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1N4001G - 1N4007G
1.0A玻璃钝化整流
特点和优点
玻璃钝化片建设
高电流能力和低正向压降
浪涌过载额定值为30A峰值
无铅产品,符合RoHS (注1 )
机械数据
案例: DO- 41塑料
外壳材料:模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
码头:完成 - 天。镀导致每MIL -STD-焊
202 ,方法208
极性:负极频带
标记:型号数量
重量: 0.30克(近似值)
订购信息
(注2 )
设备
1N4001G-T
1N4002G-T
1N4003G-T
1N4004G-T
1N4005G-T
1N4006G-T
1N4007G-T
包装
DO- 41塑料
DO- 41塑料
DO- 41塑料
DO- 41塑料
DO- 41塑料
DO- 41塑料
DO- 41塑料
航运
5K /磁带&卷轴, 13英寸
5K /磁带&卷轴, 13英寸
5K /磁带&卷轴, 13英寸
5K /磁带&卷轴, 13英寸
5K /磁带&卷轴, 13英寸
5K /磁带&卷轴, 13英寸
5K /磁带&卷轴, 13英寸
最大额定值和电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流(注3 ) @ T
A
= 75°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
正向电压@ I
F
= 1.0A
峰值反向电流@T
A
= 25°C
在额定阻断电压DC @ T
A
= 125°C
典型的反向恢复时间(注4 )
典型的总电容(注5 )
典型热阻结到环境
工作和存储温度范围
注意事项:
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
T
R
θ
JA
T
J
,
T
英镑
1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007
G
G
G
G
G
G
G
50
35
100
70
200
140
400
280
1.0
30
1.0
5.0
50
2.0
8.0
100
-65到+175
600
420
800
560
1000
700
单位
V
V
A
A
V
A
s
pF
° C / W
°C
1.欧盟指令2002/ 95 / EC ( RoHS指令) 。应用所有适用的RoHS指令的豁免,见欧盟指令2002/ 95 / EC附件的注意事项。
2.对于包装的详细信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com 。
3.信息保持在环境温度下从所述壳体的距离9.5毫米。
4.测量与我
F
= 0.5A ,我
R
= -1A ,我
rr
= 0.25A.
5.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反向电压。
1N4001G - 1N4007G
文件编号: DS29002牧师8 - 2
1第3
www.diodes.com
2012年1月
Diodes公司
1N4001G - 1N4007G
I
(AV)
,平均正向整流电流( A)
1.0
I
F
,正向电流(A)
10
0.8
1.0
0.6
0.4
0.1
0.2
0
40
60
80
100
120
140
160
180
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
T
A
,环境温度(℃ )
图。 1正向电流降额曲线
30
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性
100
T
j
= 25C
F = 1MHz的
20
C
T
,总电容(PF )
10
10
0
1
10
100
1.0
1.0
10
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型的总电容
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
100
T
j
= 100°C
10
1.0
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5典型的反向特性
1N4001G - 1N4007G
文件编号: DS29002牧师8 - 2
2 3
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2012年1月
Diodes公司
1N4001G - 1N4007G
包装外形尺寸
暗淡
A
B
C
D
DO- 41塑料
最大
25.40
4.06
5.21
0.71
0.864
2.00
2.72
尺寸:mm
重要通知
Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的,关于这一文件,
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
(及其任何司法管辖范围内的法律等效) 。
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或
商标专用权,也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
这种使用的一切风险,并同意举行Diodes公司,其产品有代表Diodes公司所有公司
网站上,反对一切损害无害。
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如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序,客户应保障
举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔,损失,费用和律师直接或引起的,收费无害
间接的,人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。
本文描述的产品可能受一个或多个美国,国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国,国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用:
A.生命支持设备或系统的设备或系统,其中:
1.旨在植入到体内,或
2.支持或维持生命,其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.关键部件是在生命支持设备或系统,其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示,他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果,并
承认并同意,他们全权负责所有的法律,法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全,生命支持设备或系统,即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外,客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全,生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
