1N3154-1 THRU 1N3157-1 AVAILABLE IN
JAN ， JANTX ， JANTXV
1N3154直通1N3157A
和
1N3154-1通1N3157A - 1
与JANS
每MIL -PRF-一百五十八分之一万九千五
8.4 V0LT额定齐纳电压
温度补偿齐纳二极管基准二极管
冶金结合
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ + 50°C
功率降额： 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
反向漏电流
l
R
= 10
A @ 25℃ & V
R
= 5.5VDC
电气特性
@ 25 ° C，除非另有规定ED 。
JEDEC
TYPE
数
齐纳
电压
V @I
z
ZT
齐纳
TEST
当前
I
ZT
最大
电压
温度
齐纳
温度
范围
阻抗
稳定性
ZZT
V
ZT
最大
（注1 ）
（注2 ）
mV
130
172
65
86
26
34
13
17
°C
-55到+100
-55到+150
-55到+100
-55到+150
-55到+100
-55到+150
-55到+100
-55到+150
有效
温度
系数
图1
% / °C
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
伏
1N3154
1N3154A
1N3155
1N3155A
1N3156
1N3156A
1N3157
1N3157A
8.00—8.80
8.00—8.80
8.00—8.80
8.00—8.80
8.00—8.80
8.00—8.80
8.00—8.80
8.00—8.80
mA
10
10
10
10
10
10
10
10
欧
15
15
15
15
15
15
15
15
设计数据
案例：
密封的玻璃
情况。 DO - 35的轮廓。
导线材料：
铜包钢。
铅表面处理：
锡/铅
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
注1
齐纳阻抗叠加在LZT 60Hz的交流电有效值衍生当前
等于LZT的10％。
观察到的在整个温度范围内，即允许的最大变化，
二极管电压不会超过特定网络连接编毫伏在任何离散的温度
与既定的限制，根据JEDEC标准5号。
安装位置：
任。
注2
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
电子信箱： mail@cdi-diodes.com
1N3154 1N3157直通，A ， -1 ， E3
8.4伏温度补偿齐纳
参考二极管
斯科茨代尔区划
描述
流行1N3154通1N3157A系列零TC参考二极管
提供了一个选择8.4伏的标称电压和温度系数
低至0.001 ％/
o
下最小电压随温度的变化时
在10.0毫安操作。这些玻璃轴向引线DO- 7的参考二极管
还有一月， JANTX ，并JANTXV军事资历可用。作为进一步的
选择用于商业产品，它们都可以作为符合RoHS，具有
E3后缀添加到零件号。 Microsemi的还提供了许多其他
齐纳二极管参考产品为各种其他电压为6.2 V至
200 V.
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-7
(DO-204AA)
特点
JEDEC注册的直通1N3157A系列1N3154
的8.4V +/- 5 ％用更严格的标准参考电压
公差可用
1N3154 ， 3155 ， 3156和3157也有军事
资格符合MIL -PRF- 158分之19500到
JANTXV级加入JAN ， JANTX ，或JANTXV
前缀部分号码以及“-1”的后缀，例如：
JANTX1N3157-1等。
内部的冶金结合
JANS等效可通过SCD
可通过改变抗辐射器件
1N前缀RH ，例如RH3156 ， RH3157 ， RH3157A ，
等。也请咨询工厂“ RH ”数据表
小册
可通过添加“E3”符合RoHS设备
后缀（不适用于军事）
应用/优势
提供了一个广阔的最小电压变化
温度范围
对于仪器仪表等电路设计
需要稳定的电压参考
最大温度系数的选择
可从0.01 ％ / C至0.001 ％ /℃
紧身参考电压容差在8.4 V
标称可通过添加公差为1％， 2％ ，
3 ％等用于鉴定如零件号后
1N3156-2 ％ ， 1N3157A -1％ ， 1N3157-1-1 ％等。
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD
最大额定值
操作& StorageTemperature ： -65
o
C至+175
o
C
DC功耗： 500毫瓦@ T
L
= 25
o
C和
最大电流I
ZM
55毫安。注：为了获得最佳
电压 - 温度稳定性，我
Z
= 10.0毫安（小于
90毫瓦的功率耗散）
焊接温度： 260
o
下10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封的玻璃柜与DO- 7
（DO- 204AA ）包
端子：锡铅（军人）或符合RoHS
