技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
高可靠性硅电力整流器
玻璃钝化芯片
坚固的结构
每个合格的MIL -PRF-二百一十一分之一万九千五
玻璃与金属头建设
高浪涌电流能力
器件
水平
1N3164
1N3168
1N3170
1N3172
1N3174
1N3164R
1N3168R
1N3170R
1N3172R
1N3174R
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值（T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
反向重复峰值电压
1N3164
1N3168
1N3170
1N3172
1N3174
1N3164R
1N3168R
1N3170R
1N3172R
1N3174R
符号
价值
200
400
600
800
1000
200
300
6250
0.20
0.80
-65 ℃至200 ℃的
-65 ℃至200 ℃的
单位
V
RWM
V
平均正向电流，T
C
= 150°
平均正向电流，T
C
= 120°
峰值正向电流浪涌@ T
p
= 8.3ms的，半正弦波，
T
C
= 200°C
热阻，结到外壳
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
I
F
I
F
I
FSM
R
θJC
R
θCS
T
j
T
英镑
A
A
A
° C / W
° C / W
°C
°C
电气特性（T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
正向电压
I
FM
= 940A ，T
C
= 25°C
反向电流
V
RM
= 200, T
C
= 25°C
V
RM
= 400, T
C
= 25°C
V
RM
= 600, T
C
= 25°C
V
RM
= 800, T
C
= 25°C
V
RM
= 1000, T
C
= 25°C
反向电流
V
RM
= 200, T
C
= 175°C
V
RM
= 400, T
C
= 175°C
V
RM
= 600, T
C
= 175°C
V
RM
= 800, T
C
= 175°C
V
RM
= 1000, T
C
= 175°C
注意：
1N3164
1N3168
1N3170
1N3172
1N3174
1N3164R
1N3168R
1N3170R
1N3172R
1N3174R
1N3164
1N3168
1N3170
1N3172
1N3174
1N3164R
1N3168R
1N3170R
1N3172R
1N3174R
符号
V
FM
分钟。
马克斯。
1.55
单位
V
DO- 205AB （DO- 9）
I
RM
10
mA
I
RM
30
mA
T4 - LDS - 0140修订版1（ 091750 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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高可靠性硅电力整流器
图的
图1
典型的正向特性
科幻gure 3
正向电流降额
图5
最大非重复性
多周期浪涌电流
图2
典型的反向特性
T4 - LDS - 0140修订版1（ 091750 ）
分页： 1 2 3
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6湖街，劳伦斯，MA 01841
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高可靠性硅电力整流器
包装尺寸
注意事项：
符号
1.
2.
3.
度量等价仅供一般参考中给出。
完整的线程座位2.5线程内延伸到
平面。
.750-16 UNF -2A 。镀最大径
螺纹应是基本中径。 0.7094 （ 18.019毫米）
裁判。 （螺纹标准为联邦服务）补料
STD-H28.
终端和制表相角方向
以十六进制的基础是不确定的。方形或半径结束
终端是不确定的。
倒角（或咬边）上的一个或六角形的两端
部分是可选的。
制表可选。
最小持平。
柔性引线。
A
B
C
φD
φD1
E
F
H
I1
φM
M1
N
Q
Q1
φt
W
4.
5.
6.
7.
8.
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
1.520
38.10
.530
.755
13.46
19.18
.063
.172
1.60
4.37
1.100
27.94
.600
15.24
1.218
1.252
30.94
31.75
.250
.562
6.35
14.27
5.125
6.750
130.18 171.45
.375
9.53
.660
.745
16.76
18.92
.125
3.18
.793
.828
20.14
21.03
2.300
57.15
.375
9.53
.265
.350
6.73
3.89
笔记
4
5
7
2
6
6
3
物理尺寸的半导体器件
T4 - LDS - 0140修订版1（ 091750 ）
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