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1N1 ... A, 1N36..A系列
日前,Vishay高功率产品
中功率
硅整流二极管,一个12
特点
额定电压为50 1000 V
高浪涌能力
低热阻
高温度等级
可作为JAN和JAN - TX的设备
按照MIL -S -二百六十分之一万九千五
DO- 203AA (DO- 4)
RoHS指令
柔顺
符合RoHS
产品概述
I
F( AV )
12 A
主要额定值及特点
参数
I
F( AV )
I
FSM
I
2
t
T
C
V
RRM
(1)
JEDEC注册的价值观
范围
T
C
50赫兹
60赫兹
50赫兹
60赫兹
测试条件
12
(1)
单位
A
°C
A
A
2
s
°C
V
150
(1)
230
240
(1)
260
240
- 65 200
50-1000
(1)
电气规格
电压额定值
V
RRM
最大
重复峰值
反向电压
V
T
C
= - 65 ℃ 200℃
1N1199A
1N1200A
1N1201A
1N1202A
1N1203A
1N1204A
1N1205A
1N1206A
1N3670A
1N3671A
1N3672A
50
(1)
类型编号
(2)
V
R( RMS )
,最大RMS
反向电压
V
T
C
= - 65 ℃ 200℃
35
(1)
V
RSM
最大
非重复性峰值
反向电压
V
T
C
= - 65 ℃ 200℃
100
(1)
V
RM
,最大直射
反向电压
V
T
C
= - 65 ℃ 200℃
50
(1)
100
(1)
150
(1)
200
(1)
300
(1)
400
(1)
500
(1)
600
(1)
700
(1)
800
(1)
900
(1)
1000
(1)
100
(1)
150
(1)
200
(1)
300
(1)
400
(1)
500
(1)
600
(1)
700
(1)
800
(1)
900
(1)
70
(1)
105
(1)
140
(1)
210
(1)
280
(1)
350
(1)
420
(1)
490
560
630
200
(1)
300
(1)
350
(1)
450
(1)
600
(1)
700
(1)
800
(1)
900
(1)
1000
(1)
1100
(1)
1N3673A
1000
(1)
700
1200
(1)
笔记
(1)
JEDEC注册的价值观
(2)
基本部件号表示阴极情况;为阳极的情况下,加上“ R” ,以部件编号,例如, 1N1199RA
文档编号: 93493
修订: 24军08
如有技术问题,请联系: ind-modules@vishay.com
www.vishay.com
1
1N1 ... A, 1N36..A系列
日前,Vishay高功率产品
中功率
硅整流二极管,一个12
正向导通
参数
最大平均正向电流
在外壳温度
符号
I
F( AV )
测试条件
180 °正弦波传导
半周期50赫兹的正弦波
或6毫秒矩形脉冲
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
半个周期60赫兹正弦波
或5毫秒的矩形脉冲
半周期50赫兹的正弦波
或6毫秒矩形脉冲
半个周期60赫兹正弦波
或5毫秒的矩形脉冲
T = 10毫秒
最大
I
2
t
对于融合
I
2
t
我最大
2
吨的个体
设备融合
我最大
2
√t
个人
设备融合
最大正向电压降
V
RRM
= 50
V
RRM
= 100
V
RRM
= 150
V
RRM
= 200
V
RRM
= 300
最大平均
反向电流
V
RRM
= 400
V
RRM
= 500
V
RRM
= 600
V
RRM
= 700
V
RRM
= 800
V
RRM
= 900
V
RRM
= 1000
笔记
(1)
JEDEC注册的价值观
(2)
I
2
t表示时间t = I
2
√t
x
√t
x
x
(3)
最大反向峰值电流(I
RM
)相同的条件下
2倍额定我
R( AV )
I
R( AV )
(3)
12
(1)
150
(1)
单位
A
°C
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
以下任何额定载荷
条件和V
RRM
采用下面的浪涌= 0
额定V
RRM
应用的
下面激增,
初始的T
J
= 200 °C
随着V
RRM
= 0以下
浪涌,初始的T
J
= 200 °C
230
240
(1)
A
275
285
260
240
370
340
3715
1.35
(1)
3.0
(1)
2.5
(1)
2.25
(1)
2.0
(1)
1.75
(1)
1.5
(1)
A
2
√s
V
A
2
s
I
FSM
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
I
2
√t
(2)
V
FM
T = 0.1 10毫秒,V
RRM
= 0以下激增
I
F( AV )
= 12 A( 38峰值) ,T
C
= 25 °C
最大额定我
F( AV )
和T
C
1.25
(1)
1.0
(1)
0.9
(1)
0.8
(1)
0.7
(1)
0.6
(1)
mA
www.vishay.com
2
如有技术问题,请联系: ind-modules@vishay.com
文档编号: 93493
修订: 24军08
1N1 ... A, 1N36..A系列
中功率
日前,Vishay高功率产品
硅整流二极管,一个12
热和机械规格
参数
最大工作情况和
存储温度范围
最大内部热
电阻,结到外壳
热阻,
案例下沉
最低
扭矩施加于螺母;无润滑螺纹
最大
最低
安装力矩
最大
最低
扭矩适用于设备的情况下;润滑螺纹
最大
大约重量
0.25
机箱样式
(1)
JEDEC注册的价值观
JEDEC
盎司
DO- 203AA (DO- 4)
1.43 (12.65)
7.0
g
扭矩施加于螺母;润滑螺纹
1.30 (11.55)
1.17 (10.35)
1.69 (15)
1.07 (9.45)
