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1MBI50U4F-120L-50
IGBT模块（ U系列）
1200V / 50A / 1在一个封装
特点
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
IGBT模块
应用
DB变频器用于电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器（ DB ）
主动式PFC
工控机
最大额定值和特性
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
符号
V
CES
V
GES
Ic
集电极电流
IC脉冲
条件
最大额定值
1200
±20
75
50
150
100
25
50
275
1200
75
150
+150
-40~+125
2500
3.5
单位
V
V
连续
1ms
1ms
1设备
连续
1ms
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
A
-IC
-Ic脉冲
集电极耗散功率
Pc
反向电压为FWD
VR
IF
前页电流FWD
中频脉冲
结温
Tj
储存温度
TSTG
终端和铜底座之间的隔离电压（ * 1 ）
V
ISO
安装（* 2）
螺杆转矩
-
端子（ * 3 ）
注* 1 ：所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
注* 2 ：值得推荐值： 2.5 3.5米（ M5或M6 ）
注* 3 ：值得推荐值： 2.5 3.5米（ M5 ）
W
V
A
°C
°C
VAC
Nm
AC： 1分钟。
1
1MBI50U4F-120L-50
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有说明）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
（终奌站）
V
CE （SAT）
（片）
资本投资者入境计划
吨
tr
潮流（ⅰ）
花花公子
tf
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
IR
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
TRR
R导线
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ，我
C
= 50毫安
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IGBT模块
Tj=25°C
Tj=125°C
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
Tj=25°C
Tj=125°C
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 600V ，我
C
= 50A
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 22
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
正向电压上
反向电流
正向电压上
反向恢复时间
引线电阻，终端芯片（ * 4）
注* 4 ：手臂之间最大的内部终端电阻。
V
GE
= 0V
I
F
= 25A
V
CE
= 1200V
V
GE
= 0V
I
F
= 75A
I
F
= 75A
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
1.0
-
-
200
4.5
6.5
8.5
-
2.00
2.15
-
2.20
-
-
1.90
2.05
-
2.10
-
-
6
-
-
0.32
1.20
-
0.10
0.60
-
0.03
-
-
0.41
1.00
-
0.07
0.30
-
1.65
2.00
-
1.75
-
-
1.60
1.85
-
1.70
-
-
-
1.0
-
1.75
1.90
-
1.90
-
-
1.60
1.75
-
1.75
-
-
-
0.35
-
1.39
-
单位
mA
nA
V
V
nF
s
V
mA
V
s
m
热阻特性
项
热电阻（ 1设备）
接触热阻
符号
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ）
条件
IGBT
逆二极管
FWD
用导热膏（ * 5 ）
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.45
-
-
1.19
-
-
0.48
-
0.05
-
单位
° C / W
注* 5 ：这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
2
1MBI50U4F-120L-50
特性（代表）
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
Tj=25
o
C /片
125
V
GE
=20V 15V
集电极电流IC [ A]
100
75
50
25
8V
0
0
1
2
3
4
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
5
0
0
10V
12V
集电极电流IC [ A]
125
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IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
Tj=125
o
C /片
V
GE
=20V
100
75
15V
12V
50
25
10V
8V
1
2
3
4
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
5
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
V
GE
= 15V /片
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
Tj=25
o
C /片
10
125
Tj=25
o
C
Tj=125
o
C
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
集电极电流IC [ A]
100
8
75
6
50
4
Ic=200A
Ic=100A
Ic=50A
25
2
0
0
1
2
3
4
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
5
0
5
10
15
20
栅极 - 发射极电压： V
GE
[ V ]
25
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
V
GE
= 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25℃
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
100.0
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ 200V / DIV ]
栅极 - 发射极电压： V
GE
[ 5V / DIV ]
o
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 50A ， TJ = 25
o
C
V
GE
V
CE
10.0
资本投资者入境计划
1.0
CRES
卓越中心
0.1
0
10
20
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
30
0
0
100
200
栅极电荷：的Qg [ NC ]
300
3
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IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ，V
GE
= ± 15V ，R
G
= 22Ω ， TJ = 25
o
C
10000
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
10000
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ，V
GE
= ± 15V ，R
G
= 22Ω ， TJ = 125
o
C
1000
花花公子
吨
1000
吨
花花公子
tr
100
tr
tf
100
tf
10
0
25
50
75
集电极电流IC [ A]
100
10
0
25
50
75
集电极电流IC [ A]
100
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 50A ，V
GE
= ± 15V ， TJ = 25
o
C
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
10000
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
10
8
6
4
2
0
0
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ，V
GE
= ± 15V ，R
G
=22
Eon(125
o
C)
Eoff(125
o
C)
Eon(25
o
C)
Err(125
o
C)
Eoff(25
o
C)
Err(25
o
C)
1000
吨
花花公子
tr
100
tf
10
10
100
栅极电阻，R
G
[]
1000
25
50
75
集电极电流IC [ A]
100
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 50A ，V
GE
= ± 15V ， TJ = 125
o
C
20
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
125
反向偏压安全工作区（最大）
+ VGE = 15V ， -V
GE
< = 15V ，R
G
> = 22Ω ， TJ < = 125
o
C
集电极电流IC [ A]
1000
宙
100
75
10
EOFF
50
25
ERR
0
10
100
栅极电阻，R
G
[]
0
0
400
800
1200
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
1600
4
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IGBT模块
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
200
Tj=25
o
C
Tj=125
o
C
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
1000
FWD
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 600V ，V
GE
= ± 15V ，R
G
=22
FWD
正向电流：我
F
[ A ]
150
100
100
trr(125
o
C)
trr(25
o
C)
Irr(125
o
C)
Irr(25
o
C)
50
0
0
1
2
3
正向电压： V
F
[ V ]
逆二极管
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
热阻： Rth的（J -C ）
o
C / W]
60
50
正向电流：我
F
[ A ]
40
30
20
10
0
0
1
2
3
正向电压： V
F
[ V ]
4
Tj=25
o
C
Tj=125
o
C
4
10
0
25
50
75
正向电流：我
F
[ A ]
100
瞬态热阻抗（最大）
10.00
Inberse二极管
1.00
FWD
IGBT
0.10
0.01
0.001
0.010
0.100
脉冲宽度：密码[秒]
1.000
5
QQ：2881677436 复制