版权所有 2012年, Diodes公司
www.diodes.com
1N4001G - 1N4007G
文件编号: DS29002牧师8 - 2
3 3
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2012年1月
Diodes公司
玻璃钝化整流标准
1N4001G THRU 1N4007G
电流: 1A
Votlage : 50 1000V
特点
低正向压降
高电流能力
低反向漏电流
高浪涌电流能力
1.0(25.4)
分钟。
DO-41
.034(.86)
.028(.71)
DIA 。
.205(5.2)
.160(4.1)
.107(2.7)
.080(2.0)
1.0(25.4)
分钟。
DIA 。
机械数据
案例:模压塑料DO- 41
环氧树脂: UL 94-0率阻燃
终端:每MIL -STD- 202焊接的
方法208保证
极性:颜色频带端为负极
安装位置:任意
重量: 0.34克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
评分在25℃环境温度,除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或
感性负载。对于容性负载,减免电流20 % 。
1N
SYMBOL 4001G
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
电流T
L
=55
C
峰值正向浪涌电流, 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
最大正向电压
@ 1.0 A
反向电流最大DC @T
J
=25
C
o
在额定阻断电压DC @T
J
=125
C
典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作结存储
温度范围
o
o
o
1N
4002G
100
70
100
1N
4003G
200
140
200
1N
4004G
400
280
400
1.0
1N
4005G
600
420
600
1N
4006G
800
560
800
1N
4007G单位
1000
700
1000
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
I
FSM
30
A
V
F
1.1
5.0
100
10
45
-55到+150
o
V
uA
uA
pF
C / W
o
I
R
C
J
R
JA
T
J
,T
英镑
C
注: ( 1 )热电阻交界处领导。
( 2 )测得1.0 MHz和应用4.0伏特的直流反向电压。
“ -G ”后缀指定RoHS兼容的版本
玻璃钝化整流标准
评级和特性曲线1N4001G THRU 1N4007G
图1 - 正向电流降额曲线
1.0
30
图2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流,
安培
脉宽8.3ms的
单半陛下波
( JEDEC的方法)
正向平均整流
当前,安培
0.8
25
20
0.6
15
0.4
10
0.2
60赫兹电阻或
感性负载
0
0
50
100
o
5
0
150
1
10
100
焊接温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型瞬时
正向特性
IINSTANTANEOUS正向电流,
安培
10
图4 - 典型的反向特性
100
瞬时反向电流,
微安
T
J
=125 C
o
10
1.0
1
0.1
0.1
T
J
=25 C
o
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
=25 C
脉冲宽度= 300US
1 %占空比
1.0
1.2
1.4
1.6
o
0.01
0
20
40
60
80
100
正向电压,
百分之额定峰值反向电压, %
图5 - 典型结电容
100
结电容, pF的
T
J
= 25 C
F = 1.0 MHz的
VSIG = 50mVp -P
o
10
1
0.1
1.0
4.0
10
100
反向电压,伏
“ -G ”后缀指定RoHS兼容的版本
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    1N4001G-T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
1N4001G-T
Diodes Incorporated
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
1N4001G-T
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24+
10000
DO-41
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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1N4001G-T
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23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
1N4001G-T
DIODES/美台
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DO-41
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
1N4001G-T
DIODES
19+
5000
DO-204ALDO
原装正品,支持实单
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联系人:周小姐171-4755-1968微信同号,无线联通更快捷!
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1N4001G-T
DIODES
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6675
DO-41
3¥/片,★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:3元
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
1N4001G-T
Diodes Incorporated
24+
22000
408¥/片,原装正品假一赔百!
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
1N4001G-T
N/A
24+
21000
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
1N4001G-T
DIODES/美台
2024
20918
DO-41
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
1N4001G-T
DIODES/美台
24+
32000
DO41
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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