N·m的
(磅力·英寸)
符号
T
C
, T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
安装面,光滑,扁平的和润滑
测试条件
- 65 200
(1)
2.0
(1)
° C / W
0.5
1.36 (12)
单位
°C
文档编号: 93493
修订: 24军08
如有技术问题,请联系: ind-modules@vishay.com
www.vishay.com
3
1N1 ... A, 1N36..A系列
日前,Vishay高功率产品
中功率
硅整流二极管,一个12
图。 1 - 平均正向电流与
最大允许外壳温度
图。 4 - 最大正向电压与正向电流
图。 2 - 最大低电平正向功率损耗与
平均正向电流
图。 5 - 最大瞬态热阻抗,
结到外壳与脉冲持续时间
图。 3 - 最大高级前向功率损耗与
平均正向电流
图。 6 - 最大非重复50 Hz的浪涌电流 -
电流脉冲的数量
链接到相关的文档
尺寸
http://www.vishay.com/doc?95311
www.vishay.com
4
如有技术问题,请联系: ind-modules@vishay.com
文档编号: 93493
修订: 24军08
外形尺寸
威世半导体
DO- 203AA (DO- 4)
尺寸
毫米(英寸)
3.30 (0.13)
4.00 (0.16)
0.8 ± 0.1
(0.03 ± 0.004)
+ 0.3
0
+ 0.01
(0.08
0
)
2
5.50 ( 0.22 )最低。
1.80 ± 0.20
( 0.07 ± 0.01)
20.30 ( 0.80 )最大。
10.20 (0.40)
马克斯。
3.50 (0.14)
R 0.40
R (0.02)
6.8 (0.27)
11.50 (0.45)
10.70 (0.42)
32"分之10 UNF -2A
公制设备: M5 ×0.8
11 (0.43)
文档编号: 95311
修订: 30军08
如有技术问题,请联系:
indmodules@vishay.com
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1N1 ... A, 1N36..A系列
日前,Vishay高功率产品
中功率
硅整流二极管,一个12
特点
额定电压为50 1000 V
高浪涌能力
低热阻
高温度等级
可作为JAN和JAN - TX的设备
按照MIL -S -二百六十分之一万九千五
DO- 203AA (DO- 4)
RoHS指令
柔顺
符合RoHS
产品概述
I
F( AV )
12 A
主要额定值及特点
参数
I
F( AV )
I
FSM
I
2
t
T
C
V
RRM
(1)
JEDEC注册的价值观
范围
T
C
50赫兹
60赫兹
50赫兹
60赫兹
测试条件
12
(1)
单位
A
°C
A
A
2
s
°C
V
150
(1)
230
240
(1)
260
240
- 65 200
50-1000
(1)
电气规格
电压额定值
V
RRM
最大
重复峰值
反向电压
V
T
C
= - 65 ℃ 200℃
1N1199A
1N1200A
1N1201A
1N1202A
1N1203A
1N1204A
1N1205A
1N1206A
1N3670A
1N3671A
1N3672A
50
(1)
类型编号
(2)
V
R( RMS )
,最大RMS
反向电压
V
T
C
= - 65 ℃ 200℃
35
(1)
V
RSM
最大
非重复性峰值
反向电压
V
T
C
= - 65 ℃ 200℃
100
(1)
V
RM
,最大直射
反向电压
V
T
C
= - 65 ℃ 200℃
50
(1)
100
(1)
150
(1)
200
(1)
300
(1)
400
(1)
500
(1)
600
(1)
700
(1)
800
(1)
900
(1)
1000
(1)
100
(1)
150
(1)
200
(1)
300
(1)
400
(1)
500
(1)
600
(1)
700
(1)
800
(1)
900
(1)
70
(1)
105
(1)
140
(1)
210
(1)
280
(1)
350
(1)
420
(1)
490
560
630
200
(1)
300
(1)
350
(1)
450
(1)
600
(1)
700
(1)
800
(1)
900
(1)
1000
(1)
1100
(1)
1N3673A
1000
(1)
700
1200
(1)
笔记
(1)
JEDEC注册的价值观
(2)
基本部件号表示阴极情况;为阳极的情况下,加上“ R” ,以部件编号,例如, 1N1199RA
文档编号: 93493
修订: 24军08
如有技术问题,请联系: ind-modules@vishay.com
www.vishay.com
1
1N1 ... A, 1N36..A系列
日前,Vishay高功率产品
中功率
硅整流二极管,一个12
正向导通
参数
最大平均正向电流
在外壳温度
符号
I
F( AV )
测试条件
180 °正弦波传导
半周期50赫兹的正弦波
或6毫秒矩形脉冲
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
半个周期60赫兹正弦波
或5毫秒的矩形脉冲
半周期50赫兹的正弦波
或6毫秒矩形脉冲
半个周期60赫兹正弦波
或5毫秒的矩形脉冲
T = 10毫秒
最大
I
2
t
对于融合
I
2
t
我最大
2
吨的个体
设备融合
我最大
2
√t
个人
设备融合
最大正向电压降
V
RRM
= 50
V
RRM
= 100
V
RRM
= 150
V
RRM
= 200
V
RRM
= 300
最大平均
反向电流
V
RRM
= 400
V
RRM
= 500
V
RRM
= 600
V
RRM
= 700
V
RRM
= 800
V
RRM
= 900
V
RRM
= 1000
笔记
(1)
JEDEC注册的价值观
(2)
I
2
t表示时间t = I
2
√t
x
√t
x
x
(3)
