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1N2133A通1N2138AR
硅标准
恢复二极管
特点
高浪涌能力
种类多达600 V V
RRM
DO- 5封装
V
RRM
= 50 V - 600 V
I
F
=60 A
最大额定值，在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
重复P
p
峰值反向电压
g
RMS反向电压
阻断电压DC
连续正向电流
浪涌非重复正向
目前，半正弦波
工作温度
储存温度
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
女， SM
T
j
T
英镑
T
C
≤
150 °C
T
C
= 25 ° C，T
p
= 8.3毫秒
条件
1N2133A （R） - 1N2135A （R） - 1N2137A （R） - 1N2138A （R）的
300
210
50
60
1050
-65 200
-65 200
400
280
100
60
1050
-65 200
-65 200
500
350
150
60
1050
-65 200
-65 200
600
420
200
60
1050
-65 200
-65 200
单位
V
V
V
A
A
°C
°C
电特性，在环境温度为25℃ ，除非另有说明
参数
二极管的正向电压
反向电流
符号
V
F
I
R
条件
I
F
= 60 A，T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V ，T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V ，T
j
= 150 °C
1N2133A （R） - 1N2135A （R） - 1N2137A （R） - 1N2138A （R）的
1.1
10
15
0.65
1.1
10
15
0.65
1.1
10
15
0.65
1.1
10
15
0.65
单位
V
μA
mA
° C / W
热特性
热阻，结 -
例
R
thJC
www.genesicsemi.com
1
1N2133A通1N2138AR
www.genesicsemi.com
2
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1N2153
1N2154
1N2154R
1N2155
1N2155R
1N2156
1N2156R
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    1N2138AR
    -
    -
    -
    -
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GeneSiC
2025+
26820
DO-203AB
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深圳市格雷迪电子有限公司
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IR
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