1N4106-1 / UR -1至1N4135-1 / UR- 1
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5095 ，版本A
SJ
SV
SX
齐纳二极管1.5W
齐纳电压可以从12V到100V
夏普齐膝盖
冶金结合
TYPE
数
1N4106-1 / UR -1
1N4107-1 / UR -1
1N4108-1 / UR -1
1N4109-1 / UR -1
1N4110-1 / UR -1
1N4111-1 / UR -1
1N4112-1 / UR -1
1N4113-1 / UR -1
1N4114-1 / UR -1
1N4115-1 / UR -1
1N4116-1 / UR -1
1N4117-1 / UR -1
1N4118-1 / UR -1
1N4119-1 / UR -1
1N4120-1 / UR -1
1N4121-1 / UR -1
1N4122-1 / UR -1
1N4123-1 / UR -1
1N4124-1 / UR -1
1N4125-1 / UR -1
1N4126-1 / UR -1
1N4127-1 / UR -1
1N4128-1 / UR- 1
1N4129-1 / UR -1
1N4130-1 / UR -1
1N4131-1 / UR -1
1N4132-1 / UR -1
1N4133-1 / UR -1
1N4134-1 / UR -1
1N4135-1 / UR -1
公称
齐纳
电压
VZ名义
伏
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
27.0
28.0
30.0
33.0
36.0
39.0
43.0
47.0
51.0
56.0
60.0
62.0
68.0
75.0
82.0
87.0
91.0
100.0
齐纳
TEST
当前
Ir
μA
dc
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
5.0
5.0
5.0
5.0
7.0
7.0
8.0
8.0
10.0
10.0
最大齐纳
阻抗
ZZT
欧
200
200
200
100
100
100
100
150
150
150
150
150
150
200
200
200
200
200
250
250
300
300
400
500
700
700
800
1,000
1,200
1,600
最大齐纳
当前
IZSM
mA
540
500
464
433
406
382
361
342
325
295
271
260
240
232
216
197
180
166
151
138
127
116
108
105
95
86
79
75
71
65
最大反向
漏电流
Ir
μA
dc
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
Vr
伏
9.2
9.9
10.7
11.4
12.2
13.0
13.7
14.5
15.2
16.8
18.3
19.0
20.5
21.3
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
45.6
47.1
51.7
57.0
62.4
66.2
69.2
76.0
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
万维网 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
1N4106-1 / UR -1至1N4135-1 / UR- 1
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5095 ，版本A
SJ
SV
SX
尺寸以英寸（毫米）
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鹿园，NY 11729-4681
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传真：（ 631 ） 242-9798
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1N4106-1 / UR -1至1N4135-1 / UR- 1
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5095 ，版本A
SJ
SV
SX
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以改善
产品特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体营业部的
最新版本的数据表（S ）的。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通用
设备，医疗设备，安全设备） ，安全性应该通过使用该功能的半导体器件保证
确保安全或用户的故障安全防范措施或其他安排方式。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元，根据所述数据表（多个）操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
属性的权利要求或任何其它问题可能是由于在所描述的信息，产品或电路应用
数据表。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或任何二次伤害承担责任
从使用而造成的价值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经明确的书面许可，
的Sensitron半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在其应用
会妨碍维护国际和平与安全也不是由他们直接购买，或适用于该目的
任何第三方。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合
相关法律法规。
221西工业苑
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1N4099-1 THRU 1N4135-1 AVAILABLE IN
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS
每MIL -PRF-四百三十五分之一万九千五
低电流工作在250
A
低反向漏电流和低噪音等特点
冶金结合
1N4099 1N4135直通
和
1N4099-1通1N4135-1
最大额定值
结存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ + 50°C
功率降额： 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
在正向电压200毫安： 1.1伏特最大
电气特性
@ 25 ° C，除非另有规定ED 。
JEDEC
TYPE
数
公称
齐纳
电压
VZ @ LZT
（注1 ）
伏
1N4099
1N4100
1N4101
1N4102
1N4103
1N4104
1N4105
1N4106
1N4107
1N4108
1N4109
1N4110
1N4111
1N4112
1N4113
1N4114
1N4115
1N4116
1N4117
1N4118
1N4119
1N4120
1N4121
1N4122
1N4123
1N4124
1N4125
1N4126
1N4127
1N4128
1N4129
1N4130
1N4131
1N4132
1N4133
1N4134
1N4135
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
齐纳
TEST
当前
IZT
最大
齐纳
阻抗
ZZT
（注2 ）
欧
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
150
150
150
150
150
150
200
200
200
200
200
250
250
300
300
400
500
700
700
800
1000
1200
1500
最大反向
泄漏
当前
LR @ VR
最大
噪音
密度
ND @ LZT
最大
齐纳
当前
LZM
mA
56
51
46
44
42
38
35
32
29
27
25
24
22
21
20
19
17
16
15
14
14
13
12
11
9.8
8.9
8.1
7.5
6.7
6.4
6.1
5.6
5.1
4.6
4.4
4.2
3.8
A
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
A
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
伏
5.17
5.70
6.24
6.61
6.92
7.60
8.44
9.12
9.87
10.65
11.40
12.15
12.92
13.67
14.44
15.20
16.72
18.25
19.00
20.46
21.28
22.80
25.08
27.38
29.65
32.65
35.75
38.76
42.60
45.60
47.10
51.68
57.00
62.32
66.12
69.16
76.00
V/
√
Hz
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
图1
设计数据
案例：
密封的玻璃
情况。 DO - 35的轮廓。
导线材料：
铜包钢。
铅表面处理：
锡/铅
热阻（R
OJEC ） ：
250℃ / W最大为L = .375英寸
热阻抗： （Z
OJX ） ： 35
C / W最高
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装位置：
任。
注1
上面显示的JEDEC类型的数字有+ 5％齐纳电压容差
额定齐纳电压。 VZ测量与热器件的结
平衡在25 ° C + 3 ° C的环境温度。 “C ”后缀表示+ 2 ％
宽容和“D”后缀表示+ 1 ％的容差。
齐纳阻抗由叠加在LZT ， 60赫兹交流电有效值衍生当前
等于LZT为10％ （25
一交流） 。
注2
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
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