退火雾锡每MIL -STD-镀焊
750 ，方法2026
标记：部件号和阴极带
极性：参考二极管与被操作
带状端相对的另一端正
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量：0.2克。
请参阅最后一页的封装尺寸
1N3154 - 1N3157A ， E3
版权
2005
2005年7月18日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N3154 1N3157直通，A ， -1 ， E3
8.4伏温度补偿齐纳
参考二极管
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
*电气特性@ 25
o
C，除非另有规定编
JEDEC
TYPE
号码
（注1,5
& 6 ）
齐纳
电压
V
Z
@ I
ZT
（注1 ）
伏
齐纳
TEST
当前
I
ZT
mA
最大
齐纳
阻抗
（注2 ）
Z
ZT
欧
最大
反向
当前
I
R
@ 5.5 V
电压
温度
稳定性
（注3 & 4 ）
ΔV
ZT
最大
mV
有效
温度
系数
α
VZ
%/ C
o
温度
范围
1N3154
1N3154A
1N3155
1N3155A
1N3156
1N3156A
1N3157
1N3157A
8.00-8.80
8.00-8.80
8.00-8.80
8.00-8.80
8.00-8.80
8.00-8.80
8.00-8.80
8.00-8.80
10
10
10
10
10
10
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
μA
10
10
10
10
10
10
10
10
o
C
130
172
65
86
26
34
13
17
-55到+100
-55到+150
-55到+100
-55到+150
-55到+100
-55到+150
-55到+100
-55到+150
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.001
0.001
* JEDEC注册的数据。
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
当超过规定严格的公差订购的设备，一个连字符的后缀添加到零件号为所需的宽容，
例如1N3156-2 ％ ， 1N3157A -1％ ， 1N3157-1-1 ％等。
o
测量叠加在10毫安直流1.0毫安交流有效值@ 25℃。
观察到的在整个温度范围内，即允许的最大变化，二极管电压不会超过
指定的MV变化在规定的限度之间的分立式温度。
电压测量应用直流电流后进行15秒。
的1N3154 ， 1N3155 ， 1N3156和1N3157也有军事资格MIL- PRF-一百五十八分之一万九千五百到JANTXV水平由
加入JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀的部件编号以及“-1”的后缀，例如： JANTX1N3156-1 ， JANTXV1N3157-1等。
候抗辐射用“ RH ”前缀代替“ IN” ，即RH3157A而不是1N3157A设备。
图的
的温度变化系数（毫伏/℃ ）
在图1中示出的曲线是典型的二极管系列和
大大简化了温度系数的推定
（TC）时，二极管在电流大于10mA的其他操作。
例如：在本系列的二极管是在当前操作
10mA的并指定温度系数（ TC ）的限制
o
+/- 0.005 ％ / C。为了得到典型温度系数
此相同的二极管限制在7.5毫安，所述的当前操作
o
新的TC限值（％/℃ ），可使用图中被估计
图1 。
在测试电流7.5毫安的温度系数的变化
o
（TC）是约-0.0012 ％。的C的代数和+/-
o
o
0.005 ％C和-0.0012 ％ / C给出的新的估计范围
+ 0.0038 ％ /℃和-0.0062 ％ /℃ 。
变化的温度系数（ ％/℃）
o
o
1N3154 - 1N3157A ， E3
I
Z
- 工作电流（mA ）
图1
温度系数典型改变
变革中的工作电流。
版权
2005
2005年7月18日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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8.4伏温度补偿齐纳
参考二极管
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
Δ
V
Z
- 变化中的齐纳电压（MV ）
这条曲线在图2中示出的变化
从效果所引起的二极管电压
阻抗。它是在效果器的分解视图
的I-V的齐纳工作区域
的特点。
在结合图1 ，该曲线可以是
用下估计总电压调节
两个不同的温度条件和
电流。
I
Z
- 工作电流（mA ）
图2
齐纳电压的典型变化
变革中的工作电流。
尺寸
1N3154 - 1N3157A ， E3
以英寸所有尺寸
mm
版权
2005
2005年7月18日REV B
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