最大反向峰值电流(I
RM
)相同的条件下
2倍额定我
R( AV )
I
R( AV )
(3)
12
(1)
150
(1)
单位
A
°C
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
以下任何额定载荷
条件和V
RRM
采用下面的浪涌= 0
额定V
RRM
应用的
下面激增,
初始的T
J
= 200 °C
随着V
RRM
= 0以下
浪涌,初始的T
J
= 200 °C
230
240
(1)
A
275
285
260
240
370
340
3715
1.35
(1)
3.0
(1)
2.5
(1)
2.25
(1)
2.0
(1)
1.75
(1)
1.5
(1)
A
2
√s
V
A
2
s
I
FSM
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
I
2
√t
(2)
V
FM
T = 0.1 10毫秒,V
RRM
= 0以下激增
I
F( AV )
= 12 A( 38峰值) ,T
C
= 25 °C
最大额定我
F( AV )
和T
C
1.25
(1)
1.0
(1)
0.9
(1)
0.8
(1)
0.7
(1)
0.6
(1)
mA
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中功率
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硅整流二极管,一个12
热和机械规格
参数
最大工作情况和
存储温度范围
最大内部热
电阻,结到外壳
热阻,
案例下沉
最低
扭矩施加于螺母;无润滑螺纹
最大
最低
安装力矩
最大
最低
扭矩适用于设备的情况下;润滑螺纹
最大
大约重量
0.25
机箱样式
(1)
JEDEC注册的价值观
JEDEC
盎司
DO- 203AA (DO- 4)
1.43 (12.65)
7.0
g
扭矩施加于螺母;润滑螺纹
1.30 (11.55)
1.17 (10.35)
1.69 (15)
1.07 (9.45)
N·m的
(磅力·英寸)
符号
T
C
, T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
安装面,光滑,扁平的和润滑
测试条件
- 65 200
(1)
2.0
(1)
° C / W
0.5
1.36 (12)
单位
°C
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日前,Vishay高功率产品
中功率
硅整流二极管,一个12
图。 1 - 平均正向电流与
最大允许外壳温度
图。 4 - 最大正向电压与正向电流
图。 2 - 最大低电平正向功率损耗与
平均正向电流
图。 5 - 最大瞬态热阻抗,
结到外壳与脉冲持续时间
图。 3 - 最大高级前向功率损耗与
平均正向电流
图。 6 - 最大非重复50 Hz的浪涌电流 -
电流脉冲的数量
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日前,Vishay
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前,Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
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以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,包括但不限于本文保修
其中,适用于这些产品。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本
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本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生使用,或维持生命的应用程序,除非
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应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    1N1203A
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    -
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    终端采购配单精选

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电话:15914072177
联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
1N1203A
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
1N1203A
Microchip Technology
24+
16000
DO-4(DO-203AA)
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
1N1203A
Microchip Technology
24+
10000
DO-4(DO-203AA)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
1N1203A
MICROSEMI/美高森美
18+
1319
MODULE
原装现货 量大可订货 欢迎询价
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
1N1203A
IR/MSC
20+
26500
DO-4
全新原装正品/质量有保证
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