1
尺寸
寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.056
.075
1.42
1.91
.140
.180
3.56
4.57
.018
.022
0.46
0.56
1.000
1.500
25.40
38.10
.050
1.27
笔记
3
3
4
注意事项:
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.封装轮廓内BD和长度BL可选。热蛞蝓,如果有的话,应包括该气缸内
但不应受到BD的最低限额。在BL尺寸应包括整个身体,包括
蛞蝓。
4.在这个区域领先,直径可能会发生变化,使铅表面处理和违规行为较热蛞蝓等。
5.根据ASME Y14.5M ,直径相当于
Φx
符号。
T4 - LDS- 0281 ,修订版1( 121567 )
2012 Microsemi的公司
第